Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)

PACPerformance-centered
Adaptive
Curriculum
for
Employment
Programa ERASMUS: Acción Multilateral - 517742-LLP-1-2011-1-BG-ERASMUS-ECUE
MASTER DEGREE:
Industrial Systems Engineering
ASIGNATURA ISE3:
Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
MÓDULO 2:
Memorias
TAREA 2-1:
MEMORIAS DIRECCIONABLES ELÉCTRICAMENTE
Needs
Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
Contenido
TAREA 2-1: MEMORIAS DIRECCIONABLES ELÉCTRI-CAMENTE........................... 3
1. INTRODUCCIÓN Y OBJETIVOS (Formato Título 2)........................................... 3
2. CONTENIDO (Formato Título 2) .............................................................................. 3
2.1 APARTADO 1: Funcionamiento de las memorias volátiles
eléctricamente direccionables RAM ......................................................................... 3
2.1.1 SRAM ....................................................................................................................... 4
2.1.2 DRAM ....................................................................................................................... 9
2.1.3 Memoria FRAM ................................................................................................... 12
2.2 APARTADO 2: Funcionamiento de las memorias no volátiles
eléctricamente direccionables ROM ....................................................................... 13
2.2.1 EPROM ................................................................................................................... 14
2.2.2 EEPROM ................................................................................................................ 16
2.2.3 NVRAM Memoria de acceso aleatorio no volátil .................................... 17
2.2.4 Memoria Flash .................................................................................................... 18
2.3 APARTADO 3: Funcionamiento de los discos de memoria .................... 19
2.3.1 Disco Duro ........................................................................................................... 19
2.3.2 Discos ópticos .................................................................................................... 23
3. CONCLUSIONES ........................................................................................................... 26
4. BIBLIOGRAFÍA Y/O REFERENCIAS ....................................................................... 26
Índice de figuras
Figura 1. Diagrama de bloques lógicos de una SRAM típica. ........................................................ 5
Figura 2. SRAM de 6 transistores. ................................................................................................. 6
Figura 3. Estructura de una celda DRAM de un transistor. ......................................................... 10
Figura 4. Celda DRAM de 3 transistores...................................................................................... 11
Figura 5. Chip de una memoria EPROM, dónde se aprecia la ventana para el borrado. ............ 15
Figura 6. Diferentes muestras de memorias EEPROM. ............................................................... 17
Figura 7. Diferentes formatos de memorias FLASH. ................................................................... 19
Figura 8. Partes de un Disco Duro. .............................................................................................. 21
Figura 9. Partes de un lector de CD. ............................................................................................ 24
Figura 10. Diferencia de dimensiones entre CD y DVD. ............................................................. 24
Figura 12. Estructura de un disco holográfico versátil ................................................................ 25
MEMORIAS DIRECCIONABLES ELÉCTRICAMENTE
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Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
TAREA 2-1: MEMORIAS DIRECCIONABLES ELÉCTRICAMENTE
1. INTRODUCCIÓN Y OBJETIVOS (Formato Título 2)
Las
modernos,
memorias
ya
que
son
un
otorgan
elemento
importantísimo
funcionalidad
a
una
en
los
cantidad
tiempos
enorme
de
aplicaciones, permitiéndoles mantener información sin perderla. El punto más
significativo de utilización de las memorias es en el mundo de la informática y
particularmente en los ordenadores. Existen multitud de tipos distintos de
memorias en el mercado, y nosotros nos centraremos en los subtipos más
comunes
en
la
actualidad.
Éstas
son
las
memorias
direccionables
eléctricamente.
El objetivo de este proyecto es el de explicar cómo funcionan los
diferentes
tipos
de
memorias
direccionables
eléctricamente,
para
ello
profundizaremos en los diferentes tipos existentes de memorias. Los tipos
principales
de
memorias
direccionables
eléctricamente
que
existen
son
básicamente tres: memorias RAM, ROM y los discos de memoria.
Para empezar atenderemos a los principales rasgos característicos y al
funcionamiento general de las memorias RAM, y nos detendremos en los
diferentes subtipos de este tipo de memoria que existen.
En segundo lugar exploraremos las memorias de solo lectura ROM y sus
principales subtipos.
Finalizaremos adentrándonos en los diferentes tipos de discos de
memoria que existen, los discos duros, y los discos ópticos.
2. CONTENIDO (Formato Título 2)
2.1 APARTADO 1: Funcionamiento
eléctricamente direccionables RAM
de
las
memorias
volátiles
Las memorias de acceso aleatorio (en inglés: random acces memory) se
utilizan como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y
la mayoría del software, lo que las convierte en un tipo de memorias
altamente importantes. Es allí donde se cargan todas las instrucciones que
ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. Se denominan “de
acceso aleatorio” porque se puede leer o escribir en una posición de memoria
con un tiempo de espera igual para cualquier posición, no siendo necesario
seguir un orden para acceder a la información de la manera más rápida
posible. Durante el encendido del computador, la rutina POST verifica que los
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módulos de memoria RAM estén conectados de manera correcta. En el caso
que no existan o no se detecten los módulos, la mayoría de tarjetas madres
emiten una serie de pitidos que indican la ausencia de memoria principal.
Terminado ese proceso, la memoria BIOS puede realizar un test básico sobre
la memoria RAM indicando fallos mayores en la misma.
Una particularidad de las memorias RAM es que son de contenidos
volátiles, esto quiere decir que al desconectarlas de la fuente de energía, todo
el contenido que figuraba en ellas se pierde.
Existen multitud de tipos de memorias RAM, nosotros nos detendremos
en tres tipos distintos: DRAM, SRAM y FRAM.
2.1.1 SRAM
Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Estática de Acceso
Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores capaz de
mantener datos sin necesidad de utilizar un circuito de refresco, como es el
caso de las memorias DRAM que estudiaremos más adelante. Sin embargo
este tipo de memorias, como todas las memorias RAM, pierde la información
una vez se interrumpe la alimentación eléctrica, al ser memorias volátiles.
Las memorias SRAM son de acceso aleatorio, lo que significa que las
posiciones en la memoria pueden ser escritas o leídas en cualquier orden,
independientemente de cual fuera la última posición de memoria accedida.
