DESARROLLO DE UN BORNE INTELIGENTE PARA BATERÍA DE VEHÍCULOS AUTOMÓVILES Germán Ycobalzeta Grau Joan Ramon Gomà Ayatsp Centro CIM (UPC-ICT) – Universidad Politécnica de Cataluña – Instituto Catalán de Tecnología RESUMEN El desarrollo de un borne de batería para vehículos automóviles capaz de desconectar en caso de accidente, incendio, cortocircuito o vuelco, ha sido un objetivo buscado en los últimos años. Se han registrado diversas patentes que emplean dispositivos con contactos mecánicos, con explosivos, y con sistemas de electrónica de potencia. En el Centro CIM se ha desarrollado un proyecto que ha culminado con el desarrollo de un borne de este tipo basado en componentes electrónicos de potencia. La solución obtenida consiste en un sistema sin partes móviles, que incorpora tanto los sensores necesarios para detectar las condiciones de desconexión como el procesamiento de la información, los componentes de control y los componentes de potencia. Además, permite que pueda ser rearmado fácilmente sin necesidad de acudir al taller una vez superadas las circunstancias que provocaron la activación. En la realización del proyecto se han superado dificultades técnicas que habían impedido anteriormente el desarrollo de sistemas de este tipo, el sistema electrónico es capaz de cortar intensidades de corriente que en momentos punta pueden llegar a 1000 amperios, mientras que en estado de conducción ha de ofrecer una resistencia al paso de la corriente de menos de 0,6 mΩ a 25 ºC. ABSTRACT The development of a battery terminal for automotive vehicles that is capable of disconnecting in the event of an accident, fire, short circuit or overturning has been a focal point for much research work in recent years. 636 Several patents have been registered that make use of devices with mechanical contacts, explosives and power electronics systems. At the Centre CIM a project has been developed that has culminated in the development of a terminal of this type based on power electronics components. The solution obtained is comprised of a system without any moving parts, that incorporates the sensors necessary both to detect disconnection conditions and to process information, with control components and power components. In addition, it can be reactivated without having to go to the repair shop once the conditions that triggered it are corrected. During this project technical difficulties were overcome that had previously hindered the development of systems of this type; the electronic system is capable of breaking currents that can reach peaks of 1000 amperes, yet while driving it must provide a resistance of less than 0.6 mΩ (25 ºC). 1. ANTECEDENTES Las empresas encuentran en el Centre CIM, y particularmente en el Grupo de Electrónica del Centre CIM, un centro de I+D+I para el desarrollo de un producto o una idea, o para encontrar la solución a una necesidad, en el ámbito de las nuevas tecnologías. En este caso, la empresa Perti S.L. presentó la idea de un sistema de interrupción de la alimentación del sistema eléctrico de los automóviles en caso de accidente o cortocircuito. El Grupo de Electrónica, ofreció el servicio de innovación a esta empresa para el desarrollo de esta idea y la obtención de los primeros prototipos. El desarrollo del proyecto fue el siguiente, primero se realizó un estudio de las patentes existentes relacionadas con esta idea, el segundo paso fue un estudio de las alternativas posibles para encontrar la mejor solución, y una vez escogida la alternativa se procedió al desarrollo de la misma. El estudio realizado de las patentes existentes, puso de relieve que los sistemas que se han utilizado hasta el momento para la desconexión de la batería en caso de accidente, son dispositivos electromecánicos. Dispositivos de inercia, que trabajan con elementos conductores eléctricos como pueden ser bolas o fluidos, como el mercurio, que aprovechan la inercia producida por una colisión o inclinación, para desplazarse y abrir el circuito eléctrico. Otros dispositivos utilizan cargas propelentes 637 para abrir el circuito. Para desconectar la batería en caso de cortocircuito se han utilizado fusibles, que son elementos de muy bajo coste, pero que se han de reemplazar en caso de que actúen. 2. ELECCIÓN DE LA ALTERNATIVA Después del estudio de alternativas realizado, la alternativa escogida para su desarrollo, fue la de un sistema de seguridad activo y completamente electrónico, constituido básicamente por dos bloques, un bloque de control que gobierna el bloque de potencia. El bloque de potencia está formado por semiconductores de potencia, que interrumpirán la alimentación del sistema eléctrico cuando sea necesario. Esta alternativa es la que permite, en un solo dispositivo, agrupar las funciones de los dispositivos existentes, es decir, desconectar la alimentación del sistema eléctrico cuando se den los sucesos de cortocircuito, incendio, vuelco y colisión. Permite obtener un sistema que su actuación frente a un suceso, no signifique su destrucción, y por lo tanto, después de una desconexión puede rearmarse sin tener que reemplazar elemento alguno, siempre que no exista daño persistente. Es la alternativa que ofrece una mayor rapidez de actuación frente a un suceso, lo que permite reducir las chispas que se producen en un cortocircuito y por lo tanto el riesgo de incendio. También es la que ofrece una mayor proyección de futuro, al permitir su gobierno a través de un bus de control y de esta forma poder gestionar el consumo de los automóviles desde la centralita de los mismos. 