Atenuador Variable con Diodos PIN

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL BUENOS AIRES
Departamento de Electrónica
Materia: Medidas Electrónicas 2
Proyecto: Atenuador variable
Docente: Ing. Henze, Alejandro
Ayudante de TP: Ing. Di Vruno, Federico / Lumma, Federico
Grupo N: 8
Alumnos :
Apellido y Nombre
Legajo
1
Beretta, Leandro
129.027-7
2
Cuccorese, Juan
124.142-4
3
Jaremczuk, Sebastián
129.266-3
4
Ramirez Picollo, Sebastian
128.497-6
5
Zanella, Fabián
128.691-2
Entrega Informe
Primer entrega
Aprobación
Entrega
Fecha
Firma
21/11/12
/
/ 12
Devolución
Re-entrega
2°
/
/ 12
/
/ 12
3°
/
/ 12
/
/ 12
4°
/
/ 12
/
/ 12
Firma Recepción
I
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
II
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
INDICE
1.
INTRODUCCIÓN ...................................................................................................................................................... 4
2.
DESARROLLO DEL TRABAJO .............................................................................................................................. 4
2.1. Descripción ................................................................................................................................................................. 4
2.2. Principio de funcionamiento ..................................................................................................................................... 4
2.3. Análisis teórico ........................................................................................................................................................... 6
2.4. Simulaciones .............................................................................................................................................................. 7
2.5 Mediciones realizadas ................................................................................................................................................ 9
2.5.1 Mediciones en Protoboard ..................................................................................................................................... 9
2.5.2 Mediciones realizadas sobre la plaqueta ............................................................................................................13
2.5.3 Mediciones con VNA de el parámetro S11 del DUT .........................................................................................17
3.
DISCUSIÓN ..............................................................................................................................................................19
4.
CONCLUSIONES.....................................................................................................................................................19
5.
REFERENCIAS ........................................................................................................................................................20
III
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
ATENUADOR VARIABLE
Nombre Beretta, Cuccorese, Jaremczuk, Ramirez Picollo, Zanella
Docente a cargo: Alejandro Henze
Universidad Tecnológica Nacional - Facultad Regional Buenos Aires
Medidas Electrónicas II
1.
INTRODUCCIÓN
El presente proyecto tiene como objetivo el cálculo, prueba y confección de un circuito correspondiente a un
atenuador variable con una tensión de entrada (AGC).
Se pretende obtener un circuito capaz de atenuar hasta 20 dB, con un rango de frecuencias de trabajo que
van entre las decenas de MHz y unos 3 GHz aproximadamente. El mismo contará con entradas y salidas
SMA, además de líneas de alimentación y de tensión AGC.
El efecto atenuador es logrado con la implementación de diodos PIN, los cuales tienen la capacidad de variar
su resistencia dependiendo de la corriente que los circula.
El dispositivo fue confeccionado con componentes SMD para lograr una mayor adaptación a las altas
frecuencias, además de una placa doble faz especialmente diseñada para circuitos de RF.
2.
DESARROLLO DEL TRABAJO
2.1. Descripción
El diagrama en bloques del circuito en cuestión es el siguiente:
Fig. 1 Diagrama en bloques del circuito
La fuente 1 corresponde a la tensión de alimentación y es de 12 VDC. La fuente 2 es la tensión de AGC y
debe variar entre 6V y 9V.
2.2. Principio de funcionamiento
Para la construcción del atenuador se eligió utilizar diodos PIN. El bajo costo que tienen y la variación lineal
de la resistencia que presentan al variar la corriente que los atraviesa, sumado a su baja distorsión, los hace
ideales para aplicar a este circuito.
El diodo PIN posee, entre sus áreas semiconductoras N+ y P+, una zona intrínseca donde se acumulan
portadores al circularle una corriente continua. Cuando montada sobre esta corriente continua se le aplica
una alterna de suficiente frecuencia, la zona intrínseca no llega a vaciarse de portadores nunca, ya que los
mismos no tienen tiempo de ser evacuados fuera de ella, debido a la rápida inversión de polaridad.
4
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
La permanencia del mismo número de portadores en la zona intrínseca genera una resistencia constante a
un determinado valor de corriente continua. Esta resistencia variará únicamente si se le cambia el valor de
continua de la corriente.
