Tecnología de semiconductores orgánicos: fabricación - IEEE-RITA

IEEE-RITA Vol. 4, Núm. 1, Feb. 2009
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Tecnología de semiconductores orgánicos:
fabricación de dispositivos electrónicos en aulas
docentes
J. Puigdollers, C. Voz, P. Ortega, I. Martín, A. Orpella, R. Alcubilla
Title—Organic semiconductor technology: fabrication of
electronic devices in university classrooms.
Abstract—In this paper, we describe the activity developed
since 2005 at the Universitat Politecnica de Catalunya were
students fabricate their own electronic devices based on organic
semiconductors. The relative simplicity and low-cost of the
systems used to fabricate this kind of devices, together with the
harmless character of the processes and materials that are
involved, make this experience appropriate for University
classrooms. This activity is especially intended for students in
their last period of formation or coursing a master degree. It has
been designed as a guided laboratory work that also requires
some initiative and previous self-documentation by the students.
Therefore, this experience is well adapted in a natural manner to
the European Credit Transfer System (ECTS) established in the
European Higher Education Area (EHEA) framework.
Index Terms—Electronics engineering education, Thin film
devices,
Organic
compounds,
Semiconductor
device
manufacture.
I. INTRODUCTION
L
OS trabajos de laboratorio en las asignaturas de
dispositivos electrónicos consisten en general en la
simulación o caracterización eléctrica de dispositivos
comerciales. Difícilmente se aborda en dichas prácticas la
fabricación real de dispositivos electrónicos activos. En el
mejor de los casos, en asignaturas de tecnología puede
abordarse la fabricación de elementos pasivos como
resistencias o condensadores. Las razones son obvias, para la
fabricación de dispositivos electrónicos con unas prestaciones
eléctricas razonables se necesitan equipamientos que en la
mayoría de los casos no se disponen ni a nivel de
investigación en las universidades.
En la actualidad, la mayoría de los dispositivos comerciales
se fabrican utilizando semiconductores inorgánicos, tales
J. Puigdollers, C. Voz, P. Ortega, I. Martín, A. Orpella y R. Alcubilla son
profesores del Departamento de Ingeniería Electrónica de la Universidad
Politécnica de Cataluña, c/ Jordi Girona 1-3, Campus Nord C4, 08034
Barcelona. (corresponding author J. Puigdollers tel: +34 93 401 10 02, fax:
+34 93 401 67 56, e-mail: jpuigd@eel.upc.edu)
DOI (Digital Object Identifier) Pendiente
como el silicio, obteniéndose prestaciones electrónicas
excelentes. No obstante, en los últimos años ha habido un gran
interés en la obtención de dispositivos utilizando
semiconductores orgánicos para su aplicación en sistemas
electrónicos que requieran gran área y prestaciones
electrónicas no muy exigentes[1]. Actualmente es posible
fabricar dispositivos tan diversos como células solares
fotovoltaicas[2], transistores en capa delgada[3] o diodos
emisores de luz utilizando semiconductores orgánicos[4]. Esta
última aplicación está tan desarrollada que ya existen
dispositivos comerciales que incorporan pantallas OLED
(organic light emitting diode).
Existe una gran cantidad de semiconductores orgánicos y la
investigación en su síntesis ha experimentado un gran
progreso en los últimos años. En la actualidad es posible
sintetizar semiconductores orgánicos a la carta, es decir,
buscando unas propiedades predeterminadas de acuerdo con la
función de los dispositivos que se quieren fabricar. En
general, los semiconductores orgánicos pueden dividirse en
dos grandes familias según su estructura química: polímeros
(formados por largas cadenas de monómeros) y oligómeros
(formados por una o unas pocas moléculas). La obtención de
capas delgadas a partir de estos semiconductores es diferente
según estemos trabajando con polímeros o con moléculas
pequeñas. Para los polímeros el proceso habitual de depósito
es la técnica conocida como spin-coating. El proceso consiste
en obtener una disolución del polímero en un disolvente
orgánico que se vierte en una pequeña cantidad sobre el
substrato utilizado. Posteriormente se hace rotar el substrato a
gran velocidad, típicamente por encima de 1000 revoluciones
por minuto, distribuyéndose todo el líquido sobre su
superficie. Al evaporarse el disolvente se obtienen capas
delgadas bastante uniformes del polímero semiconductor con
grosores de centenares de nanómetros. Por el contrario, los
semiconductores orgánicos en pequeña molécula se depositan
mediante evaporación térmica en cámaras de vacío. Ambas
tecnologías permiten obtener dispositivos con notables
propiedades eléctricas. Tanto el spin-coating como la
evaporación en vacío son técnicas de depósito relativamente
sencillas, pueden comprenderse de forma intuitiva, y apenas
requieren formación previa para su utilización.