3. FUNCIONES DEL SISTEMA La incorporación de este sistema en la distribución eléctrica de los automóviles ofrece las siguientes ventajas en el caso que se produzca un suceso: - Proteger la propia batería - Reducir el número de incendios causados por cortocircuitos o accidentes - Proteger otros dispositivos del automóvil - Si el suceso no persiste, no es necesario reemplazar ningún elemento para rearmar el sistema eléctrico. Rearme mediante un pulsador. - Permitir la carga de la batería en todas las situaciones. 638 Por lo tanto este sistema minimiza las consecuencias derivadas de los accidentes, tanto económicas como de daño al medio ambiente, y aumenta la seguridad, tanto del usuario como del propio automóvil. 4. DESARROLLO Durante el desarrollo del sistema se han superado tres retos técnicos. El primero es que el sistema permite la conducción de una elevada potencia, 2200W, en forma continua y en condiciones extremas, para asegurar su operatividad dentro del rango de temperaturas entre –40 y 125 ºC. 1000,00 15 14 13 800,00 11 10 9 400,00 8 7 200,00 6 5 0,00 -66,50 -200,00 Tensión (V) Intensidad (A) 12 600,00 4 3 2 1 0 -400,00 1s / div I. MOT.ARR. T. BATERIA Fig. 1. Transitorios de tensión y intensidad de corriente en el arranque del automóvil. El segundo es que el sistema es totalmente operativo durante los transitorios de tensión que se producen en el sistema eléctrico de los automóviles, en situaciones como el arranque del automóvil (ver fig. 1), o el load dump (desconexión de un borne de la batería, mientras el alternador continúa generando corriente de carga, se produce una sobretensión de 5 a 10 ms de duración y de 100 V de pico) y durante los transitorios de intensidad de corriente (ver fig. 1), picos de hasta 1000 A, que se producen en el momento de arrancar el automóvil. El tercero es que el sistema desconecta la batería mediante señales internas de control (incluye la detección de los sucesos de cortocircuito y vuelco, y procesamiento de la información para proceder a la actuación) y mediante señales externas (incluye el procesamiento de la información de los sucesos de colisión o de incendio). 639 A los anteriores retos se les tiene que sumar otros requisitos que impone el sector del automóvil, que tenga un consumo eléctrico, unas dimensiones y un peso mínimos, y un requisito básico de cualquier producto que se quiera lanzar al mercado, un bajo coste. La evolución de los semiconductores de potencia en los últimos años, practicado por los fabricantes de semiconductores, ha sido una condición indispensable para permitir el desarrollo del sistema que nos ocupa. Entre los semiconductores de potencia que existen en el mercado, se escogen los transistores MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) para desarrollar la aplicación. El motivo de esta elección responde a las fantásticas propiedades, derivadas de su construcción, que hoy en día nos ofrecen sus fabricantes, como se ha comentado anteriormente, y a la proyección de futuro que cabe esperar de este tipo de transistores. De entre sus propiedades, cabe destacar la baja resistencia eléctrica interna en conducción (RDS(on)=2,3 mΩ a T=25 ºC), su miniaturización (encapsulado TO-263), el bajo consumo necesario para su control (como su nombre indica estos transistores se gobiernan por el campo eléctrico producido por la tensión de puerta VGS) y su rapidez de actuación (del orden de ns). Derivado de sus propiedades, cabe añadir que los transistores MOSFET permiten una configuración en paralelo. Es decir, no tienen los problemas de segunda ruptura, como sucede con los transistores BJT (Bipolar Junction Transistor) en una configuración en paralelo, o que es lo mismo, no se desequilibra la distribución equitativa de la intensidad de corriente que pasa por cada uno de los transistores MOSFET en una configuración en paralelo. Para superar los retos, se utiliza una configuración en paralelo de transistores MOSFET, que tiene que poder suministrar la potencia necesaria y asegurar que puede disipar la potencia generada en su interior. 