TEMA 2. FAMILIAS LÓGICAS BIPOLARES FAMILIAS LÓGICAS: GENERALIDADES INTRODUCCIÓN Una Familia lógica es la estructura básica a partir de la cual se pueden construir las puertas lógicas. En un circuito lógico hay dos posibles valores “0” y “1”. Estos valores deben corresponderse a valores analógicos (TENSIÓN). Los circuitos de una misma familia son compatibles y pueden conectarse entre sí. El 0 se asocia a un nivel bajo de tensión V(0), y el 1 a uno alto V(1). Principales tipos de familias lógicas: La abstracción lógica que se realiza en los circuitos lógicos se basa en asociar las variaciones electrónicas de un circuito real a UNOS y CEROS. Los UNOS y CEROS se obtienen de forma sencilla mediante interruptores. VCC VCC R1 R1 Vout=”1” Vout=”0” R2 Familias Lógicas MOS o NMOS o PMOS o CMOS R2 En el tema anterior se ha visto la capacidad de funcionar como interruptores de tres dispositivos diferentes: DIODO (ON-OFF); BJT (SATOFF); MOSFET (SAT-OFF): EJEMPLO: VCC Si el BJT está en OFF: Luego Vo Vi Si el BJT está en SATURACIÓN Luego Vo = VCE (SAT) ≅ 0.2 V V(0)= VCE (SAT) RB TIPOS DE CIRCUITOS DIGITALES En función de cómo estén construidos tendremos C.I. Bipolares (basados en las familias bipolares), Unipolares (basados en familias MOS) e Híbridos (Basados en tecnologías BICMOS; Bipolares y CMOS). En cualquier caso la distinción principal es por su complejidad, o sea por el número de puertas, N, que contienen): RC Ic=0 ⇒ Vo = VCC V(1)= VCC Familias Lógicas Bipolares o RTL Resistor-Transistor-Logic Diode-Transistor-Logic o DTL o TTL Transistor-Transistor-Logic Emitter-Coupled-Logic o ECL o HTL High-Threshold-Logic o IIL Integrated-Injection-Logic o DCTL Direct-Coupled-Transistor-Logic • • • • • SSI MSI LSI VLSI ULSI Pequeña Escala de Integración (N < 12) Media Escala de Integración (N < 100) Gran Escala de Integración (N < 10 000) Muy Gran Escala de Integración (N < 100 000) Ultra Gran Escala de Integración (N > 100 000) CONSUMO Y DISIPACIÓN DE POTENCIA CARACTERÍSTICAS DE LAS FAMILIAS LÓGICAS Cada Familia Lógica viene caracterizada por unos valores eléctricos y temporales. Estos valores están perfectamente indicados en los catálogos que proporcionan los distintos fabricantes. VALORES UMBRALES Los niveles eléctricos del 0 y el 1 tanto en la entrada como en la salida. • VIH: Mínima tensión en la entrada que se reconoce como 1. Mínima tensión a la salida en la situación de 1. • VOH: Máxima tensión de salida que será tomada como 0. • VOL: Tensión mínima de entrada que será reconocida como 0. • VIL: Vo Vi Vo P1 La medida se obtiene mediante el cálculo de la potencia suministrada por la fuente de alimentación: PSUM = ICC · VCC En las hojas de características se especifica la potencia máxima que soporta el dispositivo: P(TYP) = ICC (TYP) · VCC VELOCIDAD DE OPERACIÓN Y RESPUESTA Voh Voh 1 lógico Vih P2 Vil Vol Vil Es un factor muy importante. Dos tipos de consumo de potencia: - ESTÁTICO: El circuito consume energía tanto si está funcionando