Informe - Escuela de Ingeniería Eléctrica

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Universidad de Costa Rica
Facultad de Ingeniería
Escuela de Ingeniería Eléctrica
IE – 0502 Proyecto Eléctrico
Desarrollo de un sistema CWDM comunicador de
voz por fibra óptica multimodo
Por:
Francisco Rodríguez Castillo
Diciembre del 2004
IE-0502 Desarrollo de un sistema CWDM comunicador de voz por fibra óptica multimodo
ii
Desarrollo de un sistema CWDM comunicador de
voz por fibra óptica multimodo
Por:
Francisco Rodríguez Castillo
Sometido a la Escuela de Ingeniería Eléctrica
de la Facultad de Ingeniería
de la Universidad de Costa Rica
como requisito parcial para optar por el grado de:
BACHILLER EN INGENIERÍA ELÉCTRICA
Aprobado por el Tribunal:
___________________
M.Sc. Luis Diego Marín Naranjo
Profesor Guía
___________________
___________________
Dr. Jorge Arturo Romero Chacón
Ing. Jaime Cascante Vindas
Profesor Lector
Profesor Lector
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DEDICATORIA
A mi familia por todo el apoyo brindado
en estos años de estudio.
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RECONOCIMIENTOS
Por la ayuda y colaboración recibida durante el desarrollo de este proyecto, el
agradecimiento al profesor M.Sc. Luis Diego Marín Naranjo, y a los profesores lectores Dr.
Jorge Arturo Romero Chacón y Ing. Jaime Cascante Vindas por las valiosas observaciones
hechas con el fin del mejoramiento de dicho proyecto.
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ÍNDICE GENERAL
ÍNDICE DE FIGURAS ______________________________________________________ vi
ÍNDICE DE TABLAS ______________________________________________________ vii
NOMENCLATURA________________________________________________________ viii
RESUMEN________________________________________________________________ ix
CAPÍTULO 1 : Introducción _________________________________________________ 1
1.1
Objetivo General___________________________________________________ 2
1.1.1
Objetivos específicos ____________________________________________ 2
1.2
Metodología_______________________________________________________ 2
CAPÍTULO 2 : Sistema de comunicación de voz por fibra óptica ____________________ 3
2.1 Fibra óptica __________________________________________________________
2.1.1 Construcción de la fibra óptica ________________________________________
2.1.2 Clasificación de la fibra óptica ________________________________________
2.1.3 Características de la fibra óptica _______________________________________
2.2 Dispositivos optoelectrónicos ___________________________________________
2.2.1 Dispositivos emisores de luz _________________________________________
2.2.1.1 Diodo emisor de luz “LED” ______________________________________
2.2.1.2 Diodo láser “LD” ______________________________________________
2.2.2 Dispositivos detectores de luz ________________________________________
2.2.2.1 Fotodiodo pn__________________________________________________
2.2.2.2 Fotodiodo PIN ________________________________________________
2.2.2.3 Fotodiodo de avalancha “APD” ___________________________________
2.2.2.4 Fototransistores________________________________________________
5
5
6
9
14
14
14
19
22
24
25
27
29
2.3 Técnicas de multiplexación por división de longitud de onda “WDM” ________ 29
CAPÍTULO 3: Enlace de comunicación óptico “IFO” ____________________________ 32
3.1 Enlace de voz óptico para fibra óptica de plástico _________________________ 32
3.1.1 Transmisor _______________________________________________________ 32
3.1.2 Receptor_________________________________________________________ 35
CAPÍTULO 4 : Modificación del sistema original para establecer la comunicación
mediante fibra óptica de vidrio multimodo ______________________________________ 37
4.1 Prueba del enlace de voz por fibra multimodo ____________________________ 38
CÁPITULO 5 : Conclusiones y recomendaciones ________________________________ 40
BIBLIOGRAFÍA __________________________________________________________ 42
ANEXOS ________________________________________________________________ 43
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ÍNDICE DE FIGURAS
Figura 1 Sección transversal de un cable de fibra óptica 1 ___________________________ 5
Figura 2 Curvas de atenuación ________________________________________________ 7
Figura 3 Fibra óptica multimodo de índice escalonado _____________________________ 8
Figura 4 Fibra óptica multimodo de índice gradual ________________________________ 8
Figura 5 Fibra óptica monomodo ______________________________________________ 9
Figura 6 Gráfica de modos para una fibra de índice escalonado 3 _____________________ 9
Figura 7 Principio de dispersión de una señal en una fibra óptica 4 __________________ 10
Figura 8 Dispersión de una señal en función de su longitud de onda 5 _________________ 11
Figura 9 Atenuación en función de la longitud de onda en una fibra monomodo 6 _______ 11
Figura 10 Atenuación en función de la longitud de onda en una fibra multimodo 7 _______ 12
Figura 11 Factores de atenuación en una fibra óptica 8 ____________________________ 13
Figura 12 Ángulo de aceptancia de una fibra óptica 9 _____________________________ 13
Figura 13 Configuración interna de un LED 10 ___________________________________ 15
Figura 14 Configuración interna de un LED 11 ___________________________________ 17
Figura 15 Configuración interna de un diodo láser 12______________________________ 20
Figura 16 Curva característica de un diodo láser 13 _______________________________ 20
Figura 17 Efectos de la temperatura en un diodo láser 14 ___________________________ 21
Figura 18 Patrón de radiación de un LED y un diodo láser _________________________ 21
Figura 19 Curva de responsitividad típica de un fotodiodo SI y un fotodetector ideal 15 ___ 22
Figura 20 Responsitividad en función de la longitud de onda 16 ______________________ 23
Figura 21 Tiempo de levantamiento de un fotodetector 17 ___________________________ 23
Figura 22 Configuración interna de un fotodiodo pn 18 ____________________________ 24
Figura 23 Curva característica de corriente-voltaje para un fotodiodo PIN 19 __________ 25
Figura 25 Esquema de transmisión WDM _______________________________________ 30
Figura 26 Transmisión en WDM ______________________________________________ 30
Figura 28 Circuito esquemático del transmisor de voz óptico 20 ______________________ 33
Figura 29 Circuito esquemático del receptor de voz óptico 21________________________ 35
Figura 30 Configuración interna de los módulos Mitel_____________________________ 37
Figura 31 Terminal de comunicación 1 _________________________________________ 39
Figura 32 Terminal de comunicación 2 _________________________________________ 39
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ÍNDICE DE TABLAS
Tabla 1 Características de transmisión de medios guiados punto a punto ...............................4
Tabla 2 Diámetros de fibra óptica más utilizados....................................................................6
Tabla 4 Materiales utilizados en la fabricación de LED`s y sus características.....................17
Tabla 5 Materiales para la fabricación de PIN`s y sus características ..................................27
Tabla 6 Materiales para la fabricación de APD`s y sus características.................................28
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NOMENCLATURA
n : Índice de refracción
c: Velocidad de la luz en el vacío
v : Velocidad de la luz en el material
NA : Apertura Numérica
θ : Ángulo de aceptancia
E : Energía
Eg: Energía de brecha
h : Constante de Planck
f : Frecuencia
λ : Longitud de onda
P : Potencia óptica
i : Corriente
Isp : Corriente alterna pico
Idc : Corriente directa
Pdc : Componente de potencia directa
Psp : Componente de potencia alterna pico
ρ : Responsitividad
V : Voltaje
RL : Resistencia de carga
Cd : Capacitancia
M : Ganancia del fotodiodo
Vd : Voltaje reverso
VBR : voltaje de quiebra reverso
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RESUMEN
En este proyecto se plantean una serie de fundamentos teóricos tanto de fibra óptica
como de dispositivos optoelectrónicos, con el fin de brindar una noción básica del
funcionamiento de un sistema de comunicación utilizando la fibra como canal de transmisión.