Este tipo de memorias no deben ser confundidas con las SDRAM
(Syncronous DRAM).
2.1.1.1 Diseño
Estas memorias basan su diseño en la utilización de un biestable (flipflop) conectado a la circuitería interna por dos transistores de acceso. Cuando
no
se
accede
manteniendo
el
a
la
dato
celda,
los
capturado
dos
en
el
transistores
flip-flop
de
permanecen
una
forma
cerrados,
estable,
permitiendo así el almacenamiento de datos y por lo tanto, a diferencia de las
memorias RAM dinámicas, no existe la necesidad de actualizar periódicamente
el contenido de la memoria.
Las celdas de memoria varían su configuración dependiendo del método
de construcción utilizado y del número de transistores que se han empleado
para realizar el biestable, a continuación detallamos los tipos de celdas SRAM
que existen en el mercado.
MEMORIAS DIRECCIONABLES ELÉCTRICAMENTE
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Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
Figura 1. Diagrama de bloques lógicos de una SRAM típica.
Celda de memoria
Los diferentes tipos de celdas SRAM se basan en el tipo de carga
utilizada en el convertidor elemental de la celda flip-flop. Actualmente, existen
tres tipos de celdas de memoria SRAM:
-
La celda 4T (cuatro transistores NMOS y dos resistencias de carga).
Este tipo es el más común de celdas SRAM se compone de cuatro
transistores NMOS y de dos resistencias de carga. Este diseño recibe el
nombre celda SRAM 4T. Dos de los transistores NMOS actúan de
transistores de paso. Los otros dos actúan de pull-downs de los
inversores flip-flop. Las cargas de los inversores consisten en una gran
resistencia de polisilicio. Las celdas 4t poseen varias limitaciones. Éstas
incluyen el hecho de que cada una de ellas posee una corriente
fluyendo
en una
resistencia
(por
ejemplo,
las
SRAM poseen una
corriente en reposo muy elevada), la celda es sensible al ruido y a los
errores débiles debido a la posesión de una resistencia tan alta, y
además estas celdas no son tan rápidas como las 6T.
-
La
celda
6T (seis
transistores:
cuatro
transistores
NMOS
y
dos
transistores PMOS). Éste es un diseño de celda diferente que elimina las
limitaciones anteriores es el uso de un flip-flop CMOS. En este caso, la
carga
se
sustituye
por
un
transistor
PMOS. Esta
celda
SRAM
se
compone de seis transistores, un transistor NMOS y PMOS un transistor
por cada inversor, además de dos NMOS transistores conectados a la
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línea de fila. Esta configuración se denomina una celda 6T. Esta celda
ofrece mejores prestaciones eléctricas (velocidad, inmunidad al ruido,
corriente en reposo) que una estructura de 4T.
La principal desventaja de esta celda es su gran tamaño.
La celda TFT (cuatro transistores NMOS y dos cargas de llamadas TFT).
-
Los fabricantes han tratado de reducir la corriente que fluye en la
resistencia de carga de una celda 4T. Como resultado, los diseñadores
han
desarrollado
una
estructura
para
cambiar,
durante
el
funcionamiento, las características eléctricas de la resistencia de carga
mediante el control del canal de un transistor. Esta resistencia está
configurada como un transistor PMOS y recibe el nombre de transistor
de película fina (TFT). Se forma mediante la deposición de varias capas
de polisilicio por encima de una superficie de silicio. La estructura
fuente/canal/drenaje se forma en la carga de polisilicio.
Un menor número de transistores por celda, hará posible reducir el
tamaño de esta, reduciendo el coste por bit en la fabricación, al poder
implementar más celdas en una misma oblea de silicio.
Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero
en los casos de tres transistores o uno solo se estaría hablando de memoria
DRAM, no SRAM.
2.1.1.2 Funcionamiento SRAM
El acceso a la
celda
es
por
un
control
controlado
bus
(WL
de
en
la
figura), que controla
los
dos
transistores
de acceso M5 y
M6,
quienes controlan si
la
celda
conectada
debe
ser
a
los
buses BLy BL. Ambos
son
utilizados
para
transmitir datos tanto
para las operaciones Figura 2. SRAM de 6 transistores.
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Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
de lectura como las de escritura, y aunque no es estrictamente necesario
disponer de ambos buses, se suelen implementar para mejorar los márgenes
de ruido.
A diferencia de la DRAM, en la cual la señal de la línea de salida se
conecta a un capacitador, y este es el que hace oscilar la señal durante las
operaciones de lectura, en las celdas SRAM son los propios biestables los que
hacen oscilar dicha señal, mientras que la estructura simétrica permite detectar
pequeñas variaciones de voltaje con mayor precisión. Otra ventaja de las
memorias SRAM frente a DRAM, es que aceptan recibir todos los bits de
dirección al mismo tiempo.
El tamaño de una memoria SRAM con m líneas de dirección, y n líneas
de datos es 2m palabras, o 2m × n bits.
Modos de operación de una SRAM
Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operación: standby,
en el cual el circuito está en reposo, reading o en fase de lectura, durante el
cual los datos son leídos desde la memoria, y writing o en fase de escritura,
durante el cual se actualizan los datos almacenados en la memoria.
Reposo
Si
el
bus
de
control
(WL)
no
está
activado,
los
transistores
de acceso M5 y M6 desconectan la celda de los buses de datos. Los dos
biestables formados por M1 – M4 mantendrán los datos almacenados, en
tanto dure la alimentación eléctrica.
Lectura
Se asume que el contenido de la memoria es 1, y está almacenado en
Q. El ciclo de lectura comienza cargando los buses de datos con el 1 lógico,
y luego activa WL y los transistores de control. A continuación, los valores
almacenados en Q y Q se transfieren a los buses de datos, dejando BL en su
valor previo, y ajustando BL a través de M1 y M5 al 0 lógico. En el caso que
el
dato
contenido
en
la
memoria
fuera 0,
se
produce
el
efecto
contrario: BL será ajustado a 1 y BL a 0.