en el estado 0 como si está en estado 1. - DINÁMICO: El circuito consume energía al realizar transiciones entre un estado y otro. Vih Vol 0 lógico Vi La velocidad a la que puede trabajar una puerta depende del tiempo necesario para que la señal se propague desde la entrada a la salida y del tiempo de transición de un estado a otro. Vi 90% 50% MÁRGENES DE RUIDO Al conectar la salida de una puerta a la entrada de otra debe haber coherencia. Los márgenes en los que se pueden mover las señales son: Margen de ruido a nivel alto. Es una medida del • NMH = VOH - VIH nivel de ruido tolerado sin que se altere el estado lógico 1. Margen de ruido a nivel bajo. Es una medida del • NML = VIL - VOL nivel de ruido tolerado sin que se altere el estado lógico 0. FAN-IN: Cargabilidad en la entrada. Máximo número de circuitos digitales similares que pueden conectarse a su entrada sin perturbar su funcionamiento. FAN-OUT: Cargabilidad en la salida. Máximo número de circuitos digitales similares que pueden conectarse a su salida sin perturbar su funcionamiento. 10% tr tPHL Vo tf t PLH t 90% 50% 10% t LH t HL TPHL: Retraso de propagación en la transición alto a bajo. TPLH: Retraso de propagación en la transición bajo a alto. T P: Retraso medio de propagación, T p = PRODUCTO RETRASO-POTENCIA Es un factor de calidad TPHL + TPLH 2 PDP = Pconsumida · Tp t LÓGICA CON DIODOS LÓGICA RTL Los primeros circuitos Lógicos se construyeron usando Diodos, pero no eran integrados. El funcionamiento era el siguiente: VCC Si Vi = V(0) ⇒ D ON Entonces Vo = Vγ + V(0) Si Vi = V(1) ⇒ D OFF Entonces Vo = VCC R2 / (R1 + R2) Vo RC Vo - VD + Vi OFF VOH Vo R2 Vo Característica de Transferencia VCC R1 Vi Vi INVERSOR BIPOLAR: ZAD RB SAT VOL VIL Con más entradas: Si V1 = V2 = V3 = V(1) ⇒ D OFF Entonces Vo = VCC R2 / (R1 + R2) Si alguna entrada es V(0) ⇒ D ON Entonces Vo = Vγ + V(0) ⇒ 0 Lógico R1 V1 Vi Vo V2 V3 R2 Si: RC = 1K, RB = 10K, β F = 70, VCC = 5V; Entonces: VOH = 5V; VOL = 0.2V; VIH =1.5V; VIL = 0.7V, y los márgenes de ruido NMH = 3.5V y NML = 0.5V. Para poder realizar funciones lógicas se necesita un conjunto completo, y con esta estructura podemos construir puertas NOR. Estamos ante una operación AND VCC RC Si “damos la vuelta” a los diodos la función que se realiza es una OR. Vo Si Vi = V(0) ⇒ D OFF y Vo = 0 Vo Vi Si Vi = V(1) ⇒ D ON y Vo = V(1) - Vγ Si V1 = V2 = V3 = V(0) ⇒ D OFF Entonces Vo = 0 VIH VCC + VD - V1 RB V2 RB R Características RTL: (Valores típicos de Cat.) VCC = 3.6 V; Fan-out: 3; Tp= 12ns; VOH = 1.03V; VOL = 0.2V; VIH =0.8V; VIL = 0.65V; Pm = 12mW V1 Vo V2 V3 Si alguna entrada es V(1) ⇒ D ON Entonces Vo = V(1) - Vγ ⇒ 1 Lógico Funcionamiento: R Es una lógica NO inversora, incapaz de implementar todas las funciones. • V1 = 0 y V2 = 0 ⇒ T1 OFF y T2 OFF ⇒ T1 SAT y T2 OFF • V1= VCC y V2= 0 • V1= VCC y V2= VCC ⇒ T1 SAT y T2 SAT ⇒ Vo ≅ VCC ⇒ Vo = VCE(SAT)≅0.2V ⇒ Vo = VCE(SAT)≅0.2V Esta primera familia integrada cayó en desuso por lentos. LÓGICA