TRANSISTORES UJT Y PUT LEIDY ALEXANDRA SALGADO GAITAN

TRANSISTORES UJT Y PUT
INFORME 3
LEIDY ALEXANDRA SALGADO GAITAN
leidyalexasg@misena.edu.co
JUAN DAVID GOMEZ SANTAFE
Gato1307@misena.edu.co
LILIANA MARCELA GALEANO CAMACHO
MARCELAGACA@misena.edu.co
RESUMEN: los transistores UJT y PUT poseen distintas características en su funcionamiento, como
lo es el que uno de ellos pueda controlarse y el otro se dé por voltaje y en su estructura debido a
que uno está compuesto por dos capas y el otro por 4.
OBJETIVOS
CONTENIDO
 TRANSISTOR UJT
 Identificar las diferencias entre los
trasistores UJT Y PUT
 Definir su funcionamiento y constitución
caracteristicos.
 Comprender conceptos teoricos de cada
uno.
El transistor UJT (transistor de unijuntura Unijunction transistor) es un dispositivo con
un funcionamiento diferente al de otros
transistores. Es un dispositivo de disparo. Es
un dispositivo que consiste de una sola unión
PN.
Tiene tres terminales denominados emisor
(E), base uno (B1) y base dos (B2).
Físicamente el UJT consiste de una barra de
material tipo N con conexiones eléctricas a
sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión
hecha con un conductor de aluminio (E) en
alguna parte a lo largo de la barra de
material N.
En el lugar de unión el aluminio crea una
TRANSISTORES UJT Y PUT
región tipo P en la barra, formando así una
unión PN.
El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y
el voltaje al que ocurre este disparo está
dado por la fórmula: Voltaje de disparo
Vp = 0.7 + n x VB2B1
 TRANSISTOR PUT
Se llama PUT (Programmable Unijunction
Transistor) a un dispositivo semiconductor
de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento
es similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y, a
veces, se le llama "tiristor disparado por
ánodo" debido a su configuración.
Donde:
n = intrinsic standoff radio (dato del
fabricante)
VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La fórmula es aproximada porque el valor
establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7
dependiendo
del
dispositivo
y
la
temperatura.
Cuando el voltaje entre emisor y base1 Veb1,
es menor que un cierto valor denominado
voltaje de pico, Vp, el UJT está CORTADO, y
no puede fluir corriente de E a B1 (Ie=0).
Cuando Veb1 sobrepasa a Vp en una
pequeña cantidad, el UJT se dispara o
CONDUCE. Cuando esto sucede, el circuito E
a B1 es prácticamente un cortocircuito, y la
corriente fluye instantáneamente de un
terminal a otro. En la mayoría de los circuitos
con UJT, el pulso de corriente de E a B1 es de
corta duración, y el UJT rápidamente regresa
al estado de CORTE.
Una de las aplicaciones del UJT más común
es como generador de pulsos en diente de
sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para
controlar el disparo de la puerta de TRIACS y
SCR.
Sus características lo hacen muy útil en
muchos circuitos industriales, incluyendo
temporizadores, osciladores, generadores de
onda, y más importante aún, en circuitos de
control de puerta.
A diferencia del transistor bipolar común
que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4
capas.
El PUT tiene
3
terminales
como
otros transistores y sus nombres son:
cátodo K, ánodo A, puerta G.
A diferencia del UJT, este transistor
permite que se puedan controlar
los valores de RBB y VP que en el UJT son
fijos. Los parámetros de conducción del
PUT son controlados por la terminal G
Este transistor tiene dos estados: Uno de
conducción (hay corriente entre A y K y la
caída de voltaje es pequeña) y otro
de corte cuando la corriente de A a K es
muy pequeña.
Un PUT se puede utilizar como un oscilador
de relajación. El voltaje de compuerta VG
se mantiene desde la alimentación
mediante el divisor resistivo del voltaje R1
y R2, y determina el voltaje de punto de
pico Vp.
En el caso del UJT, Vp está fijo para un
dispositivo por el voltaje de alimentación
de cd, pero en un PUT puede variar al
TRANSISTORES UJT Y PUT
modificar al modificar el valor del divisor
resistivo R! y R2. Si el voltaje del ánodo VA
es menor que el voltaje de compuerta VG,
el dispositivo se conservará en su estado
inactivo, pero si el voltaje de ánodo excede
al de compuerta en una caída de voltaje de
diodo VD, se alcanzará el punto de pico y el
dispositivo se activará. La corriente de pico
Ip y la corriente del punto de valle Iv
dependen de la impedancia equivalente en
la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del
voltaje de alimentación en cd Vs. N general
Rk está limitado a un valor por debajo de
100 Ohms.
CONCLUSIONES
R y C controlan la frecuencia junto con R1 y
R2. El periodo de oscilación T está dado en
forma aproximada por:

La
principal
diferencia
entre
los transistores UJT
y PUT es
que
las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias
internas en el UJT, mientras que
el PUT estas resistencias están en
el exterior y pueden modificarse.

El dispositivo UJT es un mecanismo de
disparo el cual posee una unión simple
de PN, posee dos bases y un emisor, su
disparo y funcionamiento depende de el
voltaje existente entre base 1 y emisor.

El dispositivo PUT posee en su estructura
una unión de cuatro capas, a diferencia
del UJT este permite controlar su disparo
a través del terminal puerta, permitiendo
dos estados uno de corte y uno de
conducción.
T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)
WEBGRAFIA

http://ccpot.galeon.com/enlaces173709
7.html

http://electronika2.tripod.com/info_files
/ujt.htm

http://www.unicrom.com/Tut_put.asp