Tipos de Láser angela.guzman@creol.ucf.edu CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA • Láseres gaseosos • Láseres de estado sólido • Láseres de semiconductor • Láser de electrones libres CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Aplicaciones de los láseres Nd: YAG CO2 Médicas Industria Militares LASER SC Medio ambiente (LIDAR y sensores) Telecom Investigación básica Fusión nuclear TiS Nd: YAG CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL Iluminación FLORIDA Metrología Láseres gaseosos • • • • • • HeNe Vapor metálico Argón ionizado Excimero Nitrógeno CO2 CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Láser de HeNe 5s 3.15 µm 4p P=1mW 4s 633 nm 1S 2 21 eV 2 3S 20 eV 1.15 µm 3s Colisiones electrónicas 0 1 1S He Ne CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Eficiencia: 0.01% 3p Mezcla HeNe 5:1 Presión: 5 mbar Bombeo: descarga V=2kV, I=10 mA Alta coherencia: holografía Láser de vapor metálico (Cu, Au, Pb, Cd) 2P 3/2 2P 1/2 510 nm 578 nm 2D Colisiones electrónicas 2S T = 1500o C ± 20o C 2D 3/2 5/2 0 Cu CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Bombeo: Pulsos eléctricos Energía: 10mJ Duración: 10 ns Tasa de repetición: 3kHz Solo en modo pulsado Alta Ganancia 7m-1 Eficiencia: 1% Medicina: Fototerapia Láser de (Ar+)* 21 eV + Ar 3p4 4p 3p4 4s Ar+ Ar 15 eV 0 3p5 3p6 488 nm Potencia: 20W, Eficiencia <0.1% Presión: 0.1 mbar Bombeo: descarga, V=5kV, I=10 A Bombeo de otros: colorante y TiS CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL 514.5 nm FLORIDA Láser de Excímero Energía (KrF)* 1 ns Kr+F 248 nm Duración del pulso: 30 ns Energía por pulso: 100J Eficiencia: 1% Litografía UV (estructuras de 45 nm con ArF (193nm)) Distancia internuclear Bombeo: descarga eléctrica pulsada. V=1MV, I=10kA Colisiones de electrones con Kr y reacción química de Kr* + F2 → (KrF)*+F. CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Láser de CO2 • • • • • Transiciones entre estados vibracionales de la molécula Alta eficiencia : 10-50% Diferentes modos de operación: cw, pulsado, TEA. CW: 100W para L=1m TEA: Pulsos de 100ns a 100kW Aplicaciones: • Industria: corte, soldadura • Medicina CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Láseres de estado sólido • • • • Rubí TiS Láseres YAG Láser de fibra CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Láser de TiS • • • • • • • • 3+ (Ti :Al2O3) Amplia banda para bombeo (con lámpara o láser) Nivel láser superior de largo tiempo de vida Distribución ancha de niveles inferiores (sintonizable) CW: Rojo e IR Pulsado: 5-100 fs Concentración de dopado con Ti2O3: 0.03% Cristal de gran dureza Alta conductividad calorífica P. Moulton, JOSA B 3, 125, 1986 CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Láser de TiS 3+ (Ti :Al2O3) E (eV) Láser de cuatro niveles 10-13 s 3 kT 2 3 10-13 s 2 1 kT 0 CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY 3.2 µs 4 OF CENTRAL FLORIDA 1 Láser de TiS Láser de bombeo 3+ (Ti :Al2O3) Modo continuo TiS 514.5 nm Espejo Etalón Ar+ dicroico Modo pulsado Sintonizable 650-1200nm TiS 532 nm Nd:YAG doblado Q-switched Acoplador de modos CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA 5-100ns Láser de TiS 3+ (Ti :Al2O3) σ gan (10−24 m2 ) σ abs (10−24 m 2 ) E c absorción 6 20 Ganancia E c 4 10 2 Sintonizabilidad E ⊥ c 0 400 700 CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA 1000 λ ( nm ) 0 Láseres YAG (Y3Al5O12) Láser λ (µm) λb(nm) τesp(µs) ∆ν(GHz) σgan(m2) Nd:YAG 1.06 Yb:YAG 1.03 Pr:YAG 1.03 Er:YAG 2.94 808 941 968 941 800 970 CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA 230 960 140 1700 3x10-22 2.1x10-24 Nd: YAG Iones Nd3+ remplazan 1% de iones Y3+ Bombeo óptico: lámpara o láser de semiconductor Potencia: 1-10W Pulsos gigantes: 1J Aplicaciones: • Industria: Procesamiento de material: taladrar, soldar, grabar • Medicina: Cirugía, cirugía oftálmica, dermatología • Fusión nuclear CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA L a s e r Laser Omega Universidad de Rochester 60 rayos láser Disparo de 20kJ d e http://hedp.physics.ucla.edu/ N d Y A G Cámara del blanco en la NIF (National Ignition Facility) del Lawrence Livermore National Laboratory. (10m de