Descripción extensa del funcionamiento de los sensores de resistencias semiconductoras para detección de gases. Es un sensor que tiene un funcionamiento basado en que a elevada temperatura la conductividad volumétrica o superficial de algunos óxidos semiconductores se modifican en función de la concentración de oxigeno del ambiente en el que se encuentra. Se produce una variación de la resistencia que presenta su capa activa ante diferentes compuestos volátiles. La variación de la conductividad es debido a la presencia de defectos en la estructura cristalina, con un déficit de átomos de oxígeno. Al aumentar la temperatura, el oxígeno absorbido se disocia y sus electrones neutralizan el exceso de metal, y reducen la conductividad. Cuando el sensor se calienta a una temperatura cercana a 400Cº, ante la ausencia de oxígeno, los electrones libres fluyen fácilmente entre las fronteras granuladas de dióxido de estaño. En aire puro, el oxígeno, que atrapa electrones debido a su afinidad electrónica, queda adsorbido en la superficie de dióxido de estaño creando una barrera de potencial en las fronteras granulares. Esta barrera dificulta la libre circulación de electrones aumentando la resistencia eléctrica de la capa activa. La sensibilidad de este tipo de sensores se suele definir por la relación entre incremento de concentración de un determinado gas y el incremento de resistencia que se produce. En determinados rangos de concentración, la relación entre la resistencia del sensor y la concentración del gas desoxidado puede ser descrita mediante la ecuación experimental. R= A* [C]-α Donde: R, resistencia eléctrica del sensor A y α son constantes características de cada gas, [C]. concentración de gas A temperaturas superiores a 700ªC la relación entre la conductividad volumétrica σ y la presión parcial de oxigeno po2, es: A: constante. EA: energía de activación para la conducción. N: constante dependiente del tipo de defecto predominante en el material que determina el equilibrio entre el material y el oxígeno.