La Memoria RAM - Sistemas Integrados Actualizados SIA

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Memoria RAM
Memoria de acceso aleatorio
DIMM normal y corriente de memoria RAM tipo DDR3
de 240 contactos.
La memoria de acceso aleatorio (en inglés:
random-access memory, cuyo acrónimo es RAM) es
la memoria desde donde el procesador recibe las
instrucciones y guarda los resultados.
Nomenclatura
La frase memoria RAM se utiliza frecuentemente
para referirse a los módulos de memoria que se usan en los computadores personales y servidores. En el sentido
estricto, los módulos de memoria contienen un tipo, entre varios de memoria de acceso aleatorio, ya que las ROM,
memorias Flash, caché (SRAM), los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento también poseen la
cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posición. Los módulos de RAM son la presentación
comercial de este tipo de memoria, que se compone de circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso, en otros
dispositivos como las consolas de videojuegos, esa misma memoria va soldada sobre la placa principal.
Su capacidad se mide en bytes, y dada su naturaleza siempre binaria, sus múltiplos serán representados en múltiplos
binarios tales como Kilobyte, Megabyte, Gigabyte... y así sucesivamente.
Historia
Integrado de silicio de 64 bits sobre un sector de memoria de núcleo
(finales de los 60).
La historia está marcada por la necesidad del volumen de datos.
Originalmente, los datos eran programados por el usuario con movimientos
de interruptores. Se puede decir que el movimiento de datos era bit a bit.
Las necesidades apuntaron a una automatización y se crearon lo que se
denomina byte de palabra. Desde una consola remota, se trasladaban los
interruptores asignándoles valores de letra, que correspondían a una orden
de programación al microprocesador. Así, si se deseaba programar una
orden NOT con dos direcciones distintas de memoria, solo se tenía que
activar el grupo de interruptores asociados a la letra N, a la letra O y a la
letra T. Seguidamente, se programaban las direcciones de memoria sobre las
cuales recibirían dicho operador lógico, para después procesar el resultado.
Los interruptores evolucionaron asignándoles una tabla de direccionamiento de 16x16 bytes, en donde se daban 256
valores de byte posibles (la actual tabla ASCII). En dicha tabla, se traducen lo que antes costaba activar 8 interruptores
por letra, a na pulsación por letra (de cara al recurso humano, un ahorro en tiempos. Una sola pulsación, predisponía 1
byte en RAM... o en otras palabras, cambiaba la posición de 8 interruptores con una sola pulsación). Se usó el formato
de máquina de escribir, para representar todo el alfabeto latino, necesario para componer palabras en inglés; así como
los símbolos aritméticos y lógicos que permitían la escritura de un programa directamente en memoria RAM a través de
una consola o teclado.
En origen, los programadores no veían en tiempo real lo que tecleaban, teniendo que imprimir de cuando en cuando el
programa residente en memoria RAM y haciendo uso del papel a la hora de ir modificando o creando un nuevo
programa. Dado que el papel era lo más accesible, los programas comenzaron a imprimirse en un soporte de celulosa
más resistente, creando lo que se denominó Tarjeta perforada. Así pues, los programas constaban de una o varias
tarjetas perforadas, que se almacenaban en archivadores de papel con las típicas anillas de sujeción. Dichas
perforaciones, eran leídas por un dispositivo de entrada, que no era muy diferente al teclado y que constaba de
pulsadores que eran activados o desactivados, dependiendo de si la tarjeta en la posición de byte, contenía una
perforación o no. Cada vez que se encendía la máquina, requería de la carga del programa que iba a ejecutar.
Dado que los datos en memoria son de 0 o 1, que esas posiciones físicamente representan el estado de un conmutador,
que la estimulación del conmutador evolucionó a pulsos electromagnéticos, el almacenamiento de los programas era
cuestión de tiempo que su almacenamiento pasara del papel a un soporte lógico, tal como las cintas de
almacenamiento. Las cintas eran secuenciales, y la composición de la cinta era de un material magnetoestático; bastaba
una corriente Gauss para cambiar las polaridades del material. Dado que el material magnético puede tener polaridad
norte o sur, era ideal para representar el 0 o el 1. Así, ahora, cargar un programa no era cuestión de estar atendiendo
un lector de tarjetas en el cual se debían de ir metiendo de forma interminable tarjetas perforadas que apenas podían
almacenar apenas unos bytes. Ahora, los dispositivos electromagnéticos secuenciales requerían la introducción de la
cinta y la pulsación de una tecla para que se cargara todo el programa de inicio a fin, de forma secuencial. Los accesos
Ing. Jesús René Canchala
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aleatorios no aparecieron hasta la aparición del disco duro y el Floppy. Con estos medios, un cabezal lector se deslizaba
por la superficie en movimiento, si dicho movimiento tenía como consecuencia la lectura de un valor N-N (norte-norte)
no generaba corriente, tampoco si era S-S (Sur-Sur), por el contrario, si era N-S o S-N sí creaba una corriente, que era
captada por el circuito que mandaba el dato a la memoria RAM.
Toda esta automatización requiso del diseño de un sistema operativo, o de un área de gestión del recurso para su
automatización. Estos sistemas requerían de un área de memoria reservada, en origen de 64 Kb (Capacidades de
representación de texto en monitor monocromo), para irse ampliando a 128 Kb (Monocromo con capacidades gráficas),
256 (Texto y gráficos a dos colores), 512 (Texto y gráficos a 4 colores) y los tradicionales 640 Kb (Texto y gráficos a 16
colores). Esa memoria se denominó memoria base.