DTL LÓGICA TTL Ideada en 1962, ya en desuso. Se trata de un circuito AND de diodos y resistencias con un inversor a la salida. VCC VCC R3 R1 Vo D1 D2 D3 B Vi A - VD + R2 Entre 1966 y 1985 la más usada. Aparece para corregir problemas de retraso en las operaciones de las DTL: Retraso de propagación en el cambio 0-1 a la salida. En dicha transición T2 debe pasar de saturación a corte, para ello se descarga la base a través de la resistencia de 5K. El tiempo de subida es mayor que el tiempo de bajada: TLH (grande) > THL TLH (transición de subida) (Transición de bajada) THL VBB 6K Caso práctico: R1 = 2K, R2 = 5K, R3 = 4K, VCC = 4V, VBB = -2V; Se comprueba que: ⇒ Vo ≅ VCC • Vi = V(0) ⇒ D1 ON y T OFF ⇒ Vo = VCE(SAT)≅0.2V • Vi = V(1) ⇒ D1 OFF y T SAT 6K I Vo Vo T2 CL T2 CL I En 1964 aparece una modificación: Aquí T funciona entre ZAD y OFF y T entre SAT y OFF VCC=5V La Lógica TTL corrige el problema con dos etapas, D1 Vi VCC=5V 1.75K 2K 6K T1 D 2 Circuito de Entrada Circuito de salida Vo T2 I 5K Vo NAND DTL T1 Vi I Características DTL: (Valores típicos de Cat.) VCC = 5 V; Fan-out: 8; Tp= 65ns; VOH = 2.6V; VOL = 0.2V; VIH =2V; VIL = 0.4V; Pm = 15mW CL En la entrada ponemos un transistor que hará la transición más rápida y en la salida se colocan dos transistores para que en ambas transiciones de salida conduzca un transistor. TTL BÁSICA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA TTL Vo R1 Si Vi = V(0) ⇒ T1 ZAD o SAT ⇒ T2 CORTE ⇒ Vo ≅ VCC = V(1) R2 VOH Vo Vi Si Vi = V(1) ⇒ T1 ZAI (¡ATENCIÓN!) ⇒ T2 SAT ⇒ Vo ≅ VCE(SAT) = V(0) T1 T2 VOL VIL NAND TTL T1 T2 T3 T4 TTL STANDARD (NAND) Se introduce una etapa de salida denominada TOTEM-POLE. R1 4K R3 R4 1.6K 130 T4 T1 V1 T2 V2 Vo R2 T3 SAT OFF OFF ZAD ZAD ZAD OFF ZAD Vi VIH SAT ZAD ZAD ZAD ZAI SAT SAT OFF PUERTAS EN TECNOLIGÍA TTL Características TTL (54/74): (Valores típicos de Cat.) VCC = 5 V; Fan-out: 10; Tp= 10ns; VOH = 3.5V; VOL = 0.2V; VIH =1.5V; VIL = 0.5V; Pm = 10mW PUERTA AND PUERTA NOR A F=A⋅B B 1K La etapa Tótem-pole hace que en la salida se den estas situaciones: A Vo = V(0) ⇒ T3 SAT y T4 OFF Vo = V(1) ⇒ T3 OFF y T4 ZAD Con el diodo se asegura que T4 esté en corte en la situación del cero lógico de salida B F=A+B ETAPAS DE SALIDA TTL SERIES DE LA FAMILIA TTL (I) Frente a capacidad de interconexión de distintas salidas en las familias RTL y DTL, la TTL presenta un gran inconveniente. La etapa de salida de una RTL o una DTL consiste básicamente en un transistor y una R, esto permite conectar la salida de dos puertas sin degradación de estados: Con salida 00 • AA 6K Vo DM N SN SN SN • YY ⇒ T1 OFF y T2 OFF ⇒ Vo = V(1) 6K La operación lógica que realiza es una AND. A esto se le denomina cableado lógico y ahorra un considerable número de puertas. En la standard TTL no es posible hacerlo, se proponen dos soluciones: Si E=V(1) no funciona. Si E=V(0) toda la corriente fluye por el nuevo diodo y corta los transistores de Salida. National Semiconductor Signetics Fairchild (sin código) Motorola Texas Instrument Americam Micro Device Código del rango de temperaturas en el que funciona. 