Escritura
El ciclo de escritura se inicia aplicando el valor a escribir en el bus de
datos. Si se trata de escribir un 0, se ajusta BL a 1 y BL a 0, mientras que
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para un 1, basta con invertir los valores de los buses. Una vez hecho esto, se
activa el bus WL, y el dato queda almacenado.
2.1.1.3 Características
La memoria SRAM es más cara, pero más rápida y con un menor
consumo (especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por
tanto, cuando es necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un
consumo reducido, o ambos. Debido a su compleja estructura interna, es
menos densa que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es necesaria
una alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal de
los computadores personales.
Frecuencia de reloj y potencia
El consumo eléctrico de una SRAM varía dependiendo de la frecuencia
con la cual se accede a la misma: puede llegar a tener un consumo similar a
la
DRAM
cuando
es
usada
en
alta
frecuencia,
y
algunos circuitos
integrados pueden consumir varios vatios durante su funcionamiento. Por otra
parte, las SRAM utilizadas con frecuencia baja, tienen un consumo bastante
menor, del orden de micro-vatios.
2.1.1.4 Tipos de SRAM
SRAM no volátiles
Las memorias SRAM no volátiles (NVRAM) presentan el funcionamiento
típico de las RAM, pero con la característica distintiva de que los datos
almacenados
en
ellas
son
preservados
aun
cuando
se
interrumpe
la
alimentación eléctrica. Se utilizan en situaciones donde se requiere conservar
la información almacenada sin necesidad de alimentación alguna, normalmente
donde se desea evitar el uso de baterías (o bien no es posible).6
SRAM asíncrona
Las SRAM asíncronas están disponibles en tamaños desde 4Kb hasta
32Mb.7 Con un tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el uso en
equipos de comunicaciones, como switches, routers, teléfonos IP, tarjetas
DSLAM, y en electrónica de automoción.
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Por tipo de transistor
-
Transistor Bipolar de Unión o BJT (de tipo TTL o ECL) — muy rápidos,
pero con un consumo muy alto.
-
MOSFET (de
tipo CMOS)
—
consumo
reducido,
los
más
utilizados
actualmente.
Por función
-
Asíncronas — independientes de la frecuencia de reloj.
-
Síncronas — todas las operaciones son controladas por el reloj del
sistema.
2.1.2 DRAM
DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de tecnología de
memoria RAM. La memoria dinámica de acceso aleatorio se usa principalmente
en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria
principal del
sistema.
Se
denomina
dinámica,
ya
que
para
mantener
almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto
período, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de
construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía
funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con
millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bits
por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación
eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los
sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.
2.1.2.1 Diseño
El diagrama de bloques de las memorias de acceso aleatorio dinámicas
no difiere del de las memorias estáticas. Como ya se mencionó, la principal
diferencia consiste en el tipo de celda de memorización. En el inicio de su
desarrollo, las DRAM empleaban 4 transistores, y celdas de memorización de 3
transistores.
Con el aumento de la capacidad de las memorias se impuso el uso de
la celda de memorización de un transistor. Para la formación de celdas de
memorización, se emplea normalmente un transistor de canal N, aunque en
ocasiones se pueden utilizar transistores de canal P.
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Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
Cada celda DRAM de un bit utiliza un condensador MOS para el
almacenado de datos. Debido a que los condensadores tienen pérdidas, se
necesita refrescar el contenido de
la memoria periódicamente (por lo
general una vez en T = 0,5 ÷ 2
ms).
La
figura 3
muestra
el
corte transversal de una celda de
un transistor plano con polisilicio
doble, en el papel de estructura
capacitiva, formado a partir de un
bus
de
poli-silicio,
aislado
del
sustrato por una delgada capa de
óxido de silicio.
Figura 3. Estructura de una celda DRAM de un transistor.
Para esta celda es característico tener un bajo valor de capacidad, lo
que la convierte en inadmisible para una grande DRAM. Las celdas de
memorización tridimensionales son típicas para ello (Ejemplos de tales celdas
son la celda ce capacitancias apiladas y las celdas de capacitancia de foso.
Observaciones celda DRAM
-
1T DRAM requiere un amplificador de detección para cada línea de bits,
debido a la redistribución de carga en la lectura/salida.
-
Las celdas de memoria DRAM tienen configuración single-ended en
contraste con las celdas de SRAM.
-
La lectura/salida de la celda DRAM 1T es destructiva; las operaciones
de lectura y refresco son necesarias para el funcionamiento correcto.
-
A diferencia de la celda 3T, la celda 1T requiere de la presencia de
una capacidad adicional que debe ser explícitamente incluida en el
diseño.
-
Al escribir un “1” en una celda DRAM, se pierde una tensión de
umbral. Esta pérdida de carga puede eludirse aplicando bootstrapping a
las líneas de información hacia un valor mayor que Vdd.
2.1.2.2 Funcionamiento
Escritura
La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz
de almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construcción de la celda
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Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna,
consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador. El principio
de
funcionamiento
básico,
es
sencillo:
una
carga
se
almacena
en
el
condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como
un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo
puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias
anteriores a la época de los semiconductores, se basaban en arreglos de
celdas transistor-condensador.
Figura 4. Celda DRAM de 3 transistores.
Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma
de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las
filas y las columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de
celdas y se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando áreas
que son visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4
celdas, en el cual las líneas horizontales conectadas a las compuertas de los
transistores son las llamadas filas y las líneas verticales conectadas a los
canales de los FET son las columnas.
Para acceder a una posición de memoria se necesita una dirección de
4 bits, pero en las DRAM las direcciones están multiplexadas en tiempo, es
decir se envían por mitades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus
de direcciones y por el mismo entra la dirección de la fila y después la de la
columna.
Las
direcciones
se
diferencian
por
medio
de
señales
de
sincronización llamadas RAS (del inglés Row Address Strobe) y CAS (Column
Address Strobe) que indican la entrada de cada parte de la dirección.
Los pasos principales para una lectura son:
-
Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje
de 1 lógico. Esto es posible ya que las líneas se comportan como
grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor más alto que
la de los condensadores en las celdas.
