CONAMET/SAM-2008 CRISTALIZACIÓN INDUCIDA POR NÍQUEL DE SILICIO AMORFO J. A. Schmidt,1,2 P. Rinaldi,2 N. Budini,2 R. Arce1,2 y R. H. Buitrago1,2 1 INTEC (CONICET-UNL), Güemes 3450, S3000GLN Santa Fe, Argentina 2 FIQ (UNL), Santiago del Estero 2829, S3000AOM Santa Fe, Argentina jschmidt@intec.unl.edu.ar Palabras Clave: Silicio Policristalino; Cristalización Inducida por Metales; Celdas Solares El silicio policristalino (pc-Si) depositado sobre sustratos de vidrio es un material muy promisorio para la fabricación de distintos dispositivos electrónicos, como transistores de película delgada, matrices activas o celdas solares. La cristalización del silicio amorfo para obtener pc-Si puede lograrse por diferentes procesos, entre los cuales se destaca la cristalización inducida por níquel porque requiere bajas concentraciones del metal y bajas temperaturas de recocido. La nucleación y el crecimiento del silicio cristalino están mediados por la formación del siliciuro NiSi2, el cual tiene una constante de red muy similar a la del Si, y actúa como una semilla a partir de la cual se desarrollan los granos cristalinos. El tamaño de grano final del pc-Si depende de muchos factores, como la concentración inicial de Ni, la temperatura y tiempo de recocido, y la presencia de otros átomos en la estructura del Si. En este trabajo estudiamos la influencia de estos parámetros sobre el proceso de cristalización del silicio inducido por el Ni. Depositamos una serie de muestras de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) sobre sustratos de vidrio, utilizando para ello el método de deposición química desde la fase vapor asistida por plasma (PE-CVD) a partir de gas silano (SiH4). La temperatura de deposición fue de 200 ºC, y preparamos muestras intrínsecas (i), levemente dopadas con Boro (p), fuertemente dopadas con Boro (p+) y fuertemente dopadas con Fósforo (n+). Cada muestra fue dividida en ocho porciones, a cada una de las cuales se le depositó distintas concentraciones de Ni utilizando el método de pulverizado catódico (sputtering). La concentración de Ni se determinó por espectroscopia de absorción atómica, y estuvo comprendida entre 1,5_1015 y 1,5_1016 át/cm2. Posteriormente las muestras fueron sometidas a distintos tratamientos térmicos bajo atmósfera de nitrógeno circulante. A fin de evitar una deshidrogenación violenta del a-Si:H que dañe las muestras, los recocidos se realizaron en forma gradual. En una primera etapa las muestras se calentaron a una velocidad de 0.5 ºC/min hasta 400 ºC, manteniéndolas durante 24 hs a esta temperatura para lograr la efusión del hidrógeno. Luego se continuó con el calentamiento hasta distintas temperaturas y por distintos períodos de tiempo. Una vez lograda la cristalización, las muestra fueron caracterizadas óptica y estructuralmente. Mediante mediciones de reflectancia en el UV se determinó el grado de cristalinidad, comparando con los picos de reflectancia de obleas de silicio cristalino. También se realizaron mediciones de Rayos X, a través de las cuales se estimó el tamaño de grano y la orientación cristalina preferencial. Finalmente, las muestras fueron atacadas con una solución tipo “Secco” para definir los bordes de grano, y observadas con un microscopio metalográfico. Los mejores resultados para las muestras intrínsecas se obtuvieron para temperaturas de recocido de 550 ºC, tiempos de 12 hs y concentraciones de Ni de 3.2_1015 át/cm2. En estas condiciones se obtuvo un tamaño de grano de (25±3) m, con gran uniformidad. Este tamaño de grano resultaría excelente para aplicaciones en dispositivos electrónicos. La elevada cristalinidad fue confirmada por las mediciones de reflectancia en el UV y de RX. Las muestras ligeramente dopadas con Boro se comportaron de manera similar, obteniéndose tamaños de grano de (26±3) m para las mismas condiciones de recocido y concentraciones de Ni ligeramente mayores, de 5.8_1015 át/cm2. Esto confirma que niveles de Boro del orden de 1016 át/cm3, como los presentes en las muestras ligeramente dopadas, no alteran el proceso