UNIVERSIDAD PONTIFICIA COMILLAS ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE INGENIERÍA (ICAI) INGENIERO INDUSTRIAL PROYECTO FIN DE CARRERA MONOPATÍN ELÉCTRICO COMO COMPLEMENTO AL TRANSPORTE PÚBLICO EN LAS CIUDADES. SISTEMA ELÉCTRICO Y DE CONTROL DEL MOTOR. AUTOR: Luis Pieltain Fernández MADRID, Junio de 2008 Autorizada la entrega del proyecto del alumno/a: Luis Pieltain Fernández LOS DIRECTORES DEL PROYECTO Álvaro Sanchez Miralles Fidel Fernández Bernal Fdo.: Fecha:………/Junio/2008 Fdo.: Fecha:………/Junio/2008 Vº Bº del Coordinador del Proyectos Álvaro Sánchez Miralles Fdo.: Fecha:………/Junio/2008 MONOPATÍN ELÉCTRICO COMO COMPLEMENTO AL TRANSPORTE PÚBLICO EN LAS CIUDADES. SISTEMA ELÉCTRICO Y DE CONTROL DEL MOTOR. Autor: Pieltain Fernández, Luis. Directores: Sanchez Miralles, Álvaro and Fernández Bernal, Fidel. Entidad colaboradora: ICAI – Universidad Pontificia Comillas. RESUMEN DEL PROYECTO La necesidad de trabajar en los centros de las grandes ciudades y la imposibilidad de compra de una vivienda en dichas zonas debido a su alto precio, ha posibilitado la creación de un problema patente en el día a día de las grandes ciudades. A la hora de ir a trabajar se plantean dos posibilidades: la primera, el transporte en coche particular con los inconvenientes de los atascos y la contaminación que estos producen; y la segunda: el uso del transporte público. Las estadísticas muestran que cuando las distancias a recorrer son superiores a 15 minutos andando, la mayor parte de la gente recurre al coche o a otro método de transporte para desplazarse, lo cual ha favorecido que las zonas adyacentes a las estaciones de metro y cercanías se hayan visto saturadas por vehículos. Es en este punto donde el proyecto a continuación detallado encuentra su sentido y su posibilidad de comercialización. Se pretende realizar un medio de transporte individual que soporte una carga de 100kg y con un peso inferior a los 10 kg, debiendo ser el objeto en cuestión plegable de tal forma que pueda ser contenido en una mochila, donde se portaría un cargador que se utilizaría en el punto de trabajo para recargar la batería posibilitando el retorno desde la estación al hogar. El proyecto aquí presentado se realizó en unas etapas que cronológicamente se han representado aquí en el orden de los capítulos, es decir, una primera parte en donde se hace una pequeña introducción y se explica la motivación de este proyecto para posteriormente pasar a un estudio de las tecnologías ya existentes y un cuadro que recoge claramente los puntos de mejora con respecto a la competencia. Se sigue con la explicación paso a paso y con detalle de todos los procesos que se llevaron a cabo para la ejecución y cumplimiento de los objetivos marcados, dividiendo el trabajo global en una serie de tareas más sencillas que se han ido llevando a cabo según una cronología pensada y estudiada previamente en el horizonte de 9 meses. En el proceso de este proyecto se debía desarrollar un sistema de control de la velocidad del motor de una manera muy intuitiva por parte del usuario así como un sistema de frenado regenerativo, de manera que la vida de la batería entre carga y descarga sea lo más larga posible, produciéndose durante el frenado una carga controlada de ésta gracias a que el frenado se realizará con la ayuda del par motor. Este sistema entraña una gran complicación teniendo que ser esta carga controlada de una manera dinámica, ya que a diferentes niveles de carga de la batería ésta puede aceptar más o menos corriente, siendo sin embargo la corriente que da el motor (ahora funcionando como generador) dependiente de la intensidad con la que el usuario quiera frenar. El monopatín debía tener una autonomía de unos 6,5 km (20 minutos de recorrido a una velocidad máxima de 20 km/h) cabiendo la posibilidad de seguir usando el monopatín una vez la batería se gaste y pensado para llevar un cargador contigo para poder cargarlo una vez en tu destino siendo la duración de la carga de unas 3 horas. Para tal finalidad este monopatín será propulsado por un motor “brushless DC” de 24 V que ofrece una potencia de 328 watios y alimentado por una batería de litio Polímero de 7.5 Ah, 37V. Para tal efecto en una primera etapa se desarrolló la idea básica de cómo iba a ser en global todo el sistema de control tanto de la velocidad como del frenado, para luego profundizar con más detalle en cada uno de los sistemas. Se desarrollaron con la ayuda del programa Eagle v.4.09 los esquemas electrónicos necesarios para estos 2 sistemas. En el proceso de diseño se llegó a una serie de problemas que no se habían previsto en un principio, por lo que fue necesario llevar a cabo unos cambios respecto a las ideas iniciales. Una vez se desarrolló por completo el sistema básico de control de velocidad del motor se trabajó en el diseño de un PI para integrar el mismo en un micro PIC para el ajuste del control del par. Con éste lo que se pretende es que el usuario decida de manera directa, al igual que cuando uno conduce su coche, la potencia que quiere conseguir, y no la velocidad, lográndose así un control más intuitivo del aparato. Por otra parte, para el desarrollo del frenado regenerativo fue necesario la realización de un algoritmo, el cual se programará de la misma manera en el micro PIC, para que a través de una serie de lecturas de la tensión de la batería y la corriente que atraviesa el motor fuese capaz de calcular cuán cargada se encuentra la batería y a raíz de eso, a partir de unas curvas que se obtuvieron a través de una serie de ensayos de carga y descarga de la batería, calcular la corriente que puede atravesar a ésta con el fin de cargarla, desviando la corriente sobrante por una resistencia diseñada a tal efecto. Posteriormente se pasó del papel –o en este caso del ordenador- a lo físico para realizar las pruebas necesarias para comprobar el correcto funcionamiento de la placa PCB y de todo el sistema en global. Para tal finalidad se tuvo que pasar por una etapa previa de selección de los elementos que iban a ser necesarios como conectores que soportasen vibraciones, transistores, resistencias, etc., todos ellos ya pensados y adecuados para la posterior fabricación en serie cuando se lance al mercado. Una vez se realizaron todos los esquemas de montaje y se compraron los elementos necesarios, se fabricó la placa PCB, en donde se soldaron todos los componentes y conectando la placa a una bancada en donde se encontraba nuestro motor de continua y como carga un motor síncrono, se procedió a realizar las pertinentes pruebas del sistema de control de velocidad. Éstas se realizaron conectando por razones de seguridad a una fuente de tensión controlada de los laboratorios de ICAI, con una intensidad máxima reducida a 3A, por lo que las pruebas se realizaron en vacío. En esta etapa salieron a la luz pequeños errores de diseño, y tras solucionarlos, el resultado fue más que satisfactorio: el movimiento de un motor cuya velocidad se podía controlar por medio de una maneta con la que se varía el factor de servicio de un PWM. ELECTRIC ROLLER AS A COMPLEMENT TO PUBLIC TRANSPORT IN BIG CITIES. MOTOR ELECTRIC AND CONTROL SYSTEM. Author: Pieltain Fernández, Luis. Directors: Sanchez Miralles, Álvaro and Fernández Bernal, Fidel. Collaborating partner: ICAI – Universidad Pontificia Comillas. PROJECT SUMMARY The need of working in big city centres and the impossibility of buying a house in these areas due to its very high prices, has introduced a problem in our day to day living in big cities. Nowadays there are two possibilities of getting to work: either by using the car, with the added problem of jams and pollution, or travelling by public transport. Statistics show that when the distance to walk is longer than 15 minutes, the majority of the people use cars or other ways of transport. This has caused areas next to metro stations or railway stations in villages next to big cities to be flooded by vehicles. An individual way of transport needs to be created to alleviate this problem. It is here where this project finds its point of being and the possibility of commercialisation. A proposal would be to make a roller with the possibility of holding up to 100 kg on it and its weight less than 10 kg. It must also be able to be folded into a bag, where there should also be enough space for a charger, so that the batteries can be recharged while one is at work giving the possibility to come back from the station to home. This project is laid out in the chronological order in which it was created, it means, one first part where a little introduction and the explanation of the motives of this project is made, to go on with the study of the main products the competence offers at this moment and a picture that clearly reflects the points of improvement of this project over the competition. After this introduction, the project continues with the step to step and detailed explanation of all the process carried out to achieve the desired objectives, breaking the global work into a series of more easy tasks carried out according to a chronology previously thought and studied on the horizon for 9 months. In the process it should be developed a very intuitive velocity control system and a regenerative brake system so the battery lasts as long as possible between we charge the battery and it is empty. A controlled charge of the battery is done while braking because this brake is done thanks to a motor torque. This charge has to be controlled in a dynamic way because more or less current can pass through the battery depending on how much it is charged, but the current coming from the motor only depends on how much the user wants to brake. The roller should be autonomous for over 6.5 km (20 minutes rolling at 20 km/h). It also has the possibility to use it without battery and it is thought to carry a charger with you in the backpack to be able to charge it once you got to your destiny. The charge time is around 3 hours. This roller will have a 24 V, 328 watts, brushless DC motor and it will be powered by a 7.5 Ah, 37V litium battery. At an early stage the basic idea of how the velocity and brake control systems in global would be was developed, for later getting deeper and with more detail in how each one of the systems would be. The necessary electronic circuits for these two systems were developed using the software Eagle v.4.09. In the design process a series of problems which were not foreseen at the very beginning were found, so it was necessary to carry out some changes with respect to the first ideas. The next step once the velocity basic control system got finished, was to develop a PI which would be programmed in a micro PIC for the proper adjustment of torque control. With this the intention is that the user can chose how much power he wants to accelerate (or to brake) with, and no the velocity he wants to achieve, getting this way a more intuitive motor control. In the other hand, for the regenerative brake system it was necessary to develop an algorithm which would be programmed like before in the micro PIC so we were able to calculate how much the battery is charged by getting some measures about the battery voltage and the current through the motor, and with this data calculate how much current can pass trough the battery to charge it, using for this proposal a series of curves about the charge process of the battery which were obtained in the laboratory. The rest of the current that can not pass through the battery should pass through a resistor designed for that proposal. After all this, the next step was to change from paper –in this case computerto perform physical tests required to verify the proper functioning of the PCB board and the entire global system. For that proposal we had to pass through a prior stage where we had to select the necessary elements for the system, like connectors which would be able to support vibrations, transistors, resistors, etc., all of them already designed and suitable for mass production later when it is released to the market. Once all the assembly schemes were carried out and the necessary elements were bought, the PCB board was manufactured, where all the elements were welded and connecting the board to a platform where our DC motor and a synchronous motor were located, we proceed to perform the relevant tests of the speed control system. These tests were carried out by connecting the system to a controlled voltage source from ICAI laboratories for some security reasons, with a maximum reduced current of 3A, so the tests were conducted without load. At this stage came to light small errors in design, and after solve them, the result was more than satisfactory: the movement of an engine whose speed can be controlled by a lever which varies the duty cycle of a PWM. Parte I Capítulo 1 Memoria .............................................................................................3 Introducción...................................................................................4 1 Motivación del proyecto ................................................................................... 5 2 Estudio de los trabajos existentes / tecnologías existentes......................... 9 2.1 EmPower ........................................................................................................................10 2.2 MotorBoard 2000X ........................................................................................................12 2.3 Proyecto ICAI (2005).....................................................................................................14 3 Objetivos............................................................................................................ 18 4 Metodología / Solución desarrollada ........................................................... 20 4.1 Planificación de tareas..................................................................................................20 4.2 Fases en el proceso........................................................................................................23 Capítulo 2 Diseño del prototipo...................................................................24 1 Planteamiento del esquema general del sistema ....................................... 24 2 Sistema de control de velocidad.................................................................... 25 2.1 Ideas básicas del sistema de control de velocidad....................................................25 2.2 Desarrollo de la placa PCB ..........................................................................................31 3 Sistema de frenado regenerativo................................................................... 43 3.1 Medidor de corriente (2 opciones)..............................................................................43 3.2 Medidor de tensión.......................................................................................................52 3.3 Desarrollo e implementación del sistema de frenado regenerativo.......................53 4 Ajuste del control del par ............................................................................... 77 5 Pruebas básicas de la placa PCB.................................................................... 81 5.1 Diseño de planos con Eagle v.4.09..............................................................................81 5.2 Pruebas en laboratorio .................................................................................................83 6 Recursos / herramientas empleadas.............................................................. 86 Capítulo 3 1 Resultados/Experimentos ..........................................................93 Ensayos de carga y descarga de la batería ................................................... 93 Capítulo 4 Conclusiones ..............................................................................105 Capítulo 5 Futuros desarrollos...................................................................110 Bibliografía........................................................................................................113 -1- Parte II 1 Código fuente.................................................................................114 Algoritmo para el frenado regenerativo .................................................... 115 Parte III Estudio económico ........................................................................119 Parte IV Datasheets......................................................................................122 -2- Memoria. Introducción Parte I MEMORIA -3- Memoria.Introducción Capítulo 1 INTRODUCCIÓN En primer lugar, en la sección 1 se realizará un análisis de los principales competidores del mercado que ofrecen productos similares, es decir, otros monopatines motorizados y en base a eso se sacarán sus puntos fuertes y débiles para tener en cuenta en el monopatín que se trata de desarrollar en este proyecto y se tratará de innovar con nuevas ideas. De esta manera, en la sección 2 de este capítulo se describirán las motivaciones que llevan al desarrollo de este proyecto en donde se analizará el cómo tendrá cabida este monopatín en el mercado y los puntos fuertes que se pretenden potenciar. En la sección 3 se muestran los objetivos que al iniciar este proyecto se marcaron con el horizonte de un año para su desarrollo. En la sección 4 se explicará paso a paso y con detalle todos los procesos que se llevaron a cabo para la ejecución y cumplimiento de los objetivos marcados, dividiendo el trabajo global en una serie de tareas más sencillas que se han ido llevando a cabo según una cronología pensada y estudiada previamente. En los casos que se han considerado necesarios se han incluido una serie de explicaciones teóricas acerca de cómo es el funcionamiento concreto de la parte que se explica del sistema. Finalmente en la sección 5 de este capítulo se hace referencia a cuáles han sido los recursos y herramientas que han sido necesarios para el desarrollo 4 Memoria. Introducción de todo este proyecto, tanto a nivel de diseño como a nivel de montaje y pruebas en el laboratorio. 