Memoria DDR - CCISANTIAGO

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conocidos como PC100 y PC133, hasta los DDR,
DDR2 y DDR3. Esta tecnología se basa en una
configuración en paralelo, es decir, que la señal
se distribuye de forma paralela entre un módulo
y otro (a diferencia de la topología serie usada en
las memorias RDRAM).
La referencia a la sincronía en el nombre de
este tipo de arquitectura de memoria es a causa
de que su frecuencia de trabajo está ligada a la
frecuencia del procesador.
Desde la era de los microprocesadores 80386
hasta la primera generación de Pentium se
empleaban módulos de memoria de 60 o 70 ns
de tiempo de acceso (DRAM), y debían tener una
relación de frecuencia entre sí, pero no necesariamente tenían que cumplir una determinada
relación con la frecuencia del procesador. Con la
aparición de los módulos de memoria SDRAM, el
tiempo de acceso se redujo de 60 ns a la nada
despreciable cifra de 15 ns.
Los módulos de memoria SDRAM convencional
–llamados DIMM– operaban a 66, 100 y 133 MHz,
y fueron empleados por varias generaciones
de procesadores (desde el Pentium hasta el
Pentium 3).
Pero con la aparición de microprocesadores
de 1 GHz y superiores, estos módulos de memoria se quedaron casi obsoletos. La industria
Datos útiles
Grabadora EEPROM
Las grabadoras de EEPROM son dispositivos o circuitos especialmente diseñados
para reprogramar el contenido de una memoria del tipo EEPROM (memoria de solo
lectura programable por método eléctrico).
Por lo general, se conectan a una PC por
puerto paralelo o USB para que se le provea
el contenido por grabar en el chip de ROM.
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necesitaba un cambio profundo en el subsistema de memoria para suplir las demandas de
los nuevos modelos de procesadores.
Memoria DDR
Este tipo de tecnología implementó cambios
en los módulos de memoria RAM y, obviamente, en los zócalos del motherboard donde
estos se conectan, como así también en el
controlador de memoria incorporado en el
northbridge del chipset.
A continuación, se detallan las principales características de cada una de sus generaciones.
Primera generación
Los primeros módulos de memoria DIMM DDR
(Double Data Rate) se desarrollaron basándose
en el mismo principio empleado por los módulos
RIMM de Rambus: transmitir dos datos por cada
ciclo de reloj (de aquí proviene su nombre).
En realidad, el ancho de banda resultante no
fue justamente el doble, pero se mejoró de
manera considerable el rendimiento, sobre
todo cuando los chipsets fueron optimizando
su funcionamiento para este tipo de arquitectura. Así, los módulos de memoria de 133 MHz
de frecuencia de trabajo rendían, en realidad,
266 MHz efectivos.
Este tipo de memoria hizo su aparición en el
año 2001, junto con los procesadores Athlon de
AMD. Por ese entonces, Intel había apostado a
los módulos de memoria RIMM (más costosos,
pero un poco más efectivos), para luego migrar a
la tecnología DDR.
Entre las principales características técnicas
de los módulos de memoria de la primera generación DDR, es posible señalar que pueden
soportar una capacidad máxima de 1 GB, el
ancho de su bus es de 64 bits, la cantidad de
contactos es de 184 y la tensión de trabajo
es de 2,5 volts. Conforme los procesos de
fabricación se fueron refinando, y los módulos
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