Es en esta parte del tiempo, en donde se puede hablar de un área de trabajo para la mayor parte del software de un
computador. La RAM continua siendo volátil por lo que posee la capacidad de perder la información una vez que se
agote su fuente de energía.1 Existe una memoria intermedia entre el procesador y la RAM, llamada caché, pero ésta sólo
es una copia (de acceso rápido) de la memoria principal (típicamente discos duros) almacenada en los módulos de
RAM.1
4MiB de memoria RAM para un computador VAX de finales de los 70.
Los integrados de memoria DRAM están agrupados arriba a derecha e
izquierda.
Módulos de memoria tipo SIPP instalados directamente sobre la
placa base.
denominación no es precisa.
La denominación “de Acceso aleatorio” surgió para diferenciarlas
de las memoria de acceso secuencial, debido a que en los
comienzos de la computación, las memorias principales (o
primarias) de las computadoras eran siempre de tipo RAM y las
memorias secundarias (o masivas) eran de acceso secuencial
(unidades de cinta o tarjetas perforadas). Es frecuente pues que
se hable de memoria RAM para hacer referencia a la memoria
principal
de
una
computadora,
pero
actualmente
la
Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre 1949 y 1952 y
usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los
70. Antes que eso, las computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas con tubos de vacío
para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel
con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1 Kibibyte,
referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el
principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales,
la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos.
En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias
DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4 Kb en un
empaque de 16 pines,2 mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de
direccionamiento3 se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM.
Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se soldaban directamente a
las placas base o se instalaban en zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito impreso. Con el tiempo
se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal, impedía la miniaturización, entonces se idearon los
primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular. El formato SIMM
fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del
impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansión, de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la
misma distribución de pines.
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A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido,
dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de
mejoras en el direccionamiento como las siguientes:
Módulos formato SIMM de 30 y 72 pines, los últimos fueron utilizados con
integrados tipo EDO-RAM.

FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)
Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel
486,4 se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria
envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad
de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas
operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones
consecutivas. Funciona como si deseáramos visitar todas las casas en una calle:
después de la primera vez no seria necesario decir el número de la calle únicamente
seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy
populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.

EDO-RAM (Extended Data Output RAM)
Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO,
también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la
información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el
búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.

BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)
Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que
usaba generadores internos de direcciones y accedía a mas de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de
manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros
fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK,
agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.
Arquitectura base
En origen, la memoria RAM se componía de hilos de cobre que atravesaban toroides de ferrita, la corriente polariza la
ferrita. Mientras esta queda polarizada, el sistema puede invocar al procesador accesos a partes del proceso que antes
(en un estado de reposo) no es posible acceder. En sus orígenes, la invocación a la RAM, producía la activación de
contactores, ejecutando instrucciones del tipo AND, OR y NOT. La programación de estos elementos, consistía en la
predisposición de los contactores para que, en una línea de tiempo, adquiriesen las posiciones adecuadas para crear un
flujo con un resultado concreto. La ejecución de un programa, provocaba un ruido estruendoso en la sala en la cual se
ejecutaba dicho programa, por ello el área central de proceso estaba separada del área de control por mamparas
insonorizadas.
Con las nuevas tecnologías, las posiciones de la ferrita se ha ido sustituyendo por, válvulas de vacío, transistores y en
las últimas generaciones, por un material sólido dieléctrico. Dicho estado estado sólido dieléctrico tipo DRAM permite
que se pueda tanto leer como escribir información.
Uso por el sistema
Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde se
cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. Se denominan "de acceso
aleatorio" porque se puede leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier
posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la información de la manera más rápida posible.
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Módulos de la memoria RAM
Formato SO-DIMM.
Los módulos de memoria RAM son tarjetas de circuito impreso que tienen
soldados integrados de memoria DRAM por una o ambas caras. La
implementación DRAM se basa en una topología de Circuito eléctrico que
permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores,
logrando integrados de decenas o cientos de Megabits. Además de DRAM, los
módulos poseen un integrado que permiten la identificación de los mismos ante
el computador por medio del protocolo de comunicación SPD.
La conexión con los demás componentes se realiza por medio de un área de
pines en uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el modulo al ser
instalado en un zócalo apropiado de la placa base, tenga buen contacto eléctrico
con los controladores de memoria y las fuentes de alimentación. Los primeros
módulos comerciales de memoria eran SIPP de formato propietario, es decir no había un estándar entre distintas
marcas. Otros módulos propietarios bastante conocidos fueron los RIMM, ideados por la empresa RAMBUS.
La necesidad de hacer intercambiable los módulos y de utilizar integrados de distintos fabricantes condujo al
establecimiento de estándares de la industria como los JEDEC.



Módulos SIMM: Formato usado en computadores antiguos. Tenían un bus de datos de 16 o 32 bits
Módulos DIMM: Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits.
Módulos SO-DIMM: Usado en computadores portátiles. Formato miniaturizado de DIMM.
Relación con el resto del sistema
Diagrama de la arquitectura de un ordenador.
