MAGNETO-RESISTENCIA GIGANTE: DEL LABORATORIO AL

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Premio Nobel del Física 2007
MAGNETO-RESISTENCIA GIGANTE:
DEL LABORATORIO AL DISCO DURO DEL PC
• Descubrimiento de la magnetoresistencia gigante (GMR).
• La GMR ha revolucionado las
técnicas de lectura de datos en
discos duros.
• La GMR ha permitido desarrollar
una nueva generación de sensores y
dispositivos electrónicos.
• La GMR constituye una de las
primeras grandes aplicaciones de la
nanotecnología.
Albert Fert (1938)
Université Paris-Sud
Unité Mixte de Physique CNRS/THALES
Orsay, France
Peter Grünberg (1939)
Forschungszentrum Jülich
Jülich, Germany
Esquema de la charla
• Electrónica versus espintrónica
• Aislantes, semiconsuctores, metales
• Tecnología FET-MOS
• Materiales ferromagnéticos
•¿Qué es la magnetorresistencia?
• Magnetorresistencia normal
• Magnetorresistencia gigante en multicapas magnéticas
• La válvula de spin
• Aplicaciones a la lectura de datos
• Memorias RAM basadas en válvulas de spin
• Otras consecuencias y desarrollos
TECNOLOGÍA MOS
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
Memoria RAM
Procesador
Unidades USB
MAGNETISMO
Disco duro
Discos flexibles
Discos ópticos
OPTOELECTRÓNICA
LÁSERES/FOTODIODOS
SEMICONDUCTORES
ELECTRÓNICA: carga/corriente
MAGNETISMO:
Espín
¿ESPINTRÓNICA?
Bandas de energía en los sólidos
AISLANTE
E
EF
E
Eg 5-10 eV
N(E)
METAL
SEMICONDUCTOR
EF
E
Eg 0.05-3
eV
N(E)
EF
N(E)
Metal o
semimetal
Metales de transición
E
E
d
EF
EF
s
N(E)
N(E)
TECNOLOGÍA MOS: Transistor FET-MOS
+5V
+5V
D
D
n
G
n
+5V
MO
p
n
p
MO
n
S
S
S
S
RDS > 10 MΩ
G
RDS ≈ 0
Bit MOS
+5V
I DS1 ≈ 0
VD1 ≈ 5V
S1
I DS 2 ≈ I max
D1
D2 V ≈ 0
D2
G1
G2
S2
Ley de Moore
Materiales magnéticos
Contienen átomos de elementos de transición (capas d
incompletas: Cr, Mn, Fe, Co, Ni) o tierras raras (capas f
incompletas: Gd, Nd, Eu, etc)
ω
r
r
r
ml = IS u = e π r 2u
2π
r
r
l = me r 2ω u
r
u
e r
r
ml =
l
2me
e
ml =
hL = µ B L
2me
mS = gµ B S ≅ 2µ B S
2
Mn (3d54s2)
1
0
-1
5
5
L=0 S =
J=
2
2
m = 5µ B
-2
Materiales paramagnéticos
r
B=0
r
M =0
B
r
B≠0
r
M ≠0
Materiales
ferromagnéticos
r
B=0
r
M ≠0
Materiales
antiferromagnéticos
r
B=0
r
M =0
Histéresis
d
M
Dominios magnéticos
HC
c
MS
b
a
H
r
B=0
r
M ≠0
r
B=0
r
M =0
Lectura
dB
Vi = − NS
dt
Escritura
Vi
Material ferromagnético
I
¿Qué es la magnetorresistencia?