de cristalización. Sin embargo, cuando la concentración de Boro sube a 1019 át/cm3, como es el caso de las muestras p+, los tamaños de grano obtenidos se reducen a (12±2) m para las mismas condiciones de cristalización de las muestras intrínsecas. Esto nos lleva a pensar que altos niveles de Boro pueden actuar como centros de nucleación, que se suman a los proporcionados por el NiSi2, a partir de los cuales se de el crecimiento de granos cristalinos. Finalmente, encontramos que en las muestras n+ la cristalización se ve fuertemente retardada. Fueron necesarios recocidos a 650 ºC durante 24 hs para lograr su cristalización, la cual se produjo en forma de granos de (7±1) m. Estos granos sin embargo no cubren todo el volumen del material, sino que se encuentran rodeados de nanocristales provenientes de la cristalización térmica normal del silicio amorfo. De aquí concluimos que el Fósforo retarda notablemente la etapa de crecimiento de los granos, no así su nucleación. Los resultados obtenidos en las distintas muestras, y en especial en las tipo p, son muy promisorios para la preparación de celdas solares de silicio policristalino con estructura n+-p-p+ de bajo costo. 1. INTRODUCCIÓN El silicio policristalino (pc-Si) en forma de película delgada es un material que posee amplias posibilidades de aplicación en diversos dispositivos electrónicos como visores de cristal líquido de matriz activa, diodos orgánicos emisores de luz de matriz activa, y celdas solares. Existen varios métodos que permiten fabricar este material. Uno de los más difundidos es el que utiliza un reactor de CVD a altas temperaturas, partiendo como materia prima de clorosilanos en forma gaseosa.[i,ii] Alternativamente es posible depositar por algún método silicio en su forma amorfa, y luego proceder a su cristalización. Este método constituye un camino adecuado cuando el substrato sobre el que se quiere depositar la película no soporta temperaturas elevadas, como es el caso de las celdas solares que usualmente se depositan sobre vidrio.[3-7]iii,iv,v,vi,vii Los métodos más comúnmente utilizados para cristalizar silicio son: Cristalización en Fase Sólida (SPC, Solid Phase Crystallization), Recocido con Láser Eximer (ELA, Excimer Laser Annealing) y Cristalización Inducida por Metales (MIC, Metal Induced Crystallization). La técnica de cristalización en fase sólida fue una de las primeras exploradas para la obtención de pc-Si a partir de silicio amorfo. Esta técnica tiene como principal desventaja el hecho de que requiere altas temperaturas y tiempos prolongados. Esta característica constituye un claro problema cuando se intenta cristalizar silicio depositado sobre vidrio, dado que deteriora la calidad del substrato. Un modo de reducir este efecto es recurrir al recocido con láser. En este caso los tiempos se ven drásticamente reducidos, pero en contrapartida la uniformidad se torna un inconveniente importante.[viii] Por otro lado la técnica de ELA está acompañada de altos costos de producción, sobre todo porque las áreas con las que se trabaja en celdas solares son muy extensas. El agregado de un metal a la superficie del silicio amorfo reduce notablemente la temperatura de cristalización, y además favorece el crecimiento de los granos, con lo que es posible alcanzar tamaños de granos favorables para el transporte electrónico. La técnica de MIC constituye una alternativa que soluciona en buena medida los inconvenientes introducidos por las metodologías ELA y SPC. El método ha sido ampliamente estudiado en relación a la fabricación de visores de cristal líquido (LCD) y transistores de película delgada (TFT). En el caso de los LCD, donde los cristales crecen en la dirección lateral a partir de un electrodo metálico, que puede ser níquel, el proceso se denomina Cristalización Lateral Inducida por Metal (MILC, Metal Induced Lateral Crystallization). En este caso es posible crecer pc-Si a temperaturas tan bajas como 500 ºC.[iii,vi] Se han publicado estudios sobre los mecanismos involucrados en el crecimiento de cristales por MILC, y los efectos de las diversas variables operacionales del método.