1 Motivación del proyecto Hoy en día la importancia que se le da a las comunicaciones es muy grande, buscando que estas sean rápidas y eficaces. Así, se esta produciendo un rápido desarrollo de los medios de comunicación y de transporte, procurando al mismo tiempo un máximo respeto hacia el medio ambiente, siendo esto último algo a lo que cada vez se le está dando una mayor importancia. Por otro lado, la necesidad de trabajar en los centros de las grandes ciudades y la imposibilidad de compra de una vivienda en dichas zonas debido a su alto precio, ha posibilitado la creación de un problema patente en el día a día de las grandes ciudades. A la hora de ir a trabajar se plantean 2 posibilidades: la primera, el transporte en coche particular con el inconveniente de los atascos y la contaminación que estos producen; y la segunda, el uso del transporte público. Las estadísticas muestran que cuando las distancias a recorrer son superiores a 15 minutos andando, la mayor parte de la gente recurre al coche o a otro medio de transporte para desplazarse. Por todo esto surgió la idea de la creación de un monopatín eléctrico, con el fin de recorrer la distancia hasta la estación de metro u otro transporte público y ahorrarte esos 15 minutos de los que hablábamos antes, pudiendo posteriormente plegarse para poder llevarlo contigo en una mochila diseñada a tal efecto, teniendo el monopatín un peso inferior a los 10kg. El monopatín funcionará con una batería de litio, reduciendo así los niveles de contaminación, pudiendo alcanzar velocidades de hasta 20km/h, con la posibilidad de limitar la máxima velocidad a 12 km/h. -5- Memoria. Introducción El desarrollo del sistema eléctrico y electrónico de este monopatín, que es lo que trata este proyecto, pretende el desarrollo de un sistema de control de la velocidad del motor de una manera muy intuitiva por parte del usuario -el cual buscará un control del par y no de la velocidad, de esta manera el usuario acelerará más al entrar en una cuesta arriba con el fin de mantener la velocidad constante- , así como del sistema de frenado. Se trabajará en un sistema de frenado regenerativo, de manera que la vida de la batería entre carga y descarga sea lo más larga posible, produciéndose durante el frenado una carga controlada de ésta gracias a que el frenado se realizará con la ayuda del par motor. El desarrollo de esta tecnología se ha previsto que tendrá un coste de aproximadamente unos 2000 €, sin embargo, cuando se ponga en fabricación se preve una reducción los mismos, que incluirá el uso de materiales más baratos, que reducirá su coste a unos 600 € con un precio de venta de unos 1000 €/unidad. De esta manera se pretende lanzar este producto al mercado con un precio asequible de tal manera que una movilidad rápida y eficaz por las ciudades sea la posibilidad de la mayoría en un mundo en el que cada vez el tiempo es más importante. Concretando un poco más y atendiendo a lo que actualmente la competencia nos ofrece, estamos hablando de un monopatín con una autonomía de unos 6,5 Km ( 20 minutos de recorrido a velocidad máxima, suficiente para recorrer la distancia necesaria para llegar a nuestro destino que sería de casa a la estación y de ésta a la oficina, o simplemente para pasar durante un buen rato un momento divertido), alcanzando una velocidad de 20 km/h con un peso inferior a los 10 kg, pudiendo soportar una carga de 100 kg. -6- Memoria. Introducción Hay que mencionar que estos 20 km/h que alcanza el monopatín hacen que éste no pueda considerarse como un juguete, ya que se necesita cierta responsabilidad a la hora de utilizarlo, aunque eso no quita que uno no pueda tener unos momentos de diversión responsable utilizando este monopatín, ya sea simplemente para ir a dar un paseo a lo largo de la vía o carril bici que rodea la playa de tu lugar favorito de veraneo o simplemente para ir a hacer la compra al supermercado más cercano de una manera rápida, cómoda y divertida. Hay que mencionar en este punto, que según las reglas de circulación, no está permitido sobrepasar la velocidad de 12 km/h en zona peatonal, por lo tanto se incluirá en el monopatín una opción que permita elegir entre modo “crucero”, con la velocidad máxima de 20 km/h, y modo “ciudad”, en el cual se limitará la velocidad a 12 km/h. El monopatín será propulsado por un motor “brushless DC” de 24 V nominales que ofrece una potencia de 328 watios (ver Parte IV Datasheets), siendo esta potencia mayor que los 206,66 watios que se probaron en su momento se necesitarían con el fin de subir una pendiente de 15º a 20Km/h cargando con un peso de 100Kg (situación límite de este monopatín). Sin embargo, se fue más lejos, ya que como se explicará más adelante, el servicio que dará el motor se ha aumentado a una tensión de 37 V, consiguiéndose por tanto una potencia de unos 500 watios. El monopatín se ha diseñado a tres ruedas ofreciendo una gran estabilidad y comodidad al usuario como puede apreciarse en la Imagen 3 de la página 16, pudiendo éste utilizarse aún sin batería, ofreciendo su ergonomía una gran comodidad tanto a la hora de ir propulsado con el motor como a la hora de querer alinear el monopatín con una de las -7- Memoria. Introducción piernas para propulsar mecánicamente sin ayuda de la batería. Por otro lado éste monopatín, como ya se ha mencionado, podrá ser plegado, de una manera y con unas prestaciones mejores a las de la competencia, gracias a la innovación de los tubos telescópicos y el reducido peso, a una forma que se puede apreciar en la Imagen 4 de la página 16, de manera que pueda ser portado en una mochila para el resto del trayecto, en el transporte público, en la oficina o mientras haces la compra en tu supermercado más cercano. Su sistema de alimentación se basa en una batería de litio. Una ventaja de estas baterías de Li-Ion es que a igualdad de carga almacenada, son menos pesadas y ocupan menos volumen que las de tipo Ni-MH y mucho menos que las de Ni-Cd y Plomo (tipos utilizados como veremos en el siguiente punto por la competencia). Por otro lado cada célula de la batería proporciona 3,7 voltios, lo mismo que tres baterías de Ni-MH o Ni-Cd (1,2 V cada una) y además gozan de un espesor por placa de menos de 5 mm. Además, cuando guardamos una batería, ésta se descarga progresivamente aunque no la usemos. En el caso de las baterías de NiMH, esta "autodescarga" puede suponer más de un 20% mensual. En el caso de Li-Ion es de menos un 6% en el mismo periodo. Muchas de ellas, tras seis meses en reposo, pueden retener un 80% de su carga. Este tipo de baterías tienen una vida útil de unas 500 cargas completas (ciclos), es decir, dos cargas con la batería al 50% suman como una carga completa, aunque debido a la oxidación en el interior de las células, nunca duran más de 3 años. La batería utilizada en este proyecto son 10 unidades “Kokam SLPB 75106100” de 7.5 Ah y 3.7V cada una, puestas en serie (ver Parte IV Datasheets). La idea es la de llevar contigo en esa mochila un cargador para enchufar la batería una vez alcanzado el lugar de destino y tener autonomía suficiente -8- Memoria. Introducción para posteriormente volver a tu casa, siendo el tiempo de carga inferior unos 180 minutos (3 horas). Por otro lado, en cuanto al sistema para el control de la velocidad, seguimos el ejemplo de los modelos que se explicarán en el siguiente punto, desarrollando un mecanismo para una aplicación gradual de potencia que se le entregará al monopatín, a diferencia de lo que otros fabricantes hacen, que es básicamente un interruptor que sólo diferencia entre estado de ON y de OFF para el motor. Este sistema es llamado de “multi-speed throttle”. De una manera similar al sistema que nos ofrece el Motorboard 2000X que se explicará en el siguiente punto, este monopatín con el fin de aumentar la vida de la batería entre carga y descarga, ofrece un sistema de frenado regenerativo con el cual realizar un frenado motor y al mismo tiempo alimentar la batería para que se recargue, realizándose esto gracias a que el motor se convierte en un generador. Este sistema entraña una gran complicación teniendo que ser esta carga controlada de una manera dinámica, ya que a diferentes niveles de carga de la batería ésta puede aceptar más o menos corriente, siendo sin embargo la corriente que da el motor (ahora funcionando como generador) dependiente del nivel de frenado que el usuario quiera alcanzar. La resolución de todo este problema se explica más adelante en el Capítulo 2– Diseño del prototipo. 2 Estudio de los trabajos existentes / tecnologías existentes En el desarrollo de este monopatín se plantearon dos principales competidores, el primero de la compañía EmPower y el segundo MotorBoard 2000X de Electrik Motion, de los cuales paso a continuación a -9- Memoria. Introducción explicar sus principales características que entran en competencia con nuestro monopatín: 2.1 EmPower El primero de ellos se desarrolló con un peso de 24 kg siendo su capacidad de llevar encima a una persona de 136 kg como máximo. El coste que invirtieron en su desarrollo fue de $2.000.000 (1,37 millones de Euros), estableciéndose su precio de venta en $1.495 (1.027,2 Euros). Alcanza los 19,2 km/h pudiendo recorrer una distancia entre carga y descarga de la batería de unos 4,83 km. Este monopatín es propulsado por un motor “brushless DC” de 24 voltios, el cual ofrece una potencia al monopatín de 1 hp (730 w). En cuanto a su diseño, se basa en un monopatín de 3 ruedas donde el usuario encontrará estabilidad gracias a la disposición de un manillar donde poder agarrarse y desde donde se acelerará y frenará, como puede apreciarse en la Imagen 1 más abajo. Su sistema de alimentación se basa en una batería de plomo (con las desventajas especificadas en el punto anterior –Motivación-) cuya vida es de 5000 km a 8000 km, con lo cual suponiendo un viaje diario de unos 10 km durante 220 días/año, implica una vida de la batería de entre 2 y 3,6 años. El monopatín se ofrece con un cargador que, según afirman, no es mayor que como el que te viene con un ordenador portátil típico, el cual podrá ser llevado fácilmente en el bolsillo del abrigo. La idea es la de ponerlo a cargar una vez lleguemos al sitio de destino para asegurarnos de que -10- Memoria. Introducción tenemos autonomía suficiente para volver luego. La carga completa dura entre 4 y 6 horas. En cuanto al sistema para el control de la velocidad, han desarrollado un mecanismo para una aplicación gradual de potencia que se le entregará al monopatín, a diferencia de lo que otros fabricantes hacen, que es básicamente un interruptor que sólo diferencia entre estado de ON y de OFF para el motor. Este sistema es llamado de “multi-speed throttle”. El principal problema que se les planteó a la hora de desarrollar un patinete de 3 ruedas fue la incomodidad a la hora de girar, ya que con 3 ruedas y un manillar rígido no puedes realmente girar bien, simplemente porque cuando te dispones a tomar una curva, tienes que inclinarte un poco hacia ella, pero con esta construcción el patinete no se inclinaría contigo, lo cual presenta en primer lugar una incomodidad. Esto se solucionó con el diseño de un manillar con el cual para tomar una curva, lo que haces no es girar el manillar, sino inclinarlo. Este diseño está patentado y pretenden atraer no solo por su mayor comodidad al resolver el problema que se acaba de explicar, sino también porque comparan el uso de este patinete al de realizar esquí en la nieve, en términos de diversión, así que no solo venden utilidad, sino la posibilidad de poder pasar un buen rato conduciendo este vehículo. Sin embargo, por otro lado esto encarece de manera significativa al monopatín, siendo este sistema no de vital importancia dadas las velocidades que se van a alcanzar. Por otro lado, su ergonomía ofrece una gran comodidad ya que está pensado para que la persona pueda ir cómodamente apoyando sus pies y mirando de frente al camino que se va siguiendo, ya que la base del patinete presenta un ensanchamiento como puede apreciarse en la Imagen 1. -11- Memoria. Introducción El principal mercado hacia el cual este monopatín está orientado es el de aplicaciones industriales tales como plantas, estadios o aeropuertos donde no se necesitan recorrer distancias excesivas y otros vehículos pueden resultar demasiado grandes. Finalmente ofrecen una flexibilidad en cuanto a todo esto, ofreciendo modificaciones de la unidad básica en función de lo que el cliente demande. Imagen 1. Monopatín 3 ruedas, compañía EmPower 2.2 MotorBoard 2000X Por otro lado, hablando de MotorBoard 2000X el cual se ilustra en la Imagen 2, se trata en este caso de un monopatín de 2 ruedas a diferencia de las 3 que tenia el anterior, pero con la ventaja de que ocupa menos y su -12- Memoria. Introducción plegado es mucho mejor, con un peso de 19,5 lbs (8,8 kg), con lo que es relativamente fácil y cómodo de llevar contigo cuando dejes de usarlo. Su uso está destinado a trayectos demasiado cortos para ir en coche, pero que se pueden considerar demasiado largos para ir andando, como ir de tu casa a la estación de metro, o para llegar hasta tu coche en un gran parking de un centro comercial, etc., siendo, cuando hayas alcanzado tu destino, plegado para llevarlo contigo. Está energizado con una batería de NiMH (con las desventajas que se explicaron en el punto anterior –Motivación-) que alimenta a dos motores de ½ hp cada uno, dando una potencia total de 1 hp (745,7 w), pudiendo llevar encima a una persona de hasta 250 lbs (113,4 kg). Estos motores llegan a dar al monopatín una velocidad máxima de 12 MPH (19,31 km/h), y como el monopatín del que estuvimos hablando anteriormente, también integra un sistema de “multi-speed throttle”, no un simple interruptor de ON/OFF. Para el frenado tienen integrado un sistema de frenado regenerativo, con el cual realizar un frenado motor y al mismo tiempo alimentar la batería para que se recargue, realizándose esto gracias a que el motor se convierte en un generador. Con respecto a la carga de la batería, dura 90 minutos en realizar una completa, pero aseguran que si en algún caso te quedases sin batería, éste podría ser usado sin ella empujando normalmente de una manera manual. Sin embargo, su principal problema es que no funciona bien cuando los flancos de la rueda trasera están húmedos. Esto es debido a que la transmisión de potencia del motor a la rueda es por medio del rozamiento -13- Memoria. Introducción entre el rotor del motor y los flancos de la rueda trasera. Esto se soluciona con nuestro monopatín debido a que la transmisión se hace por medio de una cadena que conecta motor y rueda, como se especifica en la Imagen 5 de la página 17. Su precio de venta es de $399 (277,03 €). Imagen 2. MotorBoard 2000X Documentación sobre estos productos puede encontrarse en las siguientes páginas web: EmPower: http://www.evworld.com MotorBoard2000X: http://www.electrikmotion.com 2.3 Proyecto ICAI (2005) Teniendo en cuenta todo esto, un proyecto fin de carrera de esta misma universidad, con el fin de crear un patinete que pudiese hacer competencia con todo lo que estaba en el mercado en ese momento, ya fue empezado con anterioridad por Marcos Domínguez López, alumno de ICAI, en el año 2004-2005 1 . _________________ 1 Ref. [8] de la bibliografía (proyecto fin de carrera año 2004-2005; ICAI-Universidad Pontificia Comillas (Madrid)) -14- Memoria. Introducción En este proyecto se lanzaron unas primeras ideas sobre el concepto del monopatín y se desarrollaron en más profundidad sobretodo las ideas mecánicas. Así se concluyó en el desarrollo de un medio de transporte individual y personalizado de 3 ruedas con una autonomía aproximada de 6,5 km y una velocidad en torno a los 20 km por hora en llano, una posibilidad de carga de 100 kg y un peso inferior a los 10 kg. El patinete debía ser plegable de forma que pudiese ser contenido en una mochila. Para esto último se realizó un diseño a través de tubos telescópicos para una mayor eficacia en el plegado. Por otro lado se planteó y desarrolló también la idea de que el patinete pudiese ser usado aún sin batería. Se debía plantear pues una estructura que permitiese poder alinear el pie que estuviese sobre el patinete al empujar con la rueda delantera. Pero además esta misma estructura debía ser capaz de tomar una posición normal y cómoda para poder conducir sin problema alguno. Para todo esto se realizó un exhaustivo estudio de resistencia de materiales, estudiando el prototipo en acero y en aluminio, siendo el nuestro finalmente en aluminio. Por otro lado se realizaron cálculos de potencia requerida del motor para cumplir unos ciertos requisitos (el ascenso de una pendiente de 15º a 20Km/h cargando con un peso de 100Kg) resultando un valor de 206,66w. Una vez realizados todos los cálculos que comprendía este proyecto se procedió a montar un prototipo a partir de piezas de un patinete de la competencia para realizar ciertas pruebas, las cuales no serían las definitivas ya que ni los elementos constructivos serían los mismos ni los materiales y por consiguiente el peso, así que esto sirvió para dar una primera idea de cómo funcionaría el monopatín que finalmente aun está en desarrollo. -15- Memoria. Introducción En este proyecto nos centraremos en la parte eléctrica en cuanto a control de velocidad, de potencia y frenado del motor con un suministro inteligente de energía por parte de éste a la batería; sin embargo el estudio mecánico que se ha llevado a cabo en este primer proyecto y el concepto de las primeras ideas que aquí se plasman y de aquí se pueden sacar son muy importantes a la hora de tener en mente el monopatín que en el que se está trabajando y pensar que desarrolle lo que se desarrolle, se hace para un monopatín con todas las características que ya se han citado. A continuación se muestra un prototipo que se realizó en este proyecto a través del programa Solid Edge, tanto en su forma abierta (Imagen 3), como plegada (Imagen 4). Imagen 3. Vista isométrica del patinete abierto Imagen 4. Vista isométrica del patinete plegado Y Las siguiente imágenes muestran un primer prototipo del patinete en donde se puede ver una primera aproximación de cómo será el aspecto físico que tendrá el monopatín: -16- Memoria. Introducción Manillar con telescópico Unión mediante cadena tubo Motor brushless DC Imagen 5. Primer prototipo del monopatín. A continuación se muestra un cuadro comparativo entre las 3 tecnologías, notándose ya los puntos fuertes de nuestro monopatín frente a los de la competencia: Tabla 1. Comparativa con la competencia. EmPower MotorBoard 200X Monopatín ICAI Pesa 24 kg Pesa 8,8 kg Peso inferior a 10 kg Carga con 136 kg max. Carga con 113,4 kg max. Carga con 100 kg max. Coste desarrollo 1,37 millones de € _______ Coste desarrollo 2000 € aproximadamente Venta a 1027,2€ Venta a 277,03 € Venta a 1000€ aprox. Alcanza 19,2 km/h Alcanza 19,31 km/h Alcanza 20 km/h Autonomía de unos 4,83 km ______ Autonomía de unos 6,5 km (más si se considera frenado regenerativo) -17- Memoria. Introducción Motor brushless DC de 24 V, 730 w Motor brushless DC 745,7 w Motor brushless DC de 37 V, 500 w 3 ruedas (estabilidad) 2 ruedas 3 ruedas (estabilidad) Batería de plomo Batería de NiMH Batería Li-Ion Vida de la batería entre 2-3,6 años ________ Vida de la batería de unos 3 años Carga dura entre 4-6 horas Carga dura 1,5 horas Carga inferior a 3 horas Sistema “multi-speed throttle” Sistema “multi-speed throttle” Sistema “multi-speed throttle” Inclinación del manillar para girar Gira el manillar para girar Gira el manillar para girar Posición con pies paralelos Posición con pies en linea Posición con pies paralelos Plegado (tamaño grande) Plegado (tamaño pequeño) Plegado (tamaño pequeño) NO frenado regenerativo Frenado regenerativo Frenado regenerativo NO puede usarse sin batería Puede usarse sin batería Puede usarse sin batería Funciona en mojado NO funciona en mojado Funciona en mojado NO modo ciudad NO modo ciudad Modo ciudad Se han resaltado los puntos que se han considerado como los fuertes de cada una de las tecnologías analizadas, observándose de esta manera la cantidad de mejoras que introduce este monopatín. 3 Objetivos En lo que concierne al desarrollo de este proyecto, lo que se va a tratar es la parte eléctrica, electrónica y de control del patinete, dejando en cierta medida a un lado la parte mecánica, con la cual se empezó a trabajar, como se ha mencionado anteriormente, en otro proyecto anterior a éste -18- Memoria. Introducción realizado por Marcos Domínguez López en esta misma escuela, parte que se rematará en proyectos posteriores. Los objetivos que se han planteado en este proyecto han sido: • Diseño de un sistema de conmutación y control del motor brushless DC modelo BN34-25AF-01 de 24 V y 328 W de potencia (ver Parte IV Datasheets). • Diseño del sistema de frenado regenerativo. El sistema por el cual se frenará será con la ayuda de la potencia del motor convirtiéndose éste en generador mandando por tanto corriente a la batería de Litio SLPB 75106100 (ver Parte IV Datasheets) y cargándola de esta manera. Esta carga de la batería se tendrá que llevar a cabo de manera controlada mandando pasar la corriente que la batería no acepte a través de una resistencia que disipe la potencia sobrante. • Selección de componentes necesarios para la implementación de los 2 sistemas. Montaje real del sistema de conmutación y control del par motor y pruebas en el laboratorio. Los componentes deben ser pensados para una posterior fabricación en serie en fábrica para su comercialización. • Diseño de un PID para la integración del mismo sobre un micro PIC para el ajuste del control del par. Este PID debe hacer posible que el usuario controle mediante una maneta de aceleración la potencia que quiere conseguir (y no la velocidad) de manera similar al control que se tiene con el acelerador de una moto. Con esto se consigue un control más intuitivo. -19- Memoria. Introducción 4 Metodología / Solución desarrollada 4.1 Planificación de tareas La metodología que se ha seguido en el desarrollo de este proyecto con el fin de cumplir los objetivos marcados ha sido en resumen la división de éste en una serie de tareas que se han ido llevando a cabo según un plan de trabajo previamente establecido. Así, para plasmar una primera idea clara del camino que se ha seguido en su cumplimiento, se sigue a continuación con el plan de trabajo que se ha llevado a cabo: 1- Aprendizaje motor y sistema 2- Diseño sobre papel del sistema de control de velocidad del motor. 