54 74 Rango Militar de -55ºC a 125ºC Rango Comercial de 0ºC a 70ºC • BBB Código de Familia TTL. T2 L H S ALS AS COLECTOR ABIERTO: Se prescinde del Totem-pole, perdiendo sus ventajas. Hay que usar una resistencia entre VCC y la unión de los Colectores. PUERTA TRI-ESTADO: Para aprovechar las ventajas de la etapa Totempole, se introduce una señal de control de manera que inhiba el funcionamiento de la puerta: Código del fabricante para esta tecnología. T1 ⇒ T1 SAT y T2 SAT ⇒ Vo = V(0) Con salida 01 (10) ⇒ T1 SAT y T2 OFF ⇒ Vo = V(0) Con salida 11 Los dispositivos integrados de las Familias TTL, vienen designados por un código compuesto por una serie de números y letras que lo identifican: AA YY BBB XXX CC TTL Standard (sin código) TTL Baja Potencia TTL Alta Velocidad TTL Schottky TTL Schottky Avanzada de Baja Potencia TTL Schottky Avanzada • XXX Código de función que realiza el dispositivo. R3 R1 T4 T1 V1 • CC T2 V2 E 00 01 162A R4 Vo R2 1K T3 Dispositivo con 4 puertas NAND de dos entradas Idem con salida en Colector Abierto Contador Síncrono de 4-bit Código del tipo de Encapsulado del dispositivo. Cada fabricante suele tener un código propio. J U N P PC DIP cerámico (Nat. Semc. y Tex. Inst.) DIP cerámico (Mot.) DIP plástico (Nat Semc. y Tex. Inst.) DIP plástico (Fair., Mot y Tex. Inst.) DIP plástico (AMD) SERIES DE LA FAMILIA TTL (III) SERIES DE LA FAMILIA TTL (II) SERIE SCHOTTKY STTL SERIE DE ALTA VELOCIDAD HTTL R1=2.8 KΩ R2=0.76 KΩ R3=58 Ω R4=5.3 KΩ R5=0.5 KΩ R6=0.25 KΩ R1 Sigue el mismo esquema que la HTTL. Los valores de las resistencias son iguales pero los transistores se sustituyen por transistores Schottky, cuya unión B-C está formada por un diodo Schottky (VBC(ON) = 0.3V): R3 R2 T4 A B T5 T2 T1 VBC=0.3 _ + + + Vo VCE=0.4 V VBE=0.7 _ _ T3 R4 Permite trabajar a más velocidad, porque: R5 R6 El transistor Schottky no llega a Saturación, con lo que las transiciones son entre OFF y ZAD, que son mucho más rápida. El problema es que en ZAD se consume mucha más potencia, ya que la corriente es mayor. T6 1º.- Resistencias más pequeñas ⌦Intensidades altas. ⌦Conmutaciones rápidas. 2º.- T4 y T5 es un PAR DARLINGTON (nueva Tótem-Pole) ⌦Resistencia de salida muy baja ⌦Más intensidad a la salida, o sea, más velocidad. 3º.- R5, R6 y T6 constituyen una etapa de Pull-Down, más rápida. SERIE SCHOTTKY DE BAJA POTENCIA LSTTL R1=24 KΩ R2=7.6 KΩ R3=2.8 KΩ R4=3.5 KΩ R2 R1 D3 D1 T4 A SERIE DE BAJA POTENCIA LTTL R1=16 KΩ R2=6 KΩ R3=600 Ω R4=320 Ω R5=16 KΩ R6=5 KΩ R2 R1 R3 Solución de Compromiso: R4 T4 T5 A B ⌦Resistencias más altas ⌦Intensidad más baja ⌦Baja disipación de Potencia. o Velocidad es Lenta. T2 T1 R5 Vo T3 R6 ⌦ Poco Consumo o Resistencias Altas ⌦Velocidad Alta o Schottky o Etapa Pull-Down o Etapa Darlington T5 T2 B Vo D2 T3 R3 R4 T6 No es necesario sustituir T5, ya siempre trabaja en corte o ZAD y es más barato que