Circuitos con diodos

Análisis del circuito recortador con diodo aplicando el modelo de gran señal.
Valores de componentes:
,,
,
Funcionamiento:
Para el diodo del circuito consideraremos el modelo de gran señal, de este modo para el dispositivo existe un
voltaje umbral de conducción V y considerando la conexión en el circuito, el diodo, en polarización inversa,
actuará como una fuente de corriente Is en paralelo con una Resistencia Rr , al aplicar una transformación de
fuentes se tiene el circuito equivalente de la figura 1b, el diodo se polarizará directo en el momento que Vi
supere el valor V+ VR, cumpliéndose esto el diodo conducirá corriente y desde ese momento lo haremos
equivalente a una fuente V con una resistencia en serie Rf como se muestra en la figura 1c.
En síntesis con:
se tiene:
Para
, polarización inversa del diodo, en este caso asumiremos un valor de:
Usando los valores del circuito:
, Desde ésta ecuación podemos observar que el valor de , en polarización inversa
Para , polarización directa del diodo, en este estado consideramos al diodo aplicando el modelo de gran señal,
de este modo si aplicamos análisis de mallas e el circuito se obtiene:
,
1
Reemplazando Id obtenemos:
, con lo que reduciendo algebraicamente llegamos a la ecuación:
De esta ecuación se puede observar que el limite de recorte para la señal de entrada será de V+ VR si Rf
<<R, y si Rf >>R, el recorte tenderá a ser menor obteniendo una señal se salida similar e la de entrada, si las
diferencias son pocas entre las resistencias el recorte será de un valor V+ VR más un factor entregado por la
relación:
Gráficas de Voltajes Vi y V0
Usando los valores en las ecuaciones encontradas anteriormente encontramos la ecuación de las funciones de
entrada y de salida para el circuito, de este modo se tiene:
, para todo t, excepto donde:
, (*)
Para , , , , etc.
Los ángulos donde ocurre la conducción en el diodo son:
14,77º, 180º−14,77º, 360+14,77º, 540º−14,77º, etc.
Tiempos y ángulos extraídos desde la ecuación (*)
Voltaje del Diodo
El voltaje para el diodo en polarizacion inversa está determinado por la ecuación:
VDS: Voltaje del diodo en polarizaron inversa.
En polarización directa:
VDD: Voltaje en diodo polarizado directo.
De este modo podemos apreciar la gráfica para el voltaje tal y como se muestra en al figura 2b.
Gráficas de i0
Si en el circuito se colocase una carga RL entre los terminales V0, La gráfica correspondiente a la corriente
que fluiría por la resistencia sería similar a la que existe para V0 la cual es mostrada en la figura 2a, la
diferencia entre los rangos de una grafica de corriente estarían determinados por el valor de RL, valor que
produciría una atenuación en la amplitud de la señal con respecto a la amplitud de V0, esto regido por la
relación .
Gráfica de id
Usando las expresiones encontradas para la corriente en el diodo para cada estado de polarización se obtienen
las siguientes expresiones con los valores de las magnitudes de los componentes involucrados en el circuito,
para la polarización inversa: , esta es una corriente del orden de los micro Amper por lo que prácticamente se
puede despreciar.
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Para la polarización directa tenemos:
, esta es la función para la corriente que el diodo conduce en la polarización directa, su gráfica se puede
apreciar en la figura 2d.
Relación de voltajes RMS
Problema II
Para el circuito mostrado en la figura Nº2, obtenga las corrientes y los voltajes a través de ambos diodos.
Nota, considere:
Solución:
En el circuito podemos visualizar que el diodo 2 está bajo una polarización inversa, puesto que la caída de
tensión en el diodo 1 una será mínima comparada con el voltaje de la fuente, de este modo asumiremos una
corriente en el sentido horario la cual corresponderá a la corriente inversa que circula por el diodo 2 con esto
se tiene:
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• Asumiendo que
Con estos valores numéricos comprobamos la consistencia de las condiciones que se tomaron para la
resolución del problema.