3- Diseño sobre papel del sistema de frenado regenerativo. 4- Elección de los elementos necesarios para el desarrollo del sistema de control de velocidad del motor y del sistema de frenado regenerativo. 5- Diseño e implementación de los dos sistemas en una misma placa PCB. 6- Ensayos con la batería con el fin de conseguir sus curvas de carga y descarga. 7- Desarrollo de un algoritmo que permita, a partir de las curvas de carga y descarga, calcular cuán cargada está la batería y con esto mandar la -20- Memoria. Introducción energía sobrante del frenado a través de una resistencia diseñada a tal efecto. 8- Diseño del PI para el ajuste del control del par. 9- Montaje sobre la bancada del motor y todo el sistema de control y medida, puesta en marcha y ajustes. La división en el tiempo de las tareas a lo largo de todo el año ha sido la que sigue: Sep Oct Nov Dic Ene Feb Mar Abr May Jun Tarea 1 Tarea 2 Tarea 3 Tarea 4 Tarea 5 Tarea 6 Tarea 7 Tarea 8 Tarea 9 En un primer momento, durante el mes de Septiembre, lo que se ha realizado ha sido un estudio de las características de la batería de Litio SLPB 75106100 (ver Parte IV Datasheets), en carga y descarga, estudio de los fundamentos físicos de un motor brushless, así como de las -21- Memoria. Introducción características concretas del motor BN34-25AF (ver Parte IV Datasheets) que se va a utilizar y de las características y funcionamiento de la EEPROM AT28C64-25PC y el Driver MSK 4401 (ver Parte IV Datasheets) que posteriormente se integraron en la PCB para el control de velocidad y frenado regenerativo del patinete. En los meses de Octubre a Diciembre se desarrolló el sistema de control de velocidad del motor y se eligieron los componentes necesarios para este sistema. En un primer momento, como se explicará más adelante, el usuario controlara la velocidad y no el par del monopatín. Seguidamente se pasó a diseñar el sistema de frenado regenerativo con el objetivo de aprovechar el proceso de freno motor para cargar la batería. Paralelamente con esta tarea también se realizó la elección de los componentes necesarios pensados para su posterior fabricación y comercialización. Como veremos más adelante, esta tarea tuvo a lo largo de todo su proceso avances y retrocesos, ya que a medida que se avanzaba se fueron viendo una serie de problemas o posibles mejoras con lo que se decidió abandonar la idea inicial y seguir por otro camino. Con esto, una vez se tenían los diseños por separado del control de velocidad y de frenado, se pasó a su implantación de los mismos juntos en una placa PCB. Para esto se utilizó el programa Eagle v 4.09. Mientras tanto también, en los meses de Enero y Febrero, se realizaron los ensayos necesarios de la batería en carga y descarga para sacar las ecuaciones que hacían falta para el diseño del algoritmo que controlaría el frenado regenerativo. Así, una vez obtenidas estas ecuaciones se pasó a pensar y diseñar este algoritmo. Desde el mes de marzo y hasta mediados del mes de Mayo se pensó en como se podría diseñar un PI que ayudase a controlar el par del motor, de -22- Memoria. Introducción manera que el usuario no decidiese directamente la velocidad que quiere alcanzar, sino que, al igual que pasa con las motos o los coches, decidiese qué par quiere conseguir. De esta manera se consigue un control del monopatín más intuitivo. Finalmente, una vez desarrollados los sistemas y elegidos los componentes que iban a ser necesarios, se pasó a su implantación física y prueba en el laboratorio. En esta fase se ha probado de manera aislada el sistema de control de velocidad, y como se explicará más adelante, por medio de estos ensayos se sacaron una serie de conclusiones que no se habían previsto en un primer momento de diseño. Hechos los arreglos que fueron necesarios, finalmente se consiguió arrancar el motor y controlar la velocidad por medio de la variación del factor de servicio de un PWM que servía de control del motor. 4.2 Fases en el proceso Como se puede deducir del apartado anterior, el método de trabajo que se ha seguido ha sido en primer lugar un proceso de estudio para pasar posteriormente a un proceso de diseño y selección de componentes, para finalmente terminar con una fase de experimentación en el laboratorio. La fase de pruebas en el laboratorio se mezcla un poco con la fase de diseño en su parte final en cuanto a que hizo falta hacer una serie de ensayos para sacar unas ecuaciones necesarias para la programación del sistema de frenado regenerativo (la programación se considera fase de diseño). -23- Memoria. Diseño del prototipo Capítulo 2 DISEÑO DEL PROTOTIPO 1 Planteamiento del esquema general del sistema Un primer esquema sencillo para entender el funcionamiento del sistema desarrollado para el control del motor de este patinete podría ser el siguiente: Puño Acelerador Freno PWM Microprocesador Memoria Visor Velocidad I X3 V LiPo Motor Driver Rfrenado Esquema 1. Esquema general de la electrónica del patinete Se pasa ahora a explicar brevemente este esquema para hacernos con una primera idea del funcionamiento del patinete. -24- Memoria. Diseño del prototipo 2 Sistema de control de velocidad 2.1 Ideas básicas del sistema de control de velocidad En un primer lugar, hablaremos del sistema de control de velocidad, dejando de momento a un lado el frenado. Lo primero, entender que el estator del motor está formado por tres bobinas dispuestas en estrella desfasadas 120º entre si, por las cuales, dependiendo de la posición del rotor la corriente pasará por solo dos de las bobinas, una en un sentido y en la otra en el sentido opuesto, convirtiéndose una de las bobinas en un polo norte y la otra en un sur. Para entenderlo mejor, veamos este otro esquema simplificado en la cual se muestra la conexión entre el driver y el motor junto con la batería 1 : ________________ 1 Ref: [5] y [6] de la bibliografía -25- Memoria. Diseño del prototipo Brushless DC Motor Stator Driver A Rotor TR1 TR3 TR5 N S LiPo TR4 TR6 TR2 B C Sensor de posición del rotor Memoria PWM Esquema 2. Representación del funcionamiento del motor En función de la información que le llegue a la memoria, ésta le dirá al driver que cierre unos u otros transistores (mandando una señal de 5V satura los transistores, y con 0V se encuentran en corte). La dirección de acceso a las posiciones de memoria se da mediante la señal de PWM, que será de un factor de servicio determinado dependiendo de lo que el usuario le indique a partir del puño acelerador y del freno, y tres señales correspondientes a los sensores de posición del rotor (posición A, B o C). Atendiendo a la conexión entre la memoria y el driver y a qué pines de la memoria se conectarán las señales de S1, S2, S3 y PWM, lo cual se puede apreciar en el Esquema 6 de este capítulo en la página 36, la información que se recoge en la siguiente tabla es la que se debe introducir y leer en la memoria: -26- Memoria. Diseño del prototipo Tabla 2. Apertura y cierre de los transistores del driver en función del PWM y los sensores de posición del rotor Sensores S1 S2 PWM S3 C B A Sentido TR 1 TR 4 TR 3 TR 6 TR 5 TR 2 positivo tensión 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 BA 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 AB 1 0 1 1 0 0 1 0 0 1 BC 1 0 1 0 0 0 0 1 1 0 CB 1 0 0 1 1 0 0 0 0 1 AC 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0 CA 1 1 0 1 1 0 0 1 0 0 AB 1 1 0 0 0 1 1 0 0 0 BA 0 1 0 1 0 0 0 1 1 0 CB 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 BC 0 1 1 1 0 1 0 0 1 0 CA 0 1 1 0 1 0 0 0 0 1 AC A través de las señales de S1, S2, S3 y PWM se accede a la memoria y a la información que en ella se ha escrito, es decir, estas señales indican la posición de memoria en donde se introducirán los datos. En cada dirección de memoria está escrita la información que abre y cierra los transistores, esto es, TR1-TR4-TR3-TR6-TR5-TR2 -27- (en este orden Memoria. Diseño del prototipo atendiendo a las conexiones que se han hecho entre memoria y driver) que pueden estar a 1 (cerrado) o a 0 (abierto). La señal de PWM es de período constante, y será de una frecuencia de 3 kHz. Lo que el usuario controla de manera indirecta a través del puño acelerador y del freno es el factor de servicio de esta señal de PWM, es decir, el tiempo que está a 5 V (un 1 lógico) frente al tiempo que está a 0 V (un 0 lógico). De esta manera, si queremos ir a máxima velocidad, el PWM estará siempre a 5 V (factor de servicio igual a 1) (en realidad veremos que no se llegará a este caso ya que se limitará la velocidad a 10000 rpm). PWM 5V 0V t1 t2 T Figura 1. Señal de PWM. Como se observa en la Tabla 2, para una misma señal enviada por los sensores de posición, el sentido de la tensión será uno u otro dependiendo de si el PWM es un 0 o un 1 lógico. Para ilustrarlo, supongamos que tenemos información de sensores S1=0, S2=0 y S3=1. Veamos que es lo que pasa en un ciclo de PWM completo: -28- Memoria. Diseño del prototipo PWM Ibobina Ibobina media Figura 2. PWM frente corriente que atraviesa un par de bobinas del estator del motor Lo que se observa en la Figura 2 es la corriente que atraviesa un par de bobinas, en este caso las bobinas A y B, con la posición del rotor indicada por los sensores (S1S2S3 = 001). Se ha tomado en esta figura como criterio de signos positivo en caso de que la corriente entre por la bobina A desde la batería. Se observa un rizado debido a la autoinducción de las bobinas: E. 1 v = L× ∂i ∂t De la ecuación E. 1 se deduce que cuando PWM=1 y la tensión cambia a positiva en A, la corriente aumenta gradualmente y cuando PWM=0 y la tensión cambia a positiva en B, la corriente tiende a disminuir también gradualmente, no cambiando a negativa de manera instantánea (ya que v tendería a infinito). Variando el factor de servicio del PWM lo que hacemos es variar el valor medio del rizado de la corriente. E. 2 T = Kt × I Así, se deduce a partir de la ecuación E. 2 que al variar el valor medio de la corriente lo que hacemos es variar el par que se transmite al motor. -29- Memoria. Diseño del prototipo Se ve entonces que al variar el factor de servicio del PWM y consecuentemente el valor medio de la tensión que se le aplica al motor, se varía el valor medio de la corriente que le atraviesa, consiguiéndose un par que hace que el motor acelere (o frene). En una primera fase del proyecto se experimentará con el usuario variando directamente el factor de servicio del PWM de manera que influya de una manera directa en la tensión media en bornes del motor, es decir, que en una primera fase de experimentación el usuario decidirá la velocidad que quiere alcanzar (no el par que quiere conseguir). Con esta idea, la aceleración de forma automática ira desminuyendo hasta quedarse en aceleración cero en cuanto se alcance la velocidad deseada. Esto se explicará más adelante en la sección 2.2.3 de este capítulo. Los datos de la Tabla 2, los que corresponden a las 6 columnas de A, B y C, serán los que se escriban en la memoria para posteriormente ser leídos introduciendo la dirección correspondiente que vendrá dada por las columnas PWM y Sensores de la misma tabla. De aquí que la memoria debía tener al menos 12 posiciones de memoria de 6 bits, siendo en este caso una de 13 direcciones de 8 bits. Así y todo, el trabajo comenzó con el desarrollo de una placa PCB que incluyese todo el sistema que está dentro del recuadro de puntos del Esquema 1. Aunque en un principio el centro de atención fue el sistema de control de velocidad que integra esta placa PCB, también se dibujó en ésta lo que sería el sistema de frenado regenerativo, para no demorar más el encargo de la placa y poder empezar a hacer pruebas con el motor en el laboratorio, dejando para los meses de Diciembre, Enero y Febrero el diseño más concienzudo de este sistema. -30- Memoria. Diseño del prototipo 2.2 Desarrollo de la placa PCB Para el desarrollo de la placa PCB se trabajó con el programa Eagle v4.09. Pero previo al uso de este programa se desarrolló un esquema más detallado que los anteriores y que mostrase como iban a ser los circuitos de una forma aún un poco general pero más detallada que el Esquema 1. Este esquema es el siguiente: S1 PCB S1 Sensores Rotor Rpull-up1 Rpull-up2 Alimentación sensores Rpull-up3 P2 Batería P1 P1 DC DC P2 Puño acelerador Motor Freno Mem. 5V Driver x6 Medidor I S2 S2 0V Imotor PWM S3 R1m S3 Vbat R2m Micr opro cesa dor Frenado Visor P1 P1 Rfrenado Esquema 3. Visión esquemática general de todo el sistema con los conectores. En esta representación esquemática se puede apreciar como será toda la circuitería que llevará el monopatín. En varias ocasiones iré haciendo referencia a este esquema. En primer lugar, aclarar que lo que está dentro del recuadro de puntos es la placa PCB. -31- Memoria. Diseño del prototipo 2.2.1 Selección de conectores Atendiendo a este esquema, la primera tarea que se realizó fue la de la selección de los conectores que debían usarse: - Conector macho - Conector hembra Eran necesarios 3 conectores de potencia (P) y 3 conectores de señal (S). Los criterios para su selección era que debían soportar la debida corriente y también muy importante que soportasen las vibraciones, ya que estamos hablando de conectores que van a ir en el circuito de un monopatín el cual lo vamos a estar conduciendo. Para los conectores de potencia, la condición era que soportasen los 16,40 A de intensidad máxima que van a atravesar el motor. Para la conexión de la batería y de la resistencia de frenado se escogió el mismo conector (P1) de 2 vías, y para la conexión del driver que controla el motor con éste se tuvo que coger un conector distinto de 3 salidas, el cual se representa en el esquema como P2. En este caso sería el mismo modelo que para P1 pero en lugar de 2 salidas, con 3. Por otro lado, los conectores de señal son los siguientes: -32- Memoria. Diseño del prototipo - S1: 2 salidas para alimentar los sensores del rotor a 5V y 3 que colectan la información de dichos sensores. - S2: 2 salidas que alimentan al microprocesador (y a su vez al visor de velocidad) a 5V - S3: 4 salidas. Una recibe la señal de PWM que irá a la memoria para regular la velocidad del motor, otras dos colectan 2 señales correspondientes a la corriente que pasa por el motor y la tensión a la que se encuentra la batería en ese momento. Estas señales son las que necesita procesar el micro para dar una respuesta de frenado. Por último está la respuesta de frenado en forma de PWM que se encargará de regular la corriente que llega a la batería desde el motor en el proceso de frenado. Todos estos conectores de señal deberían soportar del orden de mA. Todas las características de estos conectores se pueden comprobar al final de este documento en la Parte IV Datasheets. 2.2.2 Dos caminos en su desarrollo Una vez estudiado el Esquema 3 anterior se siguió en un primer momento un camino y se desarrolló con el programa Eagle 1 el Esquema 4, pero con el tiempo se fueron viendo una serie de complicaciones por lo que se decidió hacer una serie de modificaciones que ya iré comentando a lo largo de este documento, dando lugar al diseño del Esquema 5. ___________ 1 Ref: [4] de la bibliografía (manual de Eagle) -33- Memoria. Diseño del prototipo En realidad las diferencias entre estos 2 esquemas surgieron en el sistema de frenado regenerativo que se explica en la sección 3 de este capítulo, sin embargo parece interesante mostrar ya desde el principio como iban a ser los 2 esquemas finales. Esquema 4. Esquema no definitivo de la placa PCB dibujado con Eagle v4.09 Nota: esos 2 operacionales en la parte inferior izquierda del esquema están sueltos en este esquema porque representan a los pines que no se utilizan 8, 9, 10, 12, 13 y 14 del LM324 de PHILIPS (ver Parte IV Datasheets en donde se incluye la configuración de pines), el cual integra a 4 operacionales iguales en su interior, y nosotros solo necesitamos utilizar 2 de ellos. -34- Memoria. Diseño del prototipo Esquema 5. Diseño final de la placa PCB. Estos esquemas y las decisiones que se fueron tomando sobre ellos se pasan a explicar a continuación. 