Guia-III - Electrónica Aplicada II

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Problema 30
Analizar el amplificador JFET fuente común de una etapa que se muestra en la figura 2.
Determinar:
AV, Ai, RiA y RoA.
IDSS=2mA, Vp=-2V, rds=100K, RG=30K, RD=10K, RL=2,67K, RS1=100Ω, RS2=300Ω
Análisis estático:
 VGS 
ID = IDSS ⋅  1 −

Vp 

2
VGS = − ID ⋅ ( RS1 + RS 2)
ID = 1mA
Con este primer valor itero
VGS=-0,4V
⇒
ID=1,28mA
ID=1,2mA
⇒
VGS=0,48V
⇒
ID=1,15mA
finalizando la iteración se llega a:
ID=1,17mA
⇒
VGS=0,468V
hallo VDS:
VDS = VDD − ID ⋅ ( RD + RS1 + RS 2) = 7 ,832V
supongo VDD=20V
Análisis dinámico:
rds
g
Vi gm = −
vgs s
gm.vgs
2 ⋅ IDSS
ID
⋅
= 1,53mS
RG
Vp
IDSS RS1
d
RD
RL
169
vo
Aplicando la expresión de ganancia para RS sin puentear:
AV = −
gm ⋅ Rd
= −2 ,8
1 + gm ⋅ RS1
se supone rds muy grande
Rd = RL RD = 2 ,1K
Resistencias:
Ri ≅ ∞
Ro = ro ⋅ (1 + gm ⋅ RS1) = 115K
RiA ≅ RG = 30K
RoA = Ro RD = 9200Ω
Ros = RoA RL = 2065Ω
Problema 31
Diséñese un amplificador JFET que tenga una:
RL=10K, VDD=12V, RiA=500K y AV=-2.
Utilizar el circuito de la figura 1. Para el punto de trabajo VGSQ=-1V e IDQ=1mA la
trasconductancia del transistor tiene un valor de 2,5mS.
Análisis de contínua:
VDD
R1
 VGS 
ID = IDSS ⋅  1 −

Vp 

RD
gm = −2 ⋅
R2
RS
IDSS  VGS 
⋅ 1 −

Vp 
Vp 
IDSS = 5mA
Vp = −1,8V
Adopto IDQ=3mA

VGSQ =  1 −

IDQ 
 ⋅ Vp = −0,405V
IDSS 
170
2
RG
VDSQ = 7V
VGG
VGS
RD + Rs =
gm = 2 ⋅
RS
se elige haciendo un gráfico
a escala de ID=f(VDS)
VDD = VDSQ + IDQ ⋅ ( RS + RD)
VDD − VDS 12V − 7V
=
= 1,67 K
ID
3mA
IDSS  VGS 
⋅ 1 −
 = −4,3mS
Vp 
Vp 
AVs = −
gm ⋅ Rd
= −2
1 + gm ⋅ RS
Itero:
RD RL
= 464 ,15Ω
1 + gm ⋅ Rs
RD + Rs = 1670Ω
Adopto:
esta ecuación es flexible y puede variar
RD=1,8K y Rs=470Ω
VGG = VGS + ID ⋅ RS = 1V
VGG ⋅ R1 = VDD ⋅
R1 =
R2
⋅ R1
R1 + R 2
VDSQ = 5,2V
VDD ⋅ RG
= 6 MΩ
VGG
VDSQ > Vp − VGS
1
1
1
+
=
R1 R 2 500K
R2 = 545K
Entonces adopto:
R1=6M2 y
R2=560K
Verifico:
RG=513K
y
AVs=2,17
171
Problema 32
Diséñese un amplificador JFET drenaje común con las siguientes especificaciones:
Ai=12, RL=400Ω, VDD=12V.
Las características del transistor disponible son:
IDSS=20mA y Vp=-7V.
Utilizar la configuración de la figura 3. Calcular RoA del circuito resultante.
Análisis estático:
IDQ = 0,6 ⋅ IDSS = 12 mA
 VGS 
ID = IDSS ⋅  1 −