-
Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe
la dirección y la señal de RAS. Esto hace que los transistores
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conectados a una fila conduzcan y permitiendo la conexión eléctrica
entre las líneas de columna y una fila de condensadores. El efecto es
el mismo que se produce al conectar dos condensadores, uno cargado
y otro de carga desconocida: se produce un balance de que deja a los
dos con un voltaje muy similar, compartiendo las cargas. El resultado
final depende del valor de carga en el condensador de la celda
conectada a cada columna. El cambio es pequeño, ya que la línea de
columna es un condensador más grande que el de la celda.
-
El cambio es medido y amplificado por una sección que contiene
circuitos de realimentación positiva: si el valor a medir es menor que la
mitad del voltaje de 1 lógico, la salida será un 0, si es mayor, la salida
se regenera a un 1. Funciona como un redondeo.
-
La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que
al llegar la segunda parte de la dirección, se decide cual es la celda
deseada. Esto sucede con la señal CAS. El dato es entregado al bus de
datos por medio de la lineo D.O. y las celdas involucradas en el
proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM es destructiva.
La escritura en una posición de memoria tiene un proceso similar al de
arriba, pero en lugar de leer el valor, la línea de columna es llevada a un
valor indicado por la línea D.I. y el condensador es cargado o descargado. El
flujo del dato es mostrado con una línea gruesa en el gráfico.
2.1.3 Memoria FRAM
La RAM
ferroeléctrica (FeRAM, F-RAM o FRAM)
es
una
memoria
de
estado sólido, similar a la memoria RAM, pero que tiene un funcionamiento
más parecido a las antiguas memorias de ferrita.
Esta memoria, en lugar de preservar la carga de un condensador
microscópico, contiene dentro moléculas que preservan la información por
medio de un efecto ferroeléctrico.
El condensador utilizado en la celda está constituido por un dieléctrico
de material dipolar, como el cristal Perovskita. Al aplicar un campo eléctrico a
este tipo de materiales se produce una polarización, quedando en este estado
incluso al eliminar el campo eléctrico. La forma de despolarizar el dieléctrico
es aplicándole un campo eléctrico en la dirección opuesta.
La celda FRAM moderna se compone de un único transistor y de un
solo condensador siendo muy parecida a una celda DRAM. Durante el proceso
de lectura se le aplica un campo eléctrico al condensador y la corriente que
circula a través de la celda es percibida por un amplificador de lectura. La
información en la celda tiene que ser reescrita después de cada lectura.
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Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
Debido a la alta constante dieléctrica del aislante utilizado, la densidad de
carga en una celda FRAM es mucho mayor que la que existe en una DRAM, lo
que permite diseñar celdas con menor superficie. El número de ciclos de
escritura/lectura de las FRAM es de 1010 a 1012.
Características
-
Tiempo
de
acceso
corto:
debido
a
su
funcionamiento,
tienen
velocidades (del orden de la centena de nanosegundos) que las
habilitan para trabajar como memoria principal con la mayoría de
los microprocesadores.
-
Lectura destructiva: como todas las memorias ferroeléctricas, la lectura
es destructiva. Esto no representa un problema, ya que el chip se
encarga de reescribir los datos luego de una lectura.
-
No volátiles: su funcionamiento hace prescindibles los refrescos y la
alimentación para la retención de datos.
-
Encapsulados: se consiguen hoy en día tanto en variedades para
trabajo en paralelo (para conectar a un bus de datos) como en serie
(como memoria de apoyo).
2.2 APARTADO 2: Funcionamiento de las memorias no volátiles
eléctricamente direccionables ROM
Las memorias de solo lectura ROM (read only memories en inglés) son
uno de los principales tipos de memoria que se utilizan en los ordenadores.
Este tipo de memorias normalmente son de solo lectura, en contraste con las
memorias RAM que pueden ser de lectura o de escritura. Hay dos razones
principales por las que las memorias de solo lectura son utilizadas: debido a
la permanencia de datos y por su seguridad.
Los valores almacenados en una ROM siempre permanecen ahí, esté o
no el equipo encendido, y una vez gravada información en una memoria ROM
no puede ser fácilmente modificada proporcionando una medida de seguridad
contra los cambios accidentales (o maliciosos) de su contenido.
Uso para almacenamiento de software
Los ordenadores domésticos a comienzos de los años 1980 venían con
todo su sistema operativo en ROM. No había otra alternativa razonable ya que
las unidades de disco eran generalmente opcionales. La actualización a una
nueva versión significa usar un soldador o un grupo de interruptores DIP y
reemplazar el viejo chip de ROM por uno nuevo. Actualmente los sistemas
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Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
operativos en general ya no se instalan en ROM. Todavía los ordenadores
pueden dejar algunos de sus programas en memoria ROM, pero incluso en
este caso, es más frecuente que vaya en memoria flash. Los teléfonos móviles
y los asistentes personales digitales (PDA) suelen tener programas en memoria
ROM (o por lo menos en memoria flash).
Uso para almacenamiento de datos
Como la ROM no puede ser modificada (al menos en la antigua versión
de máscara), solo resulta apropiada para almacenar datos que no necesiten
ser modificados durante la vida de este dispositivo. Con este fin, la ROM se
ha
utilizado
en
muchos
ordenadores
para
guardar tablas
de
consulta,
utilizadas para la evaluación de funciones matemáticas y lógicas. Esto era
especialmente eficiente cuando la unidad central de procesamiento era lenta y
la ROM era barata en comparación con la RAM. De hecho, una razón de que
todavía se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad, ya
que los discos siguen siendo más lentos. Y lo que es aún más importante, no
se puede leer un programa que es necesario para ejecutar un disco desde el
propio disco. Por lo tanto, la BIOS, o el sistema de arranque oportuno del PC
normalmente se encuentran en una memoria ROM.
No obstante, el uso de la ROM para almacenar grandes cantidades de
datos ha ido desapareciendo casi completamente en los ordenadores de
propósito general, mientras que la memoria Flash ha ido ocupando este
puesto.
2.2.1 EPROM
EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory
(ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil
inventado
por
el
ingeniero Dov
Frohman.