[3-7] Si bien hay coincidencia respecto de la formación del siliciuro de níquel NiSi2, y la difusión del mismo provocando la cristalización del silicio, aún existen factores cuya participación es poco clara. Uno de ellos es la presencia de átomos dopantes, lo cual altera fuertemente las características del crecimiento. Se sabe que el fósforo actúa como un atractor para los elementos de transición, de modo que podría funcionar capturando parcialmente el NiSi2, retardando la cristalización lateral y favoreciendo el crecimiento de agujas cristalinas en algunas direcciones.[vi,ix] En este trabajo presentamos resultados relacionados con la cristalización de películas y estructuras multicapas de silicio amorfo, destinadas a la fabricación de celdas solares. Nuestro objetivo final es lograr un proceso térmico que induzca una cristalización en fase sólida conducente a la formación de una celda solar de pc-Si con las mejores propiedades posibles. Con este objetivo se estudian en primera instancia los procesos de cristalización inducidos por Ni en cada una de las capas de Si que constituyen la celda, a saber: la capa n+ fuertemente dopada con P (~1019 at/cm3), la capa p ligeramente dopada con B (~1016 at/cm3) y la capa p+ fuertemente dopada con B (~1019 at/cm3) En el proceso se utilizaron diferentes concentraciones de Ni y temperaturas de recocido, en la búsqueda de las condiciones óptimas para alcanzar los fines requeridos. 2. EXPERIMENTAL Las muestras de silicio amorfo hidrogenado fueron preparadas en un reactor de CVD asistido por plasma (PE-CVD, Plasma Enhanced CVD). Se trata de un reactor acoplado capacitivamente, que trabaja a 50 MHz. Los gases usados fueron silano (SiH4), fosfina (PH3) disuelta en silano para la capa n, y diborano (B2H6) disuelto en silano para las capas p y p+. Como substrato se utilizó vidrio Schott AF-37 de bajo contenido de Na. Durante la deposición la temperatura del substrato se mantuvo en 200 ºC, mientras que la presión del gas fue de 600 μbar. La potencia se reguló de tal forma de obtener velocidades de deposición altas (15-20 Å/sec). Se trabajó con películas de espesores entre 300 y 500 nm. Sobre la superficie de la película se depositó Ni utilizando un sistema de sputtering de corriente continua. Las muestras con el depósito de níquel fueron recocidas en un horno a presión atmosférica bajo circulación continua de nitrógeno. Como el material depositado por PE-CVD contiene un alto porcentaje de hidrógeno, como primer paso se procedió a efectuar una deshidrogenación de la película a fin de evitar el desprendimiento abrupto del hidrógeno durante el recocido, que puede producir deterioros considerables de la calidad de las muestras. La deshidrogenación se llevó a cabo mediante un recocido de 24 hs. a 400 ºC. Cumplida esta etapa las muestras fueron recocidas por diferentes periodos a las siguientes temperaturas: 500, 550 y 600 ºC. La cristalización fue monitoreada utilizando microscopía electrónica de barrido (SEM), microscopía óptica, reflectancia en la región UV y difractometría de rayos X. La concentración de Ni fue medida sobre muestras de prueba por espectrocopía de absorción atómica, determinándose concentraciones superficiales de entre 1.5_1015 y 1.5_1016 átomos/cm2. 3. RESULTADOS Y DISCUSION Figura 1: Imagen SEM de una muestra intrínseca recocida a 550 ºC durante 12 hs. y atacada químicamente. La longitud de la barra es de 10 m. La figura 2 es una imagen SEM de la misma muestra, focalizada en la zona de crecimiento de los granos. Se puede observar en esta imagen que existen pequeñas regiones en la zona interna del grano que han sido removidas por acción del ataque químico. Esto indica que estas zonas permanecían amorfas aun luego del tratamiento térmico recibido. La Figura 1 muestra una imagen tomada con un microscopio electrónico de barrido de una muestra intrínseca de a-Si:H. La muestra fue cubierta con 3x1015 átomos Ni/cm2 y recocida a 550 ºC durante 12 hs. Previo a la observación se realizó un ataque químico con una solución “Secco” para destacar los bordes de grano. Se puede observar en la imagen que los granos, que aún se encuentran en crecimiento, tienen forma de disco con un diámetro de más de 25 μm en algunos casos. En los bordes de crecimiento de los granos puede observarse una red de pequeños cristales orientados de acuerdo a una geometría preferencial. Se trata de ramas cuyas direcciones tienen ángulos definidos de 70 y 110º. Esta estructura recibe el nombre de “red bidireccional de agujas”.