Dentro de la jerarquía de memoria la RAM se encuentra en un nivel después de los
registros del procesador y de las cachés. Es una memoria relativamente rápida y de
una capacidad media: sobre el año 2010), era fácil encontrar memorias con
velocidades de más de 1 Ghz, y capacidades de hasta 8 GB por módulo, llegando a
verse memorias pasando la barrera de los 3 Ghz por esa misma fecha mediante
prácticas de overclock extremo. La memoria RAM contenida en los módulos, se
conecta a un controlador de memoria que se encarga de gestionar las señales
entrantes y salientes de los integrados DRAM. Algunas señales son las mismas que se
utilizan para utilizar cualquier memoria: Direcciones de las posiciones, datos
almacenados y señales de control.
El controlador de memoria debe ser diseñado basándose en una tecnología de
memoria, por lo general soporta solo una, pero existen excepciones de sistemas
cuyos controladores soportan dos tecnologías (por ejemplo SDR y DDR o DDR1 y
DDR2), esto sucede en las épocas transitorias de una nueva tecnología de RAM. Los
controladores de memoria en sistemas como PC y servidores se encuentran
embebidos en el llamado "North Bridge" o "Puente Norte" de la placa base; o en su
defecto, dentro del mismo procesador (en el caso de los procesadores desde AMD
Athlon 64 e Intel Core i7) y posteriores; y son los encargados de manejar la mayoría de información que entra y sale del
procesador.
Las señales básicas en el módulo están divididas en dos buses y un conjunto misceláneo de líneas de control y
alimentación. Entre todas forman el bus de memoria:

Bus de datos: Son las líneas que llevan información entre los integrados y el controlador. Por lo general están
agrupados en octetos siendo de 8,16,32 y 64 bits, cantidad que debe igualar el ancho del bus de datos del
procesador. En el pasado, algunos formatos de modulo, no tenían un ancho de bus igual al del procesador.En
ese caso había que montar módulos en pares o en situaciones extremas, de a 4 módulos, para completar lo
que se denominaba banco de memoria, de otro modo el sistema no funciona. Esa es la principal razón de
haber aumentar el número de pines en los módulos, igualando el ancho de bus de procesadores como el
Pentium de 64 bits a principios de los 90.
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
Bus de direcciones: Es un bus en el cual se colocan las direcciones de memoria a las que se requiere acceder.
No es igual al bus de direcciones del resto del sistema, ya que está multiplexado de manera que la dirección se
envía en dos etapas.Para ello el controlador realiza temporizaciones y usa las líneas de control. En cada
estándar de módulo se establece un tamaño máximo en bits de este bus, estableciendo un límite teórico de la
capacidad máxima por módulo.

Señales misceláneas: Entre las que están las de la alimentación (Vdd, Vss) que se encargan de entregar
potencia a los integrados. Están las líneas de comunicación para el integrado de presencia que da información
clave acerca del módulo. También están las líneas de control entre las que se encuentran las llamadas RAS
(row address strobe) y CAS (column address strobe) que controlan el bus de direcciones y las señales de reloj
en las memorias sincrónicas SDRAM.
Entre las características sobresalientes del controlador de memoria, está la capacidad de manejar la tecnología de canal
doble (Dual Channel), tres canales, o incluso cuatro para los procesadores venideros; donde el controlador maneja
bancos de memoria de 128 bits. Aunque el ancho del bus de datos del procesador sigue siendo de 64 bits, el controlador
de memoria puede entregar los datos de manera intercalada, optando por uno u otro canal, reduciendo las latencias
vistas por el procesador. La mejora en el desempeño es variable y depende de la configuración y uso del equipo. Esta
característica ha promovido la modificación de los controladores de memoria, resultando en la aparición de nuevos
chipsets (la serie 865 y 875 de Intel) o de nuevos zócalos de procesador en los AMD (el 939 con canal doble , reemplazo
el 754 de canal sencillo). Los equipos de gama media y alta por lo general se fabrican basados en chipsets o zócalos que
soportan doble canal o superior.
Módulos de memoria instalados de 256 MiB cada uno en un sistema
con doble canal.
Tecnologías de memoria
La tecnología de memoria actual usa una señal de sincronización para
realizar las funciones de lectura-escritura de manera que siempre esta
sincronizada con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las
antiguas memorias FPM y EDO que eran asíncronas. Hace más de una
década toda la industria se decantó por las tecnologías síncronas, ya
que permiten construir integrados que funcionen a una frecuencia
superior a 66 MHz (A día de hoy, se han superado con creces los 1600
Mhz).
Memorias RAM con tecnologías usadas en la actualidad.
SDR SDRAM
Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que
se presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los
Pentium II y en los Pentium III , así como en los AMD K6, AMD Athlon
K7 y Duron. Está muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a
secas, y que la denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de la
memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió muy rápido la
denominación incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que
ambas (tanto la SDR como la DDR) son memorias síncronas dinámicas. Los tipos disponibles son:


PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx de 100 MHz.
PC133: SDR SDRAM, funciona a un máx de 133 MHz.
DDR SDRAM
Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus
del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos en el
caso de ordenador de escritorio y en módulos de 144 contactos para los ordenadores portátiles. Los tipos disponibles
son:

PC2100 o DDR 266: funciona a un máx de 133 MHz.
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

PC2700 o DDR 333: funciona a un máx de 166 MHz.