2.2.3 Conexionado y función de la memoria y el driver En un primer lugar se estudió la forma de conectar la memoria y el driver la cual aíslo del esquema anterior para verlo de una forma más simplificada en el siguiente esquema: -35- Memoria. Diseño del prototipo Esquema 6. Sistema de conexionado Memoria-Driver. IC1 corresponde a la memoria y IC2 al driver. En este esquema faltaría representar una salida para alimentar a 5V los sensores del rotor del motor. Como se observa, los pines de la memoria A4-A12 se conectan a tierra. Son los bits más significativos de las direcciones de memoria que no se van a utilizar, así que se ponen todos a cero. Los condensadores que se sitúan en la entrada de alimentación de 5 V tanto de la memoria como del driver tienen la función de filtrar la entrada y que entre con el menor ruido posible. La entrada de 37 V es la de continua de la batería para alimentar al motor, a través del sistema de transistores que hay en el interior del driver, como se representó con anterioridad en el Esquema 2. Esta entrada se observa -36- Memoria. Diseño del prototipo que es mayor que los 24 V que se especifican como tensión nominal del motor (ver Parte IV Datasheets), y la explicación es la siguiente: Las características de un motor de este tipo están limitadas por 2 parámetros, la intensidad que pueden soportar y el flujo máximo que puede atravesar los devanados del estator. Sin embargo, en las características de un motor (ver Parte IV Datasheets), lo que se da siempre es una intensidad y una tensión nominales, I n y Vn , además de una velocidad nominal ωn . E. 3 λn = Vn ωn En la ecuación E. 3 vemos la relación que existe entre el flujo, que debemos mantenerlo por debajo de su valor nominal, y la tensión y velocidad nominales, las cuales podremos aumentarlas a un valor superior a los que se indican en la hoja de características del motor. En estas características se ve que la velocidad nominal es de 7400 RPM (775 rad/seg) y como se ha dicho anteriormente nosotros queremos adquirir una velocidad máxima de 20 km/h, lo cual supone una velocidad ω = 10000 RPM. Al aumentar esta velocidad, tendremos también que aumentar en la misma proporción la tensión para no sobrepasar el valor nominal del flujo, esto es, aplicaremos una tensión de unos 33 V para conseguir una velocidad máxima de 20 km/h. A través de la señal de PWM que llega a la memoria y con la apertura y cierre de los transistores del driver, lo que se hace es regular la tensión y con esto la corriente que pasa por los devanados del estator del motor, tal y como se explicó con anterioridad. -37- Memoria. Diseño del prototipo Por otro lado, con este incremento de tensión también se incrementa la potencia a unos 500 watios, lo cual se explica a continuación: • Según especificaciones del motor Un = 24V , In = 16,40 A y Pn = 328W Con esto se deduce que tiene un rendimiento de η = • Pn × 100% = 83,33 Un × In Al aumentar a una U = 37V y In = 16,40 A con η = 83,33 nos queda una P = U × In × η = 505,6 watios Todo este proceso se explica aquí, y el de la regulación automática del par, más detalladamente: R L I(A) + VPWM Mot. Em = Kb × ω - 37 V 5V del PWM Vmedia=VPWM t (s) -37 V 0V del PWM Figura 3. Monofásico equivalente del motor Brushless DC. Regulación automática del par. -38- Memoria. Diseño del prototipo En primer lugar, tener en cuenta y recordar que en una primera etapa de este proyecto se fue experimentando con un control por parte del usuario directo sobre la velocidad, y no sobre el par. El usuario con una maneta decide la velocidad que quiere conseguir. Con esta primera pauta, para explicarlo, supongamos que queremos acelerar: para esto lo que hacemos es aumentar el factor de servicio del PWM, es decir, aumentar t1. Con esto lo que conseguimos es aumentar VPWM con lo que aparece una diferencia de potencial VPWM-Em>0, apareciendo una corriente I y por tanto un par según ecuación E. 2. Este par lo que hace es aumentar la velocidad del rotor, con lo que Em aumenta y la diferencia de potencial VPWM-Em disminuye, con lo que la corriente I disminuye y también el par. El par seguirá disminuyendo hasta que se alcance un par neto igual a cero (una vez se alcance la velocidad deseada, Parneto = Pareléctrico − Parresistente = 0 , de manera que VPWM será ligeramente mayor que Em e I ligeramente mayor que cero), momento en el cual habrá alcanzado la velocidad deseada (la cual se controlará por lo tanto variando el factor de servicio del PWM). En este momento, si queremos frenar, bastará con reducir un poco el facor de servicio, con lo que VPWM será menor que Em y la corriente será negativa (el motor se vuelve generador). Haciendo referencia a la previa explicación en el punto 2.1 y a la Tabla 2, explicar que factor de servicio cero quiere decir que los pulsos positivos y negativos tienen igual duración y que por tanto el valor medio de la tensión es cero (VPWM). Como la velocidad ( ω ) es proporcional a la tensión media: ω = 1 Em , factor de servicio cero quiere decir velocidad Kb cero. Factor de servicio positivo quiere decir que los pulsos positivos son de mayor duración que los negativos y por tanto la tensión media es positiva -39- Memoria. Diseño del prototipo ( ω > 0). Factor de servicio negativo quiere decir que los pulsos negativos son de mayor duración que los positivos y por tanto la tensión media es negativa ( ω < 0). En nuestro caso el factor de servicio es siempre mayor o igual que cero porque el motor siempre se moverá en una dirección (no hay marcha atrás). Por esta razón, de la Figura 3 la VPWM solo se moverá entre 0 y 37V). Indicar que la VPWM quedará limitada a 33V como se indicó antes para conseguir una velocidad máxima de 20 Km/h (10000 rpm). Por este motivo el factor de servicio quedará limitado a: -Valor medio onda cuadrada: E. 4 Vm = 1 × Tp t 0 +Tp ∫ t0 Xa(t )dt = 1 ×( 0.33 0.17 + 0.17 F ∫ 0.33 37dt + ∫ − 37dt ) = 38.12 × F − 1.12 0.17 + 0.17 F 0 NOTA: Aquí se ha considerado que la batería va a tener una tensión constante de 37 V, lo cual, aunque bastante aproximado, no es cierto debido a que a medida que se va descargando esta tensión va disminuyendo ligeramente. Esto se puede ver en los ensayos de descarga de la batería que se realizaron (consultar Capítulo 3 Resultados/Experimentos) que muestran que la tensión oscilará entre unos 40V y unos 32.5V. De hecho, aunque no durante mucho tiempo, cuando la tensión sea inferior a 33V no se alcanzará la velocidad de 20 km/h y quedará limitada a unas 9855 RPM o unos 19 km/h con la batería a 32V. En la ecuación F es el factor de servicio de la onda cuadrada y Vm el valor medio de la tensión en bornes del motor (Vmedia en Figura 3). -40- Memoria. Diseño del prototipo De esta manera, como queremos limitar Vm ≤ 33V resulta un factor de servicio máximo (con el cual tendremos una velocidad de 10000 rpm) de: Factor _ servicio _ máximo = 33 + 1.12 = 0.895 38.12 y mínimo de cero para VBatería=37 V. Los pines 11-17 de la memoria llevan las señales de entrada del driver para la apertura y cierre de los oportunos transistores tal y como se recoge en la Tabla 2. Por otro lado, el medidor de corriente, que se explica con más detalle más adelante, lleva una señal, una tensión (en bornes de Rsense) proporcional a ésta al microprocesador, para que éste, junto con la tensión a la que se encuentra la batería en ese momento (tal y como se indica en el Esquema 1), procese estas señales y de una respuesta apropiada que ya se explicará porque tiene que ver con el sistema de frenado regenerativo. Como se ve, desde un principio, aunque centrados en el sistema de control de velocidad, se ha tenido que tener presente en todo momento el diseño del sistema de frenado, aunque se tratará con más detalle más adelante. Por otro lado, esta corriente sirve también para el proceso posterior de puesta en marcha y pruebas del funcionamiento del motor, para comprobar la respuesta a nuestro sistema y que la corriente que llega al motor es la adecuada. Servirá también para la última tarea de integración y ajuste del control del par. En cuanto a las resistencias R1, R2 y R3, son las resistencias de pull-up necesarias para las señales provenientes del sensor de posición del rotor del motor, tal y como se indica en la hoja de características que se puede ver en la Parte IV Datasheets. Tal y como se dice esta hoja de características, se deben poner estas resistencias entre Vcc (la alimentación del driver de 5 V –al otro lado del convertidor DC/DC- de la batería) y outputs de los -41- Memoria. Diseño del prototipo sensores de posición del rotor para conseguir una máxima corriente de 25 mA. De esta manera, con la siguiente ecuación: R pull − up ≥ Vcc 5V = = 200Ω I max 0.025 A Con este resultado se escogieron unas resistencias R1 = R2 = R3 = 1 KΩ, dando resultado a una corriente que como máximo será de 5V = 5mA 1000Ω siendo esta menor de 25mA tal y como se indica en las especificaciones del motor. 2.2.4 Convertidor DC/DC Por otro lado, debido a que se necesitaba alimentar a los dispositivos con 5V y también se necesitaba para el motor los 37V de la batería, se decidió poner un convertidor DC-DC, el cual se puede apreciar en los esquemas 4 y 5 como IC3 o CONDCDC (para mejor apreciación consultar documento de “Planos”). Este convertidor debía poder proveer de energía a la memoria, microprocesador, driver y a la pantalla donde se visualiza la velocidad. Como se puede sacar de la documentación de la Parte IV Datasheets las corrientes máximas van a ser: EPROM 30 mA Micro 200 mA Driver 25 mA Pantalla 28 mA -----------283 mA -42- Memoria. Diseño del prototipo NOTA: en la pantalla se verá la velocidad a la que va el monopatín. Esta velocidad se medirá a través de la frecuencia de pulsos que devuelven los sensores de posición del rotor. El desarrollo de este sistema no se incluye en este proyecto. Se debía elegir un convertidor DC-DC que pudiera aportar como mínimo 283 mA. El que se escogió tiene una corriente de salida de 1000 mA, una tensión de salida de 5 V y en la entrada debía poder conectarse a unas tensiones entre 27-42 V que son las tensiones máxima y mínima que alcanzará la batería en su proceso de descarga, por lo que se escogió una entrada de 18-72 V, lo cual es más que suficiente. Las características de este conversor DC-DC se pueden ver en el Parte IV Datasheets. Comentar también que se eligió un convertidor DC-DC frente a un regulador lineal por el ahorro de energía. 3 Sistema de frenado regenerativo 3.1 Medidor de corriente (2 opciones) 3.1.1 Opción A En primer lugar este sistema necesitaba un medidor de corriente, para el cual se aprecian las diferencias entre el Esquema 4 y Esquema 5. El sistema que en un principio se desarrolló fue de una manera más detallada el siguiente: -43- Memoria. Diseño del prototipo Esquema 7. Medidor de corriente (primera idea). Este sistema lo que hace en resumen es coger como referencia la tensión que hay en bornes de Rsense (proporcional a la corriente que pasa por el motor), y manda al microprocesador una tensión proporcional la cual indicará de 0-2.5 V que la corriente va hacia el motor, y de 2.5-5 V que la corriente sale del motor hacia la batería o resistencia de frenado, es decir, se está frenando convirtiéndose el motor en generador. La idea de este sistema se cogió estudiando el proyecto de otro año de Cristina Ruiperez 1 para esta misma escuela. La relación que se quiere conseguir es la siguiente: _________________ 1 Ref. [9] de la bibliografía (proyecto fin de carrera año 2006-2007; ICAI-Universidad Pontificia Comillas (Madrid)). -44- Memoria. Diseño del prototipo Vout (V) 5 2.5 0 -0.2 Vout = 0 0.2 Vrsense (V) 5 × VRsense + 2.5 = 12.5 × VRsense + 2.5 0 .4 Gráfico 1. Relación tensión en bornes de Rsense y salida del medidor de corriente al Microprocesador. E. 5 Vout = Vi 2 × RF + RG R2 R + RG R1 R × + Vref × F × − Vi 2 F RG R2 + R1 RG R1 + R2 RG Si RF = R2 y RG = R1 E. 6 Vout = VRsense × Haciendo similitud entre RF R + Vref = 2.5V + VRsense × F RG RG E. 6 y la ecuación del Gráfico 1 sacamos que Vref = 2.5V para lo cual se escogió R3 = R4 = 1KΩ -45- Memoria. Diseño del prototipo Estas resistencias, R3 y R4, debían de ser de gran precisión para dar una salida de la medida de la corriente con un error muy pequeño. Basándonos en la ecuación E. 6 pasamos a la elección del valor de las resistencias a poner en este sistema de medición de la corriente que pasa por el motor: pendiente = 5 5 KΩ R = F = R2 = RF = 5KΩ y R1 = RG = 400Ω 0.4 RG 400Ω NOTA: Para más información acerca de este sistema consultar referencia bibliográfica 1 . Por cuestiones de disponibilidad, R1 y RG serían cada una la suma de 2 resistencias en serie de 200 Ω cada una. Según las especificaciones del driver, por Rsense no pueden caer más de 3V, y al mismo tiempo se quiere que se caliente lo menos posible, que tenga que disipar la menor cantidad de potencia posible, de ahí y atendiendo a las resistencias que hay disponibles en el mercado, se eligió una de 0.01Ω: 2 PRsense = I max × Rsense = 16.40 2 × 0.01 = 2.69 w VRsense (max) = I max × RSense = 16.40 × 0.01 = 0.164V < 3V _____________ 1 Ref. [9] de la bibliografía (Proyecto fin de carrera año 2006-2007; Universidad Pontificia de Comillas-ICAI (Madrid). -46- Memoria. Diseño del prototipo Siendo la corriente máxima que pasa por el motor, según especificaciones de éste, de 16.40A, la potencia que se disipará en esta resistencia será como máximo de 2.69w, y la tensión máxima en bornes de la misma es de 3V. Se confirma que Rsense = 0.01Ω En cuanto a R8 y C1 del Esquema 6, se trata de un filtro paso bajo con frecuencia de corte fc=1Khz: Vout 2 Vout 1 fc=1Khz f(Hz) Gráfico 2. Filtro paso-bajo. Paso de la tensión en función de la frecuencia. Este gráfico representa de una forma simplificada la salida de tensión Vout 2 en función de Vout y de la frecuencia. En un filtro ideal, Vout 2 = 0 a partir de Vout la frecuencia de 1Khz. E. 7 R8 = 1 2 × π × f c × C1 De la ecuación E. 7 y con el valor para la frecuencia de corte f c = 1000 Hz se hace la elección de valores para la resistencia y el condensador del filtro: -47- Memoria. Diseño del prototipo C1 = 1µF R8 = 1 = 160Ω 2 × π × 1000 × 1 × 10 − 6 3.1.2 Opción B La idea anterior de medidor de corriente, la cual se desarrolló completamente, fue la que estuvo apunto de usarse en un principio, pero en el último momento se decidió cambiar esto y simplificarlo, y aunque quizás se encarecería un poco más, es un método más seguro que funcione y probablemente más preciso: +5V Motor Vout Vout2 Microproce sador Driver Ip=Imotor Transductor efecto Hall de corriente Esquema 8. Medidor de corriente con Transductor de corriente efecto Hall. Configuración I pn = ±25 A . -48- Memoria. Diseño del prototipo Las características del transductor de corriente efecto Hall se pueden encontrar en la Parte IV Datasheets de este documento. Una breve explicación de su funcionamiento se da a continuación: El dispositivo usado es un LTS 25-NP el cual puede medir según la conexión de los pines 1-2-3 y 4-5-6 diferentes corrientes. Como se aprecia comparando la conexión de estos pines en el Esquema 8 y la información que se da en la documentación incluida en el Parte IV Datasheets, el dispositivo está preparado para medir corrientes entre +25 A y -25 A. Este dispositivo da en la salida una tensión (Vout2) proporcional a la corriente que lo atraviesa a través de los pines 1-2-3 y 4-5-6. Esta tensión será positiva si Ip fluye de los terminales 1-2-3 a los terminales 6-5-4. La función que relaciona esta corriente con la tensión Vout2 es la siguiente: Vout2 (V) 4,5V 3,125 2,5V 1,875 0,5V -Ipmax -25A 25A Ipmax Ip (A) Vout 2 (V ) = 0,025 × I p ( A) + 2,5 Gráfico 3. Relación Vout2 Vs. Ip del transductor de corriente efecto Hall. -49- Memoria. Diseño del prototipo Ésta es la adecuada relación que se debe de utilizar según especificaciones del transductor de corriente, sin embargo se observa que el rango de medida es muy pequeño y va solamente de 1,875 V a 3,125 V. En realidad a 16,40 A le corresponde una salida de 2,91V y a -16,40 A le corresponde una salida de 2,09 V lo cual da un rango de solamente 0,82 V de diferencia entre la máxima y la mínima corriente que se va a medir. Esto llevó a plantearse el uso de otra relación de medida del transductor de corriente para aprovechar al máximo sus capacidades. Así se llegó a la conclusión de que la mejor opción era la de usarlo con la configuración I pn = ±8 A , la cual corresponde al siguiente esquema: +5V Motor Vout2 Vout Microproce sador Driver Ip=Imotor Transductor de corriente efecto Hall Esquema 9. Medidor de corriente con Transductor de corriente efecto Hall. Configuración I pn = ±8 A . -50- Memoria. Diseño del prototipo Esto da lugar a la siguiente gráfica Ip-Vout2: Vout2 (V) 4,5V 3,125 2,5V 1,875 0,5V -25,6 -8 8 25,6 Ip (A) Vout 2 (V ) = 0,078125 × I p ( A) + 2,5 Gráfico 4. Relación Vout2 Vs. Ip del transductor de corriente efecto Hall. Relación I pn = ±8 A . Con esta configuración se consigue un mayor margen y precisión en la medida siendo el voltaje correspondiente a 16,40 A de 3,78125 V y para -16,40 A de 1,21875 V, habiendo una diferencia entre ambas medidas de 2,5625 V, con lo cual se permite obtener la medida de la corriente con una mayor precisión que con la anterior configuración. Con respecto a la resistencia R8 y al condensador C1, se trata de un filtro paso bajo con frecuencia de corte fc=1Khz, de igual manera que se hizo en la Opción A. El criterio de selección de los valores para R8 y C1 es el mismo que para dicha opción. -51- Memoria. Diseño del prototipo 3.2 Medidor de tensión El sistema de frenado también necesita la lectura de la tensión a la que se encuentra la batería. Este sistema se puede apreciar tanto en el Esquema 3 como en el Esquema 4 y Esquema 5 como el siguiente: Batería Vin R1m Vout Microproces ador R2m Esquema 10. Medidor de tensión de la batería. Como la tensión de la batería oscilará entre un mínimo de 27 V y un máximo de 42 V, y el microprocesador acepta como máximo una tensión de 5 V, se tenía que reducir esta tensión a una admisible por el micro. Esto se realizó con el divisor de tensión del Esquema 10. Para facilitar la relación se hizo coincidir que 50 V de la batería fuesen 5 V para el micro, es decir: Vin = 50V → Vout = 5V Con esta condición el procedimiento fue el siguiente: E. 8 5 = 50 × R2 m R + R2 m → 1m = 10 R1m + R2 m R2 m De la ecuación E. 8 se decidió el uso de las siguientes resistencias: -52- Memoria. Diseño del prototipo R1m = 9 KΩ y R2 m = 1KΩ Las cuales cumplen la relación de la ecuación. 3.3 Desarrollo e implementación del sistema de frenado regenerativo Posteriormente se pasó al diseño del sistema de frenado, el cual simplifico en el esquema siguiente: Batería DC Mem. Driver Motor DC Imotor Señal frenado Vbatería Microprocesador Rfrenado Esquema 11. Representación simplificada del sistema de frenado regenerativo. Antes de explicar el esquema, recordar que, al igual que en el proceso de aceleración, éste pasará por una primera etapa de prueba en la que el usuario decide la velocidad y no el par de frenado. De esta manera, se frenará si el usuario decide que quiere ir a una velocidad menor a la que en ese momento va. Para explicarlo desde la Figura 3, supongamos que vamos a una velocidad constante y en un cierto momento decidimos pasar a una velocidad menor (queremos frenar), entonces en este momento el -53- Memoria. Diseño del prototipo usuario reducirá el factor de PWM de manera que VPWM-Em<0 y en este momento la corriente va en sentido opuesto, es decir, hacia la batería (el motor se ha convertido en generador aprovechando la energía de frenado). Ahora sí, este esquema lo que trata de representar es lo siguiente: En primer lugar aclarar que el único tipo de freno que tendrá este monopatín será el freno motor, el cual se considera suficiente dado las velocidades que se van a alcanzar con este monopatín. La idea es la de aprovechar el proceso de frenado para cargar la batería, ya que en este momento, como ya se ha dicho, el motor se vuelve generador y el sentido de la corriente se invierte y va hacia la batería. Este proceso debe ser controlado ya que la batería tiene un proceso de carga determinado, de manera que la corriente que se le puede dar no es la misma en todo momento, y cuando ya esté cargada, se debe parar de intentar cargarla. Es decir, el proceso de carga sigue una curva, en donde la intensidad que acepta la batería depende del nivel de carga que ésta tenga. De esta manera, a través de la lectura de la tensión de la batería y de la corriente que atraviesa el motor seremos capaces de saber cuán cargada está la batería (se explica cómo en los siguientes puntos) y así saber en el proceso de frenado cuánta de la corriente que sale del motor puede atravesarla y qué otra proporción se debe disipar por la resistencia de frenado. En función de esto se generará un PWM (que llamaremos PWMfrenado) de un factor de servicio determinado basándonos en algo parecido a cuando se explicó el sistema de control de la velocidad. Esta señal está representada en el Esquema 11 como “Señal frenado” y como se ve es la señal de entrada a un transistor que funcionará como interruptor. -54- Memoria. Diseño del prototipo 3.3.1 Obtención de la curva de carga Para la obtención de esta curva se pasó al laboratorio para hacer una serie de ensayos con la batería. Para ello se puso a ésta a un proceso de carga normal con el apropiado cargador para esta batería, sacándose como medidas cada 60 segundos los valores de corriente y tensión de la batería. Estos datos se pueden ver en la sección Resultados/Experimentos de este documento. Con los datos obtenidos se calculó el nivel de carga de la batería para cada medida que se realizaba de la siguiente manera: Imaginemos que tomamos ‘n’ medidas en intervalos ‘ ∆T ’ (en este caso cada 60 segundos): Tensión (V) Corriente (mA) ε (mAh) 1 v1 I1 ε1 = 0 2 v2 I2 ε 2 = ε1 + I 2 * ∆T 60 3 v3 I3 ε 3 = ε 2 + I3 * ∆T 60 ………….. ………….. …………. n vn In Medida nº .................... ε n = ε n−1 + I n * -55- ∆T 60 Memoria. Diseño del prototipo Como resultado se obtuvo esta curva de carga: Carga 6 5 I(A) 4 3 Carga 2 1 0 0 2000 4000 6000 8000 10000 Epsilon (mAh) Gráfico 5. Proceso de carga de la batería SLPB 75106100. Hay que hacer notar que en el ensayo se ha supuesto que la carga se ha empezado con la batería descargada totalmente, lo cual, aunque aproximado, no es cierto, ya que la batería corta la descarga cuando llega a cierto nivel. Si la batería se llegase a descargar del todo hasta nivel 0 de carga, ésta se estropearía y ya no serviría más. Por lo tanto, aunque al principio no se encuentre en su nivel 0, como es el nivel más bajo que se podrá alcanzar de