PROBLEMAS DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES Problema 1: Determinar los puntos de funcionamiento de los dispositivos semiconductores de los siguientes circuitos: +12V +12V +12V 2K 3K 1K 100 3K 6V β=100 β=100 33K 3K 2K β=100 15V β=100 6V 5V 100 (b) (a) (c) (d) Problema 2: Determinar el punto de funcionamiento del transistor MOSFET del siguiente circuito: +15V 10K 1K D ID(mA) UGS(V) 15 30 G S 20 10 10 5 10V UDS(V) 5 Problema 3: Se desea utilizar una salida de un sistema digital para gobernar un relé. Se ha dispuesto para ello del circuito de adaptación que se muestra en la figura. Determinar los valores de R1 y R2 que aseguran que ambos transistores trabajan siempre en corte o saturación sabiendo que Q1 y Q2 presentan una tensión de codo baseemisor de 0,6V y que la salida digital puede tomar cualquier tensión entre 0 y 0,4V para el “0” lógico y entre 3,8 y 5V para el “1” lógico. +15V Q2 β2=100 R2 SMA. DIGITAL RELÉ 50mA/15V R1 β1=100 Q1 Problema 4: En el circuito de la figura el interruptor se encuentra inicialmente cerrado. Determinar de forma razonada la evolución de la tensión en el condensador a partir del instante de apertura del interruptor S. S 10k 100Ω 1µF β=100 10V VZ=8V Problema 5: El circuito de la figura corresponde a un cargador de baterías, se pide: - Determinar la evolución en el tiempo de la tensión y la corriente por la inductancia. - Determinar la evolución de la corriente de carga y el valor medio de la misma. - Calcular RB de forma que el transistor trabaje en conmutación. Datos: el transistor trabaja en conmutación, la corriente inicial por la bobina es nula, L=100µH, VCC=80V y VBAT=160V. IL BATERIA VE VBAT L 10V VCC RB β=50 + VE 10 20 30 Problema 6: Para el circuito de la figura determinar: 1. Evolución de UC1 e ib. 2. Evolución de UC2 y UCE. Nota: todos los dispositivos son ideales y C1 y C2 se encuentran inicialmente descargados. +Ucc=15V R=1K Ig=100µA UC2 C2=20µ C1=200n ib UC1 Vz=5V β=100 40 t(µs) Problema 7: Para el circuito de la figura y considerando todos los componentes ideales determinar de forma razonada la evolución de la tensión en el condensador UC y en el MOSFET UDS. La bobina y el condensador se encuentran inicialmente descargados. UC 5µ F ID (mA) 20Ω β=200 10V UD S UG S 200 10 100 5 2V 20k 10mH UD S Problema 1 a +12V 2K +12V +12V 2K 3K 6V 3K 2K//3K 2K 2K//3K 6V b=100 3K Suponiendo que el transistor se encuentra en saturación: 2K 6V 3K 6V El reparto de corrientes por el circuito resulta por tanto:: +12V 2K 6V 3mA 1mA 2mA En resumen: iB = 1mA iC = 2mA iE = 3mA Se cumple: iC < b·iB 3K 2mA 3mA 6V 3K 2K b Unión B-E polarizada en inversa. Transistor en corte 3K 33K 5V b=100 3K 33K 15V 5V 15V uCE = 15V uBE = -5V c +12V +12V Suponiendo que el Zener se encuentra en zona Zener: 1K b=100 iE = 6V 1K b=100 iR1 uCE = 6V iZ 6V iB 6V 100 El transistor tiene tensión uCE = 6V, está en zona activa. 100 6V iB = 6 = 60mA 100 iE = 594 mA b +1 i Z = i R1 - i B = 5,4mA > 0 Hipótesis correcta iE iC = 59,4mA d +12V +12V iE = 60 mA 100 6V b=100 Suponiendo que el Zener conduce: 100 6V 6V b=100 6V iE = 60 mA El transistor tiene tensión uCE = 6V, está en zona activa. iB = iE = 594 mA b +1 Se tiene entonces: iB = iZ =594mA iC = 59,4mA iE = 60mA Problema 2 +15V 10K 1K ID(mA) UGS(V) 15 30 D G 20 10 10 5 S 5 10V UDS(V) Teniendo en cuenta que la impedancia de entrada del MOSFET es idealmente infinita la corriente iG es nula y el Zener se encuentra en conducción: +15V 10K Conociendo la tensión uGS se determina la curva de la característica uDS - iD del MOSFET sobre la que se encuentra el punto de funcionamiento: 1K 5V ID(mA) D 30 G S 10V UGS(V) 15 uGS=10 20 10 10 5 5 UDS(V) Suponiendo funcionamiento en zona de fuente de corriente se tiene: +15V uDS = 15 - 20 × 10 -3 × 10 3 = -5 < 5 V 10K No trabaja en zona de fuente de corriente. 