Introducción a la Electrónica

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Introducción a la
Electrónica
Transistores
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Transistores
z
z
z
Un transistor bipolar
p
de jjuntura esta formado p
por
tres capas de material semiconductor dentro de una
estructura monolítica.
El silicio es el material mas comunmente utilizado.
Los transistores pueden ser:
• PNP
• NPN
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Transistores: Polarización
E
B
C
Juntura B-E
B E : polarización directa
Juntura B-C: polarización inversa
electrones
La barrera de potencial B-E
B E es
reducida -> electrones son
inyectados desde el emisor
hacia la base.
Barrera de
potencial
La base es muy angosta (comparada
con la constante de difusión de los
electrones) -> los electrones llegan
hasta el colector donde encuentran
una rampa para descender
rapidamente (la barrera de potencial
B-C es de pendiente favorable para
los electrones que se desplazan de B
a C.)
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Transistores: Polarización
E
B
electrones
C
El emisor está fuertemente dopado.
El colector
l
está
á llevemente d
dopado.
d L
La b
base
tiene un dopaje intermedio.
La concentración de lagunas en equilibrio en
la base es menor a la concentración de
electrones en el emisor ->Solo unas pocas
lagunas son inyectadas de la base al
colector
La corriente que fluye a travez de la juntura
B-E está formada por:
•Electrones inyectados en la base
•Lagunas
L
iinyectadas
t d en ell emisor
i
Eficiencia
de emisor
23/09/2009
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Transistores
Base transport
p factor 98 – 99 %
Algunos
electrones se
recombinan
con las lagunas
de la base
Corriente inversa
Ayudados por el campo
El emisor inyecta
electrico de la juntura
electrones en la base
B-C, la mayoria de los
electrones llegan al
colector
l
23/09/2009
Si la base es muy angosta
->
> pocos electrones tienen
posibilidad de
recombinarse
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Transistores - Ecuaciones
A temperatura ambiente es despreciable
Modelo equivalente de
Ebers-Moll
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Regiones de operación
z
z
z
Región
g
activa:
• Juntura B-E directa
• Juntura B-C: inversa
Saturación
• Juntura B-E:
B E: directa
• Juntura B-C: directa
Corte
• Juntura B-E: inversa
• Juntura B-C:
B C: inversa
23/09/2009
amplificador
La corriente de colector
es controlada por la
tensión base-emisor
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Transistores NPN y PNP
Polarización en la región activa
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Transistores: Curvas
Variación con la temperatura
El voltaje Vbe cambia -2mV/C
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Transistores - Curvas
z
Corriente de colector
La corriente de
colector se
mantiene
constante
Efecto Early: Existe cierta dependencia de la corriente de colector
con el voltaje de colector.
A un determinado voltaje BE
BE, incrementando la tensión CE
CE, se
incrementa el voltaje inverso colector-base, incrementando la capa
de depleción.
Reducción del ancho efectivo de la base
se incrementa la Is
Aumenta la Ic
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Transistores - Curvas
La impedancia vista
desde el colector NO
es infinita
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Ecuaciones fundamentales
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Polarización: Ejemplo
Parámetros del transistor
•ganancia de corriente β = 100
•Vbe=0.6 volts
Polarizar el circuito para
obtener:
Ic=2mA
Vc=5
Vc
5 volts
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Determinación del punto de trabajo
Punto
Q
ideal
Demasiado
cercano a la zona
de corte
Demasiado
cercano a la zona
de saturación
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Polarización
z
z
El punto de trabajo vce-ic debe ser posicionado en la posición
adecuada permitiendo una buena excursión de salida.
La corriente de emisor del circuito debe ser constante e
invariante frente a las variaciones de temperatura y de beta
beta.
23/09/2009
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Polarización
Condiciones
C
di i
para h
hacer ell
circuito insensible a las
variaciones de temperatura y
de beta
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Polarización: circuitos alternativos
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Resolución gráfica
Determinación de la corriente de base
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Resolución gráfica
Determinación de la corriente de colector
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Excursión de señal
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Región activa: Configuraciones
z
z
El transistor es utilizado como amplificador.
p
Existen tres configuraciones básicas:
•
•
•
Base común
Emisor común
Colector común
Diferentes modelos son utilizados para estudiar cada
configuración
g
23/09/2009
Introducción a la Electrónica
Modelo de pequeña señal
Emisor
comun
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
Modelo de pequeña señal
1 Determinar el punto de operación del
1.
transistor: Ic, Vce,
2. Hallar los parametros de pequena senal
3. Remplazar el transistor por su circuito
equivalente.
4. Analizar el circuito resultante
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
Modelo de pequeña señal
z
Ejemplo
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
Modelo de pequeña señal completo
z
El efecto Earlyy es incluido en este modelo
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
Modelo de pequeña señal
z
Resumen de ecuaciones
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
Circuito equivalente
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
Ejemplo
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
Ejemplo
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
Configuraciones básicas
z
EMISOR COMÚN
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
Configuraciones básicas
z
EMISOR COMÚN con resistencia de emisor
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
Configuraciones básicas
z
BASE COMUN
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
Configuraciones básicas
z
COLECTOR COMUN
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
El transistor como llave
Región de corte
Región de saturación
Región activa
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
El transistor ”real”
real
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
El transistor ”real”
real
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
Altas frecuencias
28/09/2009
Introducción a la Electrónica
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