Subido por Fabian Hernández

Guia1 semiconductores

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UNIVERSIDAD DE SAN BUENAVENTURA
FACULTAD DE INGENIERÍA
INGENIERÍA MECATRÓNICA
FECHA DE
ELABORACION
GUÍA DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS
VERSION No. 1
año/mes/día
SEMICONDUCTORES
Código del Curso: 7806
Semestre: IV
CODIGO:
PAGINAS
1 DE 5
Fecha: Semana 3
Relación con el micro currículo (tema de clase): Diodos
PRACTICA No. 1
Características de los diodos
1. INTRODUCCIÓN:





OBJETIVO(S)
Familiarizarse con las características y diferencias de los diodos de Silicio.
Comprobar las características de los diodos con polarización directa e inversa
Resistencia DC y AC
Determinar el voltaje de codo (Barrera de Potencial)
Efectos de la temperatura en los diodos
2. MATERIALES Y ELEMENTOS DE PRÁCTICA:
1 Multímetro digital
1 Fuente DC variable
Resistencias de: 1 KΩ, 1MΩ
Diodos
3. PROCEDIMIENTO:
3.1 IMPLEMENTACIÓN
1. Prueba de diodos: Utilizar el probador de diodos del Multímetro digital, y determinar la
condición del diodo, utilizando una polaridad el MULTÍMETRO DIGITAL muestra el potencial
de barrera del diodo, e invirtiendo la polaridad, debe mostrar circuito abierto. Consigne los
valores medidos en la siguiente tabla.
PRUEBA
DIRECTO
INVERSO
Valor medido
Universidad de San Buenaventura, Bogotá D.C.
Carrera 8 H n.° 172-20 | PBX: 667 1090 | Línea directa: 01 8000 125 151 | E-mail: informacion@usbbog.edu.co
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Utilizar la escala de resistencias del MULTÍMETRO DIGITAL, mida los valores y consígnelos en
la tabla
PRUEBA
ESCALA
MULTÍMETRO
DIGITAL
2 MΩ
20 MΩ
DIRECTO
INVERSO
Valor medido
De acuerdo a los valores hallados determine el estado de los diodos
2. Características del diodo polarizado en directo
Obtener las curvas de polarización de un diodo. Implementando el siguiente circuito.
Mida y anote el valor real del resistor.
R1
1k
+
Vs1
0-10
-
D1
DIODE
a) Con el voltaje de la fuente VF en 0 voltios
b) Incremente el voltaje de la fuente VF a intervalos de 0.1 voltio, luego mida el voltaje en el
diodo y consigne los valores en la tabla.
c) Continúe incrementando el voltaje de la fuente VF a 1 voltio, determine una ecuación
para hallar ID (Corriente de diodo) y complete la tabla.
VF (V)
VD (V)
ID (mA)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VF (V)
VD (V)
ID (mA)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
d) Realice una gráfica a escala de ID en función de VD
1. Polarización Inversa:
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R1
1M
+
Vs1
0-10
-
Vd
D1
DIODE
a) En la figura aparece el diodo polarizado en inverso. Como la corriente inversa de
saturación es muy pequeña, se requiere una gran resistencia para obtener un voltaje
medible en sus terminales. Construir el circuito de la figura y anote el valor de la
resistencia utilizada.
b) Mida el valor de voltaje en la resistencia, determine una ecuación para hallar la corriente
de saturación inversa y calcule IS.
2. Resistencia de DC, usando la curva obtenida para los diodos, determine los valores de
resistencia estática según las corrientes establecidas en la tabla.
ID (mA)
0.2
1
2
5
10
Silicio: VD (V)
RDC
3. Resistencia AC
a) Usando la ecuación rac = ΔV/ΔI, determinar el valor de la resistencia dinámica para los
diodos en un punto alrededor de 9 mA ubicado en las curvas obtenidas.
b) Determine nuevamente los valores de la resistencia mediante la ecuación
c) Calcule nuevos valores de resistencia dinámica para una corriente de 2 mA
d) Compare los resultados de los datos obtenidos para los dos tipos de diodos.
4. Barrera de potencial
Determine el voltaje de codo de cada diodo a partir de los resultados obtenidos en las gráficas
que representan las curvas de los diodos utilizados.
5. Efectos de temperatura
Reconstruya el primer circuito. Estabilice la corriente en 1 mA colocando un voltaje de 1 V en el
resistor.
a) coloque el MULTÍMETRO DIGITAL en los terminales del diodo para medir el voltaje,
utilice un cautín (25 W máx.) para incrementar la temperatura en el diodo y observe el
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efecto que se produce.
b) Calcule el valor de la resistencia DC del diodo para el valor de voltaje en el punto de
máxima temperatura.
c) ¿Un diodo semiconductor tiene un coeficiente de temperatura positivo o negativo?
Explique
d) Cambie el voltaje de la fuente hasta establecer una corriente de 10 mA a través del
diodo y repita el proceso de calentamiento conectando el multímetro para medir la
corriente y observar así el efecto que se produce.
4. ANÁLISIS DE DATOS Y RESULTADOS:
5. BIBLIOGRAFÍA:
[1] BOYLESTAD Robert y NASHELSKY, Louis. Electrónica: teoría de los circuitos y dispositivos
electrónicos. Editorial Prentice Hall. Octava edición. 2003.
[2] MALVINO, Paul. Principios de electrónica. Editorial Mc Graw Hill.
[3] SAVANT. Diseño Electrónico. Editoral Addison Wesley. Tercera edición. 2000.
6. INFORME DE PRÁCTICA DE LABORATORIO.
Presentar un informe escrito que incluya los siguientes ítems:
1. Portada: Debe contener el titulo de la práctica, Universidad de San Buenaventura,
nombre(s) de o de los integrante(s), micro currículo del cual hace parte, informe de la
práctica (se específica el número de la práctica) y fecha de entrega.
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2. Introducción: Debe ser distinta a la de la guía presentada por el profesor y
complementaria, de tal modo que ayude a entender el tema general de la práctica. Debe
estar conformado por el objetivo, un marco teórico complementario al de la guía presentada
en el cual muestre la comparación de los resultados esperados con los resultados
obtenidos y la conclusión principal. Su extensión es de máximo una página.
3. Tablas de Datos y Observaciones: Se debe presentar de manera clara y organizada la
información registrada y observaciones si es el caso de que se presenten.
4. Cálculos: Se incluyen en el informe, cuando se requieran y da soporte a la obtención de
resultados.
5. Análisis de Resultados: Consiste en expresar de forma coherente y clara los resultados
obtenidos y su explicación; deben estar avalados por la respectiva cita bibliográfica.
6. Conclusiones: En párrafos breves y coherentes se plantea el resultado del análisis.
7. Bibliografía: Se deben realizar tomando como referentes la citación de referencias
bibliográficas según el estilo de referencias bajo el estándar IEEE.
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