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En este artículo vamos a describir una serie de experiencias
piloto que se han realizado en la Universidad Politécnica de
Cataluña (UPC) para la titulación de segundo ciclo de
Ingeniería Electrónica en la asignatura Dispositivos
Electrónicos y Fotónicos 2. El contenido de esta asignatura
incluye la descripción del funcionamiento y tecnología de los
transistores de efecto de campo, los dispositivos de
heterounión, así como LEDs y células solares. Por tanto, la
fabricación de dispositivos basados en semiconductores
orgánicos se integra perfectamente en el temario de la
asignatura y permite que los alumnos conozcan las tendencias
Fig. 2. Los semiconductores orgánicos se pueden adquirir comercialmente de
forma relativamente sencilla (izquierda). En general, son totalmente inocuos
por lo que pueden manipularse sin precauciones especiales. A la derecha se
muestran capas delgadas de diferentes semiconductores orgánicos obtenidas
bien por evaporación en vacío o por spin-coating de disoluciones.
Así puede prescindirse de microscopios o micromanipuladores
que encarecerían la experiencia sin aportar ningún concepto
nuevo.
II. ESQUEMA DE LA PRÁCTICA
Fig. 1. En la parte superior se muestra la estructura de los transistores de
efecto de campo en capa delgada que se han fabricado utilizando pentaceno
como capa semiconductora. También se muestra la imagen de uno de los
dispositivos. En la parte inferior se muestra la estructura de un fotodiodo de
pentaceno, otro tipo de dispositivo que también se ha fabricado. Al lado
mostramos la estructura de la molécula de pentaceno formada por cinco
anillos de benceno.
más novedosas
electrónicos.
en
la
investigación
en
A continuación describiremos como se han desarrollado las
prácticas de laboratorio realizadas en las que se han fabricado
y caracterizado dispositivos electrónicos basados en
semiconductores orgánicos. Con la realización de este tipo de
prácticas se persiguen varios objetivos. Por una parte, los
alumnos participan activamente en la fabricación de un
dispositivo semiconductor, ya sea un transistor o un
fotodiodo. Posteriormente miden algunas de las características
eléctricas más relevantes: para el transistor la característica de
salida y para el fotodiodo la curva corriente-tensión, por
ejemplo. Las prestaciones obtenidas en los dispositivos
fabricados se comparan con las de dispositivos similares
reportados en la literatura científica. Así, podemos distinguir
las siguientes etapas o apartados en esta actividad:
dispositivos
En los trabajos de laboratorio realizados hasta ahora ya se
han fabricado tanto fotodiodos como transistores de efecto de
campo en capa delgada utilizando pentaceno (C22H14) como
semiconductor orgánico (Fig. 1). El pentaceno es una pequeña
molécula consistente en cinco anillos de benceno enlazados
formando una cadena aromática. Es uno de los
semiconductores orgánicos más estudiados por sus buenas
prestaciones eléctricas, por eso lo hemos escogido para la
fabricación de nuestros dispositivos. No obstante, en el futuro
para dar una mayor riqueza y diversidad a los experimentos se
prevé incorporar en estas experiencias pigmentos como la
ftalocianina de cobre (CuPc)[5] o el fulereno (C60)[6].
Cualquiera de los semiconductores orgánicos que se
consideran para este tipo de experiencias puede obtenerse
comercialmente de una forma relativamente sencilla (Fig. 2).
Por otra parte, los dispositivos que fabrican los alumnos se
diseñan de forma que tengan áreas de contacto
suficientemente grandes (del orden de unos milímetros) para
poder ser caracterizados y manipulados con cierta comodidad.
•
•
•
•
Descripción del proceso de fabricación
Fabricación de los dispositivos
Caracterización eléctrica
Análisis y discusión de los resultados
A continuación se describen en detalle los diferentes
apartados de la práctica.
A. Descripción del proceso de fabricación
Es conveniente dedicar una primera sesión a describir el
proceso de fabricación. En una presentación se muestra a los
alumnos la estructura de los dispositivos y se identifican las
distintas capas de materiales que deberán depositarse, tal y
como se mostraron en la figura 1. Se introduce la sencilla
tecnología que van a utilizar y se compara con los recursos
que necesitarían si quisiesen fabricar dispositivos basados en
los clásicos semiconductores inorgánicos como el silicio.