Está
formada
por
celdas
de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o
"transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin
carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee
como FF en todas sus celdas).
Características
Las memorias EPROM se programan mediante un dispositivo electrónico
que
proporciona voltajes superiores
a
los
normalmente
utilizados
en
los
circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un
0.
MEMORIAS DIRECCIONABLES ELÉCTRICAMENTE
14
Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
Una vez programada, una
EPROM
se
puede
borrar
solamente mediante exposición
a
una
Esto
fuerte
es
luz ultravioleta.
debido
a
que
los fotones de la luz excitan a
los electrones de
las
celdas
provocando que se descarguen.
Las
EPROM
fácilmente
se
por
reconocen
una
ventana
transparente en la parte alta del
encapsulado,
cual
se
a
puede
través
ver
de
el
la
chip
de silicio y que admite la luz Figura 5. Chip de una memoria EPROM, dónde se aprecia
la ventana para el borrado.
ultravioleta durante el borrado.
Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los
chips OTP (One-Time Programmable, programables una sola vez). La única
diferencia con la EPROM es la ausencia de la ventana de cuarzo, por lo que
no puede ser borrada. Las versiones OTP se fabrican para sustituir tanto a las
EPROM normales como a las EPROM incluidas en algunos microcontroladores.
Estas últimas se fueron sustituyendo progresivamente por memorias (para
fabricación de pequeñas cantidades donde el coste no es lo importante) y
por memorias flash (en las de mayor utilización).
Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte años, y
se puede leer un número ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental
por la luz del sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta. Las
antiguas BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente EPROM y la
ventana de borrado estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que
contenía el nombre del productor de la BIOS, su revisión y una advertencia de
copyright.
Borrado de un EPROM
Una memoria EPROM puede ser borrada con una lámpara de luz UV,
del tipo UV-C, que emita radiación en torno a los 2537 Å (Angstrom) o
254nm, a una distancia de unos 2,5 cm de la memoria. La radiación alcanza
las celdas de la memoria a través de una ventanilla de cuarzo transparente
situada en la parte superior de la misma.
Para borrar una EPROM se necesita que la cantidad de radiación
recibida por la misma se encuentre en torno a los 15 W/cm^2 durante un
MEMORIAS DIRECCIONABLES ELÉCTRICAMENTE
15
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segundo. El tiempo de borrado real suele ser de unos 20 minutos debido a
que las lámparas utilizadas suelen tener potencias en torno a los 12 mW/cm²
(12 mW x 20 x 60 s = 14.4 W de potencia suministrada). Este tiempo también
depende del fabricante de la memoria que se desee borrar. En este tiempo
todos sus bits se ponen a 1.
Es importante evitar la sobreexposición del tiempo de radiación a las
EPROM; es decir, la potencia luminosa suministrada a la memoria, pues se
produce un envejecimiento prematuro de las mismas.
Debido a que la radiación solar e incluso la luz artificial proveniente de
tubos fluorescentes borran la memoria lentamente (de una semana a varios
meses), es necesario tapar dicha ventanilla con una etiqueta opaca que lo
evite, una vez que son grabadas.
Se debe aclarar que una EPROM no puede ser borrada parcial o
selectivamente;
de
ahí
que
por
muy
pequeña
que
fuese
la
eventual
modificación a realizar en su contenido, inevitablemente se deberá borrar y
reprogramar en su totalidad.
2.2.2 EEPROM
EEPROM o E²PROM son las siglas de Electrically Erasable Programmable
Read-Only Memory (ROM programable y borrada eléctricamente). Es un tipo de
memoria ROM que
puede
ser
programada,
borrada
y
reprogramada
eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un
aparato que emite rayos ultravioleta. Son memorias no volátiles.
Las
celdas
de
memoria
de
una
EEPROM
están
constituidas
por
un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su
estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces,
solo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.
Estos
dispositivos
suelen
comunicarse
mediante
protocolos
como I²C, SPI y Microwire. En otras ocasiones, se integra dentro de chips
como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez.
MEMORIAS DIRECCIONABLES ELÉCTRICAMENTE
16
Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
Figura 6. Diferentes muestras de memorias EEPROM.
2.2.3 NVRAM Memoria de acceso aleatorio no volátil
La memoria de acceso aleatorio no volátil, referida a veces por
sus siglas en inglés NVRAM (Non-volatile random access memory) es un tipo
de memoria de acceso aleatorio que, como su nombre indica, no pierde la
información almacenada al cortar la alimentación eléctrica.
En los routers se utiliza para almacenar un archivo de configuración de
respaldo/inicio.
Hoy día, la mayoría de memorias NVRAM son memorias flash ya que
son muy usadas para teléfonos móviles y reproductores portátiles de audio.
La
necesidad
la alimentación,
de
motivó
mantener
el
de memorias ROM reprogramables:
los
datos,
surgimiento
incluso
de
eléctricamente
cuando
diversos
alterables
cesa
tipos
- EAROM,
eléctricamente borrables - EEPROM, programables y borrables - PEROM y flash
EEPROM. Cada nuevo tipo mejora la facilidad de grabación y duración de
los datos, pero distan de poder utilizarse como memoria RAM.
Para obtener una memoria de escritura rápida y de un número ilimitado
de ciclos de escritura existen dos estrategias diferentes:
Memoria NVRAM de Dallas Semiconductor.
La primera, propuesta por Dallas Semiconductor, consiste en un circuito
híbrido que integra una RAM C-MOS de bajo consumo, una pila de litio y un
controlador, que consiste en un monitor de tensión y la lógica necesaria para
MEMORIAS DIRECCIONABLES ELÉCTRICAMENTE
17
Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
inhibir la escritura y mantener los buses en alta impedancia cuando la tensión
está fuera de especificaciones. Esta solución aprovecha las ventajas de
las CMOS-RAM: velocidad y bajo consumo, y la larga duración de las pilas de
litio (unos diez años). Otros modelos incluyen reloj en tiempo real y otras
prestaciones.