Vp 

gm = −
⇒
 IDQ

VGS = 
− 1 ⋅ (−Vp ) = −1,58V
 IDSS

2
VDSQ = 8V
VDSQ = VDD − IDQ ⋅ Rs
2 ⋅ IDSS
1
IDQ
⋅
= 4,43 ⋅ 10−3
Vp
IDSS
Ω
⇒
fijada haciendo un gráfico de ID=f(VDS)
⇒
Rs = 330Ω
⇒
VDSQ = 8,04V
VGG = VGS + IDQ ⋅ Rs = 2,38V
Análisis dinámico:
Rd = RS RL = 180,82Ω
1/gm
RG
Vi
gm.vi
RS
RL Vo
R′d = Rd
1
= 100,4Ω
gm
Vo = gm ⋅ Vi ⋅ R′d
AV =
IL =
Vo
= gm ⋅ R′d = 0,445
Vi
Vo
R ′d ⋅ Vi
= − gm ⋅
RL
RL
Ai =
Ii =
IL
gm ⋅ Vi ⋅ R ′d
RG
=−
⋅ RG = − AV ⋅
Ii
RL ⋅ Vi
RL
Vi
RG
172
Ai = 12 = AV ⋅
RG
RL
⇒
RG = 10786,5Ω
⇒
R1 = 54386Ω ≅ 56K
Para hallar R1 y R2:
R1⋅ VGG = VDD ⋅ RG
R2 =
1
= 13360Ω
1
1
−
RG R1
⇒
R 2 = 15K
Verficación:
RG = R1 R 2 = 11,83K
VGG=2,53V
gm = 4 ,51 ⋅ 10−3 S
⇒
IDQ=12,47mA
Ai = AV ⋅
AV=0,45
RoA =
RG
= 13,3
RL
1
rd Rs ≅ 130Ω
gm
Problema 33
Diséñese un amplificador JFET drenaje común como el mostrado en la figura 4 que
cumpla las siguientes condiciones:
Ai=15, RiA=400K, VDD=12V, RL=20K.
Para un punto de trabajo IDQ=2mA y VGSQ=-0,5V , gm=3,33mS.
ƒ
ƒ
ƒ
RiA ≅ R1 R 2 = RG
Rd = RS1 RL
Ii
Ai = 15
Vi
g
s
RG
400K
gm.vgs
d
173
RS1
RL Io

0,5
0,002 = IDSS ⋅  1 +

 Vp 
Vi
Ii =
RG
gm = 3,33mS = −
2
2 ⋅ IDSS 
0,5
⋅ 1 +

Vp
 Vp 
 RS1 
Io = − gm ⋅ Vgs ⋅ 

 RS1 + RL 
IDSS = 4 mA
Vp = −1,7V
 RS1 
gm ⋅ RG ⋅ 

 RS1 + RL 
Ai = −
1 + gm ⋅ ( RS1 RL)
⇒
RS1 RL =
− RL ⋅ Ai
= 900,9Ω
gm ⋅ RG + RL ⋅ gm ⋅ Ai
RiA = RG = R1 R 2 = 400K
Adopto IDQ ≥ 0,6 ⋅ IDSS :
⇒
IDQ = 2 ,5mA
gm = 3,7 mS
VGS = −0,36V
VDSQ = VDD − IDQ ⋅ ( RS1 + RS 2)
Elijo VDSQ = 7V
 VDD − VDSQ 
RS 2 = 
 − RS1


ID
IDQ ⋅ ( RS1 + RS 2) = 5V
⇒
RS1 + RS 2 = 2 K
VGG = VGS + ID ⋅ ( RS1 + RS 2) = 4,36V
⇒
RS1 = 414Ω ≅ 390Ω
VGG = VDD ⋅
RS1 RL = 405,4Ω
RS 2 = 1,5K
R2
R1 + R2
R2
= 0,363
R1 + R2
R1 ⋅ R 2
= 400K
R1 + R 2
y
R2 ≅ 620Ω
R1 ≅ 11
, MΩ
174
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