El desarrollo de estos diodos llevó a que se pueda bajar su frecuencia de trabajo hasta el orden de los MHz,
sin afectar esto su curva corriente-resistencia.
Fig. 2 Curva de resistencia del diodo
Si, en cambio, el diodo está en inversa, no se acumularán portadores en la zona intrínseca y el diodo se
comportará como un capacitor en paralelo con una resistencia.
Estos diodos pueden combinarse en una estructura tipo pi, de manera de lograr un valor de atenuación para
valores de tensión de entrada bajos, y uno mucho mayor cuando se aplican valores de tensión más altos.
El circuito básico para un atenuador genérico es el siguiente:
Fig. 3 Circuito básico del atenuador PI
Con el fin de controlar los valores de corriente que recorren los diodos y lograr las rectas de atenuaciónfrecuencia esperadas, se plantea el siguiente circuito:
5
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
Fig. 4 Esquemático del atenuador
En él se observa que variando la tensión aplicada en AGC se logrará una variación en la atenuación del
dispositivo. En el caso que AGC sea la salida de control automático de señal de un circuito detector, la misma
debe ser conectada a través de un capacitor “feed thru”, para lograr que la señal que entre por ella sea
perfectamente continua
2.3. Análisis teórico
Debido a las frecuencias de trabajo, es de suma importancia el diseño del impreso. Para eso se utilizo el
software de diseño “Ansoft Designer SV”. A través de este programa se obtuvo el ancho de la línea de
transmisión necesario para presentar una impedancia de 50 Ohm dadas las medidas de la placa a utilizar y
su constante dieléctrica. En combinación con este software, se utilizó el “Altium Designer”, con el que se llego
al siguiente diseño.
Fig. 5 Imagen del circuito impreso
Otro de los puntos críticos en el diseño de proyectos de RF, son los componentes a utilizar. Sus
características constructivas como sus tecnologías de fabricación, son elementos limitantes. Para superar
este problema se utilizaron resistencias y capacitores de montaje superficial (SMD), además de asociar hasta
3 resistores para poder lograr los valores exactos que se requirieron.
Como substrato se utilizó una placa Rogers RO4350 con un espesor de 0.762 mm y una capa de cobre de
17um. La misma presenta una constante dieléctrica de 3.48 con una dispersión de 0.05.
6
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
2.4. Simulaciones
Se simuló el circuito en el software PSPICE, con el objetivo de tener una primera aproximación a los
resultados esperables. El circuito diagramado es el siguiente:
Fig. 6 Circuito en pspice
Se utilizó un diodo PIN disponible en las librerías del PSPICE, ya que el modelo del diodo finalmente utilizado
no cuenta con un modelo desarrollado en este programa. En este circuito, se observa tanto la fuente de
alimentación de 12V, como la llamada AGC, de 6V. La señal utilizada como entrada es un senoidal de 5mV
de amplitud pico con una frecuencia de 100MHz.
Los valores obtenidos en el circuito de continua son los siguientes:
7
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
Fig. 7 Valores de I y V en la simulación
Puede observarse que para un valor de AGC de 6V, la corriente que circula por el diodo transversal es varios
órdenes mayor a la que circula por los dos diodos laterales. Remitiéndonos al gráfico de resistencia del diodo
en función de la corriente que lo circula, se puede deducir que la resistencia de los diodos laterales será
mucho mayor que la del diodo transversal, lo que producirá un bajo nivel de atenuación.
Se observó, por medio de la simulación, que el valor de tensión AGC con el que comienza a modificarse la
atenuación es de 6V, terminándose el rango de variación en los 9V.
El gráfico que indica la atenuación mínima del dispositivo es el siguiente:
Fig. 8 Atenuación mínima presentada por el circuito
8
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
Donde puede observarse en rojo la tensión de entrada y en verde la de salida. Estos dos valores dan una
atenuación mínima de 1,11 dB.
En el siguiente gráfico se observa la respuesta para varias tensiones de AGC:
Fig. 9 Rta. para diferentes valores de AGC
En el mismo puede observarse las sucesivas amplitudes de salida en base a las diferentes tensiones de
AGC, las cuales van de 6V a 9V en pasos de a 0.5V. Como puede verse, para la última tensión (9V) la
amplitud resulta nula, algo que, se verificará en la práctica, no es correcto.
