Subido por antonia samaniego

DIODOS

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10/4/2018
CIRCUITO ELECTRÓNICO
DIGITAL
Prof. Ing. Antonia Samaniego
TIPOS DE MATERIALES
10/4/2018

CONDUCTORES: son materiales
(generalmente metales), cuya
estructura electrónica les permite
conducir la corriente eléctrica a
bajas temperaturas o temperatura
ambiente; su resistividad al paso de
la corriente eléctrica es muy baja.
De acuerdo con la teoría de bandas,
son aquellos materiales cuyas
bandas de valencia y de conducción,
se encuentran muy próximas entre
si, al grado de que, en algunos
casos, estas bandas se encuentran
sobrepuestas

AISLANTES: Los aislantes
son materiales con una
resistencia tan alta, que no
es posible la conducción
eléctrica a través de ellos.
Un caso extremo, de este
tipo de materiales, es el
diamante
Banda de
conducción
Eg
Banda de valencia
Aislante
Eg=5-10eV
10/4/2018

SEMICONDUCTORES: se encuentran situados,
por lo que hace a su resistencia, entre los
conductores y los aislantes, ya que a
temperaturas muy bajas difícilmente
conducen la corriente eléctrica y más bien se
comportan como aislantes pero, al elevar su
temperatura o al ser sometidos a un campo
eléctrico externo, su comportamiento cambia
al de los conductores. Estos semiconductores
son conocidos como intrínsecos y, en ellos,
las bandas de conducción y valencia se
encuentran separadas por una barrera de
energía (banda prohibida) más pequeña
(comparada con la del diamante), de
aproximadamente 1 eV
10/4/2018
Diagramas de bandas
Diagrama de bandas del Ge
Energía
4 estados/átomo
Banda de conducción
Eg=0,67eV
- -
Banda prohibida
Banda de valencia
4 electrones/átomo
Si un electrón de la banda de valencia alcanza la energía necesaria para
saltar a la banda de conducción, puede moverse al estado vacío de la
banda de conducción de otro átomo vecino, generando corriente
eléctrica. A temperatura ambiente algunos electrones tienen esta
energía. Es un semiconductor.
Semiconductores Extrínsecos
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo V
Ge
-
-
-
-
-
-
-
-
- -
4
0ºK
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Tiene 5 electrones en la última
capa
-
3
Ge
Ge
-
-
Sb
-
2
-
5
-
1
Ge
-
-
Ge
-
Ge
-
Ge
A 0ºK, habría un electrón
adicional ligado al átomo de
Sb
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-
300ºK
0ºK
-
-
-
-
-
-
-
-
Ge
-
-
-
-
-
-
- -
4
Ge
-
-
Ge
1 5
Sb+
Sb
-
-
-
-
-
-
3
5
-
2
Ge
-
-
Ge
-
Ge
-
Ge
A 300ºK, todos electrones adicionales de los átomos de Sb están
desligados de su átomo (pueden desplazarse y originar corriente
eléctrica). El Sb es un donador y en el Ge hay más electrones que
huecos. Es un semiconductor tipo N.
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo III
Ge
-
Ge
-
-
0ºK
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Tiene 3 electrones en la última
capa
-
3
Ge
-
Al
1
-
2
Ge
-
-
Ge
-
Ge
-
Ge
A 0ºK, habría una “falta de
electrón” adicional ligado al
átomo de Al
ATE-UO Sem 21
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Ge
-
-
-
Ge
-
-
-
-
-
-
-
4 (extra)
-
-
-
3
300ºK
0ºK
-
-
Al
Al-
Ge
-
-
1
-
-
2
Ge
-
+
-
-
-
-
-
Ge
-
Ge
-
Ge
-
-
A 300ºK, todas las “faltas” de electrón de los átomos de Al están cubiertas con
un electrón procedente de un átomo de Ge, en el que se genera un hueco. El Al
es un aceptador y en el Ge hay más huecos que electrones. Es un
semiconductor tipo P.
Resumen
Semiconductores intrínsecos:
•Igual número de huecos y de electrones
Semiconductores extrínsecos:
Tipo P:
•Más huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
•Impurezas del grupo III (aceptador)
•Todos los átomos de aceptador ionizados “-”.
Tipo N:
•Más electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
•Impurezas del grupo V (donador)
•Todos los átomos de donador ionizados “+”.
Muy
importante
10/4/2018
10/4/2018
DIODOS
SEMICONDUCTORES
CIRCUITO ELECTRÓNICO DIGITAL
¿Qué es un diodo semiconductor?
El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor más sencillo y se
puede encontrar, prácticamente en cualquier circuito electrónico. Los diodos se
fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio.
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P,
separados por una juntura llamada barrera o unión. Esta barrera o unión es de 0.3
voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de
silicio.
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TIPOS DE DIODOS
Principio de operación de un diodo

Cuando se combinan materiales tipo n y tipo p, existe una distribución de
carga, algunos de los electrones libres en la estructura “brincan” a través de
la junta pn y se recombinan con los huecos libres del material tipo p,
similarmente los huecos del material tipo p, se combinan con los electrones
del materil tipo n.