[x] Esta disposición es indicativa de que los cristales exhiben una orientación preferencial <110> respecto de la normal a la superficie de la película. Se sabe que en las primeras etapas del proceso de cristalización la difusión de los átomos de níquel es limitante para formar un precipitado de NiSi2 lo suficientemente grande como para permitir que el proceso de cristalización continúe. Este precipitado de NiSi2 se puede formar a temperaturas relativamente bajas (350 ºC), es decir en las etapas iniciales del recocido, actuando de esta forma como semilla para el crecimiento de los granos de c-Si. El NiSi2 forma precipitados de simetría octaédrica con ocho caras {111}. El muy pequeño desajuste (mismatch) entre las constantes de redes del NiSi2(111) y el Si(111), de sólo 0,4 %, facilita el crecimiento epitaxial del silicio cristalino sobre las caras {111} del precipitado. Estudios realizados por Hayzelden et al.[xi] revelaron que las agujas monocristalinas de silicio crecen en la dirección <111> a partir de la migración del precipitado de NiSi2. La Figura 3 muestra el espectro de difracción de rayos X de una muestra intrínseca recocida por 36 hs. a 550 ºC. Se puede observar la presencia de un pico dominante (111) que implica, tal como se había supuesto antes, que existe orientación preferencial en el crecimiento. El hecho de que esto suceda es auspicioso para la mayor parte de las aplicaciones tecnológicas, dado que usualmente se necesita que las propiedades del material sean uniformes dentro de las dimensiones típicas del dispositivo. Intensidad (u.a.) 20000 18000 (111) muestra intrínseca silicio en polvo 16000 (220) 14000 12000 10000 8000 6000 4000 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50 Las capas ligeramente dopadas con boro (~1016 átomos de B/cm3) se comportan de manera similar a las capas intrínsecas. La Figura 4 muestra los resultados para una película de este tipo sobre la que se depositó Ni con una concentración de 5_1015 átomos/cm2. Las películas son policristalinas, con un alto nivel de homogeneidad. Los tamaños de grano rondan los 26 μm en promedio. Luego de 24 hs. de recocido a 550 ºC los granos, que originariamente tenían una forma similar a la que se observa en la Figura 1, han colisionado como consecuencia del crecimiento formando fronteras rectas con los granos vecinos. Figura 4: Imagen obtenida a través de un microscopio óptico en modo reflexión, de una muestra ligeramente dopada tipo p, recocida a 550 ºC durante 24 hs, y atacada químicamente. La alta cristalinidad fue confirmada por las mediciones de reflectancia en el UV que se muestran en la Figura 5, donde el espectro de la muestra p (línea llena) resulta muy similar al de una oblea de silicio monocristalino (línea de puntos). 0.80 0.75 0.70 0.65 0.60 0.55 0.50 0.45 0.40 0.35 0.30 200 silicio cristalino muestra tipo p muestra tipo +n Reflectancia Figura 2: Ampliación de la Figura 1 en una zona de crecimiento de los granos. La longitud de la barra es de 1 m. 250 300 350 (nm) 400 450 500 2 (grados) Figura 3: Espectro de difracción de rayos X de la muestra intrínseca, mostrando la orientación preferencial de la película. Figura 5: Espectro de reflectancia en el UV de una oblea de silicio cristalino, una muestra levemente dopada p y una muestra fuertemente dopada n. Pueden apreciarse los distintos grados de cristalinidad de las muestras . Para concentraciones de Boro aún mayores, como es el caso de las muestras p+, la misma concentración de Ni con un tratamiento térmico similar produce granos de tamaño algo menor (~12 μ m). Esto podría ser indicativo de una nucleación del NiSi2 promovida por el boro, dado que la naturaleza substitucional de esta impureza facilita la movilidad de los átomos de níquel, lo que a su vez posibilita la nucleación del siliciuro.