Se desarrolla entonces un pequeño sistema para la transmisión de voz punto a punto,
utilizando los dispositivos para enlace de voz ópticos “IFO”y los módulos optoelectrónicos
“Mitel” para la multiplexación de señales en una sola fibra óptica multimodo de 62.5/125 µm.
Se configuran las terminales de manera que puedan operar utilizando tanto los módulos de
multiplexación, como los emisores y receptores individuales para fibra óptica de plástico y se
realizan una serie de pruebas que consisten en el establecimiento de la comunicación entre las
dos terminales en tramos de diferentes longitudes de fibra y así determinar cuan efectivo
resulta ser el enlace. Cabe resaltar que el término efectivo se refiere a la percepción del
usuario de cómo escucha la señal de audio que se emite desde la otra terminal.
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CAPÍTULO 1: Introducción
El desarrollo de nuevas tecnologías en los sistemas de comunicación ha experimentado
un crecimiento acelerado en los últimos años producto de las exigencias actuales para dichos
sistemas, donde se requiere transportar gran cantidad de información de forma segura y
rápida.
Las redes de comunicación ópticas no escapan a esta constante evolución tecnológica,
por lo que recientemente el concepto de multiplexación por división de longitud de onda de
espaciamiento amplio “CWDM” ha comenzado a ser conocido en la industria de las
telecomunicaciones debido a las ventajas que presenta con respecto a la tecnología de
multiplexación por división de longitud de onda densa “DWDM”
En este proyecto se implementó un sistema de comunicación de voz óptico, orientado
a la introducción de las comunicaciones por fibra óptica. Además se documentan conceptos
teóricos de fibra óptica, comunicaciones por fibra óptica y optoelectrónica.
Para desarrollar el sistema planteado se utilizaron una serie de dispositivos
optoelectrónicos, tales como tarjetas de comunicación de voz para fibra óptica de plástico y
módulos de multiplexación para fibra óptica multimodo de vidrio.
Se desarrolló un trabajo de laboratorio para aprender a utilizar los módulos CWDM
marca “Mitel” y las tarjetas para comunicación de voz marca “Industrial Fiber Optics”, y
adaptar dichos dispositivos para conformar el sistema de comunicación.
Se realizaron pruebas para verificar el funcionamiento del sistema en diferentes tramos de
fibra óptica multimodo de 62.5/125 µm como teléfono óptico.
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1.1 Objetivo General
Desarrollar y comprobar el correcto funcionamiento de un sistema de comunicación utilizando
tarjetas para la transmisión de voz por medio de fibra de plástico adaptando un módulo
CWDM para fibra óptica multimodo de vidrio.
1.1.1 Objetivos específicos
•
Documentar los conceptos teóricos de fibra óptica, comunicaciones por fibra óptica y
optoelectrónica para la realización de este sistema.
•
Aprender a utilizar los módulos de multiplexación por longitud de onda Mitel y los
dispositivos para la transmisión de voz IFO.
•
Adaptar los módulos de multiplexación a los dispositivos de transmisión de voz en
forma versátil.
•
Verificar el funcionamiento del sistema para transmisión de voz utilizando tramos de
fibra óptica multimodo 62.5/125 de diferentes longitudes.
1.2
Metodología
Durante la primera etapa del proyecto se procederá a estudiar conceptos teóricos sobre
fibra óptica y otros temas relacionados a las comunicaciones ópticas con el fin de
documentar los conceptos teóricos que fundamentan el proyecto.
La segunda etapa se basa en el trabajo de laboratorio necesario para implementar el
sistema de comunicación.
En la etapa final se verificará el funcionamiento del sistema entre las dos terminales
utilizando tramos de fibra óptica de diferentes longitudes.
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CAPÍTULO 2: Sistema de comunicación de voz por fibra óptica
El objetivo principal de un sistema de comunicaciones es intercambiar información
entre dos o más entidades. En su configuración más simple la comunicación entre dos
terminales es llamada transmisión punto a punto; sin embargo, en la mayoría de las ocasiones
este procedimiento no es válido, debido a que los dispositivos están muy alejados entre sí y no
resultaría viable utilizar un enlace dedicado entre ellos, o más aún, existe un conjunto de
dispositivos que necesitan conectarse con los demás en instantes de tiempo diferentes.
El intercambio de datos sobre una línea de transmisión se puede clasificar como “fullduplex” o “half-duplex”.
En la transmisión “half-duplex” solo una de las estaciones del enlace punto a punto
puede transmitir, esto quiere decir que las estaciones no pueden transmitir al mismo tiempo,
mientras que mediante la transmisión “full-duplex” las dos estaciones pueden enviar y recibir
datos simultáneamente.
Una red de comunicación proporciona flexibilidad y eficiencia de los recursos
utilizados en la transmisión de información entre cantidades masivas de usuarios.
Tradicionalmente las redes de comunicación se pueden clasificar en dos grandes
categorías:
Red de área local “LAN”
Es una red de comunicaciones que interconecta varios dispositivos y proporciona un
medio para el intercambio de información entre ellos.
Red de área amplia “WAN”
Es una red de comunicaciones que cubre una extensa área geográfica, requiere
atravesar rutas de acceso público, y parcialmente utiliza circuitos proporcionados por una
entidad proveedora de servicios de telecomunicación.
Típicamente, una WAN consiste en una serie de dispositivos de conmutación
interconectados. La comunicación generada por cualquier dispositivo se encaminará a través
de estos nodos internos hasta alcanzar el destino. A estos nodos no les concierne el contenido
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de los datos, su función es proporcionar el servicio de conmutación que transmitirá los datos
de nodo en nodo hasta alcanzar su destino final.
No se puede hablar de redes de comunicación y dejar de mencionar la importancia de
los medios de transmisión, ya que de estos depende la capacidad y la eficiencia de la
transmisión.
Si se habla de capacidad de transmisión en términos de velocidad de transmisión o
ancho de banda, es importante tomar en cuenta la distancia que cubre el medio de transmisión
y además si este es un enlace punto a punto o un enlace multipunto.
Los medios de transmisión guiados más utilizados para la transmisión de voz o datos
son: el par trenzado, el cable coaxial y la fibra óptica.
Tabla 1 Características de transmisión de medios guiados punto a punto
Medio
Razón de
Ancho
Separación
de transmisión
datos total
de banda
entre repetidores
Par trenzado
4 Mbps
3 MHz
2 a 10 km
Cable coaxial
500 Mbps
350 MHz
1 a 10 km
Fibra óptica
2 Gbps
2 GHz
10 a 100 km
Debido a que el sistema de comunicación que se desarrolló en el presente trabajo
utiliza como medio de transmisión la fibra óptica, a continuación se presenta una descripción
general de la fibra óptica y otros elementos que forman parte del sistema implementado.
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2.1 Fibra óptica
La fibra óptica es un medio flexible y extremadamente fino, capaz de conducir energía
de naturaleza óptica. Presenta una serie de ventajas con respecto a otros medios de
comunicación, por ejemplo:
1. Ancho de banda amplio
2. Atenuación baja
3. Inmunidad electromagnética
4. Peso liviano
5. Tamaño pequeño
6. Seguridad con respecto a su manipulación
7. Seguridad con respecto a la transmisión de datos
2.1.1 Construcción de la fibra óptica
La fibra óptica está formada por dos capas concéntricas llamadas núcleo y
revestimiento, las cuales están protegidas por una cubierta hecha generalmente de polímeros la
cual no afecta la propagación de la luz en la fibra.
