ESCUELA TECNICA SUPERIOR DE INGENIEROS INDUSTRIALES Y DE TELECOMUNICACION UNIVERSIDAD DE CANTABRIA INSTRUMENTACION ELECTRÓNICA DE COMUNICACIONES (5º Curso Ingeniería de Telecomunicación) Tema VI: Referencias de tensión y reguladores de tensión. (Ejercicios resueltos) José María Drake Moyano Dpto. de Electrónica y Computadores Santander, 2005 Problema 6.1: Diseño de un regulador de tensión. Diseñar un regulador de tensión de 7.5 V nominal con capacidad de alimentar cargas comprendidas entre 1.5 Ω y 10 Ω. Para ello se dispone de una fuente de tensión no regulada de 12 V y con un nivel de rizado de 0.5 Vrms. 220 ac Transformación Rectificación y filtrado 12 Vdc + 0.5 Vrms Regulador de tensión 7 Vdc + 0.01% RL (1.5Ω-10Ω) Analizar dos posibles diseño: Diseño basado en el circuito de referencia de tensión AD580, y en el amplificador operacional TL081. Utilizando el regulador de tensión integrado LM317 Si se necesita utilizar una etapa de potencia, utilizar el transistor de potencia 2N2055 , cuyas hojas características se acompañan.. Requerimientos: Bajo las condiciones de variación de la fuente y de la carga especificadas y con el rango de 0º a 40ºC de temperatura ambiente, las variaciones de la tensión de salida deben ser inferiores al 0.01% de la tensión nominal. El nivel de ruido en la banda 0.1- 10Hz debe ser inferior 5 mVrms. Debe necesitar ser ajustada sólo una vez por año. Debe aguantar cortocircuitos circuito de salida de hasta 5 s. Diseño funcional Vi =12 V AD580 (BC549) Q2 + TL81 - Rb Q1 (2N3055) (BC549) Q3 R sc R2 R1 Vo =7.5 V RL (1.5 -10 Ω) R’1 La tensión de salida Vo es función de R1, R2 y Vz, R R Vo = Vz 1 + 2 ⇒ 7.5 = 2.5 1 + 2 ⇒ R1 R1 R2 = 220Ω R2 = 2.0 ⇒ R1 = 220Ω R1 La intensidad de salida en cortocircuito ISC se puede limitar a, 7.5V 0.6 I SC > = 5.0 A ⇒ elijo ISC = 6 A ⇒ Rsc = = 0.1Ω 1.5Ω 6 R1 = 180Ω R1' = 100Ω La resistencia Rb debe proporcionar la intensidad IB2 sin que el operacional se sature. Rb < VAOsat − Vo − VBE1 − VBE 2 11 − 7.5 − 1.0 − 0.6 ≈ = 3800Ω ⇒ Rb = 560Ω I L max 5 (1 + β 1(1 + β 2)) 1 + 50 × 200 Diseño térmico Máxima potencia disipada en Q1 PQ1 = VCE I L Max = (12 − 7.5) × 5 = 22.5W TJ<200ºC ΘJC=1.52ºC/W ΘD TA=40ºC Pmax=22.5W La resistencia máxima que puede ofrecer el radiador del transistor Q1 es ΘD < 200 − 40 − 1.52 = 5.6º C / W 22.5 Verificación de los requerimientos Se requiere que ∆Vo<0.1/100*Vo=7.5 mV Variación de la salida debida al rizado de la fuente: Debido al PSRR del AO: (PSRR=86 dB=20000) ∆Vo = 0.5 * 3 / 20000 = 75 µV Debido al PSRR de la referencia de tensión: ∆Vo<1.5mV*3=4.5 mV (Se cumple) (Se cumple) Variación debido a los cambios de la carga La impedancia de salida del amplificador se puede deducir de la gráfica de VCE-IC, RoQ1=0.1Ω La impedancia de salida del regulador, que es también la regulación de carga es, Ro=RoQ1/(1+Ad*α)=0.1Ω/(1+200000∗(1/3))=1.5 µΩ ∆Vo=Ro*Vo(1/RLmin-1/RLmax)=7.5V*1.5 10-6*(1/1.5-1/10)=6.4 µV (Se cumple) IC=5A 1/RoQ1 RoQ1=(1.3-0.4)V/(10.0-1.0)A= = 0.1 Ω Evaluación del ruido en el