4.1 Potencia de disipación Todos los semiconductores deben operar sin superar sus límites térmicos. Para los transistores MOSFET, el límite reside en que la temperatura de unión (TJ) no sobrepase su máximo permitido, típicamente de 175 ºC. La eficiencia con la que se disipa el calor de la unión hacia el ambiente es fundamental para determinar la corriente máxima en conducción continua que puede soportar, y la potencia máxima que puede disipar. La capacidad para disipar el calor depende de las resistencias 640 térmicas involucradas y el gradiente de temperaturas entre la unión (TJmax) y el ambiente (Ta). P= (TJ max − Ta ) RthTOTAL Para dimensionar el número de transistores MOSFET a conectar, se tiene que pensar en que pueda transportar en todo momento la intensidad de corriente en conducción continua y en la peor de las situaciones, es decir, cuando la batería del automóvil suministra toda la intensidad de corriente (aproximadamente 200 A durante unos segundos) en el momento de arranque del automóvil, y la temperatura ambiente es de 125 ºC. Cuando un semiconductor de potencia se somete a una carga pulsada, se permite la posibilidad de un pico de potencia más elevado que cuando se le hace trabajar en conducción continua. Estos materiales tienen una capacidad térmica definida, o inercia térmica, y la temperatura crítica de la unión (TJmax) no se alcanza instantáneamente. Es por eso por lo que el límite de la potencia de disipación se incrementa con una operación intermitente de los semiconductores. El incremento de la potencia depende de la duración del pulso y la frecuencia con que ocurre. 4.2 Configuración en paralelo La configuración en paralelo permite distribuir la potencia entre varios transistores y de esta forma ganar en capacidad de disipación, al no tener un solo foco de calor. Otra ventaja que nos ofrece esta configuración en paralelo es la reducción de la resistencia interna total del sistema. Si la resistencia de un solo transistor MOSFET es de 2,3 mΩ a 25 ºC y se colocan cuatro transistores en paralelo, la resistencia interna total se tiene que dividir por cuatro, aproximadamente 0,6 mΩ. 4.3 Resistencia interna Para minimizar tanto la potencia a disipar como la caída de tensión del sistema entre la entrada y la salida, se minimiza la resistencia interna de los transistores MOSFET. La resistencia interna está relacionada con la temperatura y la tensión de puerta V GS. Fijando VGS en el valor óptimo para minimizar el valor de la resistencia interna R DS(on) 641 resulta que el valor final de esta resistencia interna depende de la temperatura, y es directamente proporcional al aumento de la temperatura, aunque no deja de ser una variable conocida. 5. CONCLUSIONES El Grupo de Electrónica del Centre CIM ha desarrollado un sistema que desconecta la batería de los automóviles en caso de accidente o cortocircuito. Un sistema flexible que permite la elección de los sucesos a incorporar, la elección del valor de la intensidad de cortocircuito y definir su ubicación. Se trata de un sistema de bajo coste, en el que el 60% del coste total del sistema es el coste de los transistores, y por lo tanto del área de silicio necesaria. La previsión de futuro es que descienda el coste del sistema. Con la incorporación de los nuevos niveles de tensión del sistema eléctrico de los automóviles (36 V de tensión nominal y 42 V en funcionamiento) un aumento de tres veces la tensión de trabajo, se obtiene un descenso en un tercio de la intensidad de corriente de los sistemas actuales, siempre que se mantenga constante la potencia a suministrar. Si la intensidad a conducir se reduce, el área de silicio necesaria será menor. Aunque también se prevé un aumento de la potencia a suministrar, debido a la nueva arquitectura del sistema eléctrico y a las nuevas cargas a incorporar, como por ejemplo el alternador / motor de arranque integrado, o un sistema activo de control de la suspensión, no se prevé que el aumento de la potencia se materialice a medio plazo. NOTA: En el desarrollo del sistema han participado Salvador Farràs, Jordi Obiol, José Manuel Guerrero y Germán Ycobalzeta, con el soporte del resto del Centre CIM. 6. REFERENCIAS - J.G. Kassakian, H.-C. Wolf, J.M. Miller, C.J. Hurton, “The future of automotive electrical systems,” IEEE Spectrum, pgs. 22-27, Aug. 1996. - J.M. Miller, P.R. Nicastri “The next generation automotive electrical power system architecture: issues and challenges,” DASC98 Digital Avionic Systems Conference, Bellevue, WA, Oct. 31 – Nov. 6, 1998. 642 - J.M. Miller, D. Goel, D. Kaminski, H.-P. Schöner, T.M. Jahnas, “Making the case for a next generation automotive electrical system,” IEEE-SAE International Congress on Transportation Electronics (Convergence). Dearborn, MI, Oct. 1998 - J. Neubert, “Powering up,” IEEE. Sept. 2000. Webs de interés: www.irf.com (International www.vishay.com (Vishay), Rectifier. Fabricante de semiconductores), www.semiconductors.philips.com (Philips), www.mitconsortium.org (Forum cooperativo Norteamericano coordinado por el MIT), www.bordnetzforum-42v.de (Forum cooperativo Europeo) CORRESPONDENCIA Joan Ramon Gomà Ayats Centro CIM (UPC-ICT) – Universidad Politécnica de Cataluña – Instituto Catalán de Tecnología. Calle Llorens Artigas nº 12, 08028 Barcelona. Teléfono: 934017171 e-mail: joanr@cim.upc.es 643