La
segunda
estrategia
consiste
en
superponer
una
RAM
a
una
EEPROM, bit a bit. En funcionamiento normal los datos se escriben y leen de
la RAM, pero ante un pulso de "retención", el contenido de la RAM pasa a la
EEPROM
en
paralelo.
Estas
EEPROM
pueden
mantener
los
datos
sin
alimentación más de 10 años, superando la vida de pila de litio. El pulso de
retención lo puede generar tanto un monitor de tensión interno como una
señal generada externamente. Estas memorias necesitan que la alimentación se
extinga lo suficientemente despacio como para permitir que se complete
la grabación de
los
datos.
En
la
práctica,
los condensadores de
la
alimentación son suficientes. Cuando la alimentación vuelve a su valor nominal,
los datos pasan de la EEPROM a la RAM.
2.2.4 Memoria Flash
La memoria flash —derivada de la memoria EEPROM— permite la lectura
y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias
a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite
velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM
primigenia, que solo permitía actuar sobre una única celda de memoria en
cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los
dispositivos denominados pendrive.
En las memorias flash toda la memoria o sectores individuales pueden
ser eliminados simultáneamente. Dos tipos diferentes de memorias flash
pueden distinguir: con estructura EPROM o con EEPROM. En el primer tipo el
proceso de escritura se lleva a cabo mediante el efecto de electrones
calientes, y el borrado se lleva a cabo mediante túnel FN. En las memorias
flash EEPROM los procesos de escritura y borrado se logran por el mecanismo
de túnel FN. La diferencia entre la creación de memorias EEPROM estándar y
memorias flash
radica en la arquitectura y en la estructura de la celda de
memorización. Los productores de memorias flash garantizan más de 104
ciclos de escritura/borrado.
MEMORIAS DIRECCIONABLES ELÉCTRICAMENTE
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Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
Figura 7. Diferentes formatos de memorias FLASH.
El incremento de la densidad de información contenido en las memorias
flash se obtiene reduciendo las normas topológicas además de con el uso de
la tecnología STI. Otra aproximación sería el uso de celdas multinivel (MLC). En
este tipo de celda la reducción topológica se logra mediante diferentes
cantidades de cargas en la puerta flotante para cada una de las cuatro
posibles combinaciones de dos bits que pueden ser presentadas.
2.3 APARTADO 3: Funcionamiento de los discos de memoria
2.3.1 Disco Duro
En informática, un disco duro o disco rígido (en inglés Hard Disk Drive,
HDD) es un dispositivo de almacenamiento de datos no volátil que emplea un
sistema de grabación magnética para almacenar datos digitales. Se compone
de uno o más platos o discos rígidos, unidos por un mismo eje que gira a
gran velocidad dentro de una caja metálica sellada. Sobre cada plato, y en
cada una de sus caras, se sitúa un cabezal de lectura/escritura que flota
sobre una delgada lámina de aire generada por la rotación de los discos.
El primer disco duro fue inventado por IBM en 1956. A lo largo de los
años, los discos duros han disminuido su precio al mismo tiempo que han
multiplicado su capacidad, siendo la principal opción de almacenamiento
secundario para PC desde su aparición en los años 1960.1 Los discos duros
han mantenido su posición dominante gracias a los constantes incrementos en
la densidad de grabación, que se ha mantenido a la par de las necesidades
de almacenamiento secundario.
MEMORIAS DIRECCIONABLES ELÉCTRICAMENTE
19
Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
Los tamaños también han variado mucho, desde los primeros discos
IBM hasta
los
formatos
estandarizados
actualmente:
3,5 " los
modelos
para PC y servidores, 2,5 " los modelos para dispositivos portátiles. Todos se
comunican con la computadora a través del controlador de disco, empleando
una interfaz estandarizada. Los más comunes hasta los años 2000 han
sido IDE (también
llamado
ATA
o
PATA), SCSI (generalmente
usado
en servidores y estaciones de trabajo). Desde el 2000 en adelante ha ido
masificándose
el
uso
de
los Serial
ATA.
Existe
además FC (empleado
exclusivamente en servidores).
Para poder utilizar un disco duro, un sistema operativo debe aplicar
un formato de bajo nivel que defina una o más particiones. La operación de
formateo requiere el uso de una fracción del espacio disponible en el disco,
que dependerá del formato empleado. Además, los fabricantes de discos
duros, unidades de estado sólido y tarjetas flash miden la capacidad de los
mismos usando prefijos SI, que emplean múltiplos de potencias de 1000 según
la normativa IEC y IEEE, en lugar de los prefijos binarios, que emplean
múltiplos de potencias de 1024, y son los usados por sistemas operativos de
Microsoft. Esto provoca que en algunos sistemas operativos sea representado
como múltiplos 1024 o como 1000, y por tanto existan confusiones, por
ejemplo un disco duro de 500 GB, en algunos sistemas operativos sea
representado como 465 GiB (es decir gibibytes; 1 GiB = 1024 MiB) y en otros
como 500 GB.
2.3.1.1 Características de un disco duro
Las características que se deben tener en cuenta en un disco duro son:
-
Tiempo medio de acceso: Tiempo medio que tarda la aguja en situarse
en la pista y el sector deseado; es la suma del Tiempo medio de
búsqueda (situarse
en
la
pista), Tiempo
de
lectura/escritura y
la Latencia media (situarse en el sector).
-
Tiempo medio de búsqueda: Tiempo medio que tarda la aguja en
situarse en la pista deseada; es la mitad del tiempo empleado por la
aguja en ir desde la pista más periférica hasta la más central del disco.
-
Tiempo de lectura/escritura: Tiempo medio que tarda el disco en leer o
escribir nueva información: Depende de la cantidad de información que
se quiere leer o escribir, el tamaño de bloque, el número de cabezales,
el tiempo por vuelta y la cantidad de sectores por pista.
-
Latencia media: Tiempo medio que tarda la aguja en situarse en el
sector deseado; es la mitad del tiempo empleado en una rotación
completa del disco.
MEMORIAS DIRECCIONABLES ELÉCTRICAMENTE
20
Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
-
Velocidad de rotación: Revoluciones por minuto de los platos. A mayor
velocidad de rotación, menor latencia media.