Posteriormente se visita el laboratorio y se presentan los
diferentes equipos que van a utilizar a lo largo de la práctica.
En particular se describe el funcionamiento de la evaporadora
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y del spinner (Fig. 3). No es necesario extenderse demasiado
porque en las sesiones de fabricación tendrán tiempo de
familiarizarse con el uso de estos equipos. Si bien existe una
amplia documentación bibliográfica sobre las tecnologías de
depósito de materiales en capa delgada[7], no es necesario
profundizar en los fundamentos básicos de técnicas como el
spin-coating o la evaporación en vacío. Este no es el objetivo
principal de esta actividad y los procesos pueden entenderse
Fig. 3. A la izquierda se muestra el interior de la evaporadora que se utilizará
para depositar tanto las capas de semiconductor orgánico de pequeña
molécula como los contactos metálicos de los dispositivos. En primer plano
se observa el crisol de evaporación fabricado manualmente y las barras
roscadas que actúan como pasante de corriente. A la derecha se observa el
spinner comercial que utilizarán los alumnos para depositar el dieléctrico
PMMA de los transistores en capa delgada. En futuras experiencias el
spinner también se utilizará para depositar polímeros semiconductores.
de forma bastante intuitiva a partir de la explicación del
profesor.
B. Fabricación de los dispositivos
En cuatrimestres alternos se han fabricado fotodiodos y
transitores en capa delgada utilizando siempre pentaceno
como semiconductor orgánico para la capa activa de los
dispositivos. En el futuro se planea diversificar los trabajos de
manera que, en un mismo cuatrimestre, grupos de alumnos
fabriquen distintos tipos de dispositivos. Para dar todavía
mayor riqueza a la experiencia, se prevé además ir
incorporando paulatinamente nuevos semiconductores
orgánicos. Éstos materiales pueden obtenerse comercialmente
en forma de polvo apto para la técnica de evaporación de
compañías como Sigma–Aldrich (www.sigmaaldrich.com).
Los metales utilizados para los electrodos, aluminio u oro de
gran pureza, también pueden obtenerse comercialmente de la
compañía Goodfellow (www.goodfellow.com). Obviamente,
estas compañías se indican a modo de ejemplo y existen otras
que también pueden servir estos materiales. A continuación
pasamos a describir brevemente las tareas que realizan los
alumnos en las sesiones de fabricación de los dispositivos.
b.1) Fotodiodos de pentaceno
La estructura de los fotodiodos de pentaceno se muestra en
la parte inferior de la figura 1. Para la actividad en el
laboratorio, el alumno partirá de un sustrato de vidrio ya
recubierto previamente con un electrodo transparente. En
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nuestro caso, utilizamos portaobjetos de microscopio con una
capa de ITO (óxido de estaño dopado con indio) depositada
por la técnica de pulverización catódica en nuestras propias
instalaciones de investigación. El ITO es un óxido conductor
de gran transparencia (transmisión óptica del 90% en el
visible) a la vez que elevada conductividad eléctrica
(resistividad menor de 1 mΩ·cm). Por motivos de tiempo y
complejidad este proceso queda fuera de la experiencia con
los alumnos, aunque sí se les explica el proceso de
preparación y se les enseña el equipo utilizado.
Alternativamente, también sería posible obtener directamente
substratos de este tipo comerciales, por ejemplo de la
compañía Sigma-Aldrich.
El trabajo inicial de los alumnos consistirá en practicar con
el equipo de evaporación y realizar algunos depósitos de
prueba tanto de capas de pentaceno como de aluminio (Fig. 4).
Los crisoles de evaporación se fabrican manualmente
moldeando piezas de chapa de molibdeno de 50 μm de
espesor que pueden obtenerse en ferreterías especializadas.
Las muestras de pentaceno depositadas sobre vidrio desnudo
se utilizan para medir la transmisión óptica y determinar, por
ejemplo, el gap del semiconductor. En las capas de aluminio
el profesor enseña a los alumnos a medir el espesor de las
capas metálicas por la técnica de perfilometría. Estas
actividades acostumbran a ocupar toda una sesión completa de
laboratorio.
