El transistor bipolar de unión (BJT).

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DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS A
Curso 2008
Ing. Electrónica - VI Cuat., 3er. Año
Guía de Autoevaluación 2: Transistor bipolar de unión (BJT)
1- Explicar brevemente el funcionamiento físico del transistor bipolar de unión (BJT). Explicar por qué
si se conectan dos diodos de unión PN en oposición el sistema formado no puede funcionar como un
transistor bipolar.
2- Indicar para los diferentes modos de funcionamiento de un BJT tipo NPN y tipo PNP cómo se
polarizan las junturas en cada caso.
3- Considerando un transistor bipolar NPN polarizado en la región activa directa esquematizar las
componentes de corriente y describir el origen físico de cada componente.
4- Para el un BJT de tipo NPN polarizado en la región activa directa: qué indican el factor de transporte
de base, la eficiencia de emisor, la ganancia de corriente  y la ganancia de corriente . Qué relación
hay entre ellos?. Cómo influye en sus valores el ancho de la región de base.
5- Definir e indicar cuál es la importancia de las corrientes ICBo e ICEo.
6- En un amplificador que utiliza un transistor bipolar por equivocación se intercambian los terminales
de emisor y de colector. ¿Seguirá funcionando el circuito? Justificar la respuesta.
7- Describir el sistema de ecuaciones que permite encontrar las componentes de corriente de emisor,
colector y base de un BJT NPN a partir de las corrientes de portadores minoritarios.
8- Describir el modelo de Ebbers-Moll para un transistor NPN.
9- Para un BJT tipo NPN en configuración de Base Común:
a) Dibujar la característica de entrada y explicar en forma cualitativa su forma.
b) Dibujar la característica de salida e indicar las regiones activa, corte y saturación.
c) Indicar la ubicación de ICBo sobre la característica. ¿Cuál es aproximadamente su orden de
magnitud? ¿En qué región de funcionamiento puede llegar a ser importante su efecto?
10- Para un BJT tipo NPN en configuración de Emisor Común:
a) Dibujar la característica de entrada y explicar en forma cualitativa su forma.
b) Dibujar la característica de salida e indicar las regiones activa, corte y saturación.
c) Indicar la ubicación de ICEo sobre la característica. ¿Cuál es aproximadamente su orden de
magnitud? ¿Cuándo puede llegar a ser importante su efecto sobre la corriente de colector?
11- a) Calcular los valores de RB y RC en el siguiente
circuito. Considerar  = hFE= 80
b) Para los valores calculados ¿Cuál es el mínimo
valor de  para que el transistor se encuentre
saturado?
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12La corriente inversa de saturación del transistor es de
25 nA a T= 25 ºC. Calcular RB si el transistor deberá
permanecer cortado hasta T= 100 ºC.
13- En qué zona de funcionamiento se encuentra polarizado el
transistor. Justificar la respuesta.
Considerar:
 = 100
VBE(activa) = 0.7V
VCE(sat) = 0.2V
14- Para las tensiones medidas en cada circuito calcular el valor de  para cada transistor. Indicar en qué
zona se encuentra trabajando el transistor.
15- Dibujar un circuito de polarización fija para un transistor NPN y explicar el por qué de esta
denominación. Dibujar la característica IC-VCE y obtener el punto de reposo Q usando la recta de cara
estática. Explicar por qué el circuito no es utilizado para polarizar al transistor.
16- Dada la característica de salida IC-VCE siguiente:
a) Para una configuración de polarización fija dibujar la recta de carga correspondiente a V CC=25V
y RC=2.5K.
b) Elegir un punto de reposo Q que se encuentre en la región activa lejos de los puntos de corte y
saturación. Calcular el valor de RB que permite obtener dicho punto. Dibujar el circuito resultante.
c) Caracterizar el punto Q (IBQ, ICQ, VCEQ)
d) Calcular los valores de  y  en dicho punto.
e) ¿Cuál es la potencia disipada por el dispositivo en el punto de reposo Q?
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17- Para el siguiente circuito calcular: , VCC y RB.
18- Qué ventajas presenta la polarización por divisor de tensión en base respecto al circuito de
polarización fija en base.
19- Para la siguiente configuración de divisor en base calcular:
a)
b)
c)
d)
e)
f)
VB
IC
VCE
VE
IB
¿Qué sucede con VCE si el transistor se reemplaza por
otro de mayor ?
g) Si se cambia el transistor por otro con  = 60 ¿Cuál será
el efecto sobre VE? ¿Y sobre IC?
h) Si se cambia el transistor por otro con  =180 ¿Cuál
será el efecto sobre VCE? ¿Y sobre IB?
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20Si = 30 y VCE= 6 V calcular el valor de V1.
21Si = 50, calcular los valores de R1 y R2 de modo
que el punto Q se encuentre en el centro de la recta
de carga estática.
Considerar R1 + R2 = 50 k
22-
En el circuito de la figura  = 75. Calcular el punto de
reposo Q del transistor.
23En el circuito de la figura calcular los valores
de RC, R1 y R2 de modo que ICQ = 0.8 mA y
VCEQ = 5V.
Suponer  = 100 y R1 + R2 = 100 k.
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24- Cada transistor tiene  = 120 y VBE= 0.7 V. Calcular el punto de reposo Q (IC, IB, VCE) para cada
uno.
25-
Para los siguiente circuito calcular las tensiones en los puntos indicados y el punto Q en cada
transistor si  =100.
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Dispositivos Electrónicos A - Curso 2008 - Prof. Adj. Mónica L. González
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