R( B) − R(0) ∆R
=
= CB2
R(0)
R(0)
Origen de la magnetorresistencia “normal”
J = en∆v = enµE
J =σ E
E
E =0
v =0
∆v = aτ =
J=
eE
eτ
τ=
E = µE
m*
m*
I
S
R=
E=
V
L
V
L
=
I σS
Origen de la magnetorresistencia “normal”
r
r r
F = −ev × B
r
v
r
B
r
Fm
L0 = rθ
L0
θ
θ θ 3 
LB = 2r sin ≈ 2r  − 
2
2 8 
LB
θ/2
r
ω 2r =
evB eω rB
=
m
m
ωC =
eB
m
∆L L0 − LB
=
∝θ 2
L0
L0
∆R ∆L
2
=
∝ (µB )
R0 L0
θ = ωCτ =
eB
eτ
τ = B = µB
m
m
µ ≈ 0.5 m2 / Vs
B = 0.1 T
∆R
≈ 2.5 ×10−3
R0
Metales normales
E
Metales de transición
(Mn, Fe, Co, Ni)
E
Bandas d
EF
EF
Bandas s
Bandas s
N(E)
N(E)
J =σ E
Sir Nevill F. Mott
J = J ↑ + J ↓ = (σ ↑ + σ ↓ )E
Premio Nobel de Física 1977
e2 n↑τ ↑
σ↑ =
m*
E
J
EF
Bandas d
J↑
J↓
Rss↑
N(E)
Rsd ↑
Rsd ↓
Rss↓
Espín mayoritario: “up”
Rss < Rsd
Bandas s
e2 n↓τ ↓
σ↓ =
m*
Rsd ↑ < Rsd ↓
τ ↑ >>τ ↓
Magnetorresistencia anisotrópica
ρ = ρ0 + ∆ρ cos2 θ
M
θ J
∆ρ
ρ
≈ 0.01
Menor sección eficaz:
Menor resistencia
Mayor sección eficaz:
Mayor resistencia
Sensores de lectura AMR 1960-1997
Sensor
AMR
Electroimán
de escritura
Blindaje
magnético
1856 William
Thomson (Lord
Kelvin)
Material de grabación
Magnetorresistencia gigante
Fe Cr
Baibich et al., Phys. Rev. Lett. 61, 2472 (1988)
(FERT)
4.2 K
Binasch et al., Phys. Rev. B 38, 4828 (1989)
(GRÜNBERG)
300
K
FM NM FM
FM NM FM
B=0
J↑
J↑
J↓
J↓
1
J
R2↑ (r2 )
J↓
R2↓ (r1 )
RB =0
R1↓ (r2 )
1
2
J ↑ R1↑ (r1 )
r +r r
= 1 2 ≈ 2 (r1 << r2 )
2
2
B≠0
J
2
J ↑ R1↑ (r1 )
R2↑ (r1 )
J↓
R2↓ (r2 )
RB ≠0 =
R1↓ (r2 )
2r1 × 2r2
≈ 2r1 (r1 << r2 )
2r1 + 2r2
Válvula de espín
Sensores de lectura GMR 1997
FM1 NM FM2
Sensor
GMR
Electroimán
de escritura
Blindaje
magnético
Material de grabación
Duro
Blando
Ley de Kryder
Efecto túnel en sólidos
Aislante (óxido)
M
O
M
I
MOM
V
eV
I
Semiconductor, Metal o
Superconductor
Leo Esaki
SP-SN
V
Premio Nobel de Física 1973
Ivar Giaever
Brian D. Josephson
Unión túnel magnética
FM1 A FM2
B≠0
eV
FM1 A FM2
B=0
eV
Aumentando el efecto GMR: corrientes con 100% de polarización
de espín en semimetales o semiconductores ferromagnéticos
CrO2 , La2/3Sr1/3MnO3
EF
eV
EF
eV
Memoria RAM magnética
Conmutación por transferencia de spin
Arrastre de paredes de los dominio ferromagnéticos
Lectura/escritura
Bit MRAM
Otros dispositivos: LED de espín
LED
LED de espín
GaAs
S-p
S-n
Ga1-xMnxAs
Luz no
polarizada
S-p
S-n
E
E
hν~Eg
σ-
σ+
Luz polarizada
circularmente
Electrónica versus espintrónica
Corriente eléctrica:
flujo de carga
Válvulas de espín:
Flujo de electrones con
polarización de espín
“Corriente” de espín:
flujo de espín
I
Flujo de espín
-I
Asimetría en la dispersión
Efecto Hall de espín
I
GaAs
M. I. D’yakonov, V. I. Perel, JETP Lett. 13, 467 (1971)
Detección del efecto Hall de
espín mediante efecto Kerr
Y. K. Kato, et al. Science 306, 1910 (2004)
Otros dispositivos: QUBITS
Trampas de espín
Válvulas
de espín
Preparación
del estado
Qubits atómicos:
Trampas magnéticas
en vacío
H
Evolución
Válvulas
de espín
Lectura
Qubits sólidos:
Puntos cuánticos en
semiconductores
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