El revestimiento provee la diferencia en el índice de refracción que permite que se de
la reflexión total interna de la luz a través del núcleo. El índice de refracción del revestimiento
es alrededor de un 1% más bajo con respecto al índice del núcleo.
Figura 1 Sección transversal de un cable de fibra óptica 1
1
Fuente: Manual “The Optical Voice Link, Industrial Fiber Optics”, página 20
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Las características específicas de la propagación de la luz en una fibra dependen de
muchos factores como el tamaño de la fibra, la composición de la fibra y la luz incidente
dentro de la fibra. Comúnmente se usan los siguientes tamaños:
Tabla 2 Diámetros de fibra óptica más utilizados
Núcleo (µm)
Revestimiento (µm)
8
125
50
125
62.5
125
100
140
2.1.2 Clasificación de la fibra óptica
La fibra óptica se clasifica de dos formas:
Por el tipo de material
Fibra de vidrio
El núcleo y el revestimiento son de vidrio, el cual está hecho de silicio fundido ultrapuro, son las más usadas en la actualidad debido a las características que presentan.
Fibra de plástico
Tanto el núcleo como el revestimiento son de plástico, presentan mayores pérdidas y
su ancho de banda es limitado. Comúnmente estas fibras presentan un diámetro de 1000 µm,
cuyo núcleo tiene un diámetro de 980 µm. Debido a sus características, esta fibra presenta
grandes pérdidas si se utiliza en enlaces de larga distancia, por lo que no se utiliza en esos
casos; sin embargo, puede ser muy útil y económica en aplicaciones de pequeña escala.
Normalmente, se utilizan LED`s de 650 nm como emisores en los sistemas que utilizan fibra
óptica de plástico “POF”.
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Fibra de revestimiento plástico
Su núcleo es de vidrio y el revestimiento es de plástico, tienen menor rendimiento que
la fibra de vidrio.
Figura 2 Curvas de atenuación
(a) Fibra de plástico (b) Fibra de vidrio 2
Por el índice de refracción y los modos en que se propaga la señal
Fibra multimodo de índice escalonado
La luz se refleja a diferentes ángulos para diferentes trayectorias o modos. La longitud
de la trayectoria para diferentes modos es distinta, lo que implica tiempos de desplazamiento
mayores o menores dependiendo de la trayectoria seguida por el rayo, así señales que entran al
mismo tiempo en la fibra salen en tiempos diferentes.
El pulso óptico sufre un ensanchamiento llamado dispersión modal como resultado de
los diferentes modos en la fibra. Típicamente este tipo de fibras presenta una dispersión modal
de 15 a 30 ns/km.
2
Fuente: Manual “The Optical Voice Link, Industrial Fiber Optics”, página 19
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Figura 3 Fibra óptica multimodo de índice escalonado
Fibra multimodo de índice gradual
Una forma de reducir la dispersión modal es utilizando fibras de índice gradual
“GRIN”. El núcleo de este tipo de fibras está hecho de capas concéntricas de vidrio, cada capa
a partir del eje central del núcleo presenta un índice de refracción menor que la anterior,
logrando que el rayo se refracte continuamente obteniéndose un patrón casi sinusoidal. Los
rayos que viajan en las capas lejanas al eje central del núcleo se desplazan a velocidades
mayores que los rayos que viajan en las capas cercanas al eje, como resultado de este
fenómeno todos los rayos tienden a llegar al mismo tiempo al final de la fibra. El índice
gradual reduce la dispersión modal a 1 ns/km o menos.
Los diámetros más comunes del núcleo para estas fibras son de 50, 62.5 o 85 µm y
para el revestimiento es de 125 µm, comúnmente la más usada es la de 62.5/125 µm.
Figura 4 Fibra óptica multimodo de índice gradual
Fibra monomodo
Otra forma de reducir la dispersión modal es utilizar fibras con un núcleo más pequeño
para lograr una propagación del rayo en un solo modo. Los diámetros del núcleo van desde 5 a
10 µm y el diámetro del revestimiento es de 125 µm.
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Las fibras monomodo tienen un ancho de banda potencial de 50 a 100 GHz-Km, y esta
capacidad está limitada por los dispositivos electrónicos y no por la fibra.
El punto en el cual la fibra transmite en un solo modo depende de la longitud de onda
de la señal y es llamada longitud de onda de corte. Por ejemplo una fibra monomodo operando
en los 1300 nm presenta la longitud de onda de corte alrededor de los 1200 nm.
Figura 5 Fibra óptica monomodo
Figura 6 Gráfica de modos para una fibra de índice escalonado 3
2.1.3 Características de la fibra óptica
Dispersión
La dispersión es el ensanchamiento que experimenta el pulso cuando se desplaza en la fibra.
La dispersión limita el ancho de banda en la fibra. Los tres tipos principales de dispersión son:
3
Fuente: Libro “Fiber Optic Communications, Prentice-Hall”, página 116
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Dispersión modal
Se debe a las diferentes trayectorias de la señal en la fibra óptica. Se presenta solo en la fibra
multimodo y se puede reducir mediante tres formas:
1. Utilizar fibras cuyo núcleo tenga un diámetro pequeño, el cual permitirá la
propagación de pocos modos.
2. Utilizar fibras de índice gradual las cuales evitan que la señal sufra un ensanchamiento
debido al retardo de propagación de los modos.
3. Utilizar fibra monomodo, en la cual no se presenta la dispersión modal.
Dispersión del material
Esta se presenta debido a que las diferentes longitudes de onda viajan con diferentes
velocidades a través de la fibra. La siguiente ecuación expresa la relación entre el índice de
refracción del material y la velocidad de la luz en el material:
n=
c
v
(1)
donde:
n : índice de refracción del material
c: velocidad de la luz en el vacío
v: velocidad de la luz en el material
Dispersión de guía de onda
Este tipo de dispersión se debe a que la energía óptica que viaja tanto por el núcleo como por
el revestimiento de la fibra se desplaza a diferentes velocidades como consecuencia de la leve
diferencia de índices de refracción de los materiales.
Figura 7 Principio de dispersión de una señal en una fibra óptica 4
4
Fuente: Documento “Introduction to DWDM Technology, Cisco Systems Inc.”, página 2-10
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Figura 8 Dispersión de una señal en función de su longitud de onda 5
Atenuación
La atenuación es la pérdida de potencia óptica de la señal cuando se desplaza en la fibra, es
medida en decibels por kilómetro y los rangos van desde los 300 dB/km para fibra de vidrio
hasta alrededor de los 0.21 dB/km en la fibra monomodo. La atenuación varía con la longitud
de onda de la señal.
Figura 9 Atenuación en función de la longitud de onda en una fibra monomodo 6
5
Fuente: Documento “Introduction to DWDM Technology, Cisco Systems Inc.”, página 2-11
Fuente:Libro Referencia “Technician´s Guide to Fiber Optics, Delmar Publishers Inc.”, página 63
6
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Figura 10 Atenuación en función de la longitud de onda en una fibra multimodo 7
Esparcimiento “Scattering”
El esparcimiento es la pérdida de la energía óptica debido a imperfecciones en la estructura
básica de la fibra.
Absorción
La absorción es el proceso en el cual las impurezas en la fibra absorben parte de la energía
óptica la cual se disipa en pequeñas cantidades de calor.
Pérdidas por micro-curvaturas
Pérdidas debidas a pequeñas imperfecciones o variaciones en la interfaz entre el núcleo y el
revestimiento que provocan que la luz se desvíe y no se produzca la reflexión interna.
7
Fuente:Libro Referencia “Technician´s Guide to Fiber Optics, Delmar Publishers Inc.”, página 63
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Figura 11 Factores de atenuación en una fibra óptica 8
Apertura numérica
La apertura numérica (NA) es la capacidad de la fibra de captar la luz.