descarga, a efectos prácticos de lo que intentamos conseguir podemos considerarlo como un 0. Observando el Gráfico 5 notamos dos tramos diferenciados en el proceso de carga, los cuales se pueden aproximar a las 2 rectas que siguen: Recta nº 1- I ( A) = -3,41746E - 05 × ε (mAh) + 5,25556959 La aproximación de esta recta tiene un R 2 = 0,976 (buena aproximación) y es válida para ε ∈ [0;6345]mAh . -56- Memoria. Diseño del prototipo Recta nº 2- I ( A) = -0,00345545 × ε (mAh) + 26,6500861 La aproximación de esta recta tiene un R 2 = 0,981 (buena aproximación) y es válida para ε > 6345mAh . Con estas dos ecuaciones podemos calcular en todo momento, en función de lo cargada que esté la batería, la corriente que ésta aceptará que le metamos para así cargarla. De todas formas aún nos quedan por determinar las ecuaciones que nos digan el nivel de carga de la batería. Antes de seguir con el siguiente ensayo, por razones de rangos de números a la hora de programar en el microprocesador, se tuvo que pasar a unitarias todo lo anterior (hay que cambiar las referencias a las rectas). De esta manera, se escogieron las siguientes bases atendiendo a las características del motor: Bases Ub = 37V Ib = 16 A Sb = Ub × Ib = 592VA Zb = Ub 2 = 85,6Ω Ib Partiendo de estas bases, las 2 ecuaciones que se han obtenido han sido: Recta nº 1(pu) I ( pu ) = −0.034 × ε ( puh) + 0.33 La aproximación de esta recta es válida para ε ∈ [0;0.397] puh . Recta nº 2(pu) I ( pu ) = −3.456 × ε ( puh) + 1.67 La aproximación de esta recta es válida para ε > 0.397 puh . -57- Memoria. Diseño del prototipo 3.3.2 Obtención de las curvas de descarga En el uso del monopatín es necesario que en todo momento se estén tomando medidas de la tensión de la batería y de la corriente que sale o entra al motor de manera que se pueda calcular de alguna manera el nivel de carga de la batería. Estas medidas de la tensión y de la corriente se harán como se explicó anteriormente en las secciones 3.1 y 3.2 de este capítulo. Para obtener las ecuaciones que nos diesen el nivel de carga en función de ésta corriente y ésta tensión, se llevaron a cabo en el laboratorio una serie de ensayos de descarga de la batería: Con el siguiente esquema de conexionado, se tomaron las medidas de tensión V(V) y de la corriente I(A) en intervalos de ‘ ∆T ’: Batería I (A) + Voltímetro Vi V - Amperímetro I Esquema 12. Conexionado para ensayos de descarga. NOTA: El esquema real de montaje se puede ver Recursos/herramientas empleadas de este capítulo, fotografía 4. -58- en la sección Memoria. Diseño del prototipo La ecuación que cumple este esquema es la siguiente: E. 9- V = Vi − R1 × I Por otro lado, la tensión Vi de la batería depende del nivel de carga que ésta tenga de esta manera: E. 10- Vi = me × ε + be Representando ε el nivel de carga de la batería en [mAh]. Ensayo nº 1 Los resultados de este ensayo se pueden ver en la sección Resultados/Experimentos de este documento. En este ensayo ∆T = 60 segundos, es decir, se tomó registro de las medidas a intervalos de 60 segundos. Por otro lado la resistencia R2 se fue variando para tener una descarga con corriente constante de 7,5 A. Con esto lo que se hizo fue calcular, de la misma manera que en el ensayo de carga, la ε (mAh) y se dibujó en una gráfica en función de la tensión de la batería: -59- Memoria. Diseño del prototipo Característica de descarga Tensión batería (V) 41 39 37 1C(7,469A) 35 33 31 0 2000 4000 6000 8000 Capacidad descarga (mAh) Gráfico 6. Descarga de la batería a una intensidad constante de aproximadamente 7,5 A. Esta curva se puede aproximar a la ecuación de una recta de la siguiente forma: E. 11- Vbat = me1 × ε + be1 Sustituyendo valores: Recta descarga nº1 - Vbat (V ) = -0,00087 × ε (mAh) + 39,15 Por las mismas razones y utilizando las mismas bases que en el caso de las curvas de carga, se ha pasado esta recta a valores unitarios: Recta descarga nº1 (pu) Vbat ( pu ) = −0,374 × ε (puh) + 1.06 La aproximación de esta recta tiene un R 2 = 0,971 con lo cual es una buena aproximación. -60- Memoria. Diseño del prototipo Ensayo nº 2 Los resultados de este ensayo se pueden ver en la sección Resultados/Experimentos de este documento. Ya que esta descarga iba a ser más rápida que la anterior, en este caso se tomó ∆T = 15 segundos, es decir, se tomó registro de las medidas a intervalos de 15 segundos. Por otro lado la resistencia R2 se fue variando para tener una descarga con corriente constante de 15 A. Procediendo de la misma manera que en el ensayo anterior, se obtuvo la siguiente curva: 2C (15,07 A) 39 Tensión batería (V) 38 37 36 2C (15,07 A) 35 34 33 32 31 0 2000 4000 6000 8000 Epsilon (m Ah) Gráfico 7. Descarga de la batería a una intensidad constante de aproximadamente 15 A. En este caso, la ecuación de la recta que aproxima la relación entre los datos tiene la siguiente forma: E. 12- Vbat = me2 × ε + be2 Sustituyendo valores: -61- Memoria. Diseño del prototipo Recta descarga nº2- Vbat (V ) = -0,00072 × ε (mAh) + 37,74 Y pasando a unitarias: Recta descarga nº2 (pu) Vbat ( pu ) = -0,309 × ε (puh) + 1,02 En este caso la aproximación tiene un R 2 = 0,985 , con lo cual es también una buena aproximación. Representación de las 2 curvas juntas Si representamos las dos curvas juntas: Comparación entre las 2 descargas Tensión batería (V) 42 40 38 C1 (7,5A) 36 C2 (15A) 34 32 30 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000 Epsilon (mAh) Gráfico 8. Comparación entre las 2 descargas. Con esto se observa que tienen bastante paralelismo. Esto también se puede apreciar comparando las pendientes de ambas rectas de aproximación, viéndose que son muy similares. -62- Memoria. Diseño del prototipo Comparando ecuaciones E. 9 y E. 10 con ecuaciones E. 11 y E. 12 y los respectivos valores que las variables de estas 2 últimas ecuaciones adquieren en las ecuaciones de las rectas, se obtiene el siguiente sistema: • • be1 = be − R1 × I1 be2 = be − R1 × I 2 Sustituyendo valores (en magnitudes reales): • • 39,153 = be − R1 × 7,469 37,739 = be − R1 × 15,07 De aquí se saca como resultado be = 40,542 y R1 = 0,186Ω Y por otro lado aproximamos me = me1 + me2 me = −0,000791 2 Con esto se obtiene la primera ecuación que nos dará el nivel de carga de la batería en función de la tensión de esta y de la corriente que circule a través del motor: E. 13- De aquí: V = −0,000791× ε + 40,542 − 0,186 × I Ec.1 ε 1 (mAh) = 7500 + 1264,22 × (V (V ) − 40,542 + 0,186 × I ( A)) NOTA: ε 1 representa el nivel de carga de la batería según una primera ecuación que se ha deducido (Ec.1). Por otro lado 7500(mAh) se mete en la ecuación porque de la ecuación E. 13 en realidad lo que sacamos es, si observamos las gráficas de descarga, la cantidad de energía que se ha sacado de la batería (ya que estas -63- Memoria. Diseño del prototipo gráficas de descarga empiezan con ε = 0 cuando en realidad están cargadas), con lo que si queremos tener como resultado el nivel de carga de la batería debemos restar a 7500 (según especificaciones de la batería, este es su nivel de carga cuando está al máximo) el resultado que salga de la ecuación E. 13, y así obtenemos la Ec.1. Para la programación en el microprocesador de estas ecuaciones, debemos pasar éstas a valores unitarios. Así queda: • 1,058 = be − R1× 0,467 • 1,02 = be − R1× 0,942 De aquí deducimos be = 1,095 y R1 = 0,08 pu Y por otro lado aproximamos me = me1 + me2 me = −0,342 2 Por lo tanto nos queda una ecuación en unitarias que nos dará cuán cargada está la batería en [puh] a partir de los datos de la tensión de la batería y de la corriente que atraviesa el motor, ambas también en [pu]: Ec.2 ε 1 ( puh) = 0,469 + 2,92 × (V ( pu ) − 1,095 + 0,08 × I ( pu )) 3.3.3 Algoritmo del frenado regenerativo Para el algoritmo de frenado, se trabajará en unitarias, así que se hará uso de las correspondientes ecuaciones en [pu] que se han obtenido en los apartados anteriores. -64- Memoria. Diseño del prototipo Por otro lado, también podemos obtener el nivel de carga de la batería integrando, es decir, el microprocesador va a tomar las medidas de tensión y corriente de una manera periódica cada intervalo de tiempo ‘ ∆T ’, por lo que de esta manera se puede plantear que con programación se haga a cada vuelta una integración de este tipo: ε 2 (medidaK ) = ε 2 (medidaK −1 ) − I × ∆T (con I en [pu] y ∆T en horas) De esta manera, a cada vuelta a intervalos de ∆T el valor del nivel de carga de la batería ε 2 se incrementa en un valor correspondiente al producto entre la intensidad medida y el intervalo de tiempo en el que se hacen las medidas. En caso de que la corriente vaya hacia el motor (la batería se está descargando), el valor de la corriente I será positivo, y en caso contrario negativo. Hay que decir que esta idea pretende ser solo una primera noción de la programación que posteriormente se integrará en el microprocesador. El código completo puede verse en la sección Código fuente de la Parte I de este documento. Se observa por otra parte que según este código, esta forma de calcular el nivel de carga, ε 2 tendrá que tomar un valor inicial cuando acabamos de cargar la batería. Esto se hace detectando cuando se pone a cargar, y en ese momento justo después de cargar la batería en una primera pasada por el algoritmo ε 2 tomará el valor que le de ε 1 (pero insistiendo en que solo la primera vez después de cargar la batería). Con estas dos formas de calcular el nivel de carga de la batería se pondera a un valor único del nivel de carga de esta manera: -65- Memoria. Diseño del prototipo E. 14 ε = p × ε1 + (1 − p) × ε 2 En donde ‘p’ tomará un valor en función de la importancia que se le de a cada método de cálculo de la energía de la batería. Por falta de tiempo en la realización de este proyecto, se ha dejado para un futuro trabajo la realización de los pertinentes ensayos para valorar y dar un valor a ‘p’, y en lo que concierne a este proyecto, se le ha dado el valor de ‘p=0,5’. De esta manera, una vez se tiene el valor de ε , éste se introduce en la ecuación de la Recta nº1 (pu) o Recta nº2 (pu) (dependiendo de en que parte de la curva de carga nos encontremos) de la sección 3.3.1 de este capítulo, y así obtenemos el valor de la corriente que puede atravesar a la batería en ese momento para así cargarla. En función de la corriente que pueda atravesarla, el algoritmo generará un PWM con un factor de servicio u otro. 3.3.4 Desarrollo del sistema para la placa PCB (2 opciones) Como se aprecia en la diferencia entre el Esquema 4 y el Esquema 5 el sistema de frenado primero se pensó de una manera pero posteriormente se cambió por razones que ya explicaré más adelante. Por otro lado, en el punto 3.3 se supuso que el sistema de frenado funcionaba con un simple transistor. Aquí se verá que este sistema es algo distinto (aunque la idea es la misma). -66- Memoria. Diseño del prototipo 3.3.4.1 Opción A (frenado con mosfet) En un primer lugar se pensó y se desarrolló como se indica en el siguiente esquema: PWM frenado Microproce sador Esquema 13. Sistema de frenado con Mosfet. Lo que está dentro de la línea de puntos corresponde a lo que irá en la placa PCB. La resistencia de frenado se conectará a la placa a través de un conector de potencia cuyas características se adjuntan en la Parte IV Datasheets. A continuación se explica este esquema: El microprocesador en función de los valores de tensión de la batería y corriente que atraviesa el motor, información que le llega por medio de un convertidor A/D que posee el micro, manda una señal de frenado en forma de PWM con un factor de servicio previamente calculado que dependerá de la corriente que en ese momento acepte la batería (calculado como se indica en los puntos 3.3.1 y 3.3.2) con el fin de que la tensión media de este PWM haga que la corriente que no puede atravesar la batería pase por la resistencia de frenado. -67- Memoria. Diseño del prototipo PWM frenado Este interruptor Vrfren representa el mosfet cierra cuando el PWM Vrfren media y está a 1 y abre cuando está a0 Id Id media Figura 4. Intensidad que atraviesa la resistencia de frenado en función del factor de servicio del PWM de frenado. E. 15 E. 16 Idmedia = Idmedia = Im− Ib Vrfrenmedia Vcc × FactorServicio = Rfren Rfren Según ecuación E. 15 Idmedia debe ser igual a la corriente que sale del motor (Im) menos la máxima corriente que acepta la batería en el estado de carga en el que se encuentra (Ib). Una vez obtenemos Idmedia según lo anterior, podemos relacionar este valor con el factor de servicio necesario a través de la ecuación E. 16. Todo esto es en resumen lo que pretende hacer este circuito. Los condensadores C1, C2 y C3 tienen la función de filtrar la entrada y que -68- Memoria. Diseño del prototipo entre con el menor ruido posible. Unos valores óptimos podrían ser C1 = 100nF , C2 = 2,2µF y C3 = 100nF . El mosfet que se eligió es de canal N. En nuestro caso nos interesa el funcionamiento del mosfet como interruptor. Para estas aplicaciones el objetivo es simplemente cerrar o abrir el mosfet. Esto se aprecia mejor en la siguiente figura: Figura 5. Mosfet como interruptor. Un esquema básico de conmutación para transistores mosfet de canal N, así como el listado de ecuaciones para su cálculo es el siguiente: -69- Memoria. Diseño del prototipo Esquema 14. Esquema básico de conmutación para transistores mosfet de canal N. Fórmulas: ID = VCC ( RC + rd _ on) VGSmin = VT + ID K VGG ≥ VGS min RG > 1MΩ PT = ID 2 × rd _ on El factor K también conocido como Transconductancia, representa la relación entre ID y VGS (tensión entre Compuerta y Fuente) y se mide en A / V 2 , siendo el equivalente del HFE en transistores BJT. -70- Memoria. Diseño del prototipo En este esquema, el interruptor que se representa a la salida de VGG no será más que el PWM de frenado que viene del microprocesador. Se puede ver la similitud entre el Esquema 13 y el Esquema 14. En este esquema, se decidió poner una resistencia RG = 1MΩ . En el Esquema 14 RC es el equivalente a RFREN del Esquema 13 y rd_on es la resistencia interna del mosfet cuyo valor viene en la hoja de características como rd _ on = 0.22Ω (ver en Parte IV Datasheets como RDS(on) = 0.22 Ω en la hoja de características del mosfet). Según estas fórmulas, ID = 42 VCC = = 16,40 . ( RC + rd _ on) RC + 0,22 Para esta fórmula se ha utilizado el máximo valor que puede alcanzar VCC de la batería y la máxima corriente que pasará al motor (16,40 A). de aquí: RC = R fren = 2,34Ω La cual disiparía una potencia máxima de 630W, demasiado alta. Por esta razón se decidió limitar el frenado a una corriente de 10 A (IDmax en frenado = 10 A). Con este nuevo valor, se obtiene que: ID = 42 VCC = = 10 RC = R fren = 3,98Ω ≈ 4,4Ω ( RC + rd _ on) RC + 0,22 ID_max=9,1A Esta resistencia disipa una potencia de PRfren = 9,12 × 4,4 = 363W , siendo esta potencia aceptable. -71- Memoria. Diseño del prototipo Así, para la resistencia de frenado Rfren se escogió poner 2 resistencias en serie de 2,2 Ω , pudiendo disipar cada una de ellas con un disipador de calor estándar (este disipador de calor será la base de aluminio del monopatín) una potencia de 100W, lo que suma un poder de disipación de 200W. Estos 200W de capacidad de disipación se consideraron suficientes ya que se está teniendo en cuenta que el individuo no va a estar frenando a máxima potencia durante mucho rato ni siempre frenará a máxima potencia. Por otro lado tampoco se cogió una resistencia con más capacidad de disipación porque se hacían demasiado grandes. (ver Parte IV Datasheets para características de estas resistencias-la que se escogió fue la HS100). Por otro lado, para proteger al mosfet y al micro de picos de corriente se decidió incorporar un driver de puerta el cual detecta si se sobrepasa una corriente determinada y cierra el paso de ésta. Este driver está representado en el Esquema 13 como IC1. Este driver es el IR2121, cuyas características pueden verse en la Parte IV Datasheets de este documento. En este driver, el pin CS es el pin usado para medir la corriente. Cuando el voltaje en el pin CS alcanza los 230 mV, éste detectarla la condición de exceso de corriente. En este momento, el driver esperará un tiempo correspondiente al blanking time (500 ns) para filtrar un posible pico por ruido. Si después de este tiempo el voltaje en CS sigue siendo superior a los 230 mV el driver actuará para proteger al mosfet y al micro. Este voltaje será detectado a través de la resistencia RCS que se ve en el Esquema 13. Teniendo en cuenta esto y sabiendo que la máxima corriente -72- Memoria. Diseño del prototipo que soporta el micro es de 20 mA se calcula el valor de la resistencia RCS de la siguiente manera: RCS= 230mV =11,5Ω 20mA Por otro lado la resistencia RQ se elige para minimizar el tiempo de actuación. Esta resistencia no se llegó a calcular debido a que se optó por quitar este driver y en lugar de usar un mosfet usar un BJT (como se aprecia en la diferencia entre los esquemas 4 y 5). 