1K D 20mA 10V S uGS=10 Suponiendo funcionamiento en zona resistiva se tiene: +15V 10K La tensión uDS se calcula mediante: 1K uDS = 15 D -3 rDS=5/20·10 = 250W 10V uGS=10 S 250 = 3 < 5V 250 + 1000 Problema 3 +15V Q2 Con nivel lógico alto ambos transistores deberán de estar en saturación. Con nivel bajo ambos estarán en corte. b2=100 R2 SMA. DIGITAL RELÉ 50mA/15V R1 b1=100 Q1 Funcionamiento a nivel bajo: Q1 R1 0¸0,4 Observando el transistor Q1 vemos que la tensión de entrada es insuficiente para hacerlo conducir. b1=100 uBE=0,6 Con el transistor Q1 en corte, Q2 no tiene corriente de base por lo que también se encuentra en corte. Funcionamiento a nivel alto: +15V Para que Q2 esté saturado se debe cumplir: uBE=0,6 b2=100 iB2 iC < b × i B iB = iC2=50mA R2 R2 < b 2 × uCE1=0 15 - uBE R2 15 - uBE = 28,8k iC 2 Tomamos: R2 = 27k Para conseguir que el transistor Q1 se encuentre también en saturación: R1 3,8¸5 Q1 iB2 iC < b × i B b1=100 uBE=0,6 iB2 = La situación más desfavorable se tiene para la tensión de entrada de 3,8V 15 - 0,6 = 533 mA 27 × 10 3 R1 < b 1× 3,8 - 0,6 = 600k iB2 Tomamos: R1 = 560k Problema 4 Este circuito corresponde a la situación inicial antes de la apertura de S. S 100W 10k 10V 1 mF b=100 El condensador se encuentra conectado a la fuente de 10V, por lo que ésta es la tensión inicial a considerar. VZ=8V Una vez abierto el interruptor el circuito resultante se puede representar como: 100W 10k b=100 10V La corriente de base es de 10/10000 = 1mA 1 mF Siendo la tensión inicial en el condensador superior a los 8V que soporta el Zener éste estará inicialmente en conducción. VZ=8V Por otra parte, al ser la tensión colector emisor mayor que cero, el transistor se encuentra inicialmente en zona activa, por lo que el circuito equivalente inicial visto por el condensador es: 100W 100W b·iB 100mA 1 mF uC 8V -2V 1 mF uC Thevenin Con este circuito equivalente la evolución de la tensión en el condensador se obtiene mediante la expresión: -t uC uC (t ) = uC (t ® ¥ )+ [uC (t = 0 )- uC (t ® ¥ )]× e R ×C 10 -t uC (t ) = -2 + 12 × e 100×10 -6 -2 Para que este circuito equivalente sea válido es necesario que se cumplan las siguientes condiciones: - La tensión colector-emisor debe ser mayor que cero para que el transistor se mantenga en zona activa. - Debe circular corriente inversa por el Zener. Para que esto se cumpla la tensión uC debe ser mayor de 8V. Obviamente, es esta segunda condición la que se dejará de cumplir en primer lugar: t a = -100 × 10 -6 × Ln 10 = 18,2ms 12 Para t > 18,2ms el Zener deja de conducir y el circuito equivalente de descarga del condensador pasa a ser: Tomando t’ = t -18,2ms se tiene: b·iB 100mA uC 1 mF t' 1 iC × dt = 8 - 100 × 10 3 × t ' C ò0 uC (t ') = uC (t ' = 0 )+ uC En este punto el transistor se sale de zona activa 10 8 8 - 10 0·10 3· t’ t’=0 Cuando la tensión en el condensador se anula, el transistor sale de zona activa y entra en zona de saturación. El tiempo que tarda se calcula: t 'b = 8 = 80 ms 100 × 10 3 uC Equivalente final 10 8 uC 18,2 98,2 t (ms) 1 mF Problema 5 IL BATERIA El transistor va a trabajar en conmutación, es decir alternando entre corte y saturación. VBAT L La tensión VE toma dos valores: 0 y 10V. Durante los intervalos en que VE es de 0V el transistor permanecerá en corte. Cuando VE sea de 10V el valor de RB deberá ser tal que asegure el funcionamiento en saturación. VCC RB b=50 + VE Durante los 10 primeros