DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA TECNOLOGÍA Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS Problemas de Circuitos con BJTs POLARIZACIÓN DEL BJT 1) Hallar las corrientes y tensiones de polarización para el transistor de la figura 1 si: a. Vbb = 5 V, Rb = 43 K, Vcc = 20 V, Rc = 1 K b. Vbb = 5 V, Rb = 4.3 K, Vcc = 20 V, Rc = 1 K c. Vbb = 5 V, Rb = 43 K, Vcc = 10 V, Rc = 1 K d. Vbb = 0.5 V, Rb = 43 K, Vcc = 20 V, Rc = 1 K e. Vbb = 3 V, Rb = 10 K, Vcc = 50 V, Rc = 1 K f. Vbb = 3 V, Rb = 10 K, Vcc = 50 V, Rc = 3 K Datos: VBEact = VBEsat = 0.7 V, VCEsat = 0.2 V, β = 100 Rc Rb Vcc Q1 Vbb figura 1 2) Para el circuito de la figura 1, determine el intervalo de valores de Vbb para que el transistor se encuentre en activa. Datos: VBEact = 0.7 V, VBEsat = 0.8 V, VCEsat = 0.2 V, β = 150 VCC = 12 V, Rc = 1K, Rb = 5K 3) Para el circuito de la figura 2, determine el intervalo de valores de Vbb para que el transistor se encuentre en activa. Datos: VBEact = 0.7 V, VBEsat = 0.8 V, VCEsat = 0.2 V, β = 150 VCC = 12 V, R1 = 10K, R2 = 10K, Rc = 1K R1 Rc Q1 R2 Vbb figura 2 Vcc 4) Para el circuito de la figura 3, determine el punto de polarización del transistor. Datos: VBEact = VBEsat = 0.7 V, VCEsat = 0.2 V, β = 100 VCC = 12 V, R1 = 87K, R2 = 10K, Rc = 1K R1 Rc Q1 Vcc R2 figura 3 5) Hallar la tensión de base VB y del colector VC, para el circuito de la figura 4 en los siguientes casos: a. VCC = 12 V, R1 = 1K, R2 = 100K, Rc = 1K b. VCC = 12 V, R1 = 10K, R2 = 100K, Rc = 1K Datos: VBEact = VBEsat = -0.7 V, VCEsat = -0.2 V, β = 200 R1 Q1 R2 Vcc Rc figura 4 6) Para el circuito de la figura 5, determine la tensión de colector VC. Datos: VBEγ = -0.5 V, VBEact = -0.7 V, VBEsat= -0.8 V, VCEsat = -0.2 V, β = 100 VCC = 10 V, Vbb = 5 V, Rb = 100K, Rc = 1K Rc Rb Vcc Q1 Vbb figura 5 7) Para el circuito de la figura 6, determine la tensión de emisor VE. Datos: VBEact = VBEsat = -0.7 V, VCEsat = -0.2 V, β = 100 VCC = 10 V, Vbb = 5 V, Rb = 100K, Re = 1K Rb Q1 Vcc Vbb Re figura 6 8) Para el circuito de la figura 7, determine el punto de polarización del transistor, y la tensión del colector VC. Datos: VEBact = VEBsat = 0.7 V, VECsat = 0.2 V, β = 100 VCC = 12 V, Rb = 70K, Rc = 1K Q1 Vcc Rb Rc figura 7 9) Para el circuito de la figura 8, determine el punto de polarización del transistor. Datos: VBEact = VBEsat = 0.7 V, VBEsat = 0.2 V, β = 120 VCC = 12 V, Rb = 680K, Rc = 4.7K Rb Rc Vcc Q1 figura 8 10) Para el circuito de la figura 9, determine el punto de polarización del transistor en los siguientes casos: a. VCC = 10 V, Rb = 250 K, Rc = 4.7 K, Re = 1.2 K, β = 90 b. VCC = 18 V, Rb = 201 K, Rc = 3.3 K, Re = 510 Ω, β = 75 Datos: VBEact = VBEsat = 0.7 V, VBEsat = 0.2 V Rb Rc Vcc Q1 Re figura 9 11) Para el circuito de la figura 10, determine la tensión de colector VC, la tensión de base VB y las corrientes de colector y base, IC e IB. Datos: VBEact = VBEsat = 0.7 V, VBEsat = 0.2 V, β = 45 Rb = 100 K, Rc = 1.2 K Rc Rb -9V figura 10 12) Para el circuito de la figura 11, determine el punto de polarización del transistor. Datos: VBEact = VBEsat = 0.7 V, VBEsat = 0.2 V, β = 90 Rb = 240 K, Rc = 2 K Rb Re - 20 V figura 11 13) Para el circuito de la figura 12, determine el punto de polarización del transistor. Datos: VBEact = VBEsat = 0.7 V, VBEsat = 0.2 V, β = 60 Re = 1.2 K, Rc = 2.4 K Re Rc 4V 10 V figura 12 Resultados: 1) a) b) c) d) e) f) VBE = 0.7 V, VCE = 10 V, IB = 0.1 mA, IC = 10 mA VBE = 0.7 V, VCE = 0.2 V, IB = 1 mA, IC = 19.8 mA VBE = 0.7 V, VCE = 0.2 V, IB = 0.1 mA, IC = 9.8 mA VBE = 0.5 V, VCE = 20 V, IB = 0 mA, IC = 0 mA VBE = 0.7 V, VCE = 27 V, IB = 0.23 mA, IC = 23 mA VBE = 0.7 V, VCE = 0.2 V, IB = 0.23 mA, IC =16.6 mA 2) 0.7 V < Vbb < 1.093 V 3) –10.6 V < Vbb < -9.6 V 4) VBE = 0.7 V, VCE = 6 V, IB = 0.06 mA, IC = 6 mA 5) a) VB = 11.88 V, VC = 0 V b) VB = 11.3 V, VC = 8.6 V 6) VC = -5.7 V 7) VE = -2.12 V 8) VEB = 0.7 V, VEC = 0.2 V, IB = 0.16 mA, IC = 11.8 mA, VC = 11.8 V 9) VBE = 0.7 V, VCE = 6.85 V, IB = 9.05 μA, IC = 1.086 mA 10) a) VBE = 0.7 V, VCE = 3.69 V, IB = 11.91 μA, IC = 1.07 mA b) VBE = 0.7 V, VCE = 7.89 V, IB = 35.5 μA, IC = 2.66 mA 11) VB = -8.3 V, VC = -4.48 V, IB = 83μA, IC = 3.735 mA 12) VBE = 0.7 V, VCE = 11.68 V, IB = 45.73 μA, IC = 4.12 mA 13) VBE = 0.7 V, VCE = 4.1 V, IB = 45.8 μA, IC = 2.75 mA