-
Tasa
de
transferencia:
Velocidad
a
la
que
puede
transferir
la
información a la computadora una vez que la aguja está situada en la
pista y sector correctos. Puede ser velocidad sostenida o de pico.
Otras características son:
-
Caché de pista: Es una memoria tipo Flash dentro del disco duro.
-
Interfaz: Medio de comunicación entre el disco duro y la computadora.
Puede ser IDE/ATA, SCSI, SATA, USB, Firewire, Serial Attached SCSI.
-
Landz: Zona sobre las que aparcan las cabezas una vez se apaga
la computadora.
Estructura física
Dentro de un disco duro hay uno o varios discos (de aluminio o
cristal) concéntricos llamados platos (normalmente entre 2 y 4, aunque pueden
ser hasta 6 ó 7 según el modelo), y que giran todos a la vez sobre el mismo
eje, al que están unidos. El cabezal (dispositivo de lectura y escritura) está
Figura 8. Partes de un Disco Duro.
formado
por
un
conjunto
de
brazos
paralelos
a
los
platos,
alineados
verticalmente y que también se desplazan de forma simultánea, en cuya punta
están las cabezas de lectura/escritura. Por norma general hay una cabeza de
lectura/escritura para cada superficie de cada plato. Los cabezales pueden
MEMORIAS DIRECCIONABLES ELÉCTRICAMENTE
21
Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
moverse hacia el interior o el exterior de los platos, lo cual combinado con la
rotación de los mismos permite que los cabezales puedan alcanzar cualquier
posición de la superficie de los platos.
Cada
plato
posee
dos ojos,
y
es
necesaria
una
cabeza
de
lectura/escritura para cada cara. Si se observa el esquema Cilindro-CabezaSector de más abajo, a primera vista se ven 4 brazos, uno para cada plato.
En realidad, cada uno de los brazos es doble, y contiene 2 cabezas: una para
leer la cara superior del plato, y otra para leer la cara inferior. Por tanto, hay
8 cabezas para leer 4 platos, aunque por cuestiones comerciales, no siempre
se usan todas las caras de los discos y existen discos duros con un número
impar
de
cabezas,
o
con
cabezas
deshabilitadas.
Las
cabezas
de
lectura/escritura nunca tocan el disco, sino que pasan muy cerca (hasta a
3 nanómetros), debido a una finísima película de aire que se forma entre
éstas y los platos cuando éstos giran (algunos discos incluyen un sistema que
impide que los cabezales pasen por encima de los platos hasta que alcancen
una velocidad de giro que garantice la formación de esta película). Si alguna
de las cabezas llega a tocar una superficie de un plato, causaría muchos
daños en él, rayándolo gravemente, debido a lo rápido que giran los platos
(uno de 7.200 revoluciones por minuto se mueve a 129 km/h en el borde de
un disco de 3,5 pulgadas).
Direccionamiento
Hay varios conceptos para referirse a zonas del disco:
-
Plato: cada uno de los discos que hay dentro del disco duro.
-
Cara: cada uno de los dos lados de un plato.
-
Cabeza: número de cabezales.
-
Pistas: una circunferencia dentro de una cara; la pista 0 está en el
borde exterior.
-
Cilindro: conjunto de varias pistas; son todas las circunferencias que
están alineadas verticalmente (una de cada cara).
-
Sector : cada una de las divisiones de una pista. El tamaño del sector
no es fijo, siendo el estándar actual 512 bytes, aunque la IDEMA ha
creado un comité que impulsa llevarlo a 4 KiB. Antiguamente el número
de sectores por pista era fijo, lo cual desaprovechaba el espacio
significativamente, ya que en las pistas exteriores pueden almacenarse
más
sectores
que
en
las
interiores.
Así,
apareció
la
tecnología ZBR(grabación de bits por zonas) que aumenta el número de
sectores en las pistas exteriores, y utiliza más eficientemente el disco
duro. Así las pistas se agrupan en zonas de pistas de igual cantidad de
MEMORIAS DIRECCIONABLES ELÉCTRICAMENTE
22
Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
sectores. Cuanto más lejos del centro de cada plato se encuentra una
zona, ésta contiene una mayor cantidad de sectores en sus pistas.
Además mediante ZBR, cuando se leen sectores de cilindros más
externos la tasa de transferencia de bits por segundo es mayor; por
tener la misma velocidad angular que cilindros internos pero mayor
cantidad de sectores.3
El primer sistema de direccionamiento que se usó fue el CHS (cilindrocabeza-sector), ya que con estos tres valores se puede situar un dato
cualquiera
del
disco.
Más
adelante
se
creó
otro
sistema
más
sencillo: LBA (direccionamiento lógico de bloques), que consiste en dividir el
disco entero en sectores y asignar a cada uno un único número. Éste es el
que actualmente se usa.
Estructura lógica
Dentro del disco se encuentran:
-
El Master Boot Record (en el sector de arranque), que contiene la tabla
de particiones.
-
Las particiones, necesarias para poder colocar los sistemas de archivos.
Funcionamiento mecánico
Un disco duro suele tener:
-
Platos en donde se graban los datos.
-
Cabezal de lectura/escritura.
-
Motor que hace girar los platos.
-
Electroimán que mueve el cabezal.
-
Circuito
electrónico de
control,
que
incluye:
interfaz
con
la
computadora, memoria caché.
-
Bolsita desecante (gel de sílice) para evitar la humedad.
-
Caja, que ha de proteger de la suciedad, motivo por el cual suele traer
algún filtro de aire.
2.3.2 Discos ópticos
2.3.2.1 CD-ROM
En los discos compactos (CD) se utiliza una pista en espiral para
almacenar
los datos. Los
datos son almacenados
como una
serie
de
hendiduras microscópicas (“pits” hoyos, fosos) que provocan una interferencia
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Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
destructiva
láser
a
una
causándole
luz
una
reducción de intensidad
al rayo reflejado.
La densidad lineal
de datos es constante,
lo que significa que la
velocidad de rotación del
disco
es
enfoque
lineal.
Tal
requiere
circuitos
lectura/escritura
más
de Figura 9. Partes de un lector de CD.
de
complicados.