microsegundos VE es de 10V, por lo que el transistor estará saturado: iL La carga de la bobina se produce a tensión fija: VBAT uL=VCC VCC L VCC+VBAT 80V VCC = L di L (t ) dt i L (t ) = i L (t = 0 )+ uCE = 0 t 1 VCC × dt = 800 × 10 3 × t L ò0 0 Representando gráficamente esta evolución: iL Pasados 10ms la corriente de base desaparece y el transistor pasa a zona de corte, por lo que el circuito equivalente se convierte en: 8A 10ms iL VBAT uL=-VBAT 160V L VCC En el instante en que se produce el corte del transistor la corriente por la bobina es de 8A. Esta corriente no puede interrumpirse de forma brusca, por lo que hace entrar al diodo en conducción. 80V iL VCC+VBAT Por comodidad cambiamos la base de tiempos a: t’ = t -10 ms - VBAT di (t ') =L L dt ' t' 1 i L (t ') = i L (t ' = 0 )+ ò - VBAT × dt ' = 8 - 1,6 × 10 6 × t ' L0 Representando la evolución de iL obtenida hasta el momento: iL 6 8-1,6·10 ·t’ 8A t’ = 0 Durante esta fase, la corriente de la bobina también circula a través del diodo, por lo que no puede hacerse negativa. El circuito equivalente cambiará cuando la corriente se anule (o bien cuando t’ = 10 ms y comience un nuevo periodo de VE). El tiempo que tarda en anularse la corriente es: t’a Por lo que al pasar 5ms el circuito equivalente pasa a ser: t 'a = 8 = 5 ms 1,6 × 10 6 Una vez anulada la corriente por la bobina, la tensión uL también se hace cero. iL= 0 VBAT uL= 0 VCC L uL = L VBAT di L =0 dt VCC La evolución en el tiempo de la corriente y la tensión por la bobina son por tanto: iL 8A 10 uL 15 t (ms) 20 80 15 10 t (ms) 20 -160 La corriente por la batería es la misma que atraviesa el diodo: iBAT El valor medio de esta señal se calcula: 8A T iBAT 10 0 15 20 t (ms) 1 1 5 × 10 -6 × 8 = ò i BAT (t )× dt = × = 1A T 0 20 × 10 -6 2 El cálculo de la resistencia de base necesaria para que el transistor trabaje en conmutación se hace sabiendo que la corriente máxima de colector es de 8A. iC 8A b·iB iB = iC< b·iB uCE VE RB RB < VE × b 10 × 50 = = 62,5W iC 8 Problema 6 UCC =15V 1k 100mA 20mF 200n Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo con uBE =0. Por otra parte, al estar el condensador de 200n inicialmente descargado el Zener no conduce para t = 0. b=100 5V El equivalente de carga inicial del condensador C1 corresponde por tanto al siguiente circuito: La evolución de la tensión uC1 en este circuito viene determinada por la expresión. 100mA t 1 uC1 (t ) = uC1 (0 )+ i b × dt =500 × t C1 ò0 200n uC1 ib Cuando la tensión en el condensador alcanza 5V entra a conducir el Zener. Esto ocurre en el instante: ta = 10ms. Para t > 10ms el circuito equivalente visto por C1 pasa a ser: 100mA 200n i =0 b 100mA Al entrar el Zener en conducción la tensión uC1 queda fijada en 5V por lo que la corriente ib se anula: uC1 5V i b = C1× duC1 =0 dt La evolución de la corriente de base ib y de la tensión uC1 corresponden a: ib uC1 100mA 5V 10ms t 10ms t Una vez conocida la forma de onda de la corriente de base se puede determinar la evolución de la tensión del condensador C2. UCC =15V En el instante inicial la corriente de base es de 100mA. El transistor puede por tanto encontrarse en saturación o en zona activa. Suponiendo que se encuentra inicialmente en zona activa: 1k 100mA uC2 20mF 200n ib b=100 uCE = 15 - 10 3 × 10 × 10 -3 - uC 2 i c = b × i b = 10 mA uCE (t = 0 ) = 15 - 10 3 × 10 × 10 -3 = 5 > 0 Hipótesis correcta. 