3.3.4.2 Opción B (frenado con BJT) Este cambio se realizó debido a que la alimentación que precisaba este driver era de unos 12 V (valores de uso recomendados de entre 7 y 23 V para la alimentación de este driver), los cuales no los disponemos ya que el convertidor DC/DC da una tensión reducida de la batería de 5V y no de 12V. El mosfet era una mejor opción que la de usar un BJT debido a que actúa con más calidad como interruptor, pero el uso del BJT permitió quitar el driver de puerta y solucionar de esta manera el problema de la alimentación de 12 V. Al final, como ya se ha dicho, se optó por cambiar el esquema y usar un BJT darlinton como se indica en el siguiente esquema: -73- Memoria. Diseño del prototipo Vcc1=5V Vin2 Ic Q2 Microproc Vin1 esador Q1 Ib1 Ib2 [/] hfe1=8000 Vcc2=42V [/] hfe2=300 Esquema 15. Sistema de frenado con BJT La función que va a realizar este sistema es la misma que la del anterior esquema (Esquema 13), lográndose con esto un frenado regenerativo, sin embargo, aunque parecida, la forma de llevar a cabo esta función tiene una serie de diferencias que se explican a continuación: El microprocesador manda una señal de PWM con un factor de servicio que queda determinado por la corriente que se quiere que Rfren disipe, como se explicó con anterioridad. Hay que explicar que el transistor Q1 se ha puesto para bajar la corriente que sale del microprocesador por debajo de los 20mA (máxima corriente que puede soportar el micro), ya que se puede comprobar que sin él, la corriente que tendría que salir del micro para saturar el transistor Q2 sería de unos 40mA. Con esta configuración se verá que la corriente queda limitada a unos 0,1mA. -74- Memoria. Diseño del prototipo Las siguientes ecuaciones del BJT son las que hay que tener en cuenta: Vin = I B ( sat ) × RB + 0,6 y I B ( sat ) = VCC β × RC Con estas ecuaciones, seguimos de la siguiente manera: . Pmax_ disipada = U max × I max = 42 × 16,40 ≈ 680W Esta potencia es demasiado alta, por lo tanto, al igual que en el caso anterior, se decidió limitar la corriente Ic para el frenado a I C ≤ 10 A , de esta manera: . Pmax_ disipada = U max × I = 42 × 10 ≈ 420W Esta potencia ya es aceptable De esta manera se calculó la Rfren necesaria: R frenado = 42 422 = 4,2 ≈ 4,4Ω Pmax_ disipada = = 400W 10 4,4 ID_max=9,54 A Tal y como en el caso anterior, para la resistencia de frenado Rfren se escogió poner 2 resistencias en serie de 2,2 Ω , pudiendo disipar cada una de ellas con un disipador de calor estándar (este disipador de calor será la base de aluminio del monopatín) una potencia de 100W, lo que suma un poder de disipación de 200W. Como en el caso anterior las resistencias son ambas de la colección Arcol HS100 (ver Parte IV Datasheets para características de estas resistencias-la que se escogió fue la HS100). -75- Memoria. Diseño del prototipo Por otro lado, dado que se quiere limitar la corriente de frenado a 9,54A, el factor de servicio del PWM que controla la velocidad del motor, es decir, del que se habló al principio cuando se explicó la parte que controla la velocidad del motor (no confundir con el PWM que controla la apertura y cierre de los transistores del sistema de frenado), queda limitada a un mínimo. De este factor de servicio mínimo no nos tendremos que preocupar porque al final lo que el usuario decidirá a través del puño acelerador no será la velocidad que quiere, sino el par (en este caso par de frenado) que busca, es decir, decidirá la corriente con la que quiere frenar (y de una manera indirecta se irá variando el factor de servicio del PWM con el fin de conseguir esa corriente – esto se explica en el punto 4 de este capítulo). Así, el microprocesador se programará de tal manera que relacione el tope en la maneta con una corriente que pide el usuario de 9,54A. Con respecto al resto de elementos del Esquema 15: [x]-Según especificaciones de Q1, Ic_max=1A vamos a poner Ic1=0,8A RB 2 = 5 = 6,25Ω RB 2 = 6,8Ω I C1 = 0,74 A 0,8 [x]- I B1( sat ) = 5 = 0,092mA < 20mA dentro de especificaciones 8000 × 6,8 [x]- Vin1 = I B1 × RB1 + 0,6 5 = 0.092 × 10 −3 × RB1 + 0,6 RB1 = 47,9 KΩ se coge una resistencia de RB1 = 47 KΩ I B1 = 0,094mA > I B1( sat ) [x]- I B 2( sat ) = 42 = 31,81mA 300 × 4,4 [x]- 5 = 31,81× 10 −3 × (6,8 + RB 3 ) + 0,6 6,8 + RB 3 = 138,29Ω RB 3 = 131,49Ω se cogió una resistencia de RB 3 = 130Ω I B 2 = 32,16mA > I B 2( sat ) -76- Memoria. Diseño del prototipo 4 Ajuste del control del par En este momento se trabajó en el diseño de un PI 1 para integrar el mismo en un micro PIC para el ajuste del control del par. Este PI se programará en lenguaje C en el micro. De esta manera se pasa a una segunda fase en este proyecto en la que el usuario, a través de la maneta de aceleración, no decide la velocidad a la que quiere ir, sino que decide el par que quiere conseguir (un símil sería la aceleración de un coche en la que con el pedal no decides la velocidad sino que abres o cierras más la admisión de gasolina (en este caso la corriente sería nuestra gasolina)) mejorando de esta manera el control que el usuario tiene sobre el monopatín, siendo éste un control más intuitivo. La idea de todo esto se ilustra en el siguiente esquema: ω 1 xK 16A Iref ei u* PI -10A + u Micro Vref PWM PWM Planta Motor - Esquema 16. Ajuste del control del par. __________________ 1 vvolt Ref: [2] y [3] de la bibliografía (regulación automática). -77- i || Ireal Memoria. Diseño del prototipo Como se ve en el esquema anterior, y como ya se explicó el por qué más atrás, la corriente de frenado se limitará a unos 10A (se representan con signo negativo en el esquema). En este esquema, Iref es la corriente que el usuario pide al darle a la maneta de aceleración del patinete y Ireal es la corriente que en realidad estamos consiguiendo. Sin este control, tal y como se explicó antes, al fijar una VPWM (en este esquema se representa como “u=vvolt”), se fija una corriente que irá disminuyendo a medida que se vaya aumentando o disminuyendo la velocidad. Con este control lo que se conseguirá es mantener esa corriente (y por tanto el par que el usuario está pidiendo) variando de manera automática la tensión “u” en bornes del motor (esto se hará variando el factor de servicio del PWM). Con el siguiente esquema se entenderá mejor: R LS i + E = f (ω ) u Mot. = K ×ω - ω = conocida K = 0.0296 V rad / s Esquema 17. Esquema equivalente del motor Brushless DC. Ajuste del control del par Por el momento se supondrá que ω es un dato conocido, ya que en un futuro desarrollo que no concierne a este proyecto será posible tener este dato. -78- Memoria. Diseño del prototipo u* representa la diferencia u-E, lo cual como se verá nos simplificará los cálculos. Para mantener una i=cte. se debe ir variando la tensión ‘u’ a medida que E varía (ya que E = k × ω , al variar la velocidad E cambia) para mantener u*=cte. Para tal fin, imaginemos que estamos acelerando, por tanto estamos pidiendo una determinada Iref. A medida que la velocidad aumenta, u* disminuye y la Ireal con ella. Con este control se compara Iref-Ireal obteniéndose un error ei que se debe reducir a cero –tarea que realizará este control-. Con el PI este error se traduce en una u*. Posteriormente, por medio de programación, se le sumará al valor de u* el de de K × ω con lo que se obtendrá la tensión ‘u’ que es necesaria conseguir en bornes del motor. Esta tensión ‘u’ que se quiere conseguir se traducirá en un factor de servicio del PWM, obteniéndose al fin la tensión deseada. Resultado de todo esto será un ajuste de la corriente Ireal, reduciendo de esta manera el error ‘ei’ a cero. Para el diseño del PI, que es lo que concierne a este proyecto, se procedió de la siguiente manera: Ecuación del motor de corriente continua i = u* R + SL Para simplificar en los cálculos, como nosotros lo que buscamos son variaciones de tensión y de corriente, también se puede ver de la siguiente manera: ∆i = ∆u * , y como ∆u* = ∆u , por el momento nos olvidamos R + SL de sumar a u* el valor de K × ω . Planta del motor ∆i 1 1 14.5 = = = −3 ∆u * R + SL 0.069 + 0.129 × 10 S 1.87 × 10 −3 S + 1 -79- Memoria. Diseño del prototipo NOTA: los datos de resistencia y inductancia se pueden ver en las características del motor en la parte de Datasheets. Por otro lado se desprecia el tiempo de respuesta del micro, así el conjunto “micro y PWM” es un 1 en el Esquema 16. Para este tipo de plantas, haciendo caso a las recomendaciones que se indican en el libro de Regulación Automática de F. Luis Pagola, se han tomado ϕm = 45º y ϕ PI = −10º . [x]- ϕω 0 PI = −180 + 45 + 10 = −125º [x]- − 125 × π π = − arctg (1.87 × 10 −3 ω ) ω = 374.44 180 2 [x]- Ap (ω ) = 14.5 1 + (1.87 × 10 −3 ) 2 = 14.49 [x]- Ac = 1 = 6 .9 Ap [x]- I = − 1 1 =− = 0.0151 ω × tg (ϕc) 374.44 × tg (−10º ) [x]- Kp = Ac × cos(ϕc) = 6.79 [x]- PI = Kp × SI + 1 0.0151S + 1 = 6.79 × SI 0.0151S Con esto se ha diseñado un PI, que en un futuro habrá que implementar en el sistema completo representado en el Esquema 16. Esta tarea se hará, como ya se ha comentado antes, mediante programación en el micro PIC. -80- Memoria. Diseño del prototipo 5 Pruebas básicas de la placa PCB Una vez se ha llegado a este punto del diseño, se pasó a imprimir la placa PCB y a hacer las pertinentes pruebas. 5.1 Diseño de planos con Eagle v.4.09 Antes que nada, a partir del Esquema 5 se debían diseñar los planos necesarios para encargar por fin la impresión de la placa PCB para hacer las pruebas que se necesitasen. Estos planos se hicieron a partir del programa Eagle 4.0 en su modo Board Layout, y para esto había que tener en cuenta una serie de cosas: • El circuito se podría dividir en 2 partes, una de potencia (más corriente) y otra de señal (corriente más pequeña). La parte de potencia corresponde a la alimentación directa desde la batería de 37 V al motor, la conexión del medidor de corriente efecto Hall (que mide la corriente que pasa por el motor que puede ascender a 16,40A) y la conexión de la resistencia de frenado (Rfren), la cual puede ser atravesada con un máximo de 10A. Esta parte se puede apreciar en el Esquema 5 como las vías más anchas del esquema. La parte que denominamos de señal corresponde con el resto del circuito. A más corriente las vías debían ser mas anchas, así que previamente se debía calcular esta anchura necesaria. • Se debe ocupar el mínimo espacio posible, y debido a que hay en el circuito parte de potencia (más corriente y por tanto vías más anchas) y parte de señal (vías más delgadas), se intentaría localizar toda la parte de potencia a un lado. -81- Memoria. Diseño del prototipo Para calcular el ancho de las vías se partió de la siguiente tabla: Tabla 3. Ancho vías - Corriente máxima Ancho vías (pulgadas) Corriente máxima (A) 0.020 0.7 0.025 1 0.05 2 0.1 4 0.15 6 A partir de esta gráfica por mínimos cuadrados se sacó la siguiente relación: E. 17 anchura (inch) = 1 × ( I ( A) + 0.105) 40.9 Con la anterior ecuación y teniendo en cuenta que la parte de potencia había que diseñarla para poder soportar una corriente de 16.40A , y la parte de señal no sobrepasaría el amperio o el medio amperio, se obtuvo como anchura necesaria para las distintas partes: • Potencia aproximadamente 0.41” • Señal aproximadamente 0.016” NOTA: Para la parte de potencia por la distancia reducida entre pines del driver, medidor de corriente y transistor, hubo que reducir esta anchura hasta que encajase de manera correcta sin tocarse las diferentes pistas ni tocar los pines equivocados. -82- Memoria. Diseño del prototipo El resultado final puede verse en el documento Planos como Board PCB final (plano 4), el cual corresponde al del Esquema 5 (o plano numero 3). En este documento de planos también se puede ver los esquemas que en un principio se habían diseñado (planos 1 y 2). 5.2 Pruebas en laboratorio Una vez impresa la placa PCB y soldados todos los componentes se pasó a realizar las pertinentes pruebas en el laboratorio del sistema de control de la velocidad. Dado que solo se quería probar una parte de todo el sistema, solo se fabricó esa parte (la correspondiente al control de velocidad, medida de corriente con sensor de efecto Hall y medida de la tensión de la batería, sin incluir el sistema de frenado con transistores y resistencia de frenado). Dado que en un primer momento no funcionaba, se procedió en primer lugar a repasar la placa en busca de posibles pistas cortadas o posibles cortos debido a que 2 o más pistas se tocaban. Resuelto esto se comenzó una tarea en la que paso por paso se fue siguiendo la secuencia de señales que tenían que llegar hasta el motor, y en caso de que en un punto no diese la respuesta esperada, se procedió a repasar el diseño para probar posibles soluciones. El resultado final fue satisfactorio: introduciendo una señal de PWM, se consiguió regular la velocidad del motor. El esquema de montaje para los ensayos fue el siguiente: -83- Memoria. Diseño del prototipo Conexión de la placa con las bobinas del motor Señal de sensores de posición del rotor Alimentación a 5V de los sensores del rotor Señal de PWM desde micro Sensor efecto Hall Convertidor de tensión (por la otra cara de la placa) EEPROM Alimentación del motor a 24 V (el cable en esta foto está desenchufado de la PCB) Driver (por la otra cara de la placa) Conexión con las bobinas del motor (el cable en esta foto está desenchufado de la PCB) fotografía 1. Esquema de montaje para los ensayos. Primeramente lo que se hizo fue alimentar la placa a 24 V desde una fuente de tensión controlada de forma que los sensores del rotor, la memoria y el driver quedaban alimentados a 5V (en un primer momento no se conectó la placa con las bobinas del motor). Estos 24 V no se cogieron de la batería por seguridad, ya que si ocurriese algún fallo, esta batería no está protegida. Con esto lo que se comprobó fue el buen funcionamiento de la señal de los sensores de posición del rotor y que estas señales llegaban de forma correcta a los correspondientes pines de la memoria. La señal de PWM para estos ensayos era dada desde otra placa con su alimentación individual. La señal de los sensores era la buena, alternando entre 5V y 0V en función de la posición del rotor. Con las señales de entrada a la memoria correctas se comprobó que las salidas cumplían lo que se indica en la Tabla 2. Estas salidas eran las -84- Memoria. Diseño del prototipo correctas, y llegaban de forma correcta al driver. Posteriormente se comprobó, según cuales eran los inputs al driver (outputs de la memoria), si se cerraban los correspondientes transistores. En este punto se vió que las salidas del diver no eran las correctas, con lo cual se pensó que un posible fallo podría ser la alimentación del driver, ya que como se puede comprobar, ésta no se deja bien clara en su hoja de características. De esta manera se desconectó de la placa los pines correspondientes al GND y al Vbias del driver y se conectó de manera independiente a una fuente de tensión controlada de ICAI. Ahora con la tensión de alimentación del driver a 12 V (no a 5V como estaba antes), se comprobó de nuevo su funcionamiento, siendo ahora correcto. Una vez hechos estos arreglos y comprobado que toda la secuencia de señales era la correcta, se conectó la placa a las bobinas del motor y se dio tensión. El resultado fue que el motor empezó a moverse, y regulando el factor de servicio del PWM la velocidad variaba. También se comprobó que el funcionamiento del sensor de corriente efecto Hall y el divisor de tensión de la batería era el correcto. La diferencia entre las tensiones que se debían obtener (una proporcional a la corriente que atravesaba el motor y otra proporcional a la tensión de la batería) y las tensiones que se midieron era de una magnitud despreciable. Medida Tensión batería Corriente que atraviesa el motor Valor real 24 V 2,5 A Valor a medir 2,4 V 2,69 V Valor medido 2,48 V 2,71 V En esta tabla, valor a medir es la tensión que debería dar el divisor de tensión y el medidor de corriente efecto Hall, y valor medido es la tensión -85- Memoria. Diseño del prototipo real de salida de estos sistemas de medida. Estos valores (valores a medir) se pueden comprobar con las ecuaciones que se dedujeron en los apartados correspondientes de esta memoria (“Medidor de tensión” y “Medidor de corriente (2 opciones)”, la “Opción B”). 6 Recursos / herramientas empleadas Las herramientas que se han utilizado para el estudio y trabajo de este proyecto han sido las siguientes: Internet En primer lugar se ha hecho uso constantemente de Internet como herramienta de búsqueda y consulta de información. La página web que se ha frecuentado más a menudo ha sido http://www.rsonline.es de la empresa RS y http://es.farnell.com de la empresa Farnell, a las cuales se les han hecho la mayor parte de los pedidos de los componentes necesarios para este proyecto, conectores, convertidor DC/DC, etc. Microsoft Word , Microsoft Excel y Microsoft Powerpoint El Microsoft Word fue utilizado para la redacción de este proyecto, Microsoft Excel para la realización de tablas y tratamiento de datos y el Microsoft Powerpoint para dibujar los distintos esquemas que se ven a lo largo de este documento, además de también utilizarse este medio para las diversas presentaciones orales de este proyecto que se fueron realizando conforme se avanzaba en el trabajo. -86- Memoria. Diseño del prototipo Eagle v4.09 1 Otra herramienta empleada continuamente en este proyecto ha sido el ya mencionado programa Eagle en su versión 4.09 para la realización de la placa PCB. Con este programa han sido 3 las tareas que se han realizado: 1. En primer lugar conforme se iban escogiendo los componentes necesarios para utilizar en la placa PCB se debía de asegurar de que estos elementos estaban en la librería que viene por defecto en el Eagle. En caso de no estar debía de crearse este elemento y añadirlo a una nueva librería que en este caso recibió el nombre de “Proyecto.lbr” (adjuntada librería en CD con el documento). En este caso los elementos que tuvieron que ser dibujados fueron: • La memoria EEPROM AT28C64-25PC. • Driver MSK4401U para el control del motor • Conector de potencia de 2 entradas (P1 en el esquema 3). • Conector de potencia de 3 entradas (P2 en el esquema 3). • Conector de señal de 2 entradas (S2 en el esquema 3). • Conector de señal de 4 entradas (S3 en el esquema 3). • Conector de señal de 5 entradas (S1 en el esquema 3). • Convertidor DC-DC Entrada 18-72V Salida 5V 1000mA. • Transductor de corriente efecto Hall LTS 25-NP. • Driver IR2121 para el primer esquema de frenado con mosfet para proteger al microprocesador de los picos de corriente. • Resistencia de frenado (Rsense según esquema 7). __________ 1 Ref: [4] de la bibliografía (manual del Eagle 4.09) -87- Memoria. Diseño del prototipo Los siguientes screenshots pretenden ser un ejemplo para mostrar el entorno de trabajo en la creación de esta librería: Screenshot 1. Lo que se ve es el dispositivo AT28C64-25PC (memoria EEPROM). El dibujo de la izquierda es su representación esquemática y el de la derecha es su dibujo en la placa PCB con los correspondientes “pads” para ubicar los 28 pines de la EEPROM. Screenshot 2. entorno del programa para crear el “package” del dispositivo AT28C64-25PC (memoria EEPROM). Esto es lo que se va a dibujar en la placa PCB. -88- Memoria. Diseño del prototipo Screenshot 3. Entorno del programa para crear el “symbol”, que es el símbolo para trabajar con él en los esquemas y que equivale al dibujo anterior en la placa PCB. Screenshot 4. Entorno del programa que sirve para unir el Package al Symbol, es decir, para indicar la relación de pines, cuales en el esquema equivaldrán luego a cuales en el dibujo en la PCB. Toda la información necesaria para la realización de esta tarea se sacó de la documentación que se adjunta en la Parte IV Datasheets de este documento. -89- Memoria. Diseño del prototipo 2. La siguiente tarea que se realizó con este programa fue el diseño de los esquemas que se pueden ver en este documento como Esquema 4 y Esquema 5, o más detalladamente si se consultan los planos. 3. Posteriormente se pasó de este esquema (hasta ahora solo se tiene una representación esquemática de lo que va a ser la placa PCB) a lo que iba a ser el esquema o dibujo definitivo que se iba a imprimir en la placa PCB. Esto se puede ver en los planos 2 y 4 del documento Planos. Esta última tarea fue un tanto ardua debido a que debían de ubicarse todos los elementos de forma que se ocupase un mínimo espacio pero al mismo tiempo las vías de conexión entre los componentes debían ser lo más cortas posibles. Por otro lado, debía de usarse lo menos posible la segunda cara de la placa PCB. Ensayos batería Para los ensayos de carga y descarga de la batería para sacar los datos necesarios para realizar el algoritmo de frenado que se programaría en el micro se utilizó otro programa específicamente diseñado para tratar con el módulo de adquisición analógica de 4 canales Solartron 3593 133 A. El programa que se utilizó fue el 3593 module configure with Logging program, versión 5.2 producido por Solartron. Este módulo tomaba las medidas analógicas de un medidor de corriente efecto Hall y de un convertidor de tensión (los cuales medían tensión y corriente de la batería) y los transformaba en señales digitales que podían ser procesadas por el programa de ordenador. Este programa tomaba los datos a intervalos constantes de tiempo y los guardaba en un archivo .txt. -90- Memoria. Diseño del prototipo • Medidor de corriente efecto Hall Tektronix A622 Input: 0 a 7A RMS 100A Peak AC o DC Frequency: DC a 100 kHz Output: 10 mV/A , 100 mV/A • Convertidor de tensión Yokogawa 700924 differential probe Input: ± 1400 V Peak Max Output: ± 3,5 V max into 50 KΩ min módulo de adquisición analógica de 4 canales Solartron 3593 133 A Batería Alimentación a 12 V Convertidor de tensión Yokogawa 700924 differential probe Medidor de corriente efecto Hall Tektronix A622 Medidor de corriente efecto Hall Tektronix A622 Conexión módulo-ordenador fotografía 2. Módulo de adquisición. fotografía 3. Batería y medidor de corriente. Un screenshot del programa de adquisición de datos sería el siguiente: Screenshot 5. 3593 module configure with Logging program, versión 5.2 -91- Memoria. Diseño del prototipo El canal 0 devuelve un voltaje proporcional a la tensión de la batería ( Vbatería mV ) y el módulo 2 devuelve otra tensión en este caso proporcional 100 a la corriente que atraviesa a la batería (10mV = 1A) (adquirido por el medidor de corriente efecto Hall) La siguiente fotografía muestra el global del montaje que se realizó para hacer las medidas de la batería: Módulo de adquisición Batería Voltímetro Resistencia R2 (según esquema 12) Amperímetro fotografía 4. Esquema de montaje (referenciado al Esquema 12). -92- Memoria. Resultados/Experimentos Capítulo 3 RESULTADOS/EXPERIMENTOS 1 Ensayos de carga y descarga de la batería Para realizar los ensayos de carga y descarga de la batería, de los cuales se habló ya en la sección 3.3 del Capítulo 1, las siguientes medidas son las que fueron tomadas por medio del programa “3593 module configure with Logging program v.5.2” el cual se explicó ya en la sección 6 (Recursos / herramientas empleadas) del Capítulo 1. Las medidas tomadas fueron las siguientes: 1.1.