DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA TECNOLOGÍA

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DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
TECNOLOGÍA Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS
Examen 2º Parcial, 3 de Abril de 2009
Dibujar el modelo de pequeña señal de todo el circuito de la figura, usando el modelo en π del BJT donde solo
1.
ha de tenerse en cuenta los parámetros rbe, gm y rce. (úsese el modelo en π solo con esos 3 parámetros)
Rc
R1
B
C
R1
Vcc
C
Vo
Vi
R2 rbe
Vi
Q1
rce
RC
vo
gm·vbe
RL
RL
E
R2
2.
C
vbe
En la figura aparece un amplificador con una carga RL conectada, hallar los parámetros del modelo equivalente
del amplificador Avo y Ri.
B
Vi
C
hie hfe·ib
Rb
E
3.
Avo = −
Avo
RC
vo
hie
RL
Ri = Rb // hie
Ri
E
h fe ·RC
Rellenar la tabla con los estados y los valores de corriente y tensión, cuando Vi = 5V. Dato (Vγ = 0.7 V)
D1
estado
iD
vD
D1
OFF
0 mA
- 4,3 V
D2
ON
0,46 mA
0,7 V
3K
1K
Vi
Vo
5K
D2
3V
4.
87K
Hallar las tensiones y corrientes del BJT en polarización. (VBEact = VBEsat = 0.7 V, VCEsat = 0.2 V, β = 100)
1K
Q1
12V
10K
5.
VBE
VCE
IB
IC
0,7 V
6V
0,06 mA
6 mA
Hallar las tensiones y corrientes del BJT en polarización. (VEBact = VEBsat = 0.7 V, VECsat = 0.2 V, β = 100)
Q1
12V
70K
VEB
VEC
IB
IC
0,7 V
0,2 V
0,16 mA
11,8 mA
1K
6.
Se tiene un diodo PIN polarizado como indica en la figura. Cuando se ilumina, su característica estática pasa
de ser la señalada como A a la señalada como B. Dibujar la recta de carga del circuito, el punto de polarización
del PIN, y hallar los valores de corriente y tensión del diodo cuando esté iluminado.
ID (mA)
30
15V
20
0,5K
10
-20 -15 -10
vD
iD
-5
5
10
A
-10
VD(V)
-20
B
-30
7.
En una situación A, el corte de la recta de carga con la característica estática del transistor BJT proporciona el
punto de polarización. Si se divide por 2 la tensión Vcc, represente en dicha característica la nueva situación.
iC
vCC
Rc
Rc
Rb
Vcc
Q1
iB
vCC
2·Rc
Vbb
A
vCE
vCC
2
8.
vCC
¿Es posible fabricar un LED de silicio?
‰ Si, porque es un semiconductor de transición directa
‰ No, porque es un semiconductor de transición directa
‰ Si, porque es un semiconductor de transición indirecta
; No, porque es un semiconductor de transición indirecta
9.
Se tiene un transistor npn polarizado con VBE = 0.7V, VCE = 5V, IB = 20 μA, IC = 3,4 mA. Siendo VT = KT/q
= 0,025 V, y la tensión Early VA = 50 V, los parámetros de pequeña señal hie y hfe valdrán…
; hie= 1,205 KΩ
‰ hie= 1,000 KΩ
‰ hie= 0,910 KΩ
‰ hie= 2,303 KΩ
hfe= 170
hfe= 100
hfe= 170
hfe= 100
10. Para un diodo rectificador se requieren las siguientes características…
; Tensión umbral baja, corriente inversa de saturación baja, tensión de ruptura alta
‰ Tensión umbral alta, corriente inversa de saturación baja, tensión de ruptura baja
‰ Tensión umbral baja, corriente inversa de saturación alta, tensión de ruptura alta
‰ Tensión umbral baja, corriente inversa de saturación alta, tensión de ruptura baja
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