Tema 2 TEORÍA DEL DIODO. 1.2.- Unión p-n. Diodo sin polarizar Polarización del diodo. 2.1.- Polarización inversa. 2.2.- Polarización directa. 3.4.5.- Curva característica del diodo. El diodo como elemento de un circuito. Aproximaciones del diodo. 5.1.5.2.5.3.5.4.- 6.7.1 Primera aproximación. Segunda aproximación. Tercera aproximación. Cuarta aproximación. Diodo ideal Capacidades y tiempo de conmutación en el diodo. Diodos LED y diodos Zener. 1.- Unión p-n. Diodo sin polarizar Proceso de difusión de portadores debido a las diferencias de concentraciones Huecos Electrones 2 Tema 2.- Teoría del Diodo 1.- Unión p-n. Diodo sin polarizar Al poner en contacto una zona p con una zona n, aparece en las proximidades de la unión una zona en la que no existen cargas libres. Es la zona de carga espacial En la zona de carga aparece un campo eléctrico que se opone al movimiento por difusión de h+ y e- 3 Tema 2.- Teoría del Diodo 2.- Polarización del diodo. 2.1.- Polarización inversa. La polarización inversa aplicada aleja a los portadores de la unión r Fp r E + - r Fn La zona de carga espacial aumenta hasta que la tensión interna que aparece se iguale a la externa aplicada 4 Tema 2.- Teoría del Diodo 2.- Polarización del diodo. 2.1.- Polarización inversa. La zce penetra más en las zonas menos dopadas Hay una pequeña corriente debida a los portadores minoritarios Perfiles de minoritarios en inversa Corriente inversa de saturación Corriente de fugas 5 Tema 2.- Teoría del Diodo 2.- Polarización del diodo. 2.2.- Polarización directa. La zce es má estrecha que la que teníamos con la unión sin polarizar r E ext Campo eléctrico debido a la polarización r ext aplicada + Fn Campo eléctrico existente en la zce. 6 r int Fp r ext Fp - r E int + - r int Fp r ext Fn + r ext Fp - r int Fn r int Fn Tema 2.- Teoría del Diodo 2.- Polarización del diodo. 2.2.- Polarización directa. Cuando V > Vγ ; Eext > Eint ⇒ habrá circulación de corriente Para que por un diodo circule corriente, no basta con polarizarlo en directa. La tensión aplicada debe superar la tensión umbral Perfiles de minoritarios en directa 7 Tema 2.- Teoría del Diodo 3.- Curva Característica del diodo. Ecuación de Shockley ⎡ ⎤ q ⋅ VD − 1⎥ I D = IS ⎢exp η⋅ K ⋅T ⎦ ⎣ ID p n Ánodo Cátodo VD ID = Corriente que atraviesa el diodo VD = Caída de tensión en el diodo q = Carga del electrón = 1,6 E-19 C K = Cte. de Boltzman = 8,62 E-5 eV/K T = Temperatura en Kelvin (Ge) η = 1 en toda la curva 8 η = 2 valores bajos de tensión (Si) η = 1 zona de ascenso rápido Tema 2.- Teoría del Diodo 4.- El diodo como elemento de un circuito. vi = vo + v vo = RL · i ⎛ ⎞⎫ v − 1⎟ ⎪ i = IS ⎜ exp ηVT ⎝ ⎠⎬ ⎪ vi = R L ⋅ i + v ⎭ 9 Tema 2.- Teoría del Diodo 5.- Aproximaciones del diodo. 5.1.- Primera aproximación. Diodo en inversa (VD ≤ 0) Diodo en conducción (VD ≥ Vγ) Diodo en corte (0≤ VD ≤ Vγ) 10 Tema 2.- Teoría del Diodo 5.- Aproximaciones del diodo. 5.2.- Segunda aproximación. Diodo en corte (VD ≤ Vγ) 11 Diodo en conducción (VD≥ Vγ) Tema 2.- Teoría del Diodo 5.- Aproximaciones del diodo. 5.3.- Tercera aproximación. Diodo en corte (VD ≤ Vγ) 12 Diodo en conducción (VD≥ Vγ) Tema 2.- Teoría del Diodo 5.- Aproximaciones del diodo. 5.4.- Cuarta aproximación. Diodo Ideal Diodo en corte (VD ≤ 0) 13 Diodo en conducción (VD≥ 0) Tema 2.- Teoría del Diodo 6.- Capacidades y tiempos de conmutación. Modelos de pequeña señal Diodo en directa Diodo en inversa rd = resistencia incremental o dinámica en directa. rr = resistencia incremental o dinámica en inversa. CD = capacidad de difusión CT = capacidad de transición o de unión. 14 Tema 2.- Teoría del Diodo 6.- Capacidades y tiempos de conmutación. 6.1.- Capacidad de transición o de unión. CT = d Q d V CT = ε⋅A W 6.2.- Capacidad de difusión. CD = 15 τ I η VT Tema 2.- Teoría del Diodo 6.- Capacidades y tiempos de conmutación. 6.3.- Tiempo de conmutación del diodo. tiempo de transición tiempo de almacenamiento 16 Tema 2.- Teoría del Diodo 7.- Diodos led y diodos zener. LED = Light Emitter Diode 17 Tema 2.- Teoría del Diodo 7.- Diodos led y diodos zener. VZ = Vr + R r ⋅ I Z 18 VZ = Vr Tema 2.- Teoría del Diodo Característica directa. Tema 2.- Teoría del Diodo Característica inversa. R= V 800 = = 5 333 MΩ I (0,2 − 0,05) ⋅ 10−6 R= V 995 = = 5 527 MΩ I (0,2 − 0,02) ⋅ 10−6 R= V 1000 = = 5 236 MΩ I (0,2 − 0,01) ⋅ 10−6 Tema 2.- Teoría del Diodo