REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA UNIVERSIDAD CENTRAL DE VENEZUELA FACULTAD DE INGENIERÍA ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA DEPARTAMENTO DE COMUNICACIONES PROYECTO Nº 1 MODULADOR AM ESTÁNDAR Realizado por: CAMELO, Carlos DI YORIO, Carlos (Coordinador) INFANTE, Johnny YEPEZ, Leonardo Caracas, 4 de febrero de 2005 INTRODUCCIÓN El siguiente proyecto se basa en el diseño de un Modulador de AM estándar (Modulador AM Doble Banda Lateral con Transmisión de portadora. DSBFC), con la finalidad de comprobar algunas características básicas del circuito. En dicho diagrama circuital, se observará algunas etapas con funciones muy específicas, y condiciones básicas de funcionamiento. Entre ellas se tiene: La señal modulante. La señal portadora. El transistor operando en clase C. La fuente de poder de corriente directa. El amplificador de acoplamiento inductivo y doble sintonía, o doble resonancia. El uso de transmisores de estado sólido permite obtener potencias altas de salida, las cuales estaban limitadas para los primeros transmisores de AM quienes usaban tubos de vacío para los dispositivos activos. Una de las etapas utilizadas para el diseño del Modulador de AM es el transformador de doble sintonía, el cual tiene mucha importancia ya que se verá que sirve como filtro de la señal de la salida. MODULADOR AM ESTÁNDAR DESCRIPCIÓN DEL FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO En la figura siguiente se muestra un diagrama esquemático para un Modulador de AM DSBFC (Doble Banda Lateral con Transmisión de portadora (Double Side-Band Forward Carrier)). En dicho esquema, la señal de modulación se aplica al colector, por lo que el circuito recibe el nombre de modulador de colector. Para lograr una eficiencia de potencia alta, los moduladores de AM operan en clase C. Esto es, se tiene un amplificador de clase C con dos entradas: una señal portadora (νC) y una señal modulante (νm). 0 V6 R3 TX2 12.5 5 FREQ = 2k VAMPL = 12.5 VOFF = 0 V5 0 0 R2 TX1 850k C2 C1 8p 8p 0 R5 1k Q1 Q2N5058 V2 VOFF = 0 VAMPL = .7 FREQ = 200k 0 Figura 1. Diagrama esquemático del Modulador de AM. R1V 5.1Mega El circuito dado opera de la siguiente forma: Cuando la amplitud de la portadora cruza la barrera de los 0,7 V aproximadamente, se enciende el transistor Q1 y permite el paso de corriente por el colector. Si la amplitud de la portadora cae debajo de 0,7 V , Q1 se apaga y cesa la corriente del colector. El transistor Q1 cambia entre la saturación y el punto de corte controlado por la señal de la portadora. Cada ciclo sucesivo de la portadora enciende a Q1 por un instante y permite que la corriente corra por un corto tiempo, produciendo una forma de onda negativa en el colector (Esta señal es semejante a la señal rectificada de media onda repetitiva con una frecuencia fundamental fC). Figura 2 . Forma de onda del colector sin señal modulante. Cuando una señal modulante se aplica al colector en serie con el voltaje de la fuente DC, se agrega y se resta de VCC . Cuando la máxima amplitud pico de la señal modulante es igual a VCC , la forma de onda de voltaje resultante cambia de un máximo valor de 2VCC a aproximadamente 0V [VCE sat]. Figura 3. Forma de onda del colector con señal modulante. La forma de onda del colector contiene las dos frecuencias de entradas (fC y fm) y sus frecuencias de suma y diferencia (fC ± fm). Debido a que, además contiene la armónica de orden más alta y otras componentes, entonces debe limitarse la banda a fC ± fm antes de ser transmitida. Esto se logra colocando un circuito tanque en el colector de Q1. Figura 4 . Forma de onda de salida del circuito tanque. Debido a que el transistor está operando entre la saturación y el punto de corte, la corriente del colector no depende del voltaje de excitación de la base. El voltaje a través del circuito tanque se determina por la corriente del colector y la resistencia del circuito tanque en