5V El circuito equivalente inicial de carga del condensador C2 resulta por tanto: UCC =15V La evolución de la tensión uC2 para este circuito se calcula mediante la siguiente expresión: t 1 uC (t ) = uC (t = 0 )+ iC × dt = 500 × t C 2 ò0 1k uC2 20mF La tensión colector - emisor en el transistor se puede determinar a partir de la expresión anterior: uCE (t ) = 15 - 10 - uC (t ) = 5 - 500 × t uCE 10mA Este circuito equivalente dejará de ser válido si el transistor alcanza la zona de saturación o si la corriente de base cambia. Verificamos cuál de estos dos cambios sucede primero. El tiempo que tardaría el transistor en alcanzar la zona de saturación se calcula mediante: 0 = 5 - 500 × t a t a = 10 ms Que coincide exactamente con el tiempo en el que la corriente de base se anula, por lo que ambos cambios se producen de forma simultánea y el equivalente para t>10 ms resulta: UCC =15V 1k uC2 20mF Cuando la corriente de base se interrumpe el transistor entra en corte y el condensador C2 deja de cargarse.. uC2 5V uCE uCE 10ms t 10ms t 10V 5V Problema 7 Por la puerta del transistor MOSFET no circula corriente, por lo que el funcionamiento del transistor bipolar se puede analizar de forma independiente del resto del circuito. De este modo, la corriente de base resulta: iE iB = b=200 10V 10 = 500 m A 20000 La corriente inicial por la bobina es nula, por lo que el estado inicial del transistor bipolar es saturación. iB iC 20k iC t=0 10mH uCE El circuito equivalente que determina la evolución de la corriente por la bobina en los primeros instantes es por tanto:. Este equivalente da lugar a una evolución lineal de la corriente por la bobina: iE 10V uL = L iB 20k i L (t ) = i L (0 )+ t 1 uL × dt = 1000 × t L ò0 Durante el intervalo en que es válido este circuito equivalente, la tensión UGS del MOSFET es: UGS=UL=10V uL iC di L dt 10mH Este circuito equivalente deja de ser válido cuando el transistor sale de saturación:. iC < b × i B t < 100 ms 1000 × t < 200 × 500 × 10 -6 Para t > 100 ms.el transistor bipolar entra en zona activa y el equivalente visto por la bobina pasa a ser: iE Al quedar fijada la corriente por la bobina la tensión UL se anula: uCE 100mA 10V uL = L iB 20k uL di L dt uL = 0 Para este equivalente la tensión UCE queda fijada en 10V, por lo que el transistor permanece en zona activa de forma indefinida. iL=iC La forma de onda de la tensión de puerta del MOSFET resulta por tanto: uGS 10V 100ms t Partiendo de este dato se determina la evolución del estado del transistor MOSFET. El circuito equivalente visto por el condensador es el siguiente: 5 mF uC 20W Para t < 100ms la tensión UGS es de 10V. Durante este intervalo, la relación entre iD y UDS está marcada por la curva siguiente: 10V iD iD 200mA uGS uDS 2V Suponiendo, por ejemplo, que el MOSFET se encuentra inicialmente en zona de fuente de corriente se tiene: U DS = 10 - UC - 20 × i D 5 mF uC U DS (t = 0 ) = 10 - 20 × 200 × 10 -3 = 4V 20W 10V iD Inicialmente la tensión UDS es mayor que 2 por lo que la suposición de funcionamiento como fuente de corriente para t=0 es válida.: uDS 200mA Para este circuito equivalente la tensión en el condensador y en el MOSFET se calculan: t duC 1 uC (t ) = uC (t = 0 )+ ò i D × dt = 40000 × t dt C0 uDS (t ) = 6 - 40000 × t iD = C Hay dos motivos que pueden hacer que el circuito equivalente de carga del condensador cambie: 1.- El MOSFET entra en zona resistiva 2.- Pasan 100 ms y la tensión uGS deja de ser 10V Es necesario verificar cuál de los cambios se produce primero. 2 = 6 - 40000 × t a t a = 100 ms Ambos cambios se producen simultáneamente. El circuito equivalente final es por tanto: 5 mF uC Al tomar uGS el valor 0 la corriente de carga del condensador se anula y éste mantiene su tensión. 20W 10V iD uDS Las evoluciones de uDS y uC desde el instante t = 0 son por tanto: uC uDS 6V 4V 2V 100ms t 100ms t