rango 0.1Hz-10Hz Ruido debido al amplificador operacional En el amplificador TL81: e2nw=5.2 10-16 V2/Hz fce=100 Hz R f EnoAO = 1 + 2 enw f ce Ln H = 3*5.2 10-16*(100*Ln(10/0.1))1/2=1.46 µVrms R1 fL Ruido debido a la referencia de tensión: El ruido integrado en el rango 0.1-10 Hz es 8.0 µV pp, por tanto el ruido en la salida, R E 8 .0 EnoR = 1 + 2 nRpp = 3 = 8.0 µVrms R1 3 3 El ruido total a la salida del circuito regulador de tensión es, 2 2 Eno = EnoAO + EnoR = 1.46 2 + 8.0 2 = 8.13 µVrms (se cumple) Variación en la salida debido a las variaciones de temperatura (0º-40ºC) ∆Vo = 55 ppm /º C × 7.5V × ∆T = 55 10 −6 × 7.5V × 40º C = 16.5 mV (AD580S) ∆Vo = 25 ppm /º C × 7.5V × ∆T = 25 10 −6 × 7.5V × 40º C = 7.5 mV (AD580T) −6 ∆Vo = 10 ppm /º C × 7.5V × ∆T = 10 10 × 7.5V × 40º C = 3.0 mV (AD580U) No se cumple la especificación si se utiliza el modelo AD580S, pero sí se cumple si se utilizan los modelos AD580T y AD580U. Variación en la salida en un año La desviación de la tensión de referencia a largo plazo (plazo indefinido) es de 250 µV, por tanto, en la salida R ∆Vo = 1 + 2 ∆VR = 3 × 250 µV = 0.75 mV R1 (Se cumple) Diseño utilizando el Regulador de tensión integrado LM317 No es posible utilizar directamente el regulador de tensión LM317, ya que solo tiene capacidad de proporcionar una intensidad de salida de 1.5 A. y en la aplicación se requieren 4 A. Por ello, se utiliza un transistor de potencia de salida. R Vo = 1.25V 1 + 2 + I ADJ R2 = 7.5V R1 Vi=12V Input LM317 Output R1 Adjust Q1 (2N3055) Si utilizamos R2=1200Ω (R2=1000 Ω +R’2=500Ω) Vo=7.5V R2 R’2 RL (1.5 –10) Ω R1 = 1200 R2 = = −6 Vo − I ADJ R2 7 . 5 46 . 0 10 1200 − −1 −1 1.25 1.25 1200 = = 240 Ω 5 Diseño térmico: La potencia térmica se disipa en el transistor Q1 y el modelo térmico es exactamente el mismo que en el diseño implementado con amplificador operacional. PmaxQ1= 22.5W y ΘD=5.6 ºC/W Variación de la salida debida al rizado de la fuente: La regulación de línea del LM317 es: 0.02 %/V ( incluye la fluctuación de temperatura) ∆Vo = ( RC / 100) × Vo × ∆Vi = 0.0002 × 7.5 × 0.5 = 0.75 mVrms (se cumple) Variación de la salida debida a los cambios de la carga En este caso, la introducción del transitor Q1 hace difícil estimar las variaciones que se produce por variación de la carga, ya que no se tiene información de la ganancia de bucle alrededor de él. Posiblemente sea del orden del evaluado en el regulador basado en el amplificador operacional. No tiene sentido aplicar el regulador de carga del LM317, ya que la variación de la carga está amortiguada por el efecto del transistor Q1. Variación en la salida en un año En las hojas características de LM317, ∆Vo = 0.3 Vo = 22.5mV 100 (no se cumple lo requerido en la especificación) Ruido en la salida (0.1-10 Hz): En las hojas características de LM317, No se dispone información para evaluar el ruido en el rango 0.1 a 10 Hz. Le ruido en el rango 10Hz – 10KHz 0.003 ∆Vo = Vo = 0.225 mVrms 100 Problema 6.2: Caracterización automatizada de una fuente de tensión.