UNIVERSIDAD NACIONAL DEL NORDESTE FACULTAD DE INGENIERIA - RESISTENCIA CATEDRA DE ELECTRONICA I - 2001 PROFESOR TITULAR: DARIO M. GOUSSAL GUIA DE TRABAJOS PRACTICOS P31-1 TEMA: AMPLIFICADORES Análisis Estático y Dinámico de Etapas Amplificadoras Discretas de EC Bibliografía de Referencia ! ! ! ! Hambley, Allan R., "Electronics," 2a. Ed. Prentice Hall, USA -2000 pp. 248-258 Serda & Smith, "Microelectronic Circuits," 4a. Ed. Oxford University Press, New York, NY, USA 1998 pp. 280-288 Savant, Roden & Carpenter, "Electronic Design," The Benjamin/ Cummings Publishing Company, Inc., Redwood City, CA, USA 1991, pp. 79-89, 213-226. Schilling, D. & Belove, C. "Circuitos Electrónicos: Discretos e Integrados" Ed. Marcombo, Barcelona 1987 Cap. 3-4 pp. 68-129 P1 Dadas las caracterísricas de emisor común del transistor 2SC 587 de la figura, Ib= 20 µA, y Vce = 20V. Encontrar la corriente de colector y la caída de tensión entre base y emisor. P2 El punto Q de operación de un circuito de emisor común con el transistor 2SC 587 es: Icq = 5,6 mA y Vcb = 20 V . Encontrar Ib, Vcb e Ie utilizando las características de emisor común del problema anterior. P3 Para una etapa polarizada en base común se dispone de un transistor 2SC 587, Ic = 5 mA y Vcb = 5 V. Utilizando las curvas de emisor comun del problema 1, determinar: Vce, Ib, Ie y Vbe. P4 Utilizando un transistor de silicio NPN tipo 2SC 587 en una etapa en emisor común, se pide encontrar Ib, Vce, Ie y Vbe. En el circuito RL = 5 KΩ , Vcc = 30 V. y la corriente Ic = 3,7 mA..- P5 En el mismo circuito del problema anterior, Ic = 5 mA, manteniéndose RL y Vcc. Se desea encontrar : 1) la corriente de base necesaria para Ic = 5 mA. 2) la potencia Pc disipada en el circuito de colector 3) el voltaje de CC en la carga RL y la potencia PL disipada en ésta. P6 En el circuito de la figura, se utiliza un 2SC 587 con una tensión de alimentación de 5 V. A la entrada, se inyecta una onda cuadrada de corriente cuyos flancos tienen por límites: Vcc a) 0 y 25 µA b) 0 y 35 µA RL = 1 K Vo ¿ Cuál es la variación en la tensión de salida Vo para el caso a) ?; ¿ Cuál es la variación para el caso b) ? Ib P7 2SC 587 En el circuito amplificador de la figura indicada más abajo, se utiliza un transistor de germanio tipo ASY 29 = 2N 1308 cuyas características de colector también se reproducen. Se supone que Icbo = 3 µA a temperatura ambiente, que Vbe = 0,22 V a 25 ºC. Además, Vbe decrece estimativamente a razón de 2,2 mV/ ºC. a) Trazar la recta de carga de CC determinando aproximadamente IcQ, a posteriori calcular IcQ analíticamente utilizando el valor gráfico aproximado obtenido de la recta de carga; determinar también VceQ analíticamente b) Calcular los factores de estabilidad Si , Sv y Sβ c) Calcular el corrimiento de IcQ si la temperatura ambiente se eleva a 30 ºC, primeramente debida al cambio en Icbo y después debida al cambio en Vbe. UNIVERSIDAD NACIONAL DEL NORDESTE FACULTAD DE INGENIERIA - RESISTENCIA CATEDRA DE ELECTRONICA I - 2001 PROFESOR TITULAR: DARIO M. GOUSSAL GUIA DE TRABAJOS PRACTICOS P31-1 (2) + Vcc = 5 v R1 3650 Rc 100 Cs 2N 1308 Ci Re 50 R2 1380 d) Calcular el corrimiento de IcQ ídem al caso anterior para una tamb = 70 ºC. e) Si hfe se redujera a un 50% de su valor nominal, ¿cúal sería el corrimiento de IcQ debido a este motivo? P8 En el problema anterior analizar el circuito equivalente para señal débil y determinar: Impedancia de entrada (Zi); Impedancia de Salida (Zo) ; Ganancia de Corriente (Ai) y Ganancia de Tensión (Av). Suponer Ci y Cs tendientes a infinito. + Vcc Rc Rf Ci R2 P9 Cs Re Ce En la figura el circuito de polarización incluye una resistencia de realimentación de colector. Evaluar las derivadas parciales de los factores de estabilidad, representando un circuito equivalente que incluya Icbo y a partir de una fórmula de Ic donde se desprecie hoe. Para el caso que hfe >>1, deducir una fórmula aproximada para Si , Sv y Sβ, y para Sα en función de Si. P10 Para el circuito del problema anterior se usa un 2N 1308 con Rc = 100 Ω, Re = 50 Ω, Rf = 3200 Ω , R2 = 2670 Ω, Vcc = 5 V. Calcular : a) VceQ e IcQ igual que en P7 b) Si , Sv Sβ y Sα c) Calcular IcQ a 70 ºC, suponiendo que aumenta 1,5 veces; Icbo va desde 3 µA a 66 µA , y Vbe cambia de 0,22 V hasta 0,12 V. d) Repetir c) usando la fórmula exacta de polarización. P11 En el circuito anterior calcular Zi, Zo, Ai y Av. Representar el circuito equivalente para señal débil. Utilizar en caso conveniente el Teorema de Miller, considerando Ci, Ce y Cs tendientes a infinito.