- Ensayo de carga Tiempo Tensión (V) Corriente (A) Epsilon (mAh) 38,32 5,27 0 38,48 5,25 87,5 38,57 5,24 174,8333333 38,62 5,23 262 38,66 5,22 349 38,68 5,22 436 38,7 5,21 522,8333333 38,71 5,22 609,8333333 38,72 5,21 696,6666667 38,75 5,23 783,8333333 38,77 5,22 870,8333333 38,78 5,22 957,8333333 38,79 5,22 1044,833333 38,81 5,22 1131,833333 38,83 5,2 1218,5 38,85 5,21 1305,333333 38,87 5,21 1392,166667 38,89 5,21 1479 27/03/2008 10:44 27/03/2008 10:45 27/03/2008 10:46 27/03/2008 10:47 27/03/2008 10:48 27/03/2008 10:49 27/03/2008 10:50 27/03/2008 10:51 27/03/2008 10:52 27/03/2008 10:53 27/03/2008 10:54 27/03/2008 10:55 27/03/2008 10:56 27/03/2008 10:57 27/03/2008 10:58 27/03/2008 10:59 27/03/2008 11:00 27/03/2008 11:01 -93- Memoria. Resultados/Experimentos 38,91 5,21 1565,833333 38,93 5,21 1652,666667 38,95 5,2 1739,333333 38,98 5,2 1826 38,99 5,21 1912,833333 39,01 5,2 1999,5 39,05 5,2 2086,166667 39,06 5,19 2172,666667 39,09 5,19 2259,166667 39,11 5,18 2345,5 39,14 5,19 2432 39,16 5,17 2518,166667 39,19 5,17 2604,333333 39,22 5,16 2690,333333 39,24 5,17 2776,5 39,27 5,16 2862,5 39,3 5,15 2948,333333 39,33 5,16 3034,333333 39,35 5,15 3120,166667 39,39 5,15 3206 39,42 5,15 3291,833333 39,46 5,15 3377,666667 39,5 5,14 3463,333333 39,53 5,14 3549 39,58 5,14 3634,666667 39,63 5,13 3720,166667 39,67 5,13 3805,666667 39,72 5,13 3891,166667 39,76 5,12 3976,5 39,81 5,13 4062 39,88 5,12 4147,333333 39,93 5,11 4232,5 39,98 5,12 4317,833333 40,04 5,11 4403 27/03/2008 11:02 27/03/2008 11:03 27/03/2008 11:04 27/03/2008 11:05 27/03/2008 11:06 27/03/2008 11:07 27/03/2008 11:08 27/03/2008 11:09 27/03/2008 11:10 27/03/2008 11:11 27/03/2008 11:12 27/03/2008 11:13 27/03/2008 11:14 27/03/2008 11:15 27/03/2008 11:16 27/03/2008 11:17 27/03/2008 11:18 27/03/2008 11:19 27/03/2008 11:20 27/03/2008 11:21 27/03/2008 11:22 27/03/2008 11:23 27/03/2008 11:24 27/03/2008 11:25 27/03/2008 11:26 27/03/2008 11:27 27/03/2008 11:28 27/03/2008 11:29 27/03/2008 11:30 27/03/2008 11:31 27/03/2008 11:32 27/03/2008 11:33 27/03/2008 11:34 27/03/2008 11:35 -94- Memoria. Resultados/Experimentos 40,1 5,1 4488 40,17 5,1 4573 40,23 5,1 4658 40,31 5,1 4743 40,38 5,09 4827,833333 40,45 5,09 4912,666667 40,53 5,09 4997,5 40,62 5,08 5082,166667 40,7 5,07 5166,666667 40,78 5,07 5251,166667 40,86 5,08 5335,833333 40,95 5,07 5420,333333 41,04 5,07 5504,833333 41,13 5,06 5589,166667 41,22 5,06 5673,5 41,32 5,05 5757,666667 41,42 5,05 5841,833333 41,52 5,05 5926 41,62 5,04 6010 41,72 5,03 6093,833333 41,83 5,03 6177,666667 41,92 5,03 6261,5 42,03 5,02 6345,166667 42,13 4,9 6426,833333 42,16 4,52 6502,166667 42,19 4,21 6572,333333 42,22 3,92 6637,666667 42,25 3,66 6698,666667 42,26 3,41 6755,5 42,29 3,18 6808,5 42,3 2,97 6858 42,32 2,78 6904,333333 42,34 2,6 6947,666667 42,34 2,44 6988,333333 27/03/2008 11:36 27/03/2008 11:37 27/03/2008 11:38 27/03/2008 11:39 27/03/2008 11:40 27/03/2008 11:41 27/03/2008 11:42 27/03/2008 11:43 27/03/2008 11:44 27/03/2008 11:45 27/03/2008 11:46 27/03/2008 11:47 27/03/2008 11:48 27/03/2008 11:49 27/03/2008 11:50 27/03/2008 11:51 27/03/2008 11:52 27/03/2008 11:53 27/03/2008 11:54 27/03/2008 11:55 27/03/2008 11:56 27/03/2008 11:57 27/03/2008 11:58 27/03/2008 11:59 27/03/2008 12:00 27/03/2008 12:01 27/03/2008 12:02 27/03/2008 12:03 27/03/2008 12:04 27/03/2008 12:05 27/03/2008 12:06 27/03/2008 12:07 27/03/2008 12:08 27/03/2008 12:09 -95- Memoria. Resultados/Experimentos 42,37 2,29 7026,5 42,38 2,15 7062,333333 42,4 2,01 7095,833333 42,4 1,89 7127,333333 42,42 1,77 7156,833333 42,43 1,66 7184,5 42,43 1,56 7210,5 42,44 1,47 7235 42,45 1,38 7258 42,45 1,3 7279,666667 42,46 1,22 7300 42,47 1,15 7319,166667 42,47 1,09 7337,333333 42,47 1,04 7354,666667 42,48 0,98 7371 42,49 0,93 7386,5 42,49 0,88 7401,166667 42,49 0,84 7415,166667 42,5 0,79 7428,333333 42,5 0,76 7441 42,5 0,73 7453,166667 42,51 0,69 7464,666667 42,51 0,66 7475,666667 42,51 0,63 7486,166667 42,51 0,6 7496,166667 42,52 0,58 7505,833333 42,52 0,56 7515,166667 42,52 0,53 7524 42,52 0,51 7532,5 42,52 0,49 7540,666667 42,52 0,48 7548,666667 42,52 0,45 7556,166667 42,53 0,43 7563,333333 42,53 0,43 7570,5 27/03/2008 12:10 27/03/2008 12:11 27/03/2008 12:12 27/03/2008 12:13 27/03/2008 12:14 27/03/2008 12:15 27/03/2008 12:16 27/03/2008 12:17 27/03/2008 12:18 27/03/2008 12:19 27/03/2008 12:20 27/03/2008 12:21 27/03/2008 12:22 27/03/2008 12:23 27/03/2008 12:24 27/03/2008 12:25 27/03/2008 12:26 27/03/2008 12:27 27/03/2008 12:28 27/03/2008 12:29 27/03/2008 12:30 27/03/2008 12:31 27/03/2008 12:32 27/03/2008 12:33 27/03/2008 12:34 27/03/2008 12:35 27/03/2008 12:36 27/03/2008 12:37 27/03/2008 12:38 27/03/2008 12:39 27/03/2008 12:40 27/03/2008 12:41 27/03/2008 12:42 27/03/2008 12:43 -96- Memoria. Resultados/Experimentos 42,52 0,41 7577,333333 42,54 0,39 7583,833333 42,54 0,39 7590,333333 42,53 0,38 7596,666667 42,54 0,37 7602,833333 42,54 0,35 7608,666667 42,53 0,35 7614,5 42,53 0,34 7620,166667 42,54 0,32 7625,5 42,54 0,32 7630,833333 42,55 0,31 7636 42,54 0,31 7641,166667 42,54 0,3 7646,166667 42,54 0,28 7650,833333 42,54 0,28 7655,5 42,54 0,27 7660 42,54 0,27 7664,5 42,54 0,26 7668,833333 42,54 0,26 7673,166667 42,54 0,24 7677,166667 42,54 0,24 7681,166667 42,54 0,23 7685 42,54 0,23 7688,833333 42,54 0,22 7692,5 42,54 0,22 7696,166667 42,54 0,21 7699,666667 42,55 0,2 7703 42,54 0,2 7706,333333 42,54 0,2 7709,666667 42,54 0,19 7712,833333 42,54 0,19 7716 42,55 0,18 7719 42,55 0,17 7721,833333 42,55 0,17 7724,666667 27/03/2008 12:44 27/03/2008 12:45 27/03/2008 12:46 27/03/2008 12:47 27/03/2008 12:48 27/03/2008 12:49 27/03/2008 12:50 27/03/2008 12:51 27/03/2008 12:52 27/03/2008 12:53 27/03/2008 12:54 27/03/2008 12:55 27/03/2008 12:56 27/03/2008 12:57 27/03/2008 12:58 27/03/2008 12:59 27/03/2008 13:00 27/03/2008 13:01 27/03/2008 13:02 27/03/2008 13:03 27/03/2008 13:04 27/03/2008 13:05 27/03/2008 13:06 27/03/2008 13:07 27/03/2008 13:08 27/03/2008 13:09 27/03/2008 13:10 27/03/2008 13:11 27/03/2008 13:12 27/03/2008 13:13 27/03/2008 13:14 27/03/2008 13:15 27/03/2008 13:16 27/03/2008 13:17 -97- Memoria. Resultados/Experimentos 42,55 0,17 7727,5 42,54 0,16 7730,166667 27/03/2008 13:18 27/03/2008 13:19 En realidad las medidas fueron solo la corriente y la tensión, calculándose ε a partir de las dos medidas y teniendo en cuenta que éstas se tomaban cada 60 segundos (su cálculo se explica en la sección 3.3.1 del Capítulo 1). La gráfica que se obtiene de estos datos está incluida en el punto 3.3.1, aunque también se muestra aquí: Carga 6 5 I(A) 4 3 Carga 2 1 0 0 2000 4000 6000 8000 10000 Epsilon (mAh) Gráfico 9. Ensayo de carga de la batería. 1.2.- Ensayos de descarga 1.2.1.- Descarga a una media de 7,47 A Las medidas tomadas fueron las mismas que para el anterior ensayo y se tomaron a intervalos de 60 segundos con el montaje del Esquema 12: Tiempo Tensión (V) Corriente (A) Epsilon (mAh) 40,12 7,45 0 39,8 7,47 124,4833333 39,55 7,47 248,9666667 39,33 7,44 373,45 39,13 7,47 497,9333333 38,94 7,49 622,4166667 38,75 7,49 746,9 05/03/2008 10:39 05/03/2008 10:40 05/03/2008 10:41 05/03/2008 10:42 05/03/2008 10:43 05/03/2008 10:44 05/03/2008 10:45 -98- Memoria. Resultados/Experimentos 38,58 7,46 871,3833333 38,41 7,45 995,8666667 38,24 7,5 1120,35 38,08 7,47 1244,833333 37,92 7,45 1369,316667 37,76 7,51 1493,8 37,61 7,48 1618,283333 37,47 7,46 1742,766667 37,32 7,43 1867,25 37,19 7,41 1991,733333 37,03 7,53 2116,216667 36,89 7,5 2240,7 36,77 7,48 2365,183333 36,64 7,46 2489,666667 36,52 7,43 2614,15 36,38 7,56 2738,633333 36,27 7,52 2863,116667 36,16 7,5 2987,6 36,05 7,48 3112,083333 35,95 7,47 3236,566667 35,86 7,44 3361,05 35,77 7,42 3485,533333 35,66 7,5 3610,016667 35,58 7,49 3734,5 35,49 7,47 3858,983333 35,41 7,46 3983,466667 35,32 7,52 4107,95 35,25 7,51 4232,433333 35,18 7,49 4356,916667 35,11 7,48 4481,4 35,05 7,46 4605,883333 34,97 7,45 4730,366667 34,89 7,52 4854,85 34,83 7,5 4979,333333 05/03/2008 10:46 05/03/2008 10:47 05/03/2008 10:48 05/03/2008 10:49 05/03/2008 10:50 05/03/2008 10:51 05/03/2008 10:52 05/03/2008 10:53 05/03/2008 10:54 05/03/2008 10:55 05/03/2008 10:56 05/03/2008 10:57 05/03/2008 10:58 05/03/2008 10:59 05/03/2008 11:00 05/03/2008 11:01 05/03/2008 11:02 05/03/2008 11:03 05/03/2008 11:04 05/03/2008 11:05 05/03/2008 11:06 05/03/2008 11:07 05/03/2008 11:08 05/03/2008 11:09 05/03/2008 11:10 05/03/2008 11:11 05/03/2008 11:12 05/03/2008 11:13 05/03/2008 11:14 05/03/2008 11:15 05/03/2008 11:16 05/03/2008 11:17 05/03/2008 11:18 05/03/2008 11:19 -99- Memoria. Resultados/Experimentos 34,77 7,49 5103,816667 34,7 7,48 5228,3 34,64 7,46 5352,783333 34,57 7,44 5477,266667 34,5 7,44 5601,75 34,41 7,5 5726,233333 34,34 7,49 5850,716667 34,26 7,47 5975,2 34,19 7,45 6099,683333 34,1 7,44 6224,166667 34,01 7,42 6348,65 33,91 7,4 6473,133333 33,78 7,51 6597,616667 33,65 7,48 6722,1 33,51 7,43 6846,583333 33,36 7,4 6971,066667 33,17 7,34 7095,55 32,89 7,51 7220,033333 32,57 7,44 7344,516667 05/03/2008 11:20 05/03/2008 11:21 05/03/2008 11:22 05/03/2008 11:23 05/03/2008 11:24 05/03/2008 11:25 05/03/2008 11:26 05/03/2008 11:27 05/03/2008 11:28 05/03/2008 11:29 05/03/2008 11:30 05/03/2008 11:31 05/03/2008 11:32 05/03/2008 11:33 05/03/2008 11:34 05/03/2008 11:35 05/03/2008 11:36 05/03/2008 11:37 05/03/2008 11:38 El gráfico es el siguiente: Característica de descarga Tensión batería (V) 41 39 37 1C(7,469A) 35 33 31 0 2000 4000 6000 Capacidad descarga (mAh) Gráfico 10. Descarga a 7,469 A. -100- 8000 Memoria. Resultados/Experimentos 1.2.1.- Descarga a una media de 15,07 A En este caso se procedió de la misma forma que en el ensayo anterior, pero como la descarga iba a ser más rápida ya que la corriente era mayor, las medidas se tomaron cada 15 segundos: Tiempo Tensión (V) Corriente (A) Epsilon (mAh) 38,46 15,11 0 38,28 15,02 62,58333333 38,13 15,03 125,2083333 37,99 15,06 187,9583333 37,89 15,03 250,5833333 37,8 14,99 313,0416667 37,69 15,17 376,25 37,61 15,14 439,3333333 37,54 15,11 502,2916667 37,48 15,1 565,2083333 37,41 15,08 628,0416667 37,36 15,05 690,75 37,31 15,03 753,375 37,25 15,02 815,9583333 37,19 14,98 878,375 37,14 14,97 940,75 37,09 14,95 1003,041667 37,02 15,02 1065,625 36,98 14,92 1127,791667 36,92 14,9 1189,875 36,87 14,87 1251,833333 36,73 15,37 1315,875 36,67 15,37 1379,916667 36,62 15,33 1443,791667 36,57 15,28 1507,458333 36,52 15,26 1571,041667 36,46 15,26 1634,625 36,41 15,22 1698,041667 29/03/2008 10:59 29/03/2008 10:59 29/03/2008 10:59 29/03/2008 10:59 29/03/2008 11:00 29/03/2008 11:00 29/03/2008 11:00 29/03/2008 11:00 29/03/2008 11:01 29/03/2008 11:01 29/03/2008 11:01 29/03/2008 11:01 29/03/2008 11:02 29/03/2008 11:02 29/03/2008 11:02 29/03/2008 11:02 29/03/2008 11:03 29/03/2008 11:03 29/03/2008 11:03 29/03/2008 11:03 29/03/2008 11:04 29/03/2008 11:04 29/03/2008 11:04 29/03/2008 11:04 29/03/2008 11:05 29/03/2008 11:05 29/03/2008 11:05 29/03/2008 11:05 -101- Memoria. Resultados/Experimentos 36,37 15,21 1761,416667 36,31 15,19 1824,708333 36,26 15,17 1887,916667 36,21 15,16 1951,083333 36,16 15,15 2014,208333 36,1 15,14 2077,291667 36,05 15,12 2140,291667 36 15,1 2203,208333 35,95 15,09 2266,083333 35,9 15,07 2328,875 35,85 15,05 2391,583333 35,8 15,03 2454,208333 35,76 15,02 2516,791667 35,71 15 2579,291667 35,66 14,97 2641,666667 35,62 14,96 2704 35,57 14,95 2766,291667 35,52 14,92 2828,458333 35,47 14,91 2890,583333 35,42 14,92 2952,75 35,38 14,91 3014,875 35,28 15,27 3078,5 35,23 15,26 3142,083333 35,18 15,22 3205,5 35,15 15,18 3268,75 35,11 15,16 3331,916667 35,06 15,15 3395,041667 35,02 15,12 3458,041667 34,99 15,1 3520,958333 34,95 15,09 3583,833333 34,92 15,07 3646,625 34,89 15,05 3709,333333 34,85 15,03 3771,958333 34,81 15,01 3834,5 29/03/2008 11:06 29/03/2008 11:06 29/03/2008 11:06 29/03/2008 11:06 29/03/2008 11:07 29/03/2008 11:07 29/03/2008 11:07 29/03/2008 11:07 29/03/2008 11:08 29/03/2008 11:08 29/03/2008 11:08 29/03/2008 11:08 29/03/2008 11:09 29/03/2008 11:09 29/03/2008 11:09 29/03/2008 11:09 29/03/2008 11:10 29/03/2008 11:10 29/03/2008 11:10 29/03/2008 11:10 29/03/2008 11:11 29/03/2008 11:11 29/03/2008 11:11 29/03/2008 11:11 29/03/2008 11:12 29/03/2008 11:12 29/03/2008 11:12 29/03/2008 11:12 29/03/2008 11:13 29/03/2008 11:13 29/03/2008 11:13 29/03/2008 11:13 29/03/2008 11:14 29/03/2008 11:14 -102- Memoria. Resultados/Experimentos 34,79 14,99 3896,958333 34,75 15,03 3959,583333 34,71 15 4022,083333 34,68 14,99 4084,541667 34,65 14,99 4147 34,62 14,96 4209,333333 34,55 15,22 4272,75 34,51 15,18 4336 34,49 15,12 4399 34,47 15,04 4461,666667 34,44 15,02 4524,25 34,42 14,94 4586,5 34,39 14,94 4648,75 34,35 15,01 4711,291667 34,31 15,02 4773,875 34,29 15,02 4836,458333 34,25 15 4898,958333 34,23 14,97 4961,333333 34,18 15,05 5024,041667 34,15 15,05 5086,75 34,12 15,02 5149,333333 34,09 15,01 5211,875 34,04 15,11 5274,833333 34,01 15,09 5337,708333 33,98 15,08 5400,541667 33,95 15,07 5463,333333 33,92 15,05 5526,041667 33,88 15,05 5588,75 33,85 15,03 5651,375 33,82 15,01 5713,916667 33,78 15 5776,416667 33,74 15,02 5839 33,71 15 5901,5 33,68 14,98 5963,916667 29/03/2008 11:14 29/03/2008 11:14 29/03/2008 11:15 29/03/2008 11:15 29/03/2008 11:15 29/03/2008 11:15 29/03/2008 11:16 29/03/2008 11:16 29/03/2008 11:16 29/03/2008 11:16 29/03/2008 11:17 29/03/2008 11:17 29/03/2008 11:17 29/03/2008 11:17 29/03/2008 11:18 29/03/2008 11:18 29/03/2008 11:18 29/03/2008 11:18 29/03/2008 11:19 29/03/2008 11:19 29/03/2008 11:19 29/03/2008 11:19 29/03/2008 11:20 29/03/2008 11:20 29/03/2008 11:20 29/03/2008 11:20 29/03/2008 11:21 29/03/2008 11:21 29/03/2008 11:21 29/03/2008 11:21 29/03/2008 11:22 29/03/2008 11:22 29/03/2008 11:22 29/03/2008 11:22 -103- Memoria. Resultados/Experimentos 33,64 14,96 6026,25 33,6 14,93 6088,458333 33,52 15,23 6151,916667 33,47 15,21 6215,291667 33,43 15,19 6278,583333 33,38 15,18 6341,833333 33,34 15,15 6404,958333 33,29 15,13 6468 33,24 15,11 6530,958333 33,18 15,1 6593,875 33,13 15,07 6656,666667 33,07 15,04 6719,333333 33,01 15,02 6781,916667 32,94 14,99 6844,375 32,88 14,96 6906,708333 32,8 14,99 6969,166667 32,72 14,91 7031,291667 32,58 15,26 7094,875 32,47 15,21 7158,25 32,35 15,14 7221,333333 32,21 15,08 7284,166667 29/03/2008 11:23 29/03/2008 11:23 29/03/2008 11:23 29/03/2008 11:23 29/03/2008 11:24 29/03/2008 11:24 29/03/2008 11:24 29/03/2008 11:24 29/03/2008 11:25 29/03/2008 11:25 29/03/2008 11:25 29/03/2008 11:25 29/03/2008 11:26 29/03/2008 11:26 29/03/2008 11:26 29/03/2008 11:26 29/03/2008 11:27 29/03/2008 11:27 29/03/2008 11:27 29/03/2008 11:27 29/03/2008 11:28 El gráfico es el siguiente: 2C (15,07 A) 39 Tensión batería (V) 38 37 36 2C (15,07 A) 35 34 33 32 31 0 2000 4000 6000 Epsilon (m Ah) Gráfico 11. Descarga a 15,07 A. -104- 8000 Memoria. Conclusiones Capítulo 4 CONCLUSIONES En un primer momento, los objetivos marcados para este proyecto fueron: • Diseño de un sistema de conmutación y control del motor. • Diseño del sistema de frenado regenerativo. • Selección de componentes orientados a su posterior fabricación y comercialización, montaje real del sistema de conmutación y control del par motor y pruebas en el laboratorio. • Diseño de un PID para el ajuste del control del par. Dichos objetivos fueron analizados en un primer estudio para buscar una solución, sin embargo ésta era solo una idea orientativa ya que a medida que se fue profundizando y los objetivos se fueron concretizando fue necesario aplicar una serie de cambios en el diseño, como son los sistemas de medida de la corriente (cuyo cambio ya se explicó en la parte correspondiente) o el sistema de frenado en general, ya que en un primer momento se pensó en la utilización de un mosfet, solución que se rechazó por problemas surgidos por la utilización del driver IR2121 que era necesario en este sistema y el cual precisaba una alimentación de 12 V (la cual no tenemos). La función de este driver fue suplida por la utilización de un BJT que limitaba la corriente entre el micro y ahora otro BJT –que se optó por utilizar en lugar del mosfet-. De esta manera, el camino que se ha seguido en todo momento en el desarrollo del monopatín se puede ver de forma esquemática como sigue: -105- Memoria. Conclusiones Fijación de un objetivo Planteamiento de una solución Cálculos necesarios y selección de componentes ¿PROBLEMA DE DISEÑO? SÍ NO Compra de componentes e implementación del sistema Pruebas en laboratorio ¿PROBLEMAS? SÍ NO Solución encontrada Gráfico 12. Metodología de trabajo. Para el desarrollo del sistema de frenado regenerativo, como ya se ha mencionado en su correspondiente apartado de esta memoria, se tuvieron que llevar a cabo una serie de ensayos con la batería. Ya en un primer lugar antes de realizar los ensayos se supuso como iba a responder ésta ante tales pruebas, con lo que estas pruebas se planearon ya para obtener las curvas que nos diesen las ecuaciones necesarias para luego realizar el algoritmo de frenado regenerativo. Una vez realizados los ensayos, en efecto el resultado fue una serie de curvas paralelas desplazadas en el eje vertical una cantidad que dependía directamente de la corriente a la que se había realizado el ensayo, tal y como se había previsto. De esta manera, por medio del algoritmo de frenado y mediante la lectura de la corriente -106- Memoria. Conclusiones que atraviesa las bobinas del motor se podría entrar en una u otra de las curvas y a través de la tensión de la batería nos movemos a lo largo de las curvas para así obtener el nivel de carga de la batería. Un ejemplo de estas curvas se puede ver en el Gráfico 8. Comparación entre las 2 descargas. Una vez obtenidas las curvas se pasó a realizar el algoritmo de frenado tal y como se explica y se recoge en Parte II - Código fuente. Al realizar este algoritmo se llegó al problema de que se necesitaba utilizar una serie de funciones e instrucciones que hacían que el algoritmo ocupase más espacio del que en un principio se había previsto. Parte de este problema se solucionó utilizando valores en unitarias, pero dado que en un futuro desarrollo de este monopatín se van a incluir más algoritmos en el micro que dado el resultado obtenido con este primero previsiblemente ocuparán un espacio de la memoria considerable, se ha optado por cambiar el micro que en un principio se iba a utilizar (un PIC16F876A) por otro de mayor capacidad (un PIC30F3010). Posteriormente, una vez realizados todos los diseños necesarios, se pasó a realizar las pruebas del sistema de conmutación y control del par motor en el laboratorio. En este punto, como ya se ha indicado más atrás en esta memoria, se observó que la alimentación que necesita el driver supera los 5V (necesita una alimentación de unos 12V para funcionar). Esto se solucionará con la integración de un convertidor de tensión de 24V a 12V. Encontrada una solución provisional para la alimentación a 12V del driver (se alimenta de manera directa conectado a una fuente de tensión) y para la inserción de la señal de PWM (se consigue desde un generador de señal del que dispone la escuela), se consiguió la regulación de la velocidad del motor por medio de la variación del factor de servicio de la señal de PWM. También se comprobó el correcto funcionamiento del divisor de tensión y -107- Memoria. Conclusiones medidor de corriente efecto Hall que indican la tensión de la batería y la corriente que atraviesa al motor respectivamente. Llegados a este punto, y siempre con la metodología de trabajo que se ha marcado en el Gráfico 12, se había conseguido ya alcanzar los tres primeros objetivos. En un último lugar se pasó al diseño del PI para el ajuste del control de par, con el cual el usuario, a través de la maneta de