Estas cargas forman un campo eléctrico

Esto sucede en una región llamada de agotamiento , el campo eléctrico
resultante forma una barrera potencial v.s. la corriente eléctrica

Para producir una corriente a través de la junta se debe reducir la barrera
aplicando un voltaje en la polaridad apropiada del diodo
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Regiones de agotamiento
DIODO IDEAL
El diodo ideal
es aquel que
trabaja como
un interruptor.
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DIODO REAL
Curva característica del diodo real

El la figura se ilustran las características de operación de un
diodo práctico.

conforme la tensión en directo aumenta más allá de cero, la
corriente no fluye de inmediato. Es necesaria una tensión
mínima, denotada por Vd , para obtener una corriente
significativa. Conforme la tensión tiende a exceder Vd la
corriente aumenta con rapidez. La pendiente de la curva
característica es grande pero no infinita, como en el caso del
diodo ideal. La tensión mínima necesaria para obtener una
corriente significativa, Vd , es aproximadamente 0.7 V para
semiconductores de silicio (a temperatura ambiente) y 0.2 V
para semiconductores de germanio. La diferencia de tensión
para el silicio y el germanio radica en la estructura atómica
de los materiales. Para diodos de arsenurio de galio, Vd es
más o menos 1.2 V.

Cuando el diodo está polarizado el inverso, existe una
pequeña corriente de fuga, está corriente se producen
siempre que la tensión sea inferior a la requerida para romper
la unión. El daño al diodo normal en ruptura se debe a la
avalancha de electrones, que fluyen a través de la unión con
poco incremento en la tensión. La corriente muy grande
puede destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta
ruptura a menudo se conoce como la tensión de ruptura del
diodo (VBR).
Vd
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Como utilizar las curvas características
a) Determine el voltaje a través de cada diodo con
una corriente de 1mA.
b) Repita con una corriente de 4mA.
c) Repita con una corriente de 30mA.
d) Determine e valor promedio del voltaje en el
diodo para el intervalo de corrientes antes dadas.
Polarización de un Diodo
Polarización Directa

El ánodo se conecta al positivo de la batería y el cátodo al negativo, Una de
las características de la polarización directa es que el diodo conduce con una
caída de tensión de 0.6 a 0.7v.
10/4/2018
Polarización de un Diodo
Polarización Inversa

El ánodo se conecta al negativo de la bateria y el cátodo al positivo, Una de
las características de la polarización inversa es que el valor de la resistencia
interna del diodo es muy elevada y esto hace que actué como un interruptor
abierto.
Características voltaje – corriente de un
diodo

El diodo actúa como una válvula de una vía, y la cantidad de corriente que fluye a
través de él en la condición de polarización directa depende de la resistencia del
circuito y de la magnitud del voltaje aplicado a través del circuito. Si una fuente
de voltaje se conecta directamente a través del diodo en la condición de
polarización directa, actuaría como un corto circuito y probablemente se
quemaría. Para evitar que esto suceda, una resistencia limitadora de corriente o
carga se puede poner en serie con el diodo como se muestra en la Figura.
Inicialmente, cuando el voltaje es incrementado, existe muy poco flujo de
corriente hasta que el voltaje aplicado supera la barrera de potencial del diodo. A
partir de este punto, la corriente a través del diodo se incrementa rápidamente
cuando el voltaje es aumentado. El diodo generalmente tendrá una caída de
voltaje constante a través de él (aproximadamente 0.3 V para el diodo de
germanio y de 0.7 V para el diodo de silicio), aún y cuando la corriente a través
del circuito se incremente rápidamente con un incremento en el voltaje a través
del circuito completo.
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Especificaciones de los diodos

ID (corriente en sentido directo) La cantidad de corriente en la condición de
polarización directa para un voltaje dado en sentido directo.

IDmáx (máxima corriente en sentido directo) La máxima cantidad de corriente en
la condición de polarización directa que el diodo puede llevar sin quemarse. También
es una medida de la máxima disipación de potencia del dispositivo

VD (Voltaje en sentido directo). Nivel de voltaje necesario para producir el nivel de
corriente deseado en sentido directo.

VBR (voltaje inverso de ruptura) o PIV (voltaje de pico inverso). Máximo voltaje de
polarización inversa que no debe ser excedido para evitar la destrucción del diodo.

IS (corriente inversa o corriente de fuga). La cantidad de corriente de fuga a través
del diodo a varios voltajes de polarización inversa.

Trr (tiempo de recuperación inversa). El tiempo que toma el diodo en recuperarse
de la conducción directa y comienza a bloquear la corriente inversa. Generalmente
es más crítico en diodos de conmutación en aplicaciones de alta frecuencia.
EJERCICIOS
10/4/2018
En
a)
b)
c)
d)
el circuito de la figura, determinar:
Estado de los diodos
El circuito equivalente
La intensidad de corriente de cada resistor
Si cambiamos el sentido del diodo D2, cambiará la intensidad de corriente
de los resistores? Porqué?
10/4/2018
ECUACIÓN DE SHOCKLEY
EJEMPLO

A una temperatura de 27°C, determine el Voltaje térmico Vt.
10/4/2018
RESISTENCIA CD O ESTÁTICA
10/4/2018
CURVA DE CARGA
CURVA DE CARGA
10/4/2018
EJERCICIOS
10/4/2018
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