TP7 - v13 Transistores - Facultad de Ingeniería

Universidad Nacional de Entre Ríos
Facultad de Ingeniería - Bioingeniería
Departamento Académico Electrónica
Instrumental y Dispositivos Electrónicos
INSTRUMENTAL Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
TP7 - GUÍA PARA EL TRABAJO PRÁCTICO NO 7
TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN (BJT)
TEMARIO:
Transistores PNP y NPN
Circuitos de polarización en cc
El transistor como conmutador
Todos los transistores NPN son del tipo BC547 y los PNP son BC327(consultar hoja de características)
1) Si IC = 5,75 mA. y IE = 6 mA., ¿cuál es el valor de α y β del transistor?
2) Indique los valores de α y β del transistor si IC = 100 mA. e IB = 0,5 mA.?
3) ¿Cuál es la IB de un transistor si IC = 45 mA. y β = 150?
4) Para el transistor de la Figura 1, determinar IBQ, ICQ, VCEQ, VC, VB y VE
5) Hallar la ICsat para el transistor de la Fig. 1.
6) Dadas las características del transistor al final de esta guía: a) Grafique la recta de carga determinada por
VCC = 21V y RC = 3KΩ para una configuración de polarización fija; b) Seleccione un punto Q a medio
camino entre corte y saturación (Sugerencia: elija una curva IB graficada); c) ¿Cuáles son los valores de ICQ
y VCEQ?; d) ¿Cuál es el valor de β en el punto de operación?; e) ¿Cuál es el valor de α definido en el punto
Q?; f) ¿Cuál es la ICsat?; g) ¿Cuál es la potencia de cc disipada por el transistor?;
h) ¿Cuál es la potencia entregada por la fuente VCC?; i) ¿Cuál es la potencia disipada en los elemento
resistivos?
7) Para el transistor de la Fig. 2, determinar IC, VCC, RB y β
8) Para el transistor de la Fig. 3, determinar IBQ, ICQ, VCEQ, VC, VB y VE.
9) Hallar la ICsat para el transistor de la Fig. 3.
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10) Para el transistor de la Fig. 4, determinar RC, RE, RB, VCE y VB
11) Para el transistor de la Fig. 5, determinar VCC, RB y β
12) Hallar IBQ, ICQ, VCEQ, VC, VB y VE (Fig. 6)
13) Hallar la ICsat para el transistor de la Fig. 6
14) Hallar IC, VE, R1 y VB, β = 100 (Fig. 7)
15) Hallar RB y RC para encender el led en el circuito de la Fig. 8 con 10 mA cada vez que llega el pulso de 5V
a la base del transistor.
16) Dadas las características del transistor al final de esta guía: a) determine RC y RE para una red con divisor
de voltaje que tiene un punto Q en ICQ = 5 mA y VCEQ = 8 V. Use además, VCC = 24 V y RC = 3RE; b)
Encuentre el valor de VE; c) Encuentre el valor de VB; d) Encuentre R2 si R1 = 24 KΩ; e) Calcule β en el
punto Q
17) En el circuito de la Fig. A calcular a) IC en saturación b) IB en saturación. β = 200.
18) Hallar el punto Q del circuito de la Fi. B para: a) RB = 1 K b) RB = 10 K, siendo VBEQ = 0,7 , α = 0,99 e
ICBO = 0
19) En el circuito de la Fig. C, hallar R1 y R2 de modo que VCEQ = 5 V. La corriente en reposo ICQ debe variar
pero no más del 10 % cuando β varía de 20 a 60.
20) Hallar el punto Q del circuito de la Fig. D si β = 100, VBE = 0,7 V. ¿En qué región de la característica está
operando?
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21) Dadas las características del transistor al final de esta guía, determine lo siguiente para una configuración
de polarización de emisor, si se define un punto Q en ICQ = 4 mA. y VCEQ = 10 V
a) RC si VCC = 24 V y RE = 1.2 KΩ b) β en el punto de operación c) RB d) La potencia disipada por el
transistor; e) La potencia disipada en RC
22) Estudiar la variación del punto Q en el circuito de la Fig. 9 si el β del transistor varía entre 50 y 200.
23) Determinar VCEQ, VC e IC (Fig. 10)
24) Determinar VC e IB. en la Fig. 11.
25) En la Fig. 12, calcular VCEQ, R, PZ y PCE para que ICQ= 50 mA. β= 100.
26) En la Fig. 13, determinar Icmáx., Icmín., Pzmáx., PR y Pc. RLmin = 10Ω, RLmax = ∞, β = 1000.
27) Para el circuito de la figura siguiente, hallar los valores de R1 y R2 que permitan que el punto Q se ubique
en la mitad de la recta de carga, siendo β=100.
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28) Para el circuito de la figura anterior, hallar nuevos valores de R1 y R2 que minimicen el consumo de
corriente de la fuente de alimentación. Suponer una señal de entrada tal que la corriente de colector sea 1
mA.
29) En el circuito de la figura:
a) Determinar el punto Q.
b) ¿Qué sucederá si RE se reduce a RE= 500Ω
VBE =0,7 β=100
30) En el circuito de la figura estudiar la variación del punto Q (%)
cuando el β del transistor varíe entre 50 y 200.
31) Dado el circuito de la figura y su recta de carga correspondiente, obtenga el valor de Rc, Re, R1 y R2, para
que el transistor trabaje a la mitad de la corriente máx. del Colector.
Vcc
Ic
(mA)
Rc
R1
35
ß = 100
R2
Re
15
32) Determine R1 y R2 de tal forma de minimizar la potencia entregada por la
fuente y que permita al punto Q ubicarse en 9 mA. de corriente de Colector.
Dibuje la recta de carga con todas sus coordenadas y ubique el punto Q sobre
la misma.
Vce (V)
15 V
R2
470
ß = 100
R1
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100
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33) Determine el valor de R1 y R2 para cada gráfica, de manera que el punto Q se encuentre ubicado el 10
mA.
34) El siguiente es un circuito se utiliza para encender un diodo LED mediante un transistor NPN del
tipo BC547/8, trabajando al Corte y Saturación. Teniendo en cuenta esto:
a) Calcule la Rb de base necesaria para el disparo del transistor.
b) Calcule la RLed de base necesaria para el encendido del Led.
c) Considere una ILed=10 mA para el cálculo.
35) El siguiente es un circuito se utiliza para encender una lámpara mediante un transistor NPN del
tipo BC547/8, trabajando al Corte y Saturación y manejando la bobina de un relé. Siendo la bobina del
relé de 300Ω y el ẞ= 100, calcule la corriente necesaria para su disparo.
a) Calcule la Rb de base necesaria para el disparo del transistor.
b) Siendo la lámpara de 15W/12V, calcule la corriente máxima que puede circular por los
contactos del relé.
c) Utilice los datos de la hoja característica del transistor.
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Curva Característica para problemas
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