UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA FACULTAD DE TECNOLOGÍA INFORMÁTICA ELECTROMAGNETISMO Y ESTADO SÓLIDO II UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA Facultad de Tecnología Informática Materia: Electromagnetismo y Estado Sólido II Docente: Ing. Enrique Cingolani Alumnos: Jungberg, López, Segura Sede: Centro Comisión: 5º A Guias de ejercicios Año 2009 TP Nº 2 Turno: Noche Página 2 de 6 Resolución de al menos un ejercicio de cada Guía GUIA MECANICA CUANTICA 1] Explicar brevemente cuáles fueron los aportes de Planck, Einstein y de Broglie en la fundación de la mecánica cuántica. El aporte de Max Planck, allá por el año 1900, fue interpretar las características del espectro de radiación de los cuerpos incandescentes. Dedujo expresiones matemáticas que contenían una constante empírica, denominada Constante de Planck, que corresponde a la frecuencia de oscilación de las moléculas. Entonces definió que existe una unidad mínima de intercambio de energía a la que llamó Cuanto. Por lo tanto la energía no se podría intercambiar en unidades más pequeñas que un Cuanto de energía El aporte de Albert Einstein fue relacionar los resultados de Planck con el efecto fotoeléctrico. Este fenómeno consiste en que la radiación electromagnética como por ejemplo la luz, puede arrancar electrones de la superficie de algunos sólidos. Se comprobó que la velocidad con que salían emitidos dichos electrones dependía de la frecuencia de la señal electromagnética (luz). Einstein postuló que la luz misma es granular y consiste realmente en paquetes discretos de energía a los que llamo “fotones”. Louis Broglie formuló esta idea de la materia con propiedades ondulatorias, que completa el desarrollo de Einstein sobre la naturaleza corpuscular de la radiación electromagnética. Además postuló que toda porción de materia sustancial, en movimiento, con velocidad V y masa m está asociada con una radiación de longitud de onda λ y frecuencia v que cumple con: h λ= ______ m.V E v= _______ h UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA Facultad de Tecnología Informática Materia: Electromagnetismo y Estado Sólido II Docente: Ing. Enrique Cingolani Alumnos: Jungberg, López, Segura Sede: Centro Comisión: 5º A Guias de ejercicios Año 2009 TP Nº 2 Turno: Noche Página 3 de 6 GUIA SEMICONDUCTORES 5] ¿Cuál es el sentido de la corriente eléctrica transportada por los huecos, comparada con la de los electrones de la banda de conducción? El signo de la corriente es igual, lo que varía es el movimiento del flujo. Esto se debe a que los electrones saltan sobre los huecos, haciendo que se llenen esos espacios con electrones, lo que genera que las corrientes circulen con flujos opuestos. UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA Facultad de Tecnología Informática Materia: Electromagnetismo y Estado Sólido II Docente: Ing. Enrique Cingolani Alumnos: Jungberg, López, Segura Sede: Centro Comisión: 5º A Guias de ejercicios Año 2009 TP Nº 2 Turno: Noche Página 4 de 6 GUIA DIODOS 7] ¿Cuáles son los límites de tensión que pueden aplicarse a un diodo en una y otra polarización? Los límites de tensión que pueden aplicarse en un diodo, según su polarización son: En el caso de la polarización inversa, la Tensión inversa de ruptura. La misma corresponde a la tensión en sentido inverso que puede soportar un diodo sin entrar en conducción; esta tensión para un diodo rectificador es destructiva, por ello cuando se diseña un circuito siempre se utiliza un factor de seguridad que no está determinado, sino que depende del diseñador. Mientras que en el caso de la polarización directa, está determinado por la Corriente máxima de polarización directa. La misma corresponde al valor medio de corriente para el cual el diodo se quema debido a una excesiva disipación de potencia. Este valor nunca se debe alcanzar, por ello, al igual que en el caso de la tensión inversa de ruptura se utiliza en diseño un factor de seguridad. Este valor está expresado en la hoja de características del diodo. UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA Facultad de Tecnología Informática Materia: Electromagnetismo y Estado Sólido II Docente: Ing. Enrique Cingolani Alumnos: Jungberg, López, Segura Sede: Centro Comisión: 5º A Guias de ejercicios Año 2009 TP Nº 2 Turno: Noche Página 5 de 6 GUIA TRANSISTORES 10] En el circuito siguiente: 10.1. Describa el tipo de transistor, la configuración y la región de trabajo. Tipo: NPN Configuración: emisor común Región de trabajo: activa 10.2. Complete las lecturas faltantes en los instrumentos. V en Rbase 1v - 1kohm . Ib – 0.825v = 0 = 0,1751v V en Rcolector 7v - 1kohm . Ic - 0.11v = 0 = 6,89V Vce Vbc + Veb + Vce =0 UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA Facultad de Tecnología Informática Materia: Electromagnetismo y Estado Sólido II Docente: Ing. Enrique Cingolani Alumnos: Jungberg, López, Segura Sede: Centro Comisión: 5º A Guias de ejercicios 0.7157v – 0.825v – Vce = 0 = 109,9mV o 0.1v Ib = 0.1751mA Ic = 6,89mA Ie = 7,06mA Año 2009 TP Nº 2 Turno: Noche Página 6 de 6