La
pista
se
divide
en
sectores
que
almacenan 2352 bytes cada uno. Los primeros 12 bytes contienen datos de
sincronización y los siguientes cuatro un cabezal de sector. Los siguientes 2kB
están predestinados para almacenar datos de usuario y a continuación
tenemos: 4 bytes de códigos CRC, 8 bytes rellenos con ceros y 278 bytes de
ECC.
Características CD-ROM:
-
Más lentos que un disco duro
-
Los datos son codificados grabando hendiduras en miniatura en una
superficie reflectora de la luz; leídos por
láser.
-
Pueden almacenar hasta 650MB de datos.
-
La transferencia de datos máxima de un CDROM se expresa en múltiples de 150KB/s
-
4X --> 600KB/s
-
20X --> 3000KB/s
2.3.2.2 Disco de vídeo digital DVD
Nuevo CD-ROM mejorado; más pequeño, con
hendiduras más densas, dos capas de hendiduras
grabadas en el mismo disco. Los DVD pueden
contener hasta 27GB de datos.
2.3.2.3 Discos ópticos de alta densidad
Figura 10. Diferencia de
dimensiones entre CD y DVD.
A pesar de existir hasta hace relativamente poco tiempo dos formatos
diferentes de Discos ópticos de alta densidad, Blue-Ray o BD (Sony) y HD-DVD
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(Toshiba y NEC), el formato Blue-Ray ha acabado imponiéndose en el mercado
y se ha dejado de fabricar HD-DVD.
Sin embargo ambas tecnologías utilizan un haz láser azul-violeta de
405nm de longitud de onda. La diferencia en la longitud es un prerrequisito
para
la
alta
capacidad,
que
tanto
BR
como
HD-DVD
ofrecen.
Existen
tecnologías que utilizan formatos combinados para hacerlos compatibles con el
DVD convencional
2.3.2.4 HVD (disco holográfico versátil)
El disco holográfico versátil (HVD) es una tecnología de disco óptico
desarrollado por HVD Alliance entre abril de 2004 y mediados de 2008, en la
que se pueden almacenar hasta varios terabytes de datos en un disco óptico
de 10 cm de diámetro. La reducción del radio implica una reducción de
costes y de materiales empleados. Estos discos emplean una técnica conocida
como holografía colineal - en la cual dos láseres, uno rojo y otro verde-azul,
se combinan en un único haz. El láser verde-azul lee los datos codificados
como crestas de interferencias en una capa holográfica cerca de la superficie
del disco, mientras que el láser rojo se utiliza para leer información para el
servomecanismo de una capa tradicional de CD de aluminio situada debajo, la
cual se usa para controlar la posición de la cabeza de lectura sobre el disco,
de forma similar a la información de cabeza, pista y sector utilizada en
un disco
duro convencional
(en
un CD o DVD esta
información
está
intercalada entre los datos).
Se emplea una capa de espejo dicroico entre las dos capas anteriores
para permitir el paso del láser rojo y reflejar el láser verde-azul, lo cual
impide que se produzcan interferencias debidas a la refracción de este haz en
los huecos de la capa inferior,
técnica
que supone un avance
con respecto a otras técnicas de
almacenamiento
o
bien
holográfico
sufrían
interferencias
carecían
o
por
información
que,
demasiadas
simplemente
completo
servomecánica,
de
lo
cual las hacía incompatibles con
la tecnología actual de CD y DVD.
Figura 11. Estructura de un disco holográfico versátil
En la figura 12 se muestran las partes que forman un disco holográfico
versátil, que son:
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Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
1. Láser de escritura/lectura verde (532nm)
2. Láser de posicionamiento y direccionamiento rojo (650nm)
3. Holograma (datos)
4. Capa de policarbonato
5. Capa fotopolimérica (la capa que contiene los datos)
6. Capas de distancia
7. Capa dicroica (reflectante de la luz verde)
8. Capa reflectiva de aluminio (reflectante de la luz roja)
9. Base transparente
P. PIT
3. CONCLUSIONES
Durante la elaboración del presente trabajo hemos analizado los tipos
de memorias direccionables más utilizados en la actualidad. Los citados tipos
son básicamente tres: las memorias de solo lectura o ROM por sus siglas en
inglés, las memorias RAM y los discos de memoria.
Cada uno de estos tipos tiene su relativamente alta cuota de utilización
de cara a cubrir determinadas necesidades cada uno de ellos.
Las
memorias
ROM
son
utilizadas
para
contener
datos
de
vital
importancia debido a su mantenimiento de datos, y a que son difícilmente
modificables no permitiendo así la manipulación externa de algún agente
maligno.
Las memorias RAM son utilizadas sobre todo por su velocidad de
escritura y de lectura, y aunque presenta el problema de la volatilidad, es un
tipo de memoria omnipresente en casi todos los equipos de la actualidad.
Y por último los discos de datos, son muy utilizados en todo tipo de
formatos, especialmente el uso de discos duros.
Las memorias direccionables son un tipo de circuitos y de estructuras
físicas sumamente importantes a día de hoy, ya que la funcionalidad que
adquieren los equipos electrónicos gracias a la capacidad de almacenar datos
es bastante importante.
4. BIBLIOGRAFÍA Y/O REFERENCIAS
[1] http://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_de_acceso_aleatorio
[2] http://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_de_solo_lectura
[3] http://es.wikipedia.org/wiki/SRAM
[4] http://es.wikipedia.org/wiki/DRAM
[5] http://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_FRAM
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Electrónica para Sistemas Industriales (EIS)
[6] http://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_EPROM
[7] http://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_EEPROM
[8] http://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_flash
[9] http://en.wikipedia.org/wiki/Non-volatile_random-access_memory
[10] http://es.wikipedia.org/wiki/Disco_duro
[11] http://es.wikipedia.org/wiki/CD-ROM
[12] http://es.wikipedia.org/wiki/DVD
[13] http://es.wikipedia.org/wiki/Blu-ray_Disc
[14] http://es.wikipedia.org/wiki/HD_DVD
[15] http://es.wikipedia.org/wiki/Holographic_Versatile_Disc
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