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Introducción al Diseño de Convertidores de Potencia

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Javier Riedemann Aros
javier.riedemann@pucv.cl
INTRODUCCIÓN
• Electrónica convencional habitualmente de baja potencia.
• La electrónica de potencia puede operar en el orden de los
MW.
• Los dispositivos no se operan en la zona lineal. La
electrónica convencional es habitualmente lineal.
La mayoría de los dispositivos utilizados en electrónica de
potencia operan en corte y saturación como interruptores.
•Tiristores
•Transistores Bipolares
•GTOs (Gate turn off thyristors)
•MOSFETS
•IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor).
•IGCTs
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Diodo
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Diodo
Segun los requisitos de la aplicación, están disponibles varios tipos de diodos:
1. Diodos Schottky. Estos diodos se usan donde se requiere una caída baja de tensión
directa (normalmente 0.3 V) en circuitos de tensión de salida muy baja. Estos diodos
están limitados en su capacidad de tensión de bloqueo a 50 100 V.
2. Diodos de recuperación rápida. Estos diodos están diseñados para el uso en circuitos
de alta frecuencia, en combinación con interruptores controlables donde se
necesita un tiempo corto de recuperación inversa. En niveles de energía de varios
cientos de voltios y varios cientos de amperios, estos diodos tienen un grado de 𝑡𝑟𝑟
de menos que unos cuantos milisegundos.
3. Diodos de frecuencia de línea. El voltaje de estado de encendido de estos diodos
esta diseñado para ser lo mas bajo posible, y en consecuencia tienen tiempos 𝑡𝑟𝑟
mas grandes, aceptables para aplicaciones de frecuencia de línea. Estos diodos
están disponibles con magnitudes de voltaje de bloqueo de varios kilovoltios y
magnitudes de corriente de varios kiloamperios. Además, se pueden conectar en
serie y paralelo para satisfacer cualquier requisito de corriente.
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Diodo
1n4001.pdf
5SDD 50N5500_5SYA1169-02 Jan 17.pdf
1n4933.pdf
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Ejemplo de uso de diodos rápidos
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INTRODUCCIÓN
Diodo
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INTRODUCCIÓN
Diodo
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Tiristores
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Tiristores
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Tiristores
1. Tiristores de control de fase. Algunas veces denominados tiristores de conversión, se
usan sobre todo para rectificar tensiones y corrientes de frecuencia de línea en
aplicaciones como rectificadores controlados por fases para accionamientos
motrices de CA y CC, y en transmisiones de energía de alta tensión. Los requisitos
principales de estos dispositivos son grandes capacidades de manejo de tensión y
corriente, y una baja caída de tensión activa. Este tipo de tiristor se produjo en
diámetros de pastilla de hasta 10 cm, donde el promedio de corriente es mas o
menos de 4 000 A con voltajes de bloqueo de 5 -7 kV. Los voltajes de encendido
(activos) abarcan desde 1.5 V para dispositivos de 1000 V hasta 3.0 V para los
dispositivos de 5 -7 kV.
2. Tiristores de grado inversor. Se diseñaron para tener tiempos de apagado 𝑡𝑞
pequeños, además de bajas tensiones activas, aunque las tensiones activas son mas
grandes en dispositivos con valores mas cortos de 𝑡𝑞 . Estos dispositivos están
disponibles con magnitudes de hasta 2500 V y 1500 A. Sus tiempos de desconexión
están por lo regular en el rango de unos cuantos milisegundos hasta 100 μs, según
sus voltajes nominales de bloqueo y caídas de tensión activa.
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Tiristores
3. Tiristores activados por luz. Se activan mediante un pulso de luz conducido por
fibras ópticas a una región especial sensible del tiristor. El disparo del tiristor
activado por luz usa la capacidad de la luz de longitudes de onda correspondientes
para generar un exceso de pares de electrones/huecos en el silicio. El uso principal
de estos tiristores es en aplicaciones de alta tensión, como la transmisión de CC de
alta tensión, donde se conectan muchos tiristores en serie para conformar una
válvula de tiristores. Los distintos potenciales altos que cada dispositivo ve respecto
de la tierra física presenta considerables dificultades para proporcionar impulsos de
disparo. Existen reportes de tiristores activados por luz con grados de 4 kV y 3 kA,
voltajes activos de alrededor de 2 V y requisitos de potencia de disparos de luz de 5
mW.
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INTRODUCCIÓN
Tiristores
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INTRODUCCIÓN
Tiristores
vs-30tps16p.pdf
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Interruptores controlables
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Interruptores controlables
Energía de encendido
Energía de conducción
Energía de apagado
Pérdidas de potencia por conmutación
Pérdidas de potencia por conducción
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Interruptores controlables
Características deseables
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Interruptores controlables
Características deseables
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Transistores de unión bipolar
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Transistores de unión bipolar
• Baja tensión colector emisor en conducción. Aproximadamente
2V.