La apertura numérica del material relaciona los índices de refracción del núcleo y del
revestimiento mediante la siguiente fórmula:
NA = n12 − n22
(2)
Los ángulos a los cuales se pueden propagar los rayos por la fibra forman el llamado cono de
aceptancia. El cono de aceptancia se relaciona con la NA mediante la fórmula:
NA = senθ
(3)
donde θ es la mitad del ángulo de aceptancia.
Figura 12 Ángulo de aceptancia de una fibra óptica 9
8
9
Fuente: Documento “Introduction to DWDM Technology, Cisco Systems Inc.”, página 2-10
Fuente: Manual “The Optical Voice Link, Industrial Fiber Optics”, página 17
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2.2 Dispositivos optoelectrónicos
En los sistemas de comunicación en los que se utiliza fibra óptica como medio de transporte
para la información, son necesarios dispositivos que conviertan una señal eléctrica en una
señal óptica y viceversa.
2.2.1 Dispositivos emisores de luz
Los diodos láser y los diodos emisores de luz son los dos tipos de fuentes más
utilizadas en los sistemas de comunicación por fibra óptica. A continuación se presenta una
breve descripción de cada uno de ellos.
2.2.1.1 Diodo emisor de luz “LED”
Un diodo emisor de luz es una unión semiconductora pn que emite luz cuando se
polariza directamente.
Funcionamiento
Cuando se une un semiconductor tipo n con un semiconductor tipo p, se tiene que tanto
los electrones libres en la región n, como los huecos libres en la región p no tienen la
suficiente energía para sobrepasar la barrera de unión y desplazarse hacia la región opuesta.
En este punto, la energía potencial de los huecos, siendo opuesta a la de los electrones provoca
un incremento en la barrera de unión.
Al aplicar un voltaje directo en la unión y agregar impurezas dopantes para proveer
una mayor cantidad de electrones y huecos durante la emisión, la barrera de separación se
reduce. Si la energía suplida es al menos igual que la energía en la región prohibida (cantidad
de energía entre la banda de valencia y la banda de conducción) los electrones libres y los
huecos libres tendrán la suficiente energía para moverse en la región de unión.
Cuando un electrón libre se une con un hueco libre en la barrera de unión, el electrón
puede pasar a la banda de valencia. La energía perdida en la transición es convertida en
energía óptica en forma de un fotón. En resumen, la emisión de un LED es causada por la
recombinación de electrones y huecos que son introducidos en la unión de un semiconductor
pn al aplicársele un voltaje directo.
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(a)
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(b)
(c)
Figura 13 Configuración interna de un LED 10
(a)
Semiconductor dopado con impurezas. (b) Doblamiento de bandas de energía.
(c) LED polarizado
La relación entre la energía de un fotón y la frecuencia es:
E = hf
(4)
donde:
E: Energía (J)
h: Constante de Planck: 6.6261x10-34 Js
f: frecuencia (Hz)
La longitud de onda se expresa por:
10
Fuente: Boletín “Medición de la constante de Planck utilizando LED´s, Universidad de Buenos Aires”, página 3
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λ=
c
f
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(5)
donde:
λ : Longitud de onda
c: velocidad de la luz en el vacío
f: Frecuencia (Hz)
Entonces la longitud de onda radiada se puede expresar como:
λ=
hc
Eg
(6)
donde:
Eg : Energía de brecha (J)
λ : Longitud de onda (m)
Si se expresa la energía de separación en electrón volts y la longitud de onda en manómetros:
λ=
1.24 ⋅ 10 3
Eg
(7)
Construcción
Diversos materiales y aleaciones se utilizan para obtener diferentes niveles de energía
en la banda prohibida.
La siguiente tabla presenta algunos de los materiales usados en la fabricación de
LED´s, así como su longitud de onda de operación y su energía de banda prohibida.
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Tabla 4 Materiales utilizados en la fabricación de LED`s y sus características
Material
Longitud de onda (nm)
GaInP
GaAs
AlGaAs
InGaAs
InGaAsP
640-680
900
800-900
1000-1300
900-1700
Energía de banda
prohibida (eV)
1.82-1.94
1.4
1.4-1.55
0.95-1.24
0.73-1.35
Figura 14 Configuración interna de un LED 11
Una unión pn formada por un solo semiconductor se conoce como homojuntura. Un
LED construido de esta forma no confina su emisión muy bien. Los fotones son radiados de
los bordes de la unión y de su superficie plana, esto hace que el acople con ciertas fibras
ópticas sea ineficiente. En la actualidad se construyen mejores superficies de acople para estos
dispositivos, entre estas se puede mencionar la conocida como Burrus o etched web, la cual
es la más utilizada en la fabricación de LED´s.
Características de operación de un LED
La potencia óptica generada por un LED es linealmente proporcional a la corriente que
circula por el dispositivo cuando es directamente polarizado. La siguiente ecuación muestra
dicha relación:
P = niE g
(8)
11
Fuente: Libro “Optoelectronics : An Introduction, Prentice-Hall”, página 151
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donde:
P: Potencia de salida (mW)
n: Fracción de cargas que se recombinan
i: Corriente (mA)
Eg: Energía de banda prohibida (eV)
Típicamente un LED opera alrededor de los 50 a 100 mA y requiere un voltaje de 1.2 a1.8 V.
Un LED puede ser modulado analógicamente o digitalmente, como se detalla a continuació:
La modulación digital se puede hacer mediante una fuente de corriente, la cual hace
simplemente que el LED se encienda y se apague. La modulación analógica requiere de una
componente de corriente directa para tener todo el tiempo el valor de la corriente total en la
dirección de polarización directa. Sin esta componente dc, una oscilación negativa en la señal
de corriente podría polarizar inversamente el diodo, apagándolo.
Con base en la modulación analógica la corriente total del diodo se puede expresar como una
componente de corriente directa y una componente de corriente alterna, como se establece a
continuación:
i = I dc + I sp senωt
(9)
donde:
Isp: componente de corriente alterna pico de la señal
Idc: componente de corriente directa
La correspondiente señal de potencia óptica es por consiguiente:
P = Pdc + Psp senωt
(10)
donde:
Psp: componente de potencia alterna pico de la señal
Pdc: componente de potencia directa
Los LED´s comerciales presentan un ancho de banda relativamente pequeño. Valores
típicos se hallan dentro del rango de 1 a 100 MHz.
El tiempo de levantamiento (tr) típico de un LED va de unos pocos nanosegundos hasta
250 ns.
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18
IE-0502 Desarrollo de un sistema CWDM comunicador de voz por fibra óptica multimodo
19
La eficiencia de acoplamiento depende del patrón de radiación del diodo. Los emisores
de superficie emiten radiación según un patrón conocido como Lambertiano. En este patrón la
potencia disminuye como una función cosθ, donde θ es el ángulo entre la dirección de visión
y la normal a la superficie.
Los LED´s son muy confiables y de larga duración si se les utiliza dentro de los límites
de potencia, voltaje, corriente y temperatura especificados por el fabricante.
2.2.1.2 Diodo láser “LD”
El diodo láser es otro dispositivo formado por semiconductores, pero a diferencia de
los LED´s, el diodo láser está confinado en una cavidad que le proporciona características
muy especiales.
Funcionamiento
Cuando el diodo es directamente polarizado, las cargas son introducidas dentro de la
capa activa donde la recombinación tiene lugar causando la emisión espontánea de fotones,
caso semejante al explicado para la emisión del LED, sólo que algunas de las cargas
introducidas dentro del semiconductor son estimuladas para emitir otros fotones. Si la
densidad de corriente es lo suficientemente alta, entonces un gran número de cargas
introducidas están disponibles para estimular la recombinación. Entonces de este modo la
ganancia óptica se hace mayor.