usar un T Schottky. LÓGICA ECL SERIES DE LA FAMILIA TTL (y IV) Tabla resumen de Características y diferencias entre las series de la familia TTL. Son los circuitos Lógicos Bipolares más rápidos debido a: Los transistores no se saturan Existe poca diferencia entre los niveles lógicos de tensión ESTRUCTURA BÁSICA DE UNA PUERTA ECL VCC Par Diferencial (Conmutador de Corriente) VN V1 RC2 RC1 Vo2 Vo1 T2 T1 VR IEE Operación lógica: -VEE Si alguna entrada i está a nivel alto: Vi > VR ⇒ Ti ON y T2 OFF ⇒ Vo1 = V(0) y Vo2 = V(1). Si todas las entradas están a nivel bajo: Vi < VR ⇒ Ti OFF y T2 ON ⇒ Vo1 = V(1) y Vo2 = V(0). En la salida Vo1 se realiza la operación NOR y en la Vo2 la operación OR. La operación lógica se fundamenta en la conmutación de intensidad entre ambos lados del par diferencial. IE2 IE1 IE2 IE1 IEE IEE/2 -4VT 0 4VT Vi -VR FORMACIÓN DE UNA PUERTA BÁSICA En la estructura general se precisan 3 fuentes de Suministro de energía (VCC, VEE y VR). Lo interesante es tener una sola VEE(-5.2V). 1. En lugar de conectar a VCC conectamos a Tierra. 2. Sustiruyendo VR por un circuito que proporcione ese valor a partir de VEE. PUERTA BÁSICA OR-NOR ECL (10K) GND T3 T1 T2 R4 D2 R8 4.98K Así mismo la fuente de intensidad IEE puede construirse de la forma más simple con una resistencia. (se pueden usar soluciones mejores). GND R2 245 V’02 R1 220 V’01 T2 T1 R4 50K R8 R3 Características ECL (10K): (Valores típicos de Cat.) VEE = -5.2 V; Fan-out: 10; Tp= 2ns; VOH = -0.9V; VOL = -1.74V; VIH =-1.22V; VIL = -1.42V; Pm = 24mW VR VE Serie ECL (100K): Valores típicos VEE = -4.5 V; Tp= 0.75 ns; Pm = 40 mW; R3 779 V’02 Problemas de ECL (10K): Variación con la Temperatura VR ↔ 1.1 mV/ºC VO(0) ↔ 0.6 mV/ºC VO(1) ↔ 1.5 mV/ºC Para resolver los problemas de la ECL (10K) aparece una serie ECL más rápida, con aproximadamente los mismos valores lógicos, pero con un mayor consumo de potencia. -VEE Para terminar, a la estructura básica se le añade un circuito desplazador de nivel, para asegurar el funcionamiento de los transistores en el par diferencial. NOR D2 -VEE -VEE Vi VR R6 R5 T5 D1 VA D1 R6 6.1K T6 OR T4 VR R7 T4 VB R7 907K R2 R1 T6 R 50 V02 Para conectar dispositivos basados en ECL con dispositivos basados en TTL se usan Circuitos Transductores (convierten un valor eléctrico en otro). Vi -VEE Serie ECL (100K): Variación con la Temperatura VR ↔ 0.1 mV/ºC VO(0) ↔ 0.1 mV/ºC VO(1) ↔ 0.1 mV/ºC Transductor ECL-TTL Vo OTRAS LÓGICAS BIPOLARES LÓGICA HTL (LÓGICA DE UMBRAL ELEVADO) Está basada en DTL. Tiene un margen de ruido muy alto. Útil en ambientes con mucha interferencia electromagnética. VCC=15V VCC=15V 3K Di 12K A T1 Vo D2 B T2 5K D2 es un zener de 6.9 V. LÓGICA I2L (LÓGICA DE INYECCIÓN INTEGRADA) Es la opción bipolar para el caso de gran escala de integración (LSI-VLSI). Fue desarrollada por Philips e IBM en los años 70 y desplazada por el uso de tecnologías CMOS. Ahora se está usando en BiCMOS. CIRCUITO I2L BÁSICO VCC VCC C1 C2 C3 Vi Vi C1 C2 C3