PC3200 o DDR 400: funciona a un máx de 200 MHz.
DDR2 SDRAM
SDRAM DDR2.
Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data
Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la
frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen
cuatro transferencias. Se presentan en módulos DIMM de 240 contactos. Los
tipos disponibles son:





PC2-4200 o
PC2-5300 o
PC2-6400 o
PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un máx de 1066
PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un máx de 1200
DDR2-533: funciona a un máx de 533 MHz.
DDR2-667: funciona a un máx de 667 MHz.
DDR2-800: funciona a un máx de 800 MHz.
MHz.
MHz
DDR3 SDRAM
Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan significantes mejoras en el rendimiento en
niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo. Los módulos DIMM DDR 3
tienen 240 pines, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una
ubicación diferente de la muesca. Los tipos disponibles son:



PC3-8600 o DDR3-1066: funciona a un máx de 1066 MHz.
PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un máx de 1333 MHz.
PC3-12800 o DDR3-1600: funciona a un máx de 1600 MHz.
RDRAM (Rambus DRAM)
Memoria de gama alta basada en un protocolo propietario creado por la empresa Rambus, lo cual obliga a sus
compradores a pagar regalías en concepto de uso. Esto ha hecho que el mercado se decante por la tecnología DDR, libre
de patentes, excepto algunos servidores de grandes prestaciones (Cray) y la consola PlayStation 3. La RDRAM se
presenta en módulos RIMM de 184 contactos.
Detección y corrección de errores
Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard fails) que son daños en el hardware y los
errores (soft errors) provocados por causas fortuitas. Los primeros son relativamente fáciles de detectar (en algunas
condiciones el diagnóstico es equivocado), los segundos al ser resultado de eventos aleatorios, son más difíciles de
hallar. En la actualidad la confiabilidad de las memorias RAM frente a los errores, es suficientemente alta como para no
realizar verificación sobre los datos almacenados, por lo menos para aplicaciones de oficina y caseras. En los usos más
críticos, se aplican técnicas de corrección y detección de errores basadas en diferentes estrategias:


La técnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada byte de datos, y en la lectura se
comprueba si el número de unos es par (paridad par) o impar (paridad impar), detectándose así el error.
Una técnica mejor es la que usa ECC, que permite detectar errores de 1 a 4 bits y corregir errores que afecten
a un sólo bit. Esta técnica se usa sólo en sistemas que requieren alta fiabilidad.
Por lo general los sistemas con cualquier tipo de protección contra errores tiene un costo más alto, y sufren de pequeñas
penalizaciones en desempeño, con respecto a los sistemas sin protección. Para tener un sistema con ECC o paridad, el
chipset y las memorias deben tener soporte para esas tecnologías. La mayoría de placas base no poseen dicho soporte.
Para los fallos de memoria se pueden utilizar herramientas de software especializadas que realizan pruebas integrales
sobre los módulos de memoria RAM. Entre estos programas uno de los más conocidos es la aplicación Memtest86+ que
detecta fallos de memoria.
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Memoria RAM registrada
Es un tipo de módulo usado frecuentemente en servidores y equipos especiales. Poseen circuitos integrados que se
encargan de repetir las señales de control y direcciones. Las señales de reloj son reconstruidas con ayuda del PLL que
está ubicado en el módulo mismo. Las señales de datos pasan directamente del bus de memoria a los CI de memoria
DRAM.
Estas características permiten conectar múltiples módulos de memoria (más de 4) de alta capacidad sin que haya
perturbaciones en las señales del controlador de memoria, haciendo posible sistemas con gran cantidad de memoria
principal (8 a 16 GiB). Con memorias no registradas, no es posible, debido a los problemas surgen de sobrecarga
eléctrica a las señales enviadas por el controlador, fenómeno que no sucede con las registradas por estar de algún modo
aisladas.
Entre las desventajas de estos módulos están el hecho de que se agrega un ciclo de retardo para cada solicitud de
acceso a una posición no consecutiva y por supuesto el precio, que suele ser mucho más alto que el de las memorias de
PC. Este tipo de módulos es incompatible con los controladores de memoria que no soportan el modo registrado, a pesar
de que se pueden instalar físicamente en el zócalo. Se pueden reconocer visualmente porque tienen un integrado
mediano, cerca del centro geométrico del circuito impreso, además de que estos módulos suelen ser algo más altos.5
Tecnologías de Memoria RAM
Memoria SDRAM.
sincronización.
Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) es
una memoria dinámica de acceso aleatorio DRAM que tiene una
interfaz síncrona. Tradicionalmente, la memoria dinámica de acceso
aleatorio DRAM tiene una interfaz asíncrona, lo que significa que el
cambio de estado de la memoria tarda un cierto tiempo, dado por
las características de la memoria, desde que cambian sus entradas.
En cambio, en las SDRAM el cambio de estado tiene lugar en el
momento señalado por una señal de reloj y, por lo tanto, está
sincronizada con el bus de sistema del ordenador. El reloj también
permite controlar una máquina de estados finitos interna que
controla la función de "pipeline" de las instrucciones de entrada.
