66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-1 Clase 241 - Fuentes de corriente Introducción a amplificadores multietapa integrados Junio de 2011 Contenido: 1. El transistor MOS como referencia de tensión-corriente 2. Fuente de corriente espejo simple 3. Introduccion a circuitos multietapa elementales integrados Lectura recomendada: Howe and Sodini, Ch. 9, §§9.4 1 Esta clase es una adaptación, realizada por los docentes del curso ”66.25 - Dispositivos Semiconductores - de la FIUBA”, de la correspondiente hecha por el prof. Jesus A. de Alamo para el curso ”6.012 Microelectronic Devices and Circuits” del MIT. Cualquier error debe adjudicarse a la traducción. 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-2 Preguntas disparadoras • ¿Cómo se puede utilizar un transistor MOS para obtener una referencia de corriente-tensión? • ¿Cómo se puede polarizar muchos transistores con una misma referencia? • ¿Cómo puede aprovecharse esta idea en circuitos analógicos integrados? 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-3 1. El transistor MOS como referencia de tensión 2 Requisitos para una referencia de tensión: • Una tensión constante y conocida con precisión • Que la tensión no dependa de la corriente de salida (= baja resistencia interna). Caracterı́sticas I-V de una fuente de Tensión: Modelo circuital equivalente de un generador de tensión: 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-4 2 Consideremos un N-MOSFET en ”configuración diodo”: Caracterı́sticas I-V: (válido si VGS > VT y VGD = 0) W W 2 ID = µCox(VGS − VT ) = µCox(VDS − VT )2 2L 2L Superado VT el MOSFET es similar a un ”diodo” con caracterı́sticas I-V cuadráticas. 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-5 2 Analicemos la siguiente situación asumiendo que disponemos de una fuente de corriente: Analizando el circuito desde el punto de vista de las corrientes: ID = IREF + iOU T Luego VGS = VDS = vOU T se auto-ajusta para cumplir: ID = W 2L µCox (vOU T − V T )2 (válido para vOU T > VT ) Despejando vOU T : vOU T v u u u u u t IREF + iOU T = VT + W 2L µCox 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-6 vOU T es una función de IREF y del W/L del MOSFET: • IREF ↑ ⇒ vOU T ↑ • W/L ↑ ⇒ vOU T ⇒ VT (menor dependencia de la corriente) 2 Análisis de pequeña señal: Rout 1 1 = //ro ' gm gm 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-7 2 Considerando un P-MOSFET : La misma idea y caracterı́sticas que un generador de tensión con NMOS, pero el PMOS tiene que ser más grande para obtener la misma Rout porque µp < µn. 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-8 2. Fuentes de corriente 2 Requisitos de una fuente de corriente: • Una corriente constante y conocida con precisión • Que la corriente no dependa de la tensión de salida (= alta resistencia interna). Caracterı́sticas I-V de la fuente de corriente: Modelo circuital equivalente del generador de corriente: 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-9 2 Copia de corriente espejo simple: IOU T 1 W ' µCox(VREF − VT )2 2 L 2 IREF 1 W ' µCox(VREF − VT )2 2 L 1 Entonces: W L 2 IREF W L 1 IOU T = IOU T se ajusta con IREF según la relación W/L de los MOSFETs: Circuito espejo de corriente. Es importante contar con transistores ”bien apareados”: proporción W/L muy controlada, mismo VT , tox, etc.) 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-10 • Modelo de pequeña señal de una fuente de corriente: Rout = ro2 Caracterı́sticas I-V de una fuente de corriente N-MOSFET: Nota: Esta fuente es diferente que las fuentes tradicionales: 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 2 Fuente de corriente P-MOSFET: Fuente espejo con P-MOSFET : • Transistor N-MOS sumidero de corriente. • Transistor P-MOS fuente de corriente. Clase 24-11 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-12 2 Multiples fuentes de corriente Dado que IG = 0, de una sola fuente de corriente es posible obtener multiples fuentes espejo: W IREF WL n L R IOU T n = La misma idea se aplica a fuentes de corriente NMOS: 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-13 2 Múltiples fuentes y sumideros de corriente Generalmente, en cualquier circuito se necesitan multiples fuentes que absorvan y entreguen