Transistores BJT - electronicafetsybjts

Anuncio
FET
vs
BJT
Transistores BJT
 El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos,
puede ser de germanio o silicio.
 Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP.
 Cuenta con 3 patitas que se denominan de la siguiente manera: base (B),
colector (C) y emisor (E).
Tipos:
Su función y composición…
 Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor
dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña
corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es
amplificada en la salida del colector.
 Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y
el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a
través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando
desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.
BJT
Configuraciones del transistor bipolar
Hay tres tipos de configuraciones típicas en los amplificadores con transistores,
cada una de ellas con características especiales que las hacen mejor para cierto
tipo de aplicación. y se dice que el transistor no está conduciendo. Normalmente
este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)
Amplificador
emisor
común
- Para que una señal esa amplificada tiene que ser una señal de corriente
alterna.
No tiene sentido amplificar una señal de corriente continua, por que ésta no lleva
ninguna información.
En un amplificador de transistores están involucradas los dos tipos de corrientes
(alterna y continua).
La señal alterna es la señal a amplificar y la continua sirve para establecer el
punto de operación del amplificador.
Este punto de operación permitirá que la señal amplificada no sea distorsionada.
Amplificador colector común
El amplificador seguidor emisor, también llamado colector común, es muy útil
pues tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida baja.
Nota: La impedancia de entrada alta es una característica deseable en una
amplificador pues, el dispositivo o circuito que lo alimenta no tiene que entregarle
mucha corriente (y así cargarlo) cuando le pasa la señal que se desea amplificar.
- Amplificador base común
Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales,
pero se toman como tal, debido a la pequeña diferencia que existe entre ellas, y
que no afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.
Transistores FET..
Que son?...
 Se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un
"canal" en un material semiconductor. Los FET, como todos los
transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por voltaje.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenaje (drain) y fuente
(source), se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el
voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre
drenaje y fuente.
FETs
Se dividen en:
 El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).-Consiste
en un transistor de efecto de campo basado en la estructura
MOS(estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) consiste en un
condensador que será la "puerta", el dieléctrico se forma con un óxido del
semiconductor del sustrato, y un semiconductor, denominado como
sustrato). Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica.
Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial
están basados en transistores MOSFET.
 El JFET (Junction Field-Effect Transistor) .-es un circuito que, según unos
valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida,
estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión
entre los terminales S (fuente) y G (puerta).
Son de dos tipos…
 Canal N.- Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas que
permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los
átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan
electrones.
 Canal P.- Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que
permiten la formación de huecos sin que aparezcan, como ocurre al
romperse una ligadura, electrones asociados a los mismos. Los átomos de
este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrón.
Características…
 Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).
 No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza Conmutador (Interruptor).
 Hasta cierto punto inmune a la radiación.
 Es menos ruidoso.
 Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
Ventajas de los FETs frente a los transistores bipolares
 Fabricación sencilla, ocupando menor espacio en su integración
 Son más estables térmicamente
 Son relativamente más inmunes a la radiación
 Tiene una gran resistencia de entrada (MW): se pueden conectar como
resistencias de carga en sistemas digitales
 No tienen tensión umbral para corriente de drenaje cero: excelentes
recortadores y muestreadores de señal
 Debido a sus capacidades internas o propias pueden funcionar como
elementos de memoria
 Tienen menor ruido
 Inconvenientes
 Como amplificadores, menor producto ganancia-anchura de banda
Practica simulada 1
Materiales
Transistor BJT 2n2222
1 resistencia de 5 kΩ
1 resistencia de 10 kΩ
1 resistencia de 1 kΩ
Fuente de voltaje de 5v
BJT 2N2222
Simulado
VRc
VRb
VRe
3.88v
3.22v
1.1v
Temperatura
Ambiente
4.64v
4.02v
.417v
Aplicando
Calor
4.61v
4.38v
.447
Estática
4.61v
4.02v
.417v
Practica simulada 2
Materiales
Transistor BJT 2n2222
1 resistencia de 4.7 kΩ
1 resistencia de 4.7MΩ
1 resistencia de 1 kΩ
Fuente de voltaje de 5v
JFET 2n5457
Simulado
Temperatura
Ambiente
Vs
Vg
Vd
626.31mV
14.31μV
2.94V
.791v
0v
3.68v
Aplicando
Calor(aproximado
200 C
.714v
0v
3.46v
Estática
.792v
0v
3.681v
Descargar