En la siguiente sesión los alumnos ya podrán fabricar con
total confianza el dispositivo completo. El primer paso
consistirá en evaporar una capa de pentaceno de forma
controlada y a un bajo ritmo de depósito (<10 Å/s) sobre los
substratos de vidrio recubiertos con ITO. Posteriormente, la
evaporadora se prepara para evaporar aluminio y sobre la
muestra se coloca una máscara de sombra para definir el área
de los dispositivos. En nuestro caso hemos utilizado máscaras
de sombra fabricadas en nuestros propios laboratorios, aunque
también es posible adquirirlas comercialmente de compañías
especializadas (www.labelcomat.be) o incluso fabricarlas a
partir de láminas metálicas no muy gruesas y minibrocas de
Fig. 4. Grupo de alumnos familiarizándose con el uso del equipo de
evaporación en vacío. Habitualmente se realizan ensayos para obtener capas
de pentaceno y de aluminio sobre substratos de vidrio antes de fabricar el
dispositivo completo.
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pequeño diámetro. El contacto ITO/pentaceno es de tipo
óhmico mientras que el contacto rectificador se forma en la
unión pentaceno/aluminio.
b.2) Transistores en capa delgada de pentaceno
La estructura de los dispositivos fabricados se muestra en la
parte superior de la figura 1. Como se ha comentado
anteriormente, la primera sesión se dedica a que los alumnos
se familiaricen con el uso de los equipos. En este caso, además
de la evaporadora los alumnos utilizarán el spinner para
expandir el dieléctrico polimérico polimetil metacrilato
(PMMA) sobre el electrodo de puerta. En cualquier caso, la
técnica de spin-coating es extraordinariamente sencilla y
apenas introduce complejidad adicional. En cambio el proceso
es muy visual y resulta atractivo para los alumnos.
En la siguiente sesión de fabricación los alumnos
dispondrán directamente de un substrato de vidrio sobre el que
se ha evaporado previamente una capa metálica que actuará
como electrodo de puerta (Gate). De esta manera se gana algo
de tiempo y, en cualquier caso, este paso no es importante
porque los alumnos volverán a evaporar metales
posteriormente para obtener los electrodos del dispositivo. En
primer lugar los alumnos deberán obtener por spin-coating
una capa uniforme de PMMA que actuará como dieléctrico de
puerta. Posteriormente, utilizando una máscara de sombra para
aislar entre sí los dispositivos evaporarán una capa de
pentaceno. Finalmente, con la máscara girada 90º depositarán
los contactos de drenador (Drain) y fuente (Source) también
por evaporación térmica de oro en este caso. El dispositivo así
obtenido se comporta como un transistor en capa delgada de
canal p. En próximas actividades también se introducirán
nuevos substratos como papel de aluminio que actuará
directamente como electrodo de puerta, así como plásticos
metalizados que permitirán fabricar dispositivos flexibles (Fig.
5). Las pruebas realizadas con este tipo de substratos han sido
Fig. 5. Nuevos substratos que se incorporarán en el futuro como opciones de
bajo coste en las experiencias de laboratorio. Por un lado, papel de aluminio
que puede actuar directamente como substrato y electrodo de puerta.
Alternativamente, láminas de plástico metalizadas para obtener dispositivos
flexibles. Las pruebas previas realizadas han tenido éxito, por lo que estos
substratos pueden comenzar a utilizarse en los próximos cuatrimestres en que
de nuevo se realice la experiencia.
positivas por lo que prevemos incorporar próximamente este
aspecto novedoso en las experiencias de laboratorio.
C. Caracterización eléctrica
Una vez fabricados los dispositivos, la siguiente sesión se
dedica a una caracterización eléctrica básica. Para ello
disponemos de un trazador de características HP4145 y de
unas sencillas puntas de contacto adquiridas en Microbyte
(www.microbyte.es). El tamaño del orden de milímetros de
los dispositivos permite contactarlos sin necesidad de
microscopio y tampoco se requiere una mesa de prueba
específica. Los alumnos están relativamente habituados a la
medida de características eléctricas por lo que esta actividad
no les resulta complicada. De todos modos, una vez
Fig. 6. Característica corriente-tensión del fotodiodo de pentaceno medida en
oscuridad. Se puede observar como el electrodo de ITO actúa como ánodo
del dispositivo mientras que el contacto metálico superior de aluminio es el
cátodo del fotodiodo.
contactados los dispositivos el sistema de medida está
completamente automatizado y es muy sencillo obtener las
características eléctricas.
Las principales medidas a realizar dependerán del
dispositivo que se está estudiando. En el caso del fotodiodo
nos fijaremos en la característica corriente-tensión medida en
oscuridad que muestra un evidente efecto rectificador (Fig. 6).