resonancia, el cual depende del factor de calidad (Q) de la bobina. Este voltaje de salida es una señal AM DSBFC simétrica con un voltaje promedio de 0V , Vmáx pico positiva= 2 VCC y Vmáx pico negativa = - 2 VCC . Cuando Q1 conduce, C1 se carga a VCC + Vm (un valor máximo de 2VCC y, cuando Q1 está apagado, C1 se descarga por L1). Cuando L1 descarga, C1 se carga a un valor mínimo de – 2 VCC. La frecuencia resonante del circuito tanque es igual a la frecuencia de la portadora y el ancho de banda se extiende desde fC – fm a fC + fm . Por lo tanto, la señal modulante, las armónicas y todos los productos de orden superior se eliminan de la forma de onda, dejando una onda AM DSBFC simétrica, para cuando la máxima amplitud de la señal modulante es VCC. Este circuito tanque es conectado al colector, con un transformador doble sintonizado a la frecuencia de la portadora (200 KHz), y el mismo nos sirve como filtro para que solo pase la señal ubicada en 200 KHz ,además de las bandas pasantes, ubicadas en 198 KHz y 202 KHz. Este amplificador de acoplamiento inductivo y doble sintonía se llama de primario sintonizado y secundario sintonizado, porque los devanados del primario y del secundario del transformador T1 son circuitos tanques sintonizados. Este transformador tiene una curva de respuesta la cual depende del efecto del acoplamiento (entre la resistencia reflejada y la del primario) , de la Q del circuito tanque y del ancho de banda. CÁLCULOS REALIZADOS Primeramente, se realizaron los cálculos para el diseño del Filtro con Transformador de doble sintonía, tal como se muestra a continuación. R2 TX1 V1 10Vac 0Vdc 1Mega C2 C1 8p 0 R1V 5.1Mega 8p 0 Figura 5. Filtro Prueba de Transformador de Doble Sintonía. Los Cálculos realizados se muestran a continuación (Ejecución realizada en Maple 9). > restart; > wo:=1/sqrt(L*C); > Z2:=Rc/(1+j*w*Cs*Rl); > Z1:=Ro/(1+j*w*Cp*Ro); > eq1:=wo=2*Pi*200e3; > eq2:=solve(eq1,C); > plot(eq2,L=60e-3..100e-3); Figura 6. Gráfica de C respecto a L.. Tomando L=80 mH, C tendrá el valor de: > subs(L=80e-3,eq2); Utilizando C=8pF y L del Transformador de 80mH, la nueva frecuencia de resonancia será: > fr:=evalf((subs(C=8e-12,L=80e-3,wo))/(2*Pi)); Se define Q: > Q:=wo1*L1/r; > Q1:=subs(wo1=2*Pi*fr,L1=80e-3,r=R1,Q); Q2:=subs(wo1=2*Pi*fr,L1=80e-3,r=R2,Q); > kQ:=k*sqrt(Qa*Qb); Por medio de ensayo y error, se fijó la resistencia de salida en 5.1M, y fijando kQ en un valor mayor 1, se realizaron las siguientes pruebas hasta obtener un ancho de banda suficiente para dejar pasar la señal y filtrar las otras componentes. > k:=0.1; R2:=5.1e6; R1=1e6 > kq1:=subs(Qa=Q1,Qb=Q2,kQ); > evalf(subs(R1=10e6,kq1)); Lo que muestra que se obtendrán los 2 picos. Para este diseño (Diseño de Filtro de Doble Sintonía), se colocaron los picos un poco separados para que se pudieran apreciar los mismos. En el diseño del filtro del modulador AM, el kq será más cercano a 1, y por lo tanto será algo complicado diferenciar los picos de doble sintonía. A continuación (Figura 3) se muestra el resultado de la simulación del circuito de la Figura 1, utilizando Orcad Capture Cis 9.1. Figura 7. Simulación del Circuito de la Figura 1. Posteriormente, se procedió al diseño del modulador AM con transistor en clase C y con el Filtro con transformador de doble sintonía conectado, tal como se muestra en la Figura 1. Los Cálculos de los valores de los componentes para el modulador AM fueron extremadamente sencillos y fácilmente deducibles. Primero, se seleccionó un valor para la fuente DC tal que polarizara el circuito, y que su tensión no fuese excesivamente alta tal que quemara los componentes eléctricos; este valor podía ser escogido alrededor de 10 V (El valor seleccionado luego de simular diversas veces el circuito en Orcad 9.1 fue el de 12,5 V, ya que, generaba un valor de tensión de la señal a la salida, en este caso el tono de prueba de 2 kHz trasladado a 198 kHz y 202 kHz, de aproximadamente 5 