2.5 Mediciones realizadas
2.5.1 Mediciones en Protoboard
Se realizó una medición preliminar con el circuito armado en un Protoboard sabiendo que el mismo tiene
varias limitaciones en las frecuencias de trabajo de este dispositivo, como por ejemplo, la resistencia de
entrada que presenta ya que varía mucho con la frecuencia y es muy difícil mantenerla adaptada a 50 Ohm,
el ruido que se filtra por los terminales de los componentes y los componentes parásitos que los terminales y
el protoboard en sí originan (por ejemplo, los terminales generan resistencias adicionales y el protoboard
genera un capacitor entre los contactos) empiezan a tener mayor importancia a medida que aumenta la
frecuencia de trabajo modificando el circuito que se quiere ensayar, entre otras cosas.
A continuación se muestra la figura 2.6-1 se muestra el ensayo preliminar en protoboard. El mismo fue
testeado con un generador de RF y un MSO (Mixed Signal Oscilloscope), y con dos fuentes de alimentación
de laboratorio.
9
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
Fig. 10 Ensayo preliminar en Protoboard
Si bien el circuito respondió a lo esperado en el sentido de presentar una atenuación mayor al subir la tensión
de AGC, se observaron caídas repentinas tanto en la tensión de salida como en la de entrada y valores de
atenuación mínima diferentes a lo esperado. Esto se debió principalmente, a la variación en el coeficiente de
reflexión con respecto a lo esperado, debido a que el circuito en Protoboard presentaba una impedancia a la
entrada diferente a la deseada de 50 Ohm quién además variaba con la tensión de AGC utilizada. Esta
conclusión se logró comprobar cuando se armó el circuito en PCB con componentes SMD en donde al
ensayarlo no existían esos cambios bruscos de tensión de salida.
El circuito preliminar en protoboard además, dado que no estaba construido en una estructura adecuada,
presentaba un ancho de banda muy inferior a lo esperado, teniendo frecuencias de trabajo que no superaban
los 100 MHz. Por lo tanto en el ensayo de laboratorio se optó por hacer mediciones variando la tensión AGC
en sólo 2 frecuencias, 10 MHz y 50 MHz. De esta forma se podría observar la respuesta del dispositivo a
distintas frecuencias. A su vez, al solo efecto de verificar el comportamiento erróneo, también se lo expuso a
frecuencias mayores y como se anticipó debido a todas las limitaciones mencionadas anteriormente, no
respondía correctamente.
Ejemplos de mediciones:
Para una frecuencia de 10 MHz y con una tensión de AGC de 6V (la mínima posible) su respuesta fue la
siguiente:
10
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
Fig. 11 Respuesta del circuito en protoboard - Frec10MHz_Pot-5dBm_AGC6,0v
En este caso se observa una atenuación mínima de 4 dB, algo que no se corresponde con la simulación
realizada.
Para una frecuencia de 10 MHz y con una tensión de AGC de 7,5V a atenuación se presentaba de la
siguiente manera:
Fig. 12 Respuesta del circuito en protoboard - Frec10MHz_Pot-5dBm_AGC7,5v
11
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
En este caso, se puede justificar lo mencionado anteriormente en relación al coeficiente de reflexión en la
entrada por no estar adaptada al observar que la tensión en la entrada ha disminuido (de 251 mV a 197 mV).
Para hacer otra una comparación, mostraremos a continuación el equivalente al primer caso pero ahora
subiendo la frecuencia a 50 MHz.
Fig. 13 Respuesta del circuito en protoboard – Frec50MHz_Pot-5dBm_AGC6,0v
Se puede observar que la señal de salida se observa con mucho ruido al filtrarse por distintas partes en el
protoboard y que los valores de tensión tanto de entrada como de salida están por debajo que los casos
anteriores. Esto quiere decir que el circuito está muy desadaptado y se produce una atenuación mayor en
este caso.
Para facilitar la comprensión de las comparaciones realizadas, se detallan todas las mediciones realizadas en
el circuito ensayado en protoboard en una tabla con su respectivo gráfico.