corriente. Estas se puede construir a partir de una unica fuente de corriente: IOU T 1 = W IREF WL 1 L R IOU T 2 = W IREF WL 2 L R W L 4 IOU T 1 W L 3 IOU T 4 = W W IREF WL 4 WL 1 L 3 L R = 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-14 2 Pero como generamos IREF ? El circuito mas simple es: IREF = VDD −VOU T R VOU T = VT + v u u t IREF W 2L µCox Para W/L grande, VOU T → VT IREF ' VDD − VT R • Ventajas: – IREF puede ser configurado mediante un resistor (externo o interno ”trimmeado”). • Desventajas: – VDD afecta IREF . – VT y R dependen de la temperatura ⇒ IREF (T ). En aplicaciones reales se utilizan circuitos para generar la IREF que son independientes de VDD y de T . 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-15 2 Por ejemplo analicemos que ocurre si hay una variación en VDD La variación ∆V está aplicada sobre R en serie con un N-MOS en configuración diodo, por lo tanto: ∆V = (R + 1/gm)∆IREF Entonces: (w/l)1 ∆V ∆IOU T = (w/l) 2 R+1/gm 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-16 2 Analicemos ahora la dependencia de IOU T con VDD en el siguiente circuito: VGS1 = VGS2 + IOU T RS Escribiendo todo en funcion de las corrientes: VT + v u u t IREF w µC ox 2l = VT + v u u t IOU T w µC k 2l ox + IOU T RS Suponiendo que M3 y M4 cumplen la función de forzar IOU T = IREF se despeja: IOU T = √1 2 1 (1− k ) w µC RS 2 2l ox 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 IOU T NO depende de VDD Clase 24-17 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-18 2 La implementación del circuito anterior requiere un modificación ya que la condición IREF = IOU T = 0 es un punto de trabajo estable del sistema. Para solucionar esto, se agrega el transistor M 5, el cual conduce cuando solo cuando se enciende el circuito. ¿Qué condiciones se deben cumplir para que M 5 conduzca solo en el arranque del circuito? 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-19 3. Algunos circuitos multietapa elementales integrados ¿Qué etapas amplificadoras hay? ¿Qué función cumple este circuito? 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-20 ¿Qué etapas amplificadoras hay? Rta: Drain Comun ¿Qué función cumple este circuito? Rta: Buffer de Tensión (AV =1, Alta Rin y Baja Rout) 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 ¿Qué etapas amplificadoras hay? ¿Qué función cumple este circuito? Clase 24-21 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-22 ¿Qué etapas amplificadoras hay? Rta: Source Comun ¿Qué funcion cumple este circuito? Rta: Amplificador de Trasconductancia (Gm=io/vi, Alta Rin y Alta Rout) 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 ¿Qué etapas amplificadoras hay? ¿Qué función cumple este circuito? Clase 24-23 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-24 ¿Qué etapas amplificadoras hay? Rta: Emisor Comun ¿Qué funcion cumple este circuito? Rta: Amplificador de Trasconductancia 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 ¿Qué etapas amplificadoras hay? ¿Qué función cumple este circuito? Clase 24-25 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-26 ¿Qué etapas amplificadoras hay? Rta: Source Comun y Drain Comun ¿Qué función cumple este circuito? Rta: Amplificador de Tension 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 ¿Qué etapas amplificadoras hay? ¿Qué función cumple este circuito? Clase 24-27 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-28 ¿Qué etapas amplificadoras hay? Rta: Colector Comun y Emisor Comun ¿Que función cumple este circuito? Rta: Amplificador de Tensión 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-29 Principales conclusiones • Una referencia de tensión se puede obtener a partir de un MOSFET en ”configuración diodo” en serie con una fuente de corriente de referencia. • Una copia de corriente se puede obtener a partir de una fuente de corriente con un circuitocopia de corriente espejo. • Se pueden obtener múltiples fuentes o sumideros de corriente, a partir de una sola fuente de corriente de referencia. • La ”calidad” de estas fuentes de corriente se basa en que en la tecnologı́a de circuitos integrados dispone de transistores ”bien apareados” dentro de un mismo chip, es decir: misma T emp, mismo VT , mismo tox y relación controlable de W/L.