Esto permite que el chip tenga un patrón de operación más
complejo que la DRAM asíncrona, que no tiene una interfaz de
El método de segmentación significa que el chip puede aceptar una nueva instrucción antes de que haya terminado de
procesar la anterior. En una escritura de datos, el comando "escribir" puede ser seguido inmediatamente por otra
instrucción, sin esperar a que los datos se escriban en la matriz de memoria. En una lectura, los datos solicitados
aparecen después de un número fijo de pulsos de reloj tras la instrucción de lectura, durante los cuales se pueden
enviar otras instrucciones adicionales. (Este retraso se llama latencia y es un parámetro importante a considerar cuando
se compra una memoria SDRAM para un ordenador.)
Las SDRAM son ampliamente utilizadas en los ordenadores, desde la original SDRAM y las posteriores DDR (o DDR1),
DDR2 y DDR3. Actualmente se está diseñando la DDR4 y se prevé que estará disponible en 2012.
Generaciones de SDRAM
SDRAM (Synchronous DRAM)
Este tipo de memoria SDRAM es más lento que las variantes de DDR, porque sólo una palabra de los datos se transmite
por ciclo de reloj (Single Data Rate).
DDR SDRAM (a veces llamado DDR1)
Mientras que la latencia de acceso de memoria DRAM es fundamentalmente limitada por la matriz de DRAM, DRAM tiene
el potencial de ancho de banda muy alto, porque cada lectura interior es en realidad una fila de miles de bits. Para hacer
más de este ancho de banda disponible para los usuarios, una interfaz de doble velocidad de datos se ha desarrollado.
Este sistema utiliza los mismos comandos, excepto una vez por ciclo, pero lee o escribe dos palabras de datos por ciclo
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de reloj. Algunos cambios menores en el momento de interfaz de DEG se hicieron en retrospectiva, y la tensión de
alimentación se redujo en 3,3 a 2,5 V. Como resultado, DDR SDRAM no es compatible con SDR SDRAM.
DDR SDRAM (a veces llamado DDR1 para mayor claridad) se duplica la mínima unidad de lectura o escritura, y cada
acceso se refiere a al menos dos términos consecutivos.
Típico DDR SDRAM de velocidades de reloj son 133, 166 y 200 MHz (7,5, 6, y 5 ns / ciclo), generalmente descrito como
DDR-266, DDR-333 y DDR-400 (3.75, 3, y 2,5 ns por golpe). Correspondiente de 184-pines DIMM son conocidos como
PC-2100, PC-2700 y PC-3200. Un rendimiento de hasta DDR-550 (PC-4400) está disponible por un precio.
DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM es muy similar a la DDR SDRAM, pero duplica el mínimo de leer o escribir en la unidad de nuevo, a 4
palabras consecutivas. El protocolo de bus también se simplificó para permitir la operación de mayor rendimiento.
Comando (en particular, el «estallido de terminar" se suprime.) Esto permite que la tasa de autobuses de la SDRAM que
se duplicó, sin aumentar la frecuencia de reloj de las operaciones de RAM interna, en cambio, las operaciones internas
se realizan en las unidades 4 veces más ancha que una SDRAM. Asimismo, un pin adicional la dirección del banco (Ba2)
fue agregado para permitir a los bancos en 8 chips de memoria RAM de gran tamaño.
Típica velocidades de reloj SDRAM DDR2 a 200, 266, 333 o 400 MHz (periodos de 5, 3,75, 3 y 2,5 ns), generalmente
descrito como DDR2-400, DDR2-533, DDR2-667 y DDR2-800 (períodos de 2,5, 1,875, 1,5 y 1,25 ns). Correspondientes
DIMM 240-pin que se conoce como PC2-3200 a través de PC2-6400. DDR2 SDRAM ahora está disponible a una
velocidad de reloj de 533 MHz generalmente descrito como DDR2-1066 y los módulos DIMM correspondientes se
conocen como PC2-8500 (también llamado PC2-8600, dependiendo del fabricante). Un rendimiento de hasta DDR2-1250
(PC2-10000) está disponible por un precio.
Tenga en cuenta que debido a las operaciones internas se encuentran en 1 / 2 la velocidad de reloj, memoria DDR2-400
(velocidad del reloj interno de 100 MHz) tiene una latencia algo más alto que los módulos DDR-400 (velocidad del reloj
interno de 200 MHz).
DDR3 SDRAM
DDR3 continúa la tendencia, duplicando el mínimo de leer o escribir en la unidad a 8 palabras consecutivas. Esto
permite que otra duplicación de la velocidad de bus de ancho de banda y externa sin tener que cambiar la velocidad de
reloj de las operaciones internas, a la anchura. Para mantener las transferencias de 800 m/s (tanto en los bordes de un
reloj de 400 MHz), la matriz de RAM interna tiene que realizar 100 M obtiene por segundo.
Como ocurre con todas las generaciones de SDRAM DDR, los comandos están al alcance de un borde de reloj y las
latencias de comandos se dan en términos de ciclos de reloj, que son la mitad de la velocidad de la velocidad de
transferencia por lo general citado (una latencia CAS de 8 con DDR3-800 es de 8 / (400 MHz) = 20 ns, exactamente el
mismo tiempo que CAS2 en PC100 SDRAM SDR).