Parte Teórica
a) Al encontrarse la juntura en circuito abierto, por leyes físicas debe estar en equilibrio, lo que en ella sucede
es que se genera una corriente de difusión que tiende a atravesar la unión desde el material tipo P al tipo N,
esto producido por la diferencia de concentración de huecos que están en mayoría en el lado P. La corriente de
difusión se anula debido a que se genera una corriente de desplazamiento generada por el campo eléctrico que
aparece en la unión.
b) Al incidir una onda electromagnética en un semiconductor aumenta la energía de los electrones subiendo
así su nivel energético y comienza a romper los enlaces covalente formando nuevos pares de electrón hueco
con esto aumentan los portadores minoritarios y se genera la corriente de saturación inversa.
La ecuación que rige la corriente en un el diodo por generaciónn óptica es:
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ID: corriente en un diodo con generación óptica.
Io: corriente de saturación óptica .
VD: tensión en los terminales del diodo.
n: coeficiente de emisión (depende del material Si n=1; Ge n=2)
VT: factor afectado por la temperatura.
Iop: corriente formada óptimamente.
Donde
q: Carga del
A: Área del semiconductor
: Coef. De generación
: Long. Del material P
: Long. Del material N
Al variar el área del diodo varia también con esto la corriente generado óptimamente esto quiere decir que
estos parámetros son directamente proporcional entre si
En la ecuación del diodo se despreció la corriente inversa y que es muy pequeña
c) Del efecto fotoeléctrico podemos decir que en algunos materiales, al ser sometidos a una luz intensa
generan una pequeña corriente eléctrica .Es así como se explica el funcionamiento general del fotodiodo los
cuales son sensibles a la luz visible o infrarroja. Este es un dispositivo que conduce una corriente eléctrica
proporcional a la cantidad de luz que incide sobre la unión.
Para su correcto funcionamiento se polariza inversamente ya que: al incidir luz(fotones incidentes) la
superficie del dispositivo se forman nuevos pares de electrones−huecos adicionales generados térmicamente
esto lo podemos ver como una inyección de portadores minoritarios que contribuyen a la conducción de
corriente la cual varia linealmente con el flujo de luminoso.
d) Es un diodo que tiene una variación de anchura de la barrera de potencial en la juntura PN ,esta variación
esta en función del voltaje inverso aplicado al diodo son directamente proporcionales, esto quiere decir que al
aumentar el voltaje inverso, aumenta la anchura de la barrera y esto disminuye así la capacidad del diodo. La
capacidad es variable y depende de la tensión ,con respecto a la frecuencia este dispositivo a altas frecuencias
tendrá una baja capacitancía por esto este tipo de diodo es tan utilizado en circuitos de telecomunicación para
sintonización de emisoras de radio ,etc.
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e) existe una gran variedad de parámetros para los diodos sin embargo los más importantes son:
• Corriente directa máxima (IF = fordwad intensity): máxima corriente que puede soportar un diodo
en polarización directa sin que se destruya.
• Voltaje inverso o de Ruptura (PIV = peak inverse voltaje): máximo voltaje que se puede aplicar a
un diodo en polarización inversa antes de que se destruya.
• Potencia disipada (PD = disipated power) o Temperatura máxima: máxima potencia que puede
disipar un diodo en condiciones de operación normales es igual (0.7)*ID
• Tipo de Empaque: código que define el empaque utilizado por un diodo.
• Tipo de Material: si el diodo es de Si o Ge esto define el voltaje umbral.
Bibliografía:
• Principios de Electrónica Autor: Albert Paul Malvino
• Electrónica Integrada Autor: Jacob Millman y Christos C. Halkias
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Fig. 1a. Circuito Recortador con diodo
Fig. 1a. Circuito recortador
Fig. 1b. Circuito con diodo modelo de gran señal, polarizado inversamente.
Fig. 1c. Circuito con diodo modelo de gran señal polarizado directamente.
Fig. 1d. Relación entre corriente y voltaje para diodo con modelo de gran señal.
Fig. 2a. Formas de onda de voltajes de entrada y salida del circuito.
Fig. 2b. Formas de onda de voltajes en los extremos del diodo.
Fig. 2c. Circuito recortador con resistencia de carga
Fig. 2d. Formas de onda de corriente del diodo.
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