• Se dispara por corriente. La corriente debe ser mantenida en la
base durante toda la conducción.
• Bajo hFe (5-10) en altas potencias.
• Se usan configuraciones Darlington y triple Darlington.
• Disponibles en voltajes de 1400V y corrientes de algunos
centenares de amperes.
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Transistores de unión bipolar
En esta configuración se acumulan algunas desventajas, como valores generales 𝑉𝐶𝐸 (sat)
un poco mas altos, así como velocidades de conmutación mas lentas.
Ya sea en unidades individuales o elaboradas como una configuración Darlington en un
solo chip [un Darlington monolítico (monolithic Darlington, MD)], los BJT tienen un
tiempo de almacenamiento significativo durante la transición de desconexión. Los
tiempos normales de conmutación están en el rango de unos pocos cientos de
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nanosegundos a unos cuantos microsegundos.
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Semiconductores de potencia
Transistores de unión bipolar
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
MOSFET (Metal-oxide semiconductor field effect transistor)
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
MOSFET (Metal-oxide semiconductor field effect transistor)
• El disparo se controla por voltaje de compuerta (no corriente).
Típicamente menor a 20V. Existen dispositivos que pueden ser
controlados con señales digitales TTL de 5V.
• Alta velocidad de encendido/apagado. En el orden de
nanosegundos.
• Baja potencia. Un dispositivo de alto voltaje usualmente
soporta baja corriente y viceversa.
• Puede operar con frecuencias de límite superior en el orden
de 30kHz-100kHz.
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
MOSFET (Metal-oxide semiconductor field effect transistor)
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
GTO (Tiristor de apagado por puerta)
El GTO permite el encendido y apagado del dispositivo desde la compuerta.
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
GTO (Tiristor de apagado por puerta)
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor)
Similar al GTO pero con mejores características.
• Alto dv/dt, por lo cual no necesita snubber de
apagado. (‘snub’ means to suppress).
• Reducción en las pérdidas de apagado.
• Incrementa la velocidad de switching obtenible, al
disminuir el tiempo de apagado.
• Como todos los componentes de la familia de los
tiristores soporta mejor los cortocircuitos que otros
dispositivos.
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INTRODUCCIÓN
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor)
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INTRODUCCIÓN
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor)
• Voltajes de operación en el orden de 5kV.
• Corrientes en el orden de 2kA.
• Frecuencias operación para altas potencias en el orden de 1000Hz.
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
IGBT (transistor bipolar de compuerta aislada)
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
IGBT (transistor bipolar de compuerta aislada)
• Es un dispositivo controlado por tensión de compuerta (similar al
MOSFET).Utiliza poca energía en el disparo.
• Bajo voltaje en conducción el cual es similar al que poseen los BJTs.
2-3 Volts en un dispositivo de 1000V.
• Existen dispositivos de 1700V, 1200A. La mayor parte de las
aplicaciones eólicas de velocidad variable utilizan IGBTS para operar
hasta 2MW-3MW.
• Muy sensibles a los cortocircuitos.
• Velocidades de encendido/apagado en el orden de 1μs.
• Uno de los dispositivos mas utilizados para el control de máquinas
eléctricas de corriente alterna.
• No requiere snubbers.
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
IGBT (transistor bipolar de compuerta aislada)
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
MCT (MOS-controlled thyristor)
• Un tiristor disparado por voltaje en la compuerta. (similar al
MOSFET e IGBT).
• Más rápido que el GTO y el ICGT.
• Tiene una estructura compleja. En un mismo dispositivo se
colocan un tiristor dos transistores MOS. Uno para el
encendido y otro para el apagado.
• En 1992 fue considerado un dispositivo muy promisorio. Sin
embargo en la actualidad el dispositivo no puede manejar
altas potencias. En baja potencia no puede competir con los
MOSFETs.
• Su futuro es dudoso.
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Comparación de interruptores controlables
Para el diseño de un convertidor desde el punto de vista del sistema se deben
tomar en cuenta los requisitos de tensión y corriente. Otros factores
importantes son la eficiencia de energía aceptable, la frecuencia de
conmutación mínima para reducir el tamaño de filtros y equipos, sus costos,
etc. Por tanto, la selección del dispositivo debe asegurar una combinación
apropiada entre las capacidades del dispositivo y los requisitos del convertidor.
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Semiconductores de potencia
Comparación de interruptores controlables
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INTRODUCCIÓN
Semiconductores de potencia
Módulos
SEMIKRON_DataSheet_SK_9_BGD_065_ET_24912000.pdf
SEMIKRON_DataSheet_SKiiP_12HEB066V1_25230840.pdf
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