Chips de memoria DDR3 se hacen comercialmente, y los sistemas informáticos están disponibles que los utilizan como
de la segunda mitad de 2007, con el uso esperado significativa en 2008. Velocidades de reloj iniciales fueron de 400 y
533 MHz, lo que se describen como DDR3-800 y DDR3-1066 (PC3-6400 y PC3-8500 módulos), pero a 667 y 800 MHz,
descrito como DDR3-1333 y DDR3-1600 (PC3-10600 y PC3-12800 módulos) son comunes. De rendimiento de hasta
DDR3-2000 está disponible por un precio.
Sucesos de error
Además de DDR, había varias otras tecnologías de memoria propuesto para suceder a SDR SDRAM.
DRAM síncrona (SLDRAM)
SLDRAM jactó de mayor rendimiento y compitió contra la RDRAM. Se desarrolló durante la década de 1990 por el
Consorcio SLDRAM, que consistía de aproximadamente 20 fabricantes importantes de la industria informática. Es un
estándar abierto y no requiere de licencias. Las especificaciones para el llamado del bus de 64-bit funcionan a una
frecuencia de 200 MHz de reloj. Esto se logra por todas las señales están en la misma línea y evitando así el tiempo de
sincronización de múltiples líneas. Como DDR SDRAM, SLDRAM puede operar al doble de velocidad del reloj del sistema
dándole una velocidad efectiva de 400 MHz.
Ing. Jesús René Canchala
8
Sistemas Integrados Actualizados SIA
Memoria RAM
Virtual Channel Memory (VCM) SDRAM
VCM era un tipo de propiedad de SDRAM que fue diseñado por NEC, pero fue liberado como un estándar abierto, sin
derechos de licencia. VCM crea un estado en el que los diferentes procesos del sistema se puede asignar su propio canal
virtual, aumentando así la eficacia global del sistema, evitando la necesidad de que los procesos de espacio de búfer
acción. Esto se logra mediante la creación de distintos "bloques" de la memoria, permitiendo que cada bloque de
memoria individual a la interfaz por separado con el controlador de memoria y tener su espacio propio buffer. VCM tiene
mayor rendimiento que la SDRAM porque tiene latencias significativamente más bajos. La tecnología es un competidor
potencial de RDRAM VCM porque no era tan caro como se RDRAM. Un módulo VCM es mecánica y eléctricamente
compatible con la SDRAM estándar, sino que debe ser reconocido por el controlador de memoria. Placas pocos fueron
producidos con el apoyo del VCM.
DDR SDRAM
Módulo de memoria DDR.
DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de
transferencia de datos en español. Son módulos de
memoria
RAM
compuestos
por
memorias
sincrónicas (SDRAM), disponibles en encapsulado
DIMM, que permite la transferencia de datos por
dos canales distintos simultáneamente en un mismo
ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una
capacidad máxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes).
Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 en un principio
utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD
basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió
competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB)
de 64 bits de datos y frecuencias de reloj internas que van desde los 200 a los 400 MHz.
Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3
Se utiliza la nomenclatura PCxxxxx, dónde se indica el ancho de banda del
módulo y pueden transferir un volumen de información de 8 bytes en cada
ciclo de reloj a las frecuencias descritas. Un ejemplo de cálculo para PC1600:
100 MHz x 2 Datos por Ciclo x 8 B = 1600 MB/s = 1 600 000 000 bytes/s
Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de
trabajo distintos:
 Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria
intercambian información con el bus a través de un sólo canal, para ello sólo
es necesario introducir todos los módulos DIMMs en el mismo banco de slots.
 Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria
entre los dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden
intercambiar datos con el bus a través de dos canales simultáneos, uno para
cada banco.
Ing. Jesús René Canchala
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Sistemas Integrados Actualizados SIA
Memoria RAM
Especificaciones estándar
Chips y Módulos
Nombre
estándar
Tiempo
Velocidad del
entre
reloj
señales
Velocidad
del Datos transferidos Nombre del Máxima capacidad de
reloj de E/S
por segundo
módulo
transferencia
DDR-200
100 MHz
10 ns
100 MHz
200 millones
PC1600
1600 MB/s
DDR-266
133 MHz
7,5 ns
133 MHz
266 millones
PC2100
2133 MB/s
DDR-300
150 MHz
-ns
150 MHz
300 millones
PC2400
2400 MB/s
DDR-333
166 MHz
6 ns
166 MHz
333 millones
PC2700
2667 MB/s
DDR-366
183 MHz
5,5 ns
183 MHz
366 millones
PC3000
2933 MB/s
DDR-400
200 MHz
5 ns
200 MHz
400 millones
PC3200
3200 MB/s
DDR-433
216 MHz
4,6 ns
216 MHz
433 Millones
PC3500
3500 MB/s
DDR-466
233 MHz
4,2 ns
233 MHz
466 millones
PC3700
3700 MB/s
DDR-500
250 MHz
4 ns
250 MHz
500 millones
PC4000
4000 MB/s
DDR-533
266 MHz
3,7 ns
266 MHz
533 millones
PC4300
4264 MB/s
No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El número simplemente señala
la velocidad en la cual el chip está garantizado para funcionar. Por lo tanto el DDR SDRAM puede funcionar a velocidades
de reloj más bajas para las que fue diseñado (underclock) o para velocidades de reloj más altas para las que fue
diseñado (overclock).