La corriente de umbral es alcanzada cuando es lo suficientemente grande como para
vencer las pérdidas del diodo. En este punto, la oscilación láser ocurre. La corriente de umbral
debe ser pequeña para prevenir el sobrecalentamiento del semiconductor, particularmente
cuando opera de forma continua o con altos picos de potencia.
Construcción
La construcción de los diodos láser tiene una construcción muy similar a los diodos
emisores de luz.
La cavidad láser, típicamente de 300 µm, se conforma al pegar a lo largo de las caras
frontal y superior del semiconductor planos cristalinos paralelos. Por medio de esto, se logra
una cantidad importante de reflexión que provee la suficiente realimentación para que se
presente la oscilación y se genere así la emisión estimulada.
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Figura 15 Configuración interna de un diodo láser 12
Características de operación de un diodo láser
La curva característica de potencia contra la corriente cuando el diodo láser se halla
directamente polarizado se presenta a continuación:
Figura 16 Curva característica de un diodo láser 13
La potencia de salida para un diodo láser que opera de forma continua varía
típicamente de 1 mW a 10 mW. La corriente de operación es generalmente de 20 mA a 40 mA
por encima de la corriente de umbral.
Los diodos láser son más sensitivos a los cambios de temperatura que los LED´s. Conforme
aumenta la temperatura, la ganancia del diodo decrece, hasta que más corriente es requerida
para que la oscilación pueda continuar, provocando un incremento de la corriente de umbral.
12
Fuente: LIbro “Optoelectronics : An Introduction, Prentice-Hall”, página 218
Fuente: LIbro “Optoelectronics : An Introduction, Prentice-Hall”, página 212
13
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20
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Figura 17 Efectos de la temperatura en un diodo láser 14
La longitud de onda de un diodo láser también depende de la temperatura. Esta se
incrementa debido a la dependencia del índice de refracción del material con la temperatura.
Típicamente, estos cambios son del orden de 0.3 nm/ºC.
Al igual que los diodos emisores de luz los diodos láser pueden ser modulados
digitalmente o analógicamente.
Los diodos láser son más rápidos que los diodos emisores de luz, debido a que el
tiempo de levantamiento del LED es determinado por la emisión espontánea natural del
material, y el tiempo de levantamiento de un diodo láser depende del tiempo de vida de
emisión estimulada. Para que se genere una ganancia, el tiempo de vida estimulado debe ser
menor que el tiempo de vida espontáneo.
Otra característica importante de los diodos láser es que su patrón de radiación está
contenido en una región angular pequeña, haciendo el acople con la fibra más fácil y eficiente.
Figura 18 Patrón de radiación de un LED y un diodo láser
14
Fuente: LIbro “Optoelectronics : An Introduction, Prentice-Hall”, página 220
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2.2.2 Dispositivos detectores de luz
Estos dispositivos convierten la radiación óptica en señales eléctricas, sean estas de
voltaje o corriente.
Estos dispositivos funcionan bajo el principio de que portadores de carga libres, sean
estos electrones o huecos, son generados por absorción de fotones que entran a una sección
del dispositivo. Este proceso se conoce como efecto fotoeléctrico interno.
Entre las propiedades más importantes de los fotodectores se pueden mencionar:
Responsitividad
Es la razón de la corriente de salida del detector a su potencia óptica de entrada. Sus
unidades son A/W.
ρ=
i
P
(11)
donde:
ρ : Responsitividad
i : Corriente de salida del detector
P : Potencia óptica de entrada
Figura 19 Curva de responsitividad típica de un fotodiodo SI y un fotodetector ideal 15
15
Fuente: Libro “Optoelectronics : An Introduction, Prentice-Hall”, página 313
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Respuesta espectral
Se refiere a la curva de la responsitividad del detector como una función de su longitud
de onda.
Figura 20 Responsitividad en función de la longitud de onda 16
Tiempo de levantamiento
Es el tiempo para que la corriente de salida del detector cambie de un 10% a un 90%
de su valor final cuando la entrada es un escalón.
Figura 21 Tiempo de levantamiento de un fotodetector 17
16
Fuente: Libro “Technician´s Guide to Fiber Optics, Delmar Publishers Inc.”, página 113
Fuente: Libro “Fiber Optic Communications, Prentice-Hall”, página 174
17
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2.2.2.1 Fotodiodo pn
El proceso básico de detección es aquel que se da cuando el diodo es inversamente
polarizado, la barrera de energía potencial entre las regiones p y n se incrementa. Los
electrones libres en la región n y los huecos en la región p no pueden brincarse la barrera en la
medida que exista una corriente en sentido directo circulando. Debido a que no hay cargas
libres en la unión, se le conoce a esta zona como región de vaciamiento. Al no haber cargas
libres, su resistencia es alta, resultando que casi todo el voltaje de caída del diodo aparece a
través de la unión.
Si un fotón incidente es absorbido en la unión, la energía hace que un electrón pase de la
banda de valencia a la banda de conducción, por lo que ahora es libre de moverse. Por
consiguiente, un hueco libre queda en la banda de valencia, en la posición dejada por el
electrón. Así sucesivamente más portadores de carga libres son creados por absorción de
fotones. Con portadores de carga libres en movimiento se produce una corriente que fluye
a través del circuito externo. Una vez que los huecos libres y los electrones se han
recombinado o bien cuando alcanzan el borde de la unión, donde las fuerzas eléctricas son
pequeñas, las cargas dejan de moverse, lo cual produce que ya no fluya más corriente.
Cuando un fotón es absorbido en las regiones p o n fuera de la unión, un par electrón-hueco se
crea, pero estas cargas libres no se moverán rápidamente debido a las fuerzas eléctricas
débiles fuera de la unión. La mayoría de cargas libres se difunden lentamente a través del
diodo y se recombinan antes de alcanzar la unión. Estas cargas producen una corriente
despreciable, reduciendo así la responsitividad del detector.
Figura 22 Configuración interna de un fotodiodo pn 18
18
Fuente“Optoelectronics : An Introduction, Prentice-Hall”, página 313
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Los diodos pn típicos tienen tiempos de levantamiento del orden de microsegundos,
haciéndolos inadecuados para sistemas de fibra de alta fidelidad.
2.2.2.2 Fotodiodo PIN
El fotodiodo PIN es el más común de los detectores en sistemas de comunicación por
fibra óptica. Posee una amplia capa semiconductora intrínseca entre las regiones p y n. Esta
capa no tiene cargas libres, pero es de alta resistencia. La mayoría del voltaje aplicado es
sobre esta capa, generando fuerzas eléctricas fuertes dentro de ella. También existe una alta
probabilidad de que los fotones sean absorbidos en ella en lugar de ser absorbidos en las capas
p y n; esto mejora la eficiencia y la velocidad relativa con respecto al fotodiodo
Características de operación de un fotodiodo PIN
Cuando el fotodiodo es polarizado inversamente se dice que opera en modo
fotoconductivo, es decir, la corriente de salida es proporcional a la potencia óptica. Cuando no
se provee de un voltaje reverso, el diodo se halla en conexión directa y se dice que opera en
modo fotovoltaico. En comunicaciones por fibra óptica los detectores operan en modo
fotoconductivo. A continuación se presentan las curvas de corriente-voltaje típicas para un
fotodiodo PIN.