Vppin [mV] Vppout [mV] Att MSO [dB] Vppin [mV] Vppout [mV] Att MSO [dB]
Vcontrol
[V]
Fr=10MHz
Fr=10MHz
6
251
157
6,5
239
131
6,7
227
117
7
209
90
7,3
199
74
7,5
197
62
Fr=10MHz
4,075481381
5,222532106
5,756799909
7,318075533
8,592427134
-
12
Fr=50MHz
Fr=50MHz
112
28
108
24
104
20
94
16
87
12
86
10,9
Fr=50MHz
12,04119983
13,06425028
14,32006687
15,38015742
17,20676013
-
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
7,8
199
50
8
205
40
8,4
231
26
9
277
4
10,04149073
11,99766144
14,19387739
18,97277264
36,80839555
85
13,7
85
8,6
89
6,4
108
1,3
17,94143907
15,85396717
19,89840949
22,86420065
38,38960806
Fig. 14 Detalle de Mediciones realizadas en el circuito ensayado en protoboard
Mediciones en Protoboard
Vcontrol [V] (AGC
0
-5
6
6,5 6,7
7
7,3 7,5 7,8
8
8,4
9
Atenuación [dB]
-10
-15
Fr=10MHz
-20
Fr=50MHz
-25
-30
-35
-40
-45
Fig. 15 Gráfico de las mediciones realizadas en el circuito ensayado en protoboard
La conclusión final de esta sección la podemos obtener al observar el gráfico encontrando que para
tensiones chicas de AGC, la frecuencia es muy influyente en el valor de la atenuación final del dispositivo,
mientras que para tensiones mayores, no importa tanto el valor de la frecuencia de trabajo ya que atenuará
prácticamente el mismo valor.
2.5.2 Mediciones realizadas sobre la plaqueta
Sobre el diseño final del dispositivo se realizaron distintos ensayos. Fueron 2: Medición de la respuesta del
filtro usando un analizador de espectro y medición de los parámetros “S” usando un VNA.

Medición de la respuesta del filtro: Para realizar este ensayo se hizo uso de un analizador de
espectro. Se ensayó el dispositivo a distintas frecuencias, desde 100KHz hasta 3GHz variando la
tensión de control entre 6V y 9V en pasos de 500mV para cada una de las frecuencias estudiadas.
Los resultados obtenidos fueron los siguientes:
13
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
Fr= 100KHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-21
6.5
-23,6
7
-28,6
7.5
-32,1
8
-35,5
8.5
-41,7
9
-70
Fr= 500KHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-12,9
6.5
-14,5
7
-18,2
7.5
-22,3
8
-25,6
8.5
-33,6
9
-80
Fr=1MHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-8,7
6.5
-10,7
7
-13,8
7.5
-17
8
-20,6
8.5
-27,6
9
-60
Fr=5MHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-12,9
6.5
-14,8
7
-18,3
7.5
-22
8
-25,9
8.5
-33,7
9
-71,2
Fig. 16 Potencia a las frecuencias de 100KHz, 500KHz, 1MHz y 5MHz
Fr=10MHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-12,2
6.5
-14,5
7
-18
7.5
-21
8
-25,1
8.5
-33,4
9
-68,1
Fr=45MHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-12,7
6.5
-14,4
7
-18,6
7.5
-21,8
8
-25,6
8.5
-40
9
-60
Fr=100MHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-13,8
6.5
-16
7
-19,3
7.5
-22,8
8
-26,5
8.5
-35,6
9
-54,3
Fr=200MHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-14,6
6.5
-16,6
7
-20
7.5
-23,6
8
-27,3
8.5
-36
9
-49,3
Fig. 17 Potencias a las frecuencias de 10MHz, 45MHz, 100MHz y 200MHz
Fr=400MHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-15
6.5
-18,2
7
-21,4
7.5
-24,7
8
-27,3
8.5
-33,7
9
-44,6
Fr=600MHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-16
6.5
-17,8
7
-21,1
7.5
-23,4
8
-25,8
8.5
-30,6
9
-41,4
Fr=800MHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-17,5
6.5
-19,5
7
-22,6
7.5
-24,5
8
-26,2
8.5
-31,1
9
-40
Fr=1 GHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-18,5
6.5
-20,7
7
-23,6
7.5
-24,8
8
-25,9
8.5
-29,3
9
-38
Fig. 18 Potencias a las frecuencias de 400MHz, 600MHz, 800MHz y 1GHz
14
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