[ix] La cristalización inducida por Ni en muestras tipo n, fuertemente dopadas con fósforo, resulta ser más dificultosa. En nuestras muestras hemos observado que luego de 12 hs. de recocido a 550ºC los núcleos que se forman son pequeños y poseen bordes altamente irregulares. En la Figura 6a) se puede ver que, a diferencia de lo que ocurre con el boro, las agujas que se van formando en los bordes de grano crecen sin ningún tipo de orientación preferencial. Luego de 36 hs. de recocido a 550 ºC los granos cristalinos incrementan su tamaño sin que se alcance una cristalización completa de la muestra. Para lograr una cristalización completa fue necesario recocer la muestra a 650 ºC durante 24 hs. Como resultado de este tratamiento se obtuvo silicio policristalino con una mezcla de dos tipos de estructuras, tal como se ve en la Figura 6b). Una de estas estructuras se conforma por un conjunto de granos con dimensiones en el orden de los 7 μm, originado en los núcleos del siliciuro, mientras que el resto corresponde a la cristalización espontánea por temperatura que tiene lugar en el silicio amorfo. Esto es indicativo de que la alta concentración de fósforo no inhibe las etapas de incubación y nucleación, pero afecta fuertemente la etapa de crecimiento del grano. Este comportamiento está de acuerdo con lo reportado por Ahn et al.,[x] quienes encontraron que la velocidad de crecimiento de los granos decrece fuertemente a medida que aumenta el nivel de dopante en sus muestras tipo n. Sin embargo, nuestros resultados difieren de los reportados por Pas et al.,[xii] quienes concluyen que el fósforo provoca un retardo en los tiempos de incubación y nucleación. Los resultados presentados en este trabajo también están en desacuerdo con las conclusiones de Kim et al.,[6] quien observa que los granos crecen con forma de agujas a bajas concentraciones de fósforo, mientras que toman una forma de disco para altas concentraciones de fósforo. Figura 6: Imágenes obtenidas a través de un microscopio óptico de una muestra fuertemente dopada tipo n, luego de 12 hs. de recocido a 550 ºC (a) y luego de 24 hs. de recocido a 650 ºC (b). 4. CONCLUSIONES Hemos mostrado que la adición de níquel sobre la superficie de películas amorfas de silicio induce su cristalización. Para el caso de muestras intrínsecas o ligeramente dopadas tipo p, se obtienen granos cristalinos cuyos tamaños pueden alcanzar los 25 μ m de diámetro medio. Los granos están fuertemente orientados según la dirección (111), confiriendo una alta homogeneidad a la película. Cuando la concentración de dopante es elevada, tanto para el caso del B como para el P, se produce una reducción en el tamaño de grano. En particular el fósforo parece retardar la etapa de crecimiento de los granos. En resumen, podemos concluir que el proceso de cristalización mediado por el siliciuro de níquel parece ser apropiado para la obtención de películas policristalinas utilizables en dispositivos fotovoltaicos. AGRADECIMIENTOS Este trabajo fue financiado por fondos de UNL (Proyecto CAI+D 28-158), CONICET (Proyecto PIP 5246) y ANPCyT (Proyectos 22-20267 y 22-25749). REFERENCIAS [i] L. Carnel, I. Gordon, D. Van Gestel, Van Nieuwenhuysen, G. Agostinelli, G. Beaucarne, J. Poortmans, Thin Solid Films, 511- 512 (2006) 21. [ii] D. Angermeier, R. Monna, A. Slaoui, J. C. Muller, J. of Crys.Growth, 191 (1998) 386. [iii] J. H. Choi, D. Y .Kim, S. S. Kim, S. J. Park, J. Jang, Thin Solid Films, 440 (2003) 1. [iv] I. Hong, T. C. Hsu, S. C. Yen, F. S. Lin, M. L. Huang, C. H.Chen, Surface Science, 601 (2007) 301. [v] Z. Jin, G. A. Bhat, M. Yeung, H. S. Kwok, M. Wong, J. Appl.Phys., 84 (1998) 194. [vi] K. H. Kim, A. N. Nathan, J. Jang, Solids, 354 (2008) 2341. J. Non-Cryst. [vii] S. I. Muramatsu, Y. 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