V). Luego, como un requerimiento del proyecto es que el índice de modulación fuera lo más cercano a 1, el valor de la amplitud de la Fuente de Voltaje llamada V5 tenía que ser igual al de la fuente DC, esto porque en algún tiempo el valor de la tensión a la salida será el de la fuente DC menos el valor máximo de la tensión a la salida del transformador TX2 (1:1, y que presenta en el primario la fuente en cuestión). Se seleccionó un BJT de señal tal que presentara un valor de tensión colector-emisor máxima mayor a unos 30 V (worst case o peor caso), y que tuviera un Vbe cercano a 0,7; debido a esto, se seleccionó el 2N5058, ya que es uno de los muchos transistores de señal que cumple con las especificaciones mencionadas anteriormente. La Fuente V2 se seleccionó con una amplitud de 0,7 V, esto con la finalidad de que el circuito estuviese polarizado en clase C (Solo se amplifique apenas una pequeña porción de los picos de la señal generada por V2). La resistencia R3 fue introducida en el circuito, debido a que el programa de simulación utilizado (Orcad 9.1) necesitaba una resistencia entre la fuente V5 y el transformador TX2 para poder funcionar; en otras palabras, la resistencia R3 es un requerimiento del simulador, y se supuso muy pequeña para que no afectara el resultado del circuito. La resistencia R5 representa la resistencia interna del generador, el único requisito de la misma es que no fuera muy elevada para que la caída de tensión sobre la resistencia fuese prácticamente despreciable. Por último, el filtro con transformador de doble sintonía presentaba los valores de los componentes para sintonizarlo a 200 kHz, lo único que se varió fue la resistencia R2 disminuyéndola de 1 MΩ a 850 kΩ, esto se hizo con la finalidad de reducir la distancia entre los 2 picos y acercarlos a 200 kHz. Cabe destacar que la resistencia R2 podía ser de un Ohmiaje mucho menor para que la potencia entregada a la carga fuera mucho más alta de lo que se obtuvo, pero como no existía ningún requisito sobre la potencia entregada a la carga para el diseño del modulador, por facilidad se dejó la resistencia cercana a 1 MΩ para no variar ningún otro parámetro del filtro con transformador de doble sintonía. Al Simular el circuito de la Figura 4, se obtienen las siguientes Señales. SEÑAL EN LA RESISTENCIA DE CARGA EN FUNCIÓN DEL TIEMPO Figura 8. Diagrama de Tensión en la Resistencia de Carga en función del Tiempo. SEÑAL EN LA RESISTENCIA DE CARGA EN FUNCIÓN DEL TIEMPO Figura 9. Espectro de Amplitud de la Tensión en la Resistencia de Carga. Realizando algunos Zoom cerca de 200 kHz para observar más detalladamente la señal. Figura 10. Acercamiento con los lugares más importantes del Espectro de Amplitud de la Tensión en la Resistencia de Carga. CONCLUSION El diseño del modulador AM estándar (Modulador AM Doble Banda Lateral con Transmisión de portadora. DSBFC) fue culminado exitosamente, debido a que todas y cada una de las especificaciones exigidas fueron alcanzadas. Cabe mencionar que dentro de este conjunto de especificaciones, hubo dos en particular que tuvieron mayor trascendencia dentro del equipo de trabajo, estas fueron: El uso del transistor bipolar BJT operando en modo clase C; ya que dentro de los cursos de electrónica esté dispositivo es usado comúnmente en modo clase A y en ocasiones, en modo clase AB. El empleo del transformador de acoplamiento inductivo y de doble sintonía, él cual tiene mucha importancia; ya que se pudo apreciar que esté sirvió para eliminar todas aquellas componentes de frecuencia que no están dentro de la banda que se extiende desde fc-fm hasta fc+fm (198Khz-202Khz) siendo fc y fm las frecuencias de la portadora y de la modulante respectivamente. En lo que respecta, a la eficiencia del modulador AM estándar visto como sistema, cabe mencionar que no se hizo énfasis alguno en la misma, ya que no existía ningún requisito sobre la potencia entregada a la carga del modulador.