Figura 23 Curva característica de corriente-voltaje para un fotodiodo PIN 19
19
Fuente: Libro “Fiber Optic Communications, Prentice-Hall”, página 180
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Aún cuando no hay potencia óptica presente, una pequeña corriente inversa fluye a
través del diodo cuando se halla polarizado inversamente; esta es la llamada corriente de
oscuridad ID. La corriente de oscuridad es causada por la generación térmica de portadores de
carga libres en el diodo. Por ser de origen térmico, se incrementa rápidamente con el aumento
de temperatura, al punto de duplicarse por cada aumento de 10° C con respecto a la
temperatura ambiente. El rango de valores típicos para la corriente de oscuridad va desde unos
pocos nanoamperios hasta un orden de cientos de ellos. Por lo general, los fotodetectores de
silicio son los que presentan el valor de corriente de oscuridad más bajo y los de germanio los
valores más altos.
La saturación, se refiere al estado de operación donde la potencia óptica de entrada es
mayor que la corriente de salida y el voltaje no puede seguir la entrada de forma lineal.
Cuando el diodo está saturado, el detector responde a los cambios de entrada óptica un poco
más lentamente, provocando distorsiones de la señal y disminuyendo los tiempos de respuesta
en el receptor, limitando su ancho de banda. La relación idónea entre el voltaje de salida y la
potencia óptica es:
V = PρRL
(12)
donde:
V : Voltaje de salida (V)
P : Potencia de salida (mW)
ρ : Responsitividad del dispositivo (A/W)
RL : Resistencia de carga (Ω )
Por otra parte, la velocidad de respuesta de un fotodetector está limitada por lo que se
denomina el tiempo de transición, que es el tiempo que le toma a los portadores de carga
libres atravesar la capa de vaciamiento. En un diodo PIN la longitud de la región de
vaciamiento es justo el ancho de la capa intrínseca. La velocidad de los portadores de carga
libres es linealmente proporcional a la magnitud del voltaje reverso, por lo que los voltajes
demasiado elevados disminuyen el tiempo de transición.
El tiempo de levantamiento en estos dispositivos depende de la capacitancia de unión y
de la resistencia de carga, como se expresa en la siguiente fórmula:
t r = 2.19 RL C d
(13)
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27
El ancho de banda se calcula como:
f 3dB =
1
2πRL C d
(14)
donde:
RL : Resistencia de carga (Ω)
Cd : Capacitancia del dispositivo (pF)
Los fotodiodos diseñados para aplicaciones de alta velocidad tienen capacitancias de
pocos pico-faradios. La velocidad de respuesta puede estar limitada por el tiempo de
transición o por el tiempo de levantamiento, el que sea mayor. Valores de tiempo de
levantamiento para fotodetectores PIN son del orden de 0.5 a 10 ns.
La siguiente tabla resume algunas características de los fotodiodos PIN dependiendo
del tipo de material del que están hechos.
Tabla 5 Materiales para la fabricación de PIN`s y sus características
Material
Longitud de
onda (nm)
Silicio
Germanio
InGaAs
300-1100
500-1800
900-1700
Longitud de
Tiempo de
Responsitividad Corriente de
onda pico levantamiento
(A/W)
oscuridad
(nm)
(ns)
(nA)
800
0.5
05
1
1550
0.1
0.7
200
1700
0.3
0.6
10
2.2.2.3 Fotodiodo de avalancha “APD”
El fotodiodo de avalancha es un detector de unión semiconductor, que tiene alta
ganancia interna y que presenta una responsitividad más alta que un fotodiodo pn o un
fotodiodo PIN.
Cuando un fotón es absorbido en la región de vaciamiento, crea un electrón libre y un
hueco libre. Las fuertes fuerzas eléctricas que se generan en esta región causan que estas
cargas libres que ahora existen se aceleren, ganando energía cinética. Cuando estas cargas
aceleradas chocan con átomos neutros, se crean pares electrón-hueco adicionales que usan
parte de su energía cinética para hacer que los electrones crucen la banda de energía. Una
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carga acelerada puede generar varias cargas secundarias nuevas y estas cargas pueden generar
otras, así sucesivamente generando una mayor cantidad de pares electrón-hueco.
Características de operación de un fotodiodo de avalancha
Los fotodiodos de avalancha son usualmente variaciones de los fotodiodos PIN,
principalmente en cuanto a valores de ganancia se refiere. Esta se puede expresar como:
M =
1
V
1 −  d
 VBR



(15)
n
donde:
M : Ganancia del fotodiodo
Vd : Voltaje reverso aplicado (V)
VBR : Voltaje de quiebra reverso (V)
n : Parámetro empírico (mayor que la unidad)
Al igual que el fotodiodo PIN la velocidad de respuesta del APD está limitada por el
tiempo de transición de los portadores de carga y por la constante de tiempo RC. Tiempos de
levantamiento del orden de 100 ps se pueden obtener con diodos de avalancha de silicio o
germanio.
La siguiente tabla resume algunas características de los APD`s dependiendo del tipo de
material del que están hechos.
Tabla 6 Materiales para la fabricación de APD`s y sus características
Material
Longitud de
onda (nm)
Silicio
400-1000
Germanio 1000-1600
Ingaes
1000-1700
Tiempo
de Responsitividad
levantamiento (A/W)
(ns)
Corriente de Ganancia
oscuridad
(nA)
0.5
1
0.25
15
700
100
75
35
12
150
50
20
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2.2.2.4 Fototransistores
Un fototransistor es una combinación integrada de fotodiodo y transistor bipolar
sensible a la luz donde la base recibe la radiación óptica. Existen transistores de efecto de
campo “FET”, que son muy sensibles a la luz. La corriente inducida por el efecto fotoeléctrico
es la corriente de base del transistor.
El fototransistor no solo convierte la luz en una señal eléctrica, sino que también la
amplifica. A causa de esta amplificación presenta mayor ganancia que un fotodiodo; sin
embargo, es de un ancho de banda más limitado.
Los fototransistores se construyen con silicio o germanio, similarmente a cualquier
tipo de transistor bipolar, además se les adhieren otros materiales llamados impurezas o
dopantes. Existen tanto fototransistores NPN como PNP. Debido a que la radiación es la que
dispara la base del transistor, y no una corriente aplicada eléctricamente, usualmente la patilla
correspondiente a la base no se incluye en el transistor.
El método de construcción es el de difusión por medio del cual, los dopantes penetran
la superficie sólida del silicio. Sobre una superficie sobre la cual ya ha ocurrido la difusión, se
pueden realizar difusiones posteriores, creando capas de dopantes en el material.
La parte exterior del fototransistor está hecha de un material llamado “epoxy”, que es
una resina que permite el ingreso de radiación hacia la base del transistor.
2.3 Técnicas de multiplexación por división de longitud de onda “WDM”
El ancho de banda de una conexión de fibra óptica se puede incrementar transmitiendo
datos más rápidamente o transmitiendo diversas longitudes de onda en una única fibra,
conocida como WDM. El WDM se consigue usando un multiplexor para combinar
longitudes de onda viajando por diferentes fibras hacia una sola fibra. El receptor de la
conexión utiliza un demultiplexor que separa las longitudes de onda y las dirige hacia
diferentes fibras que finalizan en diferentes receptores. El espacio entre las longitudes de
onda individuales transmitidas a través de la misma fibra sirve de base para diferenciar entre
DWDM y CWDM.
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Figura 25 Esquema de transmisión WDM
En sus inicios la técnica de WDM usaba dos longitudes de onda extensamente
espaciadas en las regiones de 1310 nm y 1550 nm, llamada WDM de banda amplia. La
siguiente figura muestra esta simple configuración de WDM, donde una fibra se usa para
transmitir y la otra para recibir.