diámetro) http://hedp.physics.ucla.edu/ 192 rayos láser 1.8 MJ 500 Terawatt (TW) Lámparas flash en NIF Lámpara flash de Maiman 2m https://lasers.llnl.gov/education/how_lasers_work.php Láseres de disco Láser de bombeo 940 nm Yb3+:YAG 100-200µm Refrigeración Reflector 1030nm Reflector parcial CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Espejo dicroico Haz de gran calidad Ventajas de bombeo con LD (DPSSL) • Ajuste de la longitud de onda de emisión del diodo con la banda de absorción del medio activo • Fácil ajuste del perfil del haz del diodo laser al modo fundamental del resonador laser • LD tiene eficiencias de mas del 30% para alta potencia y de mas del 85% para potencia baja. • Tiempo de vida del LD es de mas de 5000 horas • Sistema de enfriamiento simple • Bajo costo y bajo peso. Láseres de fibra* Redes de Bragg Núcleo Funda 1 Funda 2 Láser de bombeo Acoplado al recubrimiento http://www.orc.soton.ac.uk/61.html *Ver curso Prof. J. Cascante CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Láseres de fibra*: Vidrio dopado con iones de tierras raras Aplicaciones: • Procesamiento de materiales (3:13) • Química, Medicina, Biología • El segundo armónico para bombear otros láseres CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Láseres de fibra*: Vidrio dopado con iones de tierras raras Láser Fibra Yb3+ Fibra Yb3+/Er3+ Fibra Pr3+/Er3+ Fibra Tm3+ Fibra Ho3+ λ (µm) 1.02-1.2 1.5-1.6 2.7-2.8 1.85-2.1 2.1 y 2.9 CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Dopado (%peso) 4 8/1 8/8 4 3 Láseres de semiconductor • • • • Homojuntura Doble heterojuntura De pozo cuántico (QWL) De cascada cuántica (QCL) CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Semiconductores Gap Directo Gap Indirecto Banda de E conducción E Eg k AsGa Fuentes Banda de valencia CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA ∆k Si, Ge: Detectores k Semiconductores directos III IV V Al Ga In Si P Ge As Sn Sb GaAs1-xSbx In1-xGaxAsyP1-y In1-xGaxAs λ(µm) Ga1-xAlxAs 0.6 0.8 Ga1-xAlxAs 0.1 0.4 x CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA 1 λ(µm) 10 Light Emitting Diode (LED) Juntura np n p - + - Banda de conducción EFermi EFermi Banda de valencia CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA + Homo- y Heterojunturas Homojuntura = una juntura n-p hecha de dos semiconductores con diferente dopado pero del mismo material (igual gap de energía). Heterojuntura = juntura formada entre semiconductores con diferente gap de energía. LED o LD de heteroestructura = estructura con junturas entre materiales con diferente gap de energía. CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Homojuntura Heterojuntura Región p delgada no • Resuelve el reabsorción de la luz. Si la problema de región p es muy delgada, los reabsorción electrones pueden escapar • Confinamiento de de la región p por difusión y portadores recombinarse en procesos no radiativos. Región p gruesa Reabsorción de la luz antes de abandonar el dispositivo. CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA LED de doble heteroestructura p p n + λ=0.89 µm ∆λ=40 nm Ga1-xAlxAs GaAs Ga1-yAlyAs 40 nm 0.88 0.92 CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA λ(µm) LED (emisor de lado) Contacto metálico 10µm Area de emisión SiO2 AlGaAs 0.3-0.5µm GaAs P(mW) 1.0 0.5 I(mA) 300µm ηext = CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA 100 Popt IV 200 ×100% Diodo láser (LD) Ga1-yAlyAs + GaAs Ga1-xAlxAs Confinamiento óptico n λ=0.9µm 3.5 Ga1-xAlxAs 3.2 x 0.2 0.4 Guía de onda: La luz es atrapada en la película de GaAs CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA x ∼ 0.35 − 0.5 ∆n ∼ 5 − 10% Diodo láser (LD) P(mW) 60 40 Superradiancia LD 20 EE LED 200 600 400 Iumbral CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY ηD = OF CENTRAL FLORIDA I(mA) ∆Popt e ∆I hν foton Características espectrales Superradiancia EE LED 0.88 0.90 0.92 0.94 λ(µm) LD 0.898 0.900 CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA λ(µm) 0.902 Láser DBR Láser DFB Reflector Sección de Bragg de fase Reflector de Bragg Sección de ganancia Sección de ganancia Alta potencia, sintonizables, alta monocromaticidad CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Espectros