A partir de ella los alumnos determinarán la corriente de
saturación del diodo, su factor de idealidad, las resistencias
parásitas serie y paralelo, etc. En el futuro podría incorporarse
la medida bajo iluminación e incluso la respuesta espectral del
dispositivo si se consigue desarrollar un sistema de bajo
presupuesto. En el caso de los transistores en capa delgada, la
curva más significativa que miden los alumnos es la
característica de salida del transistor que se muestra en la
figura 7. También puede obtenerse fácilmente y sin necesidad
de equipos adicionales la característica de transferencia y la de
saturación. Esta última es interesante porque a partir de ella
los alumnos calcularán parámetros como la tensión umbral y
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Fig. 7. Característica de salida del transistor en capa delgada de pentaceno.
Los alumnos pueden identificar las zonas de corte, linealidad y saturación tal
y como se les ha explicado en la parte de teoría para los transistores de efecto
de campo.
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completamente operativos basados en la nueva tecnología
electrónica de semiconductores orgánicos. Se ha demostrado
que la fabricación en aulas de laboratorio de dispositivos tales
como transistores o diodos es relativamente sencilla y,
sobretodo, viable económicamente si se utilizan materiales
orgánicos como semiconductores activos. Esta aproximación
permite que los alumnos participen en todo el proceso de
obtención y caracterización del dispositivo, lo que se traduce
en una mejor comprensión de todas las etapas involucradas.
La actitud y la motivación de los alumnos en esta novedosa
experiencia ha resultado excelente, aunque actualmente la
limitación de recursos impide su implantación definitiva para
todos los grupos de la asignatura. El nivel de satisfacción con
el trabajo de laboratorio fue mucho mayor en los alumnos que
realizaron estas prácticas de fabricación real de dispositivos
que los que sólo simularon dispositivos con un programa
comercial, aunque no hubiera necesariamente una correlación
la movilidad de efecto de campo, parámetros relevantes de
cara a posibles aplicaciones de esta tecnología.
D. Análisis y discusión de los resultados
Una buena manera de finalizar esta actividad es una última
sesión donde los alumnos puedan poner en común los
resultados obtenidos por cada uno de los diferentes grupos de
trabajo. Para enriquecer estas sesiones de discusión también se
ha propuesto a los alumnos un pequeño trabajo de
investigación sobre las posibles aplicaciones prácticas de
dispositivos electrónicos como los que han realizado. En esta
parte es conveniente una guía del profesor a la hora de buscar
material bibliográfico que puede consistir en artículos
científicos o de divulgación de las nuevas tendencias en
tecnología electrónica. También es un buen momento para
comparar las prestaciones de estos dispositivos con los que
pueden obtenerse comercialmente basados en tecnología de
silicio. Sin duda, las sesiones de discusión de resultados serán
mucho más interesantes cuando en próximas actividades los
distintos grupos de trabajo fabriquen dispositivos diferentes e
incluso utilicen semiconductores orgánicos diferentes.
III. CONCLUSIONES
En la asignatura Dispositivos Electrónicos y Fotónicos 2, en
la titulación de segundo ciclo Ingeniería Electrónica ofrecida
por la UPC, desde el curso 2005/06 se han realizado diferentes
pruebas piloto de la actividad de laboratorio que aquí se ha
descrito. Estas pruebas se han realizado con un grupo de
laboratorio en cada cuatrimestre (máximo 16 personas) que a
su vez se divide en grupos de trabajo más pequeños (máximo
4 personas). En esta actividad los alumnos fabrican con la
supervisión del profesor diferentes dispositivos electrónicos
Fig. 8. Alumno explicando un uso habitual de los transistores en capa
delgada como dispositivo de direccionamiento en pantallas planas. Aquí, por
ejemplo, podría discutirse la limitación en las velocidades de refresco de
pantalla que introduciría un dispositivo orgánico.
directa con la evaluación final de la asignatura.
AGRADECIMIENTOS
Los autores de este trabajo agradecen a la Escola Tècnica
Superior d’Enginyeria de Telecomunicació de Barcelona
(ETSETB) de la UPC la ayuda recibida para la implantación
de esta actividad de laboratorio. También agradecemos la
financiación del programa Consolider HOPE CSD2007-00007
y de la red XaRMAE de la Generalitat de Cataluña.
REFERENCIAS
[1]
[2]
[3]
J. Puigdollers, C. Voz, I. Martín, A. Orpella, M. Vetter, R. Alcubilla,
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2005, pag. 11-14.