Los DIMMs DDR SDRAM tienen 184 pines (en comparación con los 168 pines en el SDRAM, o los 240 pines en el DDR2
SDRAM), y pueden ser diferenciados de los DIMMs SDRAM por el número de muescas (el DDR SDRAM tiene una, y el
SDRAM tiene dos). El DDR SDRAM funciona con un voltaje de 2,5 V, comparado a 3,3 V para el SDRAM. Esto puede
reducir perceptiblemente el uso de energía. Nota: algunos DIMMs tiene un voltaje nominal de 2,6 o 2,7 V.1
Muchos chips nuevos usan estos tipos de memoria en configuraciones Dual Channel, lo que dobla o cuadruplica el ancho
de banda efectivo.
DDR2
DDR2 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la
familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso
aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de
la DRAM.
Un módulo DDR2 de 1 GB con disipador
Ing. Jesús René Canchala
10
Sistemas Integrados Actualizados SIA
Memoria RAM
Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo
mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si
una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz
nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño buffer que es el que guarda la
información para luego transmitirla fuera del módulo de memoria, este buffer en el caso de la DDR convencional
trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer
almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la
frecuencia real de los módulos de memoria.
Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3
Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con
las DDR convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir
la latencia en las DDR2 no es fácil. El mismo hecho de que el buffer de
la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el
causante de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo
de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte
de los módulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder
enviar la información.
Características

 Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR
(Double Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida
trabajen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante
cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias.
 Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en
los puntos de 0 voltios y 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de
energía en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a 2,5.
Terminación de señal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminación integrada" u ODT) para evitar
errores de transmisión de señal reflejada.
Estándares
Módulos
Para usar en PC, las DDR2 SDRAM son suministradas en tarjetas de memoria DIMMs con 240 pines y una localización
con una sola ranura. Las tarjetas DIMM son identificadas por su máxima capacidad de transferencia (usualmente
llamado ancho de banda).
Nombre
estándar
Tiempo
Velocidad del
entre
reloj
señales
Velocidad
del Datos transferidos Nombre del Máxima capacidad de
reloj de E/S
por segundo
módulo
transferencia
DDR2-400
100 MHz
10 ns
200 MHz
400 millones
PC2-3200
3200 MB/s
DDR2-533
133 MHz
7,5 ns
266 MHz
533 millones
PC2-4200
4264 MB/s
DDR2-600
150 MHz
6,7 ns
300 MHz
600 millones
PC2-4800
4800 MB/s
DDR2-667
166 MHz
6 ns
333 MHz
667 Millones
PC2-5300
5336 MB/s
DDR2-800
200 MHz
5 ns
400 MHz
800 Millones
PC2-6400
6400 MB/s
DDR2-1000
250 MHz
3,75 ns
500 MHz
1000 Millones
PC2-8000
8000 MB/s
Ing. Jesús René Canchala
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Sistemas Integrados Actualizados SIA
Memoria RAM
DDR2-1066
266 MHz
3,75 ns
533 MHz
1066 Millones
PC2-8500
8530 MB/s
DDR2-1150
286 MHz
3,5 ns
575 MHz
1150 Millones
PC2-9200
9200 MB/s
DDR2-1200
300 MHz
3,3 ns
600 MHz
1200 Millones
PC2-9600
9600 MB/s
Nota: DDR2-xxx indica la velocidad de reloj efectiva, mientras que PC2-xxxx indica el ancho de banda teórico (aunque
suele estar redondeado). El ancho de banda se calcula multiplicando la velocidad de reloj efectiva por ocho, ya que la
DDR2 (como la DDR) es una memoria de 64 bits, hay 8 bits en un byte, y 64 es 8 por 8 y por último por 2 (doble tasa
de transferencia), esto se empezó a usar para mostrar la velocidad de transferencia frente a las memorias "Rambus"
que eran mas rápidas en sus ciclos de reloj operación, pero solo eran de 16 bits
Algunos fabricantes etiquetan sus memorias DDR2-667 como PC2-5400 en vez de PC2-5300. Al menos un fabricante
ha reportado que esto refleja pruebas satisfactorias a una velocidad más rápida que la normal.
1
La variante GDDR2
El primer producto comercial en afirmar que usaba tecnología GDDR2 fue la tarjeta gráfica nVIDIA GeForce FX 5800. Sin
embargo, es importante aclarar que la memoria "DDR2" usada en las tarjetas gráficas (llamada oficialmente GDDR2) no
es DDR2, sino un punto intermedio entre las DDR y DDR2. De hecho, no incluye el (importantísimo) doble ratio del reloj
de entrada/salida, y tiene serios problemas de sobrecalentamiento debido a los voltajes nominales de la DDR. ATI
Technologies (ahora AMD) posteriormente ha desarrollado aún más el formato GDDR, hasta el GDDR3, que es más
parecido a las especificaciones de la DDR2, aunque con varios añadidos específicos para tarjetas gráficas.
Tras la introducción de la GDDR2 con la serie FX 5800, las series 5900 y 5950 volvieron a usar DDR, pero la 5700 Ultra
usaba GDDR2 con una velocidad de 450 MHz (en comparación con los 400 MHz de la 5800 o los 500 MHz de la 5800
Ultra).
La Radeon 9800 Pro de ATI con 256 MiB de memoria (no la versión de 128 MiB) usaba también GDDR2, porque esta
memoria necesita menos pines que la DDR. La memoria de la Radeon 9800 Pro de 256 MiB sólo va 20 MHz más rápida
que la versión de 128 MiB, principalmente para contrarrestar el impacto de rendimiento causado por su mayor latencia y
su mayor número de chips. La siguiente tarjeta, la Radeon 9800 XT, volvió a usar DDR, y posteriormente ATI comenzó a
utilizar GDDR3 en su línea de tarjetas Radeon X800 hasta la mayoría de la serie Radeon HD 4000.