Láser Fabry-Perot P(mW) Láser DFB P(mW) 4nm λ(nm) λ(nm) CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL 1nm FLORIDA Láser de Semiconductor • Convierte corriente eléctrica en luz • Tiene un alto coeficiente de ganancia (>10cm-1). HeNe (10-3cm-1), CO2(0.05 cm-1) • Puede alcanzar eficiencias de mas de 50%. • Opera en modo continuo o pulsado • Puede ser diseñado para una determinada λ • Sus dimensiones son pequeñas. QW: Edge: 200µmx1µmx500µm VCSEL: 10µmx10µmx100µm • Puede producirse en masa • Otros láseres son mas direccionales y monocromáticos CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Láser de pozo cuántico (QW) GaAlAs GaAs GaAlAs Subbanda electrones Eg 1.42 eV 2D g E 1.45 eV Subbanda huecos d CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA • • • • Corriente umbral baja Alta ganancia diferencial λ(d) (geometría) Visible, IR cercano y UV Láser de pozo cuántico (QW) Metal 1.5µm 0.2µm 0.2µm 1.5µm p Ga0.75Al0.25As QW: GaAs n Ga0.75Al0.25As Sustrato: n+GaAs Metal CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY p Ga0.9Al0.1As OF CENTRAL FLORIDA n Ga0.9Al0.1As QW Láser: materiales y λ ZnSe GaN AlGaN AlGaInN Sustrato de Zafiro 0.4 GaAs AlGaAs AlGaInAs AlGaInP Sustrato GaAs 0.8 1.2 CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA InP GaInAs GaInAsP AlGaInP Sustrato InP 1.6 λ(µm) 2.0 QW Láser: Gap de energía Eg(eV) AlAs 2 1 6 AlGaAs InP GaAs GaInAs 4 InAs v 0 GaAlN GaN InSb CREOL | The College of Optics & Photonics OF CENTRAL 2 0 0.55 0.6 0.65 d(nm) UNIVERSITY Eg(eV) AlN FLORIDA InAlN InN 0.3 0.35 d(nm) Láseres en el azul (GaN) n-AlGaN GaN con MQW de InGaN AlGaN p-AlGaN 413 nm Estructura de guía de onda CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA + CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Láseres en el verde (Grupo II-IV) Eg(eV) 4 ZnS ZnSe 2 ZnTe CdS CdMnTe CdSe CdTe GaAs 0 0.55 0.6 CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA 0.65 d(nm) Láser de Semiconductor y QCL Banda de conducción Láser de cascada cuántica QCL (2-28µm) - Sub-banda 2 Eg (GaAs:1.42 eV) - IR-UV Sub-banda 1 + CREOL | The College of Optics & Photonics OF CENTRAL Sub-banda 0 - Banda de valencia UNIVERSITY IR-FIR FLORIDA Láser de cascada cuántica (QCL) Transiciones intersubbanda Campo eléctrico estático 2 1 0 CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Láser de cascada cuántica (QCL) Transiciones intersubbanda Campo eléctrico estático - - U periodo ≈ E2 − E0 CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Cientos de periodos Láser de SC: aplicaciones • • • • • • • Memorias ópticas (CD, BlueRay) Proyección en color Impresora láser Sensores Microcontroladores Telecomunicaciones Bombeo de otros láseres CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Láser de electrones libres (RayosX) http://www.photonics.com/Article.aspx?AID=42142 CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Ondulador del LCLS-I en el SLAC National Accelerator Laboratory. Generó pulsos láser de rayos X en Abril 2009. Se construirá un segundo ondulador a la izquierda. Rayos X (tabletop) ASE Rayos X blandos Universidad de Bern, J. Balmer CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA La columna de plasma producida por el pulso de bombeo enfocado linealmente se comporta como un medio de ganancia de un solo paso. Ancho de línea relativo <10-4. Aplicación: Litografía La tecnología continua evolucionando: • Láseres que han entrado en desuso: Laser de colorante y He-Ne • Láseres con mercado estable: CO2, Excímeros, láseres de iones • Láseres con aplicaciones muy particulares : He-Cd, vapor de Cu, centros de color, rubí, FEL. • Láseres más usados actualmente: Diodos laser, DPSSLs, TiS, láseres de fibra. • Láseres novedosos: DPSSL y fibra de alta potencia, láseres en matriz cerámica, QCL, QWL. CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA Aplicaciones de los láseres • 1960 Un dispositivo en busca de una aplicación • 2012 Miles de aplicaciones que explotan las propiedades especiales de la luz láser CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA GRACIAS! CREOL | The College of Optics & Photonics UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA