Practica 1. "El dido Semiconductor"

Práctica #1
Diseño de circuitos electrónicos
Introducción
Los primeros diodos eran válvulas grandes en chips o tubos de vacío, también llamadas válvulas termoiónicas
constituidas por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las
lámparas incandescentes. El invento fue realizado en 1904 por John Ambrose Fleming, de la empresa
Marconi, basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
En la actualidad los diodos son de base semiconductoras, por lo que no son más que una unión de material P y
material N. Su comportamiento se basa en dejar circular corriente a través suyo cuando se conecta el polo
positivo de la batería al ánodo, y el negativo al cátodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la
conexión opuesta. Esta propiedad puede utilizarse para realizar la conversión de corriente alterna en continua,
es esta aplicación por la que también se les conoce como diodos rectificadores.
Objetivos
Identificar el comportamiento del diodo y medir algunas características del mismo.
Identificar el ánodo y cátodo de un diodo de propósito general.
Obtener las curvas características (V-I), del un diodo de silicio y de germanio.
Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva característica, cuando se varía la
temperatura.
Teoría
1.- Entregue las hojas de especificación del diodo 1N4001
2.- Entregue un pequeño resumen del comportamiento del diodo (curva característica, expresión matemática,
modelos equivalentes, principales parámetros).
3.- Con los datos obtenidos de las hojas de especificación encuentre la expresión matemática del diodo y
grafíquela.
4.- Analice y simule el siguiente circuito. Primero con el diodo y en seguida en vez del diodo coloque la
resistencia.
Vpp= 5-10 V
Frec= 60-1000Hz.
Diente de sierra
Equipo
Para realizar la presente práctica es necesario:
 1 diodos 1N4004(Si) ó equivalente
 1 diodo OA81 (Ge) ó equivalente
 Resistores (2 de 1K a 0.5W)
 Un osciloscopio
 Generador de funciones
Desarrollo
1.
2.
Arme el circuito previamente analizado (Fig. 1) y observe el osciloscopio en modo XY,
grafique primero con el diodo de silicio, en seguida con el de Germanio y finalmente con
la resistencia. Comente la diferencia ó similitud de las gráficas.
Con ayuda de un multímetro mida y reporte la resistencia entre las terminales de cada uno
de los elementos a prueba, colocando las terminales en un sentido, y después en el sentido
contrario.
Elemento bajo prueba
Resistencia medida entre
las terminales A(+) y C(-)
Resistencia medida entre las
terminales C(-) y A(+)
Resistor
Diodo de Silicio
Diodo de Germanio
3.
4.
Tome diferentes medidas de Voltaje y corriente (mínimo 25) en el laboratorio para
encontrar la curva característica del diodo 1N4001 y compárela con la gráfica de la
expresión matemática, y la obtenida en el osciloscopio en el experimento 1 (reporte
resultados).
Determine el valor de voltaje de umbral de ambos diodos y el voltaje máximo medido en
la curva. Comente sus resultados.
Elemento bajo prueba
Voltaje de
umbral
Voltaje máximo de la
curva
Corriente máxima
Diodo de Silicio
Diodo de Germanio
5.
Repita el ejercicio 1, pero ahora acerque un cerillo encendido (5 seg. máximo) al diodo
para aumentar la temperatura. Reporte claramente lo que observa. (Si es posible mida
aproximadamente las diferentes temperaturas a las que está sometido el diodo).
M.C. MARIBEL TELLO BELLO