Fr=1,5 GHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-24,2
6.5
-25,6
7
-26,2
7.5
-26,3
8
-27
8.5
-30,5
9
-36,7
Fr=2 GHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-25,1
6.5
-26
7
-26,1
7.5
-26,2
8
-26,7
8.5
-28,8
9
-31,3
Fr=2,5 GHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-32,1
6.5
-31
7
-30,3
7.5
-30,4
8
-31
8.5
-33
9
-31,2
Fr=3 GHz
Vcontrol
Pot AE
[V]
[dBm]
6
-34,9
6.5
-33,6
7
-33,4
7.5
-33,4
8
-32
8.5
-28,4
9
-28,4
Fig. 19 Potencias a las frecuencias de 1,5GHz, 2GHHz, 2,5GHz y 3GHz
A continuación se exhiben imágenes tomadas del analizador de espectro donde puede observarse la
respuesta del filtro:
Fr=500KHz
AGC=7,5v
Pot=-22,43dbm
Fig. 20 Respuesta del circuito final – Frec500KHz_AGC7,5v
15
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
Fr=45MHz
AGC=7,5v
Pot=-22,58dbm
Fig. 21 Respuesta del circuito final – Frec45MHz_AGC7,5v
Con todos estos valores, se armó un gráfico que nos permite interpretar de forma más sencilla el
comportamiento del filtro para las distintas frecuencias.
GRAFICO DE POTENCIA [dBm]=f(V_AGC)
0
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
-10
-20
Fr=1MHz
Fr=45MHz
-30
Fr=800MHz
Fr=1 GHz
-40
Fr=2 GHz
Fr=3 GHz
-50
-60
-70
Fig. 22 Grafico Pot=f(V_AGC)
16
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
El eje de abscisas corresponde a la tensión del AGC mientras el de ordenada corresponde a la potencia en
dBm. Por una cuestión de simplicidad hablaremos de potencia en dBm y no de atenuación con el fin de no
manipular los datos obtenidos por el Analizador de Espectro.
Del gráfico puede entonces observarse que a la frecuencia de 3GHz el filtro ya no funciona como tal y su
transferencia deja de parecerse a la que tiene a frecuencias más pequeñas. A 2GHz todavía sigue atenuando
aunque muchísimo menos que a frecuencias menores, Otro aspecto a destacar es la forma del a
transferencia del filtro la frecuencia de 45MHz, ya que es muy similar a la que provee el fabricante del diodo
PIN a la misma frecuencia. En general el funcionamiento del filtro fue el esperado, tanto a bajas frecuencias
como a altas frecuencias.
La siguiente figura compara la respuesta deatenuación del circuito a 45 MHz con la curva teórica de la nota
de aplicación [3]:
Fig. 23 Grafico Att=f(V_AGC) teórica y práctica a 45 MHz
2.5.3 Mediciones con VNA de el parámetro S11 del DUT
Con el VNA disponible en el departamento de electrónica de la facultad, se procedió a realizar la calibración
del mismo y medir el parámetro S11 con la colocación de una resistencia de 50 Ω como carga.
Revisando un poco de teoría, debemos tener en cuenta que el parámetro S11, es decir, el gama de entrada
de una carga, a la hora de colocarle un elemento atenuador, el grado de desadaptación debe mejorar.
En nuestro caso, debemos mejorar el índice de atenuación, el S11 a medida que la tensión de control
aumenta ya que aumenta proporcionalmente la atenuación del DUT.
Para realizar este ensayo, se barrio el DUT desde una frecuencia inicila de 200kHz hasta unos 120MHz.
17
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
Fig. 24 S11 200kHz-120MHz 6V
Fig. 25 S11 200kHz-120MHz 7V
Fig. 26 S11 200kHz-120MHz 8,5V
18
UTN – FRBA – ME2
Octubre, 2012
En primer lugar, como sabíamos de ante mano, el diodo pin no es recomendado para trabajar a bajas
frecuencias (del orden de los 100kHz). Su correcto funcionamiento se puede ver en el orden de los MHz, tal
como se pudo verificar en todas las mediciones, donde pudimos medir valores de alta desadaptación,
llegando a valores cercanos a S11=0,6.