Figura 26 Transmisión en WDM
A principios de 1990 surgió una segunda generación llamada WDM de banda estrecha,
en la cual se usaban de 2 a 8 canales, los cuales fueron separados en un intervalo de 400 GHz
en la ventana de 1550 nm. A mediados de 1990 emergió el sistema de DWDM con una
capacidad de 16 a 40 canales con una separación de 100 a 200 GHz, y a finales de esa década
el sistema se desarrolló al punto de soportar de 64 a 160 canales paralelos en intervalos de 50
a 25 GHz. Recientemente la técnica CWDM se ha convertido en una alternativa de bajo costo
para las necesidades de transporte de información. El CWDM es cada vez más ampliamente
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aceptado como una importante arquitectura de transporte. A diferencia de DWDM, los
sistemas basados en tecnología CWDM usan láser de realimentación distribuida “DBF” no
enfriado y fibra óptica de banda ancha. Estas tecnologías proporcionan varias ventajas a los
sistemas CWDM como un menor consumo energético, tamaño inferior y costos más bajos. La
disponibilidad comercial de los sistemas CWDM que ofrecen estos beneficios hacen de esta
tecnología una alternativa viable a los sistemas DWDM para muchas aplicaciones de redes de
área metropolitana y redes de acceso.
Los sistemas DWDM usan típicamente separaciones de longitudes de onda de 200
GHz (1.6nm), 100 GHz (0.8nm) o 50 GHz (0.4nm) con futuros sistemas en proyecto para
tener incluso espacios más estrechos. Las longitudes de onda operativas en sistemas DWDM
están definidas según una escala de frecuencias estandarizada, desarrollada por la Unión
Internacional de Telecomunicación.
Los lásers DBF se usan como fuentes en sistemas DWDM. La longitud de onda deriva
aproximadamente 0.08nm/ºC con temperatura. Los lásers DBF se enfrían para estabilizar la
longitud de onda y evitar que varíe fuera de la banda de los filtros de los multiplexores y los
demultiplexores cuando la temperatura fluctúa en los sistemas DWDM.
Los sistemas CWDM usan láser DBF sin “peltier” ni termistor. Son específicos para
operar desde 0ºC hasta 70ºC con la longitud de onda del láser variando aproximadamente 6
nm sobre este rango. Esta longitud de onda varía acompañada de la variación de longitud de
onda del láser hasta +/-3nm debido a los procesos de fabricación de éste, lo que produce una
variación total de aproximadamente 12nm.
La banda del filtro óptico y el espaciado entre canales tiene que ser suficientemente
ancho para acomodar la variación del ancho de la portadora de los lásers no refrigerados de
los sistemas CWDM. El espaciado entre portadoras de estos sistemas es típicamente de 20
nm. El sistema CWDM ofrece algunas ventajas claves sobre los sistemas DWDM para
aplicaciones que requieren hasta 18 o menos canales. Estos beneficios incluyen costos,
requerimientos de energía y espacio.
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CAPÍTULO 3: Enlace de comunicación óptico “IFO”
3.1 Enlace de voz óptico para fibra óptica de plástico
Este sistema consta de dos terminales cada una con un transmisor y un receptor por
medio de los cuales se establece una comunicación punto a punto. Cabe resaltar que para
establecer una comunicación entre dos individuos se necesitan dos canales de transmisión,
debido a que el receptor y el emisor de cada terminal están separados, es decir, se necesitan
dos fibras ópticas para enlazar cada pareja emisor-receptor del sistema.
Figura 27 Enlace punto a punto mediante dos fibras ópticas de plástico
A continuación se analizarán cada una de las etapas del circuito transmisor y el circuito
receptor.
3.1.1 Transmisor
Un simple transmisor óptico está formado típicamente por un “buffer”, un
amplificador y una fuente óptica. El seguidor de voltaje provee una conexión eléctrica y un
aislamiento entre el amplificador y el sistema eléctrico que suple los datos. La señal de salida
del amplificador alimenta al LED que genera el patrón de datos recibidos en una señal óptica.
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33
Figura 28 Circuito esquemático del transmisor de voz óptico 20
Operación del circuito
Las vibraciones captadas por el micrófono son sensadas y reproducidas mediante una
señal AC proporcional a la intensidad y la frecuencia de la señal acústica. Esta señal AC es
acoplada a través de un capacitor C2 al amplificador de audio LM386N, el cual amplifica la
señal y la conduce hasta el LED L2. La salida del LED es una señal óptica AC con una
componente DC.
Micrófono
Las vibraciones acústicas de la voz son captadas por el micrófono MIC1 que tiene una
membrana sensitiva y un transistor de efecto de campo “FET”. El micrófono y la resistencia
R2 forman un divisor de voltaje; cuando no existe una entrada de voz, el micrófono actúa
como una resistencia pasiva, generando una caída de voltaje a través del micrófono cercana a
los 7 voltios. Cuando el sonido es sensado por el micrófono esta resistencia y por lo tanto la
caída de voltaje variará de acuerdo a la intensidad y a la frecuencia de la señal.
Amplificador
El amplificador de audio está diseñado para trabajar a bajos voltajes. Este tiene una
impedancia de 50 kΩ. Esta impedancia combinada con el capacitor C2 de 0.047 µF generan
una frecuencia de corte aproximada a 70 Hz para las señales del micrófono. Esta frecuencia se
calcula mediante la siguiente fórmula:
f 3dB =
1
2πRC
(16)
20
Fuente: Manual “The Optical Voice Link, Industrial Fiber Optics”, página 21
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33
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A continuación se detalla dicho cálculo:
f 3dB =
1
2π (50 ⋅10 )(0.047 ⋅10 −6 )
3
f 3dB = 67.7 Hz
La ganancia del LM386N como se muestra en el circuito esquemático es de 20. Las entradas
al amplificador son referidas a tierra y el voltaje de salida es internamente polarizado a la
mitad del voltaje suplido, causando una corriente DC que fluye a través del LED y es igual a:
I LED
Vcc
− VLED
= 2
R3
(17)
donde Vcc = 9V y VLED = 1.5V
por lo tanto:
I LED
9
− 1.5
2
=
150
I LED = 20mA
Diodo emisor de luz
El LED IF-E96 usado emite luz roja cuya longitud de onda se centra en los 660 nm.
Este LED tiene una cubierta que funciona como conector para acoplarlo a una fibra óptica de
plástico cuyo diámetro del núcleo es de 1000 µm.
Este tipo de LED es muy usado frecuentemente porque es barato, confiable, fácil de
manipular, responde rápidamente a la corriente aplicada y el rango de temperatura al cual
puede operar es muy amplio.
El transmisor cuenta con un interruptor para encenderlo y apagarlo cuando se requiera.
Cuando el interruptor está cerrado el circuito consume cerca de 25 mA y un LED rojo sirve de
indicador de encendido.
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El circuito tiene también un capacitor C1 de 220 µF que funciona como una fuente de
baja impedancia cuando el LM386N requiere una mayor cantidad de energía para suplir al
LED.
3.1.2 Receptor
Una vez que la señal transmitida por la fibra óptica alcanza su destino, esta debe ser
convertida en una señal eléctrica con el mismo patrón de información proveniente del
transmisor. Un receptor óptico usa típicamente tres elementos: un fotodetector, un
amplificador y algunas veces un seguidor de voltaje.
El fotodetector convierte la señal óptica en una corriente eléctrica. Cualquier patrón o
modulación de la señal proveniente del transmisor será reproducida como una corriente
eléctrica con el mismo patrón.
La potencia óptica puede experimentar pérdidas significativas en largos tramos de fibra
y por lo tanto el fotodetector generará una señal eléctrica débil. Para compensar la atenuación
de la señal se utiliza un amplificador para incrementar la amplitud de la señal eléctrica.