H. Hoppe, N.S. Sariciftci, “Organic solar cells: An overview”, J. Mater.
Res., Vol. 19, No. 7, July 2004, Pages 1924-1941
A. Dodabalapur, “Organic and polymer transistors for electronics”,
Materials Today, Volume 9, Issue 4, April 2006, Pages 24-30
ISSN 1932-8540 © IEEE
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[4]
[5]
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Adachi, C., Baldo, M. A., Thompson, M. E. & Forrest, S. R. Nearly
100% internal phosphorescence efficiency in an organic light-emitting
device. J. Appl. Phys. 90, 5048–5051 (2001)
J. Puigdollers, C. Voz, M. Fonrodona, S. Cheylan, M. Stella, J. Andreu,
M. Vetter, R. Alcubilla, “Copper phthalocyanine thin-film transistors
with polymeric gate dielectric”, Journal of Non-Crystalline Solids,
Volume 352, Issues 9-20, June 2006, Pages 1778-1782
[6]
[7]
C. Voz, J. Puigdollers, S. Cheylan, M. Fonrodona, M. Stella, J. Andreu,
R. Alcubilla, “Photodiodes based on fullerene semiconductor”, Thin
Solid Films, Volume 515, Issue 19, July 2007, Pages 7675-7678.
D. Smith, “Thin-film deposition: principles and practice”, McGraw-Hill
(1995) ISBN 0-07-113913-3.
Joaquín Puigdollers nació en Cardedeu (BarcelonaEspaña) en 1965. Recibió el título de Licenciado en
Ciencias Físicas en 1989 y el de Doctor en Física en
1995. Actualmente es profesor titular en el
Departamento de Ingeniería Electrónica de la UPC e
imparte docencia en la ETSETB. Su principal
actividad investigadora actual se centra en el
desarrollo de nuevos dispositivos electrónicos basados
en semiconductores orgánicos y en la tecnología de
dispositivos fotovoltaicos.
Cristóbal Voz nació en Sabadell (España) en 1972.
Recibió el título de Licenciado en Ciencias Físicas en
1997 y el de Doctor en Física en 2001. Actualmente
es profesor titular en el Departamento de Ingeniería
Electrónica de la UPC e imparte docencia en la
ETSETB. Su principal actividad investigadora actual
se centra en la fabricación de células solares de
heterounión entre silicio amorfo y cristalino, así como
en la tecnología electrónica con semiconductores
orgánicos.
Pablo R. Ortega nació en Barcelona (España) en
1966. Recibió el título de Ingeniero Técnico
Superior y Doctor en Telecomunicación por la
Universidad Politécnica de Cataluña en 1991 y
2000, respectivamente. Actualmente es profesor
titular en el Departamento de Ingeniería Electrónica
de la UPC e imparte docencia en la ETSETB. Su
actividad investigadora actual se centra en la
fabricación, caracterización y simulación de
dispositivos fotovoltaicos y en el desarrollo de
nuevas aplicaciones para esta tecnología.
ISSN 1932-8540 © IEEE
Isidro Martín nació en Avila (España) en 1975.
Recibió el título de Ingeniero Técnico Superior y
Doctor en Telecomunicación por la Universidad
Politécnica de Cataluña en 1999 y 2004,
respectivamente. Actualmente es profesor titular en el
Departamento de Ingeniería Electrónica de la UPC e
imparte docencia en la ETSETB. Su principal
actividad investigadora actual se centra en la
pasivación superficial del silicio cristalino y en la
fabricación de células solares de alta eficiencia.
Alberto Orpella nació en Barcelona (España) en
1970. Recibió el título de Ingeniero Técnico Superior
y Doctor en Telecomunicación por la Universidad
Politécnica de Cataluña en 1995 y 1999,
respectivamente. Actualmente es profesor titular en el
Departamento de Ingeniería Electrónica de la UPC e
imparte docencia en la ETSETB. Su principal
actividad investigadora actual se centra en la
tecnología de fabricación de células solares
fotovoltaicas.
Ramón Alcubilla nació en Reus (España) en 1958.
Recibió el título de Ingeniero Técnico Superior en
Telecomunicaciones en 1981 por la Universidad
Politécnica de Cataluña y el de Docteur Ingenieur
por la Université Paul Sabatier en 1985.
Actualmente es profesor titular en el Departamento
de Ingeniería Electrónica de la UPC. Su actividad
investigadora incluye la tecnología de células
solares fotovoltaicas, los dispositivos electrónicos
basados en semiconductores orgánicos y la
obtención de silicio macroporoso.