En segundo lugar, se puede chequear que a medida que la atenuación es cada vez mayor, el valor del S11
medido es cada vez, tal como se vio en la teoría. Los valores obtenidos para las distintas atenuaciones a
nivel práctico se mantienen a medida que aumenta la frecuencia. Las pequeñas oscilaciones que presentan
se deben tanto a las características constructivas de los diodos como a la dispersión de los demás
componentes que integran el DUT.
Para valores de la tensión de control de 6V el nivel de S11 obtenido promedio es de 0.15.Para el caso de una
tensión de control de 7V el S11 medido es de 0,1 mientras que para una tensión mayor (8,5V), como era de
esperarse, el valor de S11 es mucho menor al 0.05, acercándose a 0.02.
A través de los resultados obtenidos, podemos verificar la teoría.
3.
DISCUSIÓN
Finalmente, se logró la confección del dispositivo deseado, presentando valores en las cercanías de los
esperados y obteniendo una respuesta en frecuencia de válida hasta el orden del GHz. La conjetura acerca
del mal funcionamiento de los diodos PIN a baja frecuencia, así como de las limitaciones que los demás
componentes (y los mismos diodos) poseen para muy alta frecuencia, se vio confirmada al definir un rango
práctico de trabajo en frecuencia que comienza cerca de la unidad de MHz y termina luego de superar el
GHz, con respuestas para los 2 GHz y 3 GHz ya lejanas a lo esperado.
Una de las limitaciones observadas durante el desarrollo del proyecto fue la precisión requerida para las
resistencias a utilizar. Al no conseguirse comercialmente valores tan particulares de resistores SMD, se debió
recurrir a arreglos de resistencias en paralelo y serie que satisfagan estos valores. Estos arreglos, en la
mayoría de los casos, eran de hasta 3 resistores, llevando al circuito impreso a una complejidad exagerada,
respecto a la que se hubiera tenido con valores adecuados. Respecto a esto, la necesidad de realizar un
impreso lo más chico posible (con el objetivo de alcanzar mayores frecuencias de trabajo) aportó una
dificultad adicional al desarrollo del dispositivo.
La poca disponibilidad de componentes con la que se cuenta en el país, llevó a tener que adaptar los diodos
PIN tradicionales a un circuito de montaje superficial con resistores SMD. Además del extenso lugar que
ocupan en la placa, lo que hace a la misma más voluminosa y, por lo tanto, menos eficiente a altas
frecuencias, la adaptación de los mismos para montaje superficial, derivó en un posible detrimento en su
rendimiento. La inclusión de diodos PIN SMD en este circuito se vislumbra como una mejora realizable en el
futuro, lo que llevaría sin duda a la posibilidad de trabajar en mayores frecuencias.
4.
CONCLUSIONES
Las curvas de respuesta obtenidas para el rango de frecuencias analizadas son satisfactorias de acuerdo a lo
que se esperaba de este circuito. Un aspecto para remarcar es la amplia diferencia de atenuaciones para
diferentes frecuencias y mismos valores de tensión de AGC. Esto es esperable en cualquier dispositivo que
se ponga a prueba en un rango de frecuencias tan amplio como el observado en el presente trabajo, y se
debe tener en cuenta que, en general, las aplicaciones de este circuito atenuador implican el trabajo en una
sola frecuencia fija (por ejemplo, la de FI en un receptor AM), por lo que la dispersión anteriormente marcada
carecerá de importancia.
Por otro lado, al alcanzar ciertos límites de los instrumentos de medición de la facultad (por ejemplo, rango
de trabajo de frecuencias del VNA), la correcta medición del dispositivo se hizo imposible. A pesar de esto,
para los valores que se pudieron obtener, las respuestas adquiridas fueron satisfactorias.
Por último, cabe mencionar que la utilización de la placa del substrato para radiofrecuencia Rogers RO4350
fue satisfactoria, no habiéndose podido realizar este proyecto utilizando una placa común de fibra de vidrio.
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UTN – FRBA – ME2
5.
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Octubre, 2012
REFERENCIAS
A Low-Cost Surface Mount PIN Diode π Attenuator, Application Note 1048, Avago Technologies.
Design With PIN Diodes, Application note, Skyworks
High Performance PIN Attenuator for Low Cost AGC Applications, Hewlett Packard
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