Finalmente, un “buffer” aísla el fotodetector y el amplificador de cualquier otra carga en el
receptor.
Figura 29 Circuito esquemático del receptor de voz óptico 21
21
Fuente: Manual “The Optical Voice Link, Industrial Fiber Optics”, página 23
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Operación del circuito
La señal que sale de la fibra óptica entra a un fototransistor NPN IF-D92 el cual
convierte la luz en una corriente que fluye a través del potenciómetro R2 donde se produce un
voltaje cuya amplitud depende de la resistencia del potenciómetro y la corriente generada por
el fototransistor. Este voltaje es acoplado en AC a través del capacitor C1 al amplificador U1,
el cual incrementa el voltaje AC de la señal de entrada. La salida del amplificador es acoplada
a un parlante de 8Ω que convierte la señal eléctrica en una señal de audio capaz de ser
percibida por una persona.
Fotodetector y potenciómetro
El fotodetector utilizado es el IF-D92 el cual es un fototransistor NPN. La
responsitividad típica para este dispositivo es de 125 µA/µW.
La corriente a través del fototransistor genera un voltaje cuando circula por el
potenciómetro y con este se controla el volumen de la señal de audio recibida.
Amplificador y parlante
El amplificador de audio LM-386N es configurado de la misma forma que se
configuró en el circuito transmisor. El capacitor C4 y la resistencia R3 proveen una
compensación de carga capacitiva debido a la carga inductiva que significa el parlante para el
amplificador. El parlante de 8Ω se acopla al amplificador mediante el capacitor electrolítico
C3 de 220 µF. Como en el circuito transmisor, este tiene también un capacitor C1 de 220 µF
que funciona como una fuente de baja impedancia cuando el LM386N requiere una mayor
cantidad de energía para suplir al parlante.
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CAPÍTULO 4 : Modificación del sistema original para establecer
la comunicación mediante fibra óptica de vidrio multimodo
Debido a que el sistema original está diseñado para utilizar fibra óptica de plástico, fue
necesario realizar algunas modificaciones a los circuitos con el fin de adaptarlo al nuevo canal
de transmisión, para proveer la posibilidad de establecer una comunicación en ambos sentidos
y un mismo instante “full-duplex” entre las dos terminales utilizando una sola fibra óptica
para el enlace de las terminales.
Para alcanzar el objetivo citado anteriormente se utilizaron los dispositivos CWDM Mitel, los
cuales constan de un emisor y un receptor integrados en un mismo módulo, configurados en
un sistema óptico interno el cual tiene un divisor de haz que permite la multiplexación de las
señales, como se muestra en la siguiente figura.
Figura 30 Configuración interna de los módulos Mitel22
Es importante destacar que el sistema que trabaja con fibra de plástico utiliza como detector
un fototransistor, mientras que sistema adaptado para trabajar con fibra de vidrio multimodo
utiliza como detector un fotodiodo PIN, lo que le proporciona al nuevo sistema una serie de
ventajas, las cuales se mencionaron anteriormente.
22
Fuente: “Catálogo del fabricante Mitel, dispositivo MF699”, página 24
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Para adaptar el LED de los CWDM en el circuito receptor de cada terminal fue
necesario sustituir la resistencia de 150 Ω por una resistencia de 56 Ω con el fin de obtener
una corriente de alrededor de 54 mA adecuada para el funcionamiento de este dispositivo.
Adicionalmente en el montaje del circuito se incluyeron unas bases de tres pines con el
objetivo de poder usar el sistema original, es decir, utilizar los emisores y los receptores para
fibra de plástico. Esta selección se hace mediante dos interruptores incluidos en cada terminal,
los cuales habilitan o el módulo Mitel o los módulos del emisor y el receptor para la fibra
óptica de plástico.
4.1 Prueba del enlace de voz por fibra multimodo
Básicamente las pruebas realizadas consistieron en el establecimiento del enlace de
voz por tramos de fibra óptica multimodo de 62.5/125 µm de distintas longitudes, para
determinar que tan buena es la señal de audio percibida.
Primeramente se probó el enlace utilizando un cable de fibra con longitud de 3 m
“Patch-Cord”, al determinar que la señal se percibía con gran claridad se usaron tramos de
fibra con longitudes de 1.188 km y 2.202 km por separado; al obtener resultados igualmente
satisfactorios, se unieron los dos carretes para obtener una distancia total de 3.390 km, a esta
distancia la señal percibida es bastante buena, aunque si se puede percibir una pequeña
disminución del nivel de volumen de la señal.
Cabe destacar que el sistema se probó utilizando como alimentador un adaptador de
voltaje para cada terminal, sin embargo los resultados obtenidos no fueron satisfactorios
debido a los altos niveles de ruido percibidos, ya que estos adaptadores no cuentan con una
regulación del nivel de voltaje que suplen.
Adicionalmente se probó el sistema utilizando un cable doble de fibra óptica de
plástico de 15 m aproximadamente para probar la versatilidad del sistema implementado.
Las figuras 31 y 32 muestran a continuación las terminales implementadas:
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Figura 31 Terminal de comunicación 1
Figura 32 Terminal de comunicación 2
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CAPÍTULO 5: Conclusiones y recomendaciones
Cuando se trabaja con circuitos que utilizan dispositivos optoelectrónicos es de gran
importancia tener en cuenta las especificaciones eléctricas dadas por los fabricantes,
con el fin de obtener el mejor desempeño posible de estos elementos y evitar dañarlos.
Las características de los propios semiconductores hacen que la señal eléctrica
generada por un fotodetector sea muy pequeña, por lo que se requiere en la mayoría de
los casos dependiendo la aplicación, la amplificación de dicha señal; como es el caso
específico del circuito receptor del enlace óptico utilizado.
Así como las especificaciones eléctricas de los elementos optoelectrónicos son
importantes, las características ópticas también lo son, ya que acople entre emisor y
receptor debe ser el mejor, es decir; que la longitud de onda pico de un emisor debe
coincidir en la medida de lo posible con la longitud de onda pico del receptor para
lograr una eficiente reproducción de la señal transmitida.
El sistema de comunicación implementado en el desarrollo de este proyecto, es
realmente un sistema muy sencillo pero a la vez es bastante práctico que brinda una
idea del porque en la actualidad el medio ideal para la transmisión de voz o datos a
gran escala es la fibra óptica.
Una aplicación práctica de este sistema de comunicación puede ser el uso en
instalaciones y áreas de trabajo donde la comunicación por radio, teléfono
convencional o celular no es accesible o no es permitida y exista la facilidad de
enlazarse por medio de fibra óptica.
No es un medio recomendable para hacer pruebas sobre la fibra óptica, ya que es un
simple enlace de voz óptico y no se pueden medir una serie de parámetros importantes
exigidos en redes ópticas.
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Es posible adaptar los circuitos para que sean alimentados por medio de un adaptador
de voltaje, pero sin embargo hay que agregarle a estos un regulador de voltaje de 8 V
para evitar el ruido que se genera por las variaciones de voltaje del adaptador.
Si se desea aumentar la ganancia del circuito receptor hasta 200 es posible agregar un
capacitor electrolítico de 10 µF, ya que el amplificador de audio LM386 tiene
provistas las patillas 1 y 8 para dicho fin, por lo que el circuito impreso tiene un
espacio disponible para realizar esta modificación.
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BIBLIOGRAFÍA
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ANEXOS
Se incluyen en esta sección las especificaciones técnicas de los dispositivos electrónicos y
optoelectrónicos utilizados, así como un dispositivo comercial similar al implementado en este
proyecto.
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