Actualmente, las tarjetas de nueva generación usan el formato GDDR5; por parte de ATi, las tarjetas de alto
rendimiento, algunas serie HD4000(solo la hd4870, hd4890 y la hd4770), las gamas medio-altas de las series HD5000 y
HD6000, utilizan GDDR5. Por parte de Nvidia, las tarjeta gráficas de gama alta de las series 400 y 500
Integración
DDR2 se introdujo a dos velocidades iniciales: 200 MHz (llamada PC2-3200) y 266 MHz (PC2-4200). Ambas tienen un
menor rendimiento que sus equivalentes en DDR, ya que su mayor latencia hace que los tiempos totales de acceso sean
hasta dos veces mayores. Sin embargo, la DDR no ha sido oficialmente introducida a velocidades por encima de los 266
MHz. Existen DDR-533 e incluso DDR-600, pero la JEDEC ha afirmado que no se
estandarizarán. Estos módulos son, principalmente, optimizaciones de los fabricantes,
que utilizan mucha más energía que los módulos con un reloj más lento, y que no
ofrecen un mayor rendimiento.
Actualmente, Intel soporta DDR2 en sus chipsets 9xx. AMD incluye soporte DDR2 en
procesadores de la plataforma AM2 introducidos en el 2006.
Los DIMM DDR2 tienen 240 pines, mientras que los de DDR tienen 184 y los de SDR
168.
DDR3
Ing. Jesús René Canchala
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Sistemas Integrados Actualizados SIA
Memoria RAM
Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3
DDR3 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio,
que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM.
El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferencias de datos más rápido, lo que permite
obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR2 anteriores. Sin embargo,
no hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de
512 MB a 8 GB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GiB. También proporciona significativas mejoras en el
rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo.
Se prevé que la tecnología DDR3 puede ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que promete
ofrecer DDR3 es la mejor opción para la combinación de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexaCore
(2, 4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una
solución térmica y energética más eficaces.
Estándares
Estos son los estándares de memoria DDR3 actualmente en el mercado:
Nombre
estándar
Tiempo
Velocidad del
entre
reloj
señales
Velocidad
del Datos transferidos Nombre del Máxima capacidad de
reloj de E/S
por segundo
módulo
transferencia
DDR3-1066
133 MHz
7,5 ns
533 MHz
1066 Millones
PC3-8500
8530 MB/s
DDR3-1200
150 MHz
6,7 ns
600 MHz
1200 Millones
PC3-9600
9600 MB/s
DDR3-1333
166 MHz
6 ns
667 MHz
1333 Millones
PC3-10667
10664 MB/s
DDR3-1375
170 MHz
5,9 ns
688 MHz
1375 Millones
PC3-11000
11000 MB/s
DDR3-1466
183 MHz
5,5 ns
733 MHz
1466 Millones
PC3-11700
11700 MB/s
DDR3-1600
200 MHz
5 ns
800 MHz
1600 Millones
PC3-12800
12800 MB/s
DDR3-1866
233 MHz
4,3 ns
933 MHz
1866 Millones
PC3-14900
14930 MB/s
DDR3-2000
250 MHz
4 ns
1000 MHz
2000 Millones
PC3-16000
16000 MB/s
GDDR3
La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnología completamente distinta, ha sido usada durante
varios años en tarjetas gráficas de gama alta como las series GeForce 6x00 ó ATI Radeon X800 Pro, y es la utilizada
como memoria principal de la Xbox 360. A veces es incorrectamente citada como "DDR3".
Taller de Memoria RAM
Objetivo: Identificar las diferentes tecnologías de memoria RAM desde la más antigua hasta la mas actual
En su cuaderno desarrolle lo siguiente:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
Cuál es la función principal de la memoria RAM.
Describa brevemente el origen de la memoria RAM.
Defina: FPM-RAM, EDO-RAM, BEDO-RAM
Qué usos le da el sistema de cómputo a la memoria RAM.
Cuál es la relación que tiene la memoria RAM con el resto de sistema de cómputo.
Nombre los tipos de tecnologías de memoria RAM que se utilizan en la actualidad.
Cuáles son los principales errores que se presentan en la memoria RAM.
Ing. Jesús René Canchala
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Sistemas Integrados Actualizados SIA
Memoria RAM
8.
Defina DDR y escriba la velocidad de reloj, la cantidad de datos transferidos por segundo y nombre del
módulo de las siguientes memorias DDR: DDR-200, DDR-400, DDR-533.
9. Defina DDR2 y escriba la velocidad de reloj, la cantidad de datos transferidos por segundo y nombre del
módulo de las siguientes memorias DDR2: DDR2-600, DDR2-800, DDR2-1200.
10. Defina DDR3 y escriba la velocidad de reloj, la cantidad de datos transferidos por segundo y nombre del
módulo de las siguientes memorias DDR3: DDR3-1066, DDR3-1600, DDR3-2000.
11. En internet consulte algunos fabricantes de memoria RAM.
12. Consulte software para probar la memoria RAM
Ing. Jesús René Canchala
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