aceleración, no decide la velocidad a la que quiere ir, sino que decide el par que quiere conseguir (un símil sería la aceleración de un coche en la que con el pedal no decides la velocidad sino que abres o cierras más la admisión de gasolina (en este caso la corriente sería nuestra gasolina) mejorando de esta manera el control que el usuario tiene sobre el monopatín, siendo éste un control más intuitivo. Las conclusiones extraídas de un proyecto como este en el cual se han logrado todos los requisitos expuestos en un primer momento es que el diseño de un patinete que alcance los 20 Km/h, con una autonomía de unos 6,5 km, con un control totalmente intuitivo del par motor, que sea capaz de aumentar su autonomía mediante una carga controlada de la batería aprovechando la frenada y con un previsible precio de venta muy competitivo en el actual mercado es perfectamente realizable. Por otro lado, pese a que la mayoría de los patinetes encontrados en Internet poseían potencias mayores, bien es cierto que sus pesos también eran mucho mayores, por lo que la potencia prevista para este monopatín será suficiente en cuanto a prestaciones en comparación con el resto del mercado. -108- Memoria. Conclusiones La parte del proyecto que ha arrojado mayores conclusiones, como se preveía en un principio, han sido las pruebas que se realizaron con el motor sobre la bancada, ya que se han observado fallos que no se habían tenido en cuenta en la fase de diseño. Los principales errores que se observaron fueron los siguientes: • El Driver necesita una alimentación de 12V, como ya se indicó más arriba. • En un principio se había diseñado con el pin SWR del driver conectado a tierra, con lo cual se eliminaba el deadtime. Con esto se pensó que las salidas del driver iban a seguir a las entradas, pero no funcionaba, así que el problema se solucionó dejando este pin sin conectar a ningún sitio. Conclusiones más generalistas se pueden sacar de todo el proceso de desarrollo, en el cual se ha desarrollado una labor continua de feedback. Dicha labor se ha vuelto imprescindible y se le reconoce la importancia en un proceso de mejora continua de un producto. Por lo tanto, queda abierto como continuación de este proyecto la inserción de otro convertidor de tensión de 24-12V para alimentar al driver y el diseño y construcción del monopatín en su parte mecánica, consiguiendo el plegado a partir de tubos telescópicos y con un peso y prestaciones que se ajusten a las especificaciones que se han indicado. -109- Memoria. Futuros desarrollos Capítulo 5 FUTUROS DESARROLLOS Una vez llegados a este punto y ya habiéndose desarrollado en este proyecto todo el sistema de frenado regenerativo y el diseño de un PI para el ajuste del control del par, queda para futuros proyectos la implementación de estos sistemas para su prueba en el laboratorio al igual que aquí se ha realizado con el sistema de control de la velocidad del motor. En lo que concierne a este proyecto, y como ya se ha explicado con anterioridad, el sistema que se ha probado era el de un control en el que se decidía de una manera directa la velocidad que se quería para el motor. Por lo tanto, una vez comprobado que este sistema funciona y una vez se ha diseñado el sistema de frenado regenerativo, así como también el sistema que permite al usuario decidir sobre el par que quiere (y no la velocidad), quedaría para un futuro la programación del PI en el micro y la fabricación de la placa PCB ya con el sistema de frenado incluido para sus pertinentes pruebas en laboratorio, con su conexión por un lado al motor y al micro y por otro lado en un primer ensayo a una fuente de tensión controlada de ICAI con sus respectivas protecciones, para después de haber comprobado que funciona correctamente, sustituirla por la batería comercial. Queda también para un futuro proyecto el desarrollo del sistema que se explicó al principio para incluir en el monopatín la posibilidad de seleccionar entre 2 opciones: modo “crucero”, con la velocidad máxima de 20 km/h, y modo “ciudad”, en el cual se limitará la velocidad a 12 km/h, lo cual permite al usuario despreocuparse de la necesidad de mantenerse bajo los límites de velocidad legales marcados por las normas de circulación españolas. -110- Memoria. Futuros desarrollos Por otro lado, se tendrá que pensar en una solución para alimentar el driver a 12V (en lugar de a 5V que estará alimentado con el diseño actual). Esto se solucionará simplemente con la inserción en el esquema de un convertidor de tensión de 24V a 12V, de la misma manera que se ha hecho con el actual convertidor de 24-5V. Queda también para un futuro el desarrollo de toda la parte mecánica del monopatín, que haga posible el plegado por medio de tubos telescópicos y las especificaciones de peso, coste y estabilidad planteados en un principio, pudiendo soportar sobre él una persona de 100 kg y soportando velocidades máximas de 20 km/h. Todas estas y más especificaciones mecánicas que deben cumplirse se recogen en la parte Motivación del proyecto del Capítulo 1 de este documento. El estudio de viabilidad y de diseño mecánico ya fue empezado en un proyecto pasado en esta misma universidad por Marcos Domínguez Lopez 1 . En este proyecto se ha estado hablando en todo momento de que el único freno del que va a disponer el monopatín será el del freno motor, sin embargo, esta idea queda abierta ya que cuando ya se disponga del primer prototipo y se hagan las pruebas se comprobará ya con más certeza si es verdad que es suficiente con el freno motor. En este momento, en caso de considerarlo necesario, se debería pensar en la inclusión de un freno de disco o zapata. _____________ 1 Ref. [8] de la bibliografía (proyecto fin de carrera año 2004-2005; ICAI-Universidad Pontificia Comillas (Madrid)). -111- Memoria. Futuros desarrollos En general, hablando de lo que faltaría por desarrollar de la parte mecánica, habría que continuar desde donde lo dejó Marcos Domínguez Lopez en su proyecto del año 2004-2005 de esta escuela, haciendo referencia dentro de su memoria a la parte correspondiente a “Futuros desarrollos”. -112- . Bibliografía BIBLIOGRAFÍA [1] Mazda, F.F., “Power electronics handbook. Components, circuits and applications.”, London: Butterworths, 1990. [2] Pagola, F. Luis. “Regulación automática”, Universidad Pontificia Comillas, Madrid, España, 2006. [3] Benjamín C. Kuo y Fraid Golnaraghi, “Automatic Control Systems”, John Wiley & sons INC., Eighth Edition, 2003. [4] CadSoft Computer, Inc., “Eagle 4.0 for Linux and Windows Tutorial”, 2000. [5] A. E. Fitzgerald, Charles Kingsley, Jr. y Stephen D. Umans, “Electric Machinery”, McGraw-Hill, Sixth Edition, 2006. [6] Apuntes de la asignatura “Máquinas eléctricas”., 3º Curso, Ingeniería Superior Industrial ICAI. [7] Angulo Usategui, José María y Angulo Martínez, Ignacio, “Microcontroladores PIC, diseño práctico de aplicaciones”, McGraw Hill/Interamericana de España, S.A.U., 1999. [8] Domínguez López, Marcos; Monopatín motorizado; Proyecto fin de carrera año 2004-2005; ICAI-Universidad Pontificia Comillas (Madrid). [9] Ruipérez Jiménez, Cristina; Sistema de conducción automática basado en un sistema de visión artificial hardware. Electrónica para el control; Proyecto fin de carrera año 2006-2007; Universidad Pontificia de Comillas-ICAI (Madrid). [10] Microchip Technology Incorporated, “PIC16F87X Data Sheet”, U.S.A., 2001. -113- Código fuente Parte II CÓDIGO FUENTE -114- Código fuente 1 Algoritmo para el frenado regenerativo Como se mencionó anteriormente la programación se hizo usando las ecuaciones con valores en unitarias con el fin de tener las variables con valores más acotados. Hay que indicar que cada vez que se ponga a cargar la batería, se desconectará mecánicamente y de manera automática la alimentación del micro de manera que al parar de cargar el programa se reiniciará desde cero. La tarea incluyó un estudio previo de algunas de las características del micro, como la conversión Analógico/Digital 1 . El algoritmo es: #include<16f876.h> #include<reg.h> #fuses HS, NOWDT, NOPROTECT, NOPUT, NOBROWNOUT, NOLVP #use delay(clock=20000000) /* Declaración de las funciones para tomar las medidas de la batería*/ void inicia_AD(void); void selecciona_AD(unsigned num); void arranca_AD(void); void leer_AD(void); /* Declaración de las variables globales*/ long p=0.5; long me=-0.342; long be=1.095; ______________ 1 Ref. [7] y [10] de la bibliografía (microcontroladores). -115- Código fuente long r=0.08; long DT=0.0001 /* Aproximadamente 0.1 ms – intervalo entre cada dos medidas*/ int bat_carg; /*si está a 1 es porque la batería acaba de ser cargada*/ unsigned canal; /*dirá el canal del micro que se debe leer*/ unsigned long vmed; /*valor de la tensión de la batería*/ unsigned long Vm; /*tensión proporcional a la corriente que atraviesa el motor*/ long E, E1, E2a, E2n, Im, Ib, factorPWM, factorI; main(){ bat_carg=1; /*La idea es la de al enchufar la batería, dejar sin alimentación al micro, de manera que al desenchufarla Se reinicie y empiece desde fuera del bucle infinito, y así se le da el valor bat_carg=1 solo cuando se Acaba de cargar*/ inicia_AD(); while(1){ canal = 0b00000001; /*lee RA1-->vmed*/ selecciona_AD(canal); /*llamamos a la función que selecciona el canal*/ arranca_AD(); /*llamamos a dicha función*/ vmed=leer_AD(); /*leer_AD devuelve el valor de la conversión y lo guarda en vmed*/ canal=0b00000000; /*lee RA0-->Vm*/ selecciona_AD(canal); arranca_AD(); Vm=leer_AD(); -116- Código fuente Im=((Vm-2.5)*12.8)/16; /*corriente(pu) que sale(o entra) del motor*/ vmed=(vmed*(50/5))/37; /*tensión de la batería en pu*/ E1=0.469-(1/me)*(vmed-be+r*Im) /* energía batería [mAh]*/ if (bat_carg == 1){ /*se acaba de desenchufar el cargador*/ E2n=E1; bat_carg=0; } E2a=E2n; E2n=E2a-Im*DT*(1/3600); E=p*E1+(1-p)*E2n; /*energia que tiene la batería*/ if (E<=0.397) Ib=-0.034*E+0.33; /*1er tramo de la curva Ib(A)-E(mAh)*/ else{ Ib=-3.456*E+1.67 /*2º tramo de la curva Ib-E*/ } if (Im>=0) /*IM>=0 --> acelerando*/ factorPWM=1; /*nada pasa por Rfren*/ else if (Im<0){ /*Im<0 --> frenando*/ factorI=(Im/Ib); if (factorI <=1) factorPWM=1; /*la batería acepta toda la corriente*/ else{ factorPWM=(1/farcorI); factorPWM=1-factorPWM; } } -117- Código fuente } } void inicia_AD(void){ ADCON0=0b10000001; /*Fosc/32; channel 0*/ ADCON1=0b10000101; /*4 últimos bits selecciona RA3=Vref y RA1 y RA0 como analógicos*/ } void selecciona_AD(unsigned num){ char aux; aux=ADCON0 & 0b11000111; /*pongo a 0 el canal de conversión*/ ADCON=aux | (num<<3); /*activamos el canal que se pasa*/ } void arranca_AD(void){ ADGO=1; /*arranca la medida. Cuando termina se pone a 0*/ } void leer_AD(void){ char alto, bajo; long total; while(ADGO); /*aquí esperamos a que termine de convertir*/ bajo=ADRESL; alto=ADRESH; total=(long)alto<<8 | bajo; /*hacemos un or de bajo y de alto convirtiendo a long y desplazando 8 bits*/ return(total); } -118- Estudio económico Parte III ESTUDIO ECONÓMICO -119- Estudio económico El proceso de investigación que se está llevando a cabo tiene lógicamente un coste superior que no refleja la realidad del futuro proceso de fabricación de este monopatín. Por tanto podríamos hablar de tres etapas antes de alcanzar su madurez y máxima rentabilidad, las cuales se tratan de representar en el siguiente gráfico: € Ingresos Costes Beneficios Investigación Introducción Crecimiento Madurez Declive Tiempo Pérdidas Gráfico 13. Ciclo de vida del producto. En una primera etapa de investigación, solo hay gastos puros, parte de los cuales se reflejan en el documento relacionado titulado “Mediciones y Presupuestos”. Una vez terminada la fase de investigación se entrará en la etapa de introducción del producto en el mercado con unos costes de producción aún elevados, un número de modelos limitado y en donde la atención a la calidad y relación con los clientes será crucial. El precio al que se pretende introducir en el mercado es de unos 1000€/ud. siendo éste, como se analizó ya en la parte correspondiente, un precio bastante competitivo. A medida que se vaya cogiendo experiencia en su fabricación, los costes de material y mano de obra irán disminuyendo y a su vez previsiblemente -120- Estudio económico las ventas irán en aumento con un mercado cada vez más orientado hacia las grandes y medianas empresas en una venta de grandes remesas entrando así en una economía de escala, consiguiendo de esta manera una ventaja competitiva en cuanto a precios. La introducción de este producto en el mercado, dado que éste se encuentra en una etapa no madura, pero ya en crecimiento con la presente existencia de otros productos similares, no será fácil, por lo tanto las ventajas competitivas se centrarán (como ya se está haciendo) ya desde un principio en encontrar innovaciones tecnológicas de algún tipo, ya que encontrar una ventaja en cuanto a precios llevará tiempo. En este caso, las innovaciones y puntos fuertes de este monopatín en comparación con la principal competencia se explicaron ya en la sección 1 y 2 del Capítulo 1 de la Parte I de este documento (Estudio de tecnologías existentes y motivación del proyecto). Por fin alcanzada la etapa de madurez, será en este momento cuando se encuentre el producto en la fase de mayor rentabilidad y se habrá alcanzado la capacidad óptima de producción. Es en este punto en el que se llevará a cabo un proceso de estandarización del producto en el cual los costes competitivos son ahora muy importantes. -121- Datasheets Parte IV DATASHEETS -122- Bateria litio Kokam SLPB 75106100 Cell Specification Data SLPB 75106100 Kokam Co., Ltd. Cell Specification ● Typical Capacity1) 7.5 Ah ● Nominal Voltage ● Charge Condition ● Discharge Condition 3.7 V Max. Current Voltage 15.0 A Peak Current 37.5 A ● Cycle Life [ @ DOD80% ] 2) Temp. ● Dimension 4.2V ± 0.03 V Continuous Current Cut-off Voltage ● Operating 7.5 A 2.7 V > 800 Cycles Charge Discharge Thickness (mm) 0 ~ 40 ℃ -20 ~ 60 ℃ 7.5 ± 0.2 Width (mm) 106.0 ± 2.0 Length (mm) 100.0 ± 2.0 ● Weight (g) 1) Typical Capacity : 0.5C, 4.2 ~ 2.7V @25OC 2) Voltage Range : 4.15 ~ 3.40V under 1.0C / 1.0C 155.0 ± 5.0 conector P1 (hembra) d FEATURES AND SPECIFICATIONS Features and Benefits ■ Patented new integral Terminal Position Assurance (TPA) Electrical Voltage: 1000V Current: 18A Contact Resistance: 10mΩ max. Dielectric Withstanding Voltage: 6000V Insulation Resistance: 1000 MΩ min. on mated male and female terminal Virtually eliminates terminal backout Wire-to-wire and wire-to-board connector system Polarized housing assures proper mating Terminals are fully isolated in housing Positive latch reduces accidental disengagement from plug Mechanical Contact Insertion Force: 2 lb max. Contact Retention to Housing: 20 lb min. Reference Information Wire Pull-Out Force: 20 lb min. Product Specification: PS-44441-9999 Mating Force: 3 lb max. Packaging: Bag Unmating Force: 1 lb min. UL File No.: E29179 and UL1950 Normal Force: 3 lb nominal CSA File No.: LR19980 Durability: 25 cycles Use With: 43375 terminal Mates With: 43160 header and 43680 plug Physical Designed In: Inches Housing: Nylon, 94V-O ■ ■ ■ ■ ■ 7.50mm (.295") Pitch Sabre™ Receptacle 44441 Single Row Power Connectors Temperature: -40 to +130˚C K ORDERING INFORMATION AND DIMENSIONS Circuits Order No. 2 3 4 5 6 44441-2002 44441-2003 44441-2004 44441-2005 44441-2006 Dimension A 15.82 (.623) 23.32 (.918) 30.81 (1.213) 38.30 (1.508) 45.80 (1.803) 7.49 14.99 22.48 29.97 37.47 B (.295) (.590) (.885) (1.180) (1.475) 990 K-87 Conector P1 (macho) 7.50mm (.295") Pitch Sabre™ Wire-to-Board Header FEATURES AND SPECIFICATIONS Features and Benefits Electrical Voltage: 1000V Current: 18.0A Contact Resistance: 10mΩ max. Dielectric Withstanding Voltage: 4000V Insulation Resistance: 1000 MΩ min. ■ Sizes 2 to 6 circuits ■ Wire-to-wire or wire-to-board connector system ■ Accommodates up to .062, .093 and .125 board thick- nesses; for other board thicknesses contact your Molex representative ■ Surface Mount Compatible (CSMC) ■ Available in solder tail lengths of 3.81mm (.150") and 5.33mm (.210") ■ Optional board lock features offered in .062, .093 and .125 lengths 43160 Right Angle, Single Row, SMC With and without Board Lock Mechanical Insertion Force to PCB: 5 lb max. Mating Force: 3 lb max. Unmating Force: 1 lb min. Normal Force: 3 lb nominal Durability: 25 cycles Reference Information Product Specification: PS-44441-9999 Packaging: Bag and tray UL File No.: E29179 and UL1950 CSA File No.: LR19980 TUV License No.: Applied for Mates With: 44441 housing Designed In: Inches Power Connectors Physical Housing: Black glass-filled nylon, UL 94V-O Contact: Brass Plating: Tin (contact factory for Gold) Temperature: -40 to +130˚C K ORDERING INFORMATION AND DIMENSIONS Without Board Lock K-90 Circuits Order No. 2 2 3 3 4 4 5 5 6 6 43160-1102 43160-1302 43160-1103 43160-1303 43160-1104 43160-1304 43160-1105 43160-1305 43160-1106 43160-1306 990 A 21.08 (.830) 21.08 (.830) 28.58 (1.125) 28.58 (1.125) 36.07 (1.420) 36.07 (1.420) 43.56 (1.715) 43.56 (1.715) 51.05 (2.010) 51.05 (2.010) With Board Lock Dimension B 7.49 (.295) 7.49 (.295) 14.99 (.590) 14.99 (.590) 22.48 (.885) 22.48 (.885) 29.97 (1.180) 29.97 (1.180) 37.47 (1.475) 37.47 (1.475) C 3.81 (.150) 5.33 (.210) 3.81 (.150) 5.33 (.210) 3.81 (.150) 5.33 (.210) 3.81 (.150) 5.33 (.210) 3.81 (.150) 5.33 (.210) Circuits Order No. PCB Thickness 2 2 2 3 3 3 4 4 4 5 5 5 6 6 6 43160-3102 43160-5302 43160-7302 43160-3103 43160-5303 43160-7303 43160-3104 43160-5304 43160-7304 43160-3105 43160-5305 43160-7305 43160-3106 43160-5306 43160-7306 .062 .093 .125 .062 .093 .125 .062 .093 .125 .062 .093 .125 .062 .093 .125 A 21.08 (.830) 21.08 (.830) 21.08 (.830) 28.58 (1.125) 28.58 (1.125) 28.58 (1.125) 36.07 (1.420) 36.07 (1.420) 36.07 (1.420) 43.56 (1.715) 43.56 (1.715) 43.56 (1.715) 51.05 (2.010) 51.05 (2.010) 51.05 (2.010) Dimension B 7.49 (.295) 7.49 (.295) 7.49 (.295) 14.99 (.590) 14.99 (.590) 14.99 (.590) 22.48 (.885) 22.48 (.885) 22.48 (.885) 29.97 (1.180) 29.97 (1.180) 29.97 (1.180) 37.47 (1.475) 37.47 (1.475) 37.47 (1.475) 3.81 5.33 5.33 3.81 5.33 5.33 3.81 5.33 5.33 3.81 5.33 5.33 3.81 5.33 5.33 C (.150) (.210) (.210) (.150) (.210) (.210) (.150) (.210) (.210) (.150) (.210) (.210) (.150) (.210) (.210) Conector Señal EH CONNECTOR Crimp Radial Tape Disconnectable Crimp style connectors 2.5mm (.098") pitch Features ––––––––––––––––––––––– • Compact and slim This connector is designed to be compact and unusually thin. It measures only 8.1mm (.319") high after mounting and is just 3.8mm (.150") wide. • Highly reliable contact The contact has long dimples near the center that ensure continuity of low voltage and low current circuits at all times, even under conditions of vibration and abusive prying. • Polarizing guides The header and housing have guides to prevent improper mating. • Whisker prevention The contact material is treated with a reflow process, and the square post is copper-undercoated and tin/lead-plated for This, the thinnest, 2.5mm (.098") pitch connector, is 8.1mm (.319") in height after mounting and 3.8mm (.150") in width. It is designed to meet the demand for the highdensity connection of internal wires to printed circuit boards. It is compact, highly reliable and low in cost. whisker prevention. • Easy and effective crimping Although the contact is compact, it has a long wire strip length, 2.6 ± 0.4mm (.102" ± .016"). This long length is very useful for automatic crimping and when crimping shielded wires. • Interchangeability The shrouded header is interchangeable with those of 2.5mm (.098") pitch insulation displacement HR connectors. 2 3 4 5 B JST Specifications –––––––––––––––––– • Current rating: 3.0A AC, DC • Voltage rating: 250V AC, DC • Temperature range: -25˚C to +85˚C (including temperature rise in applying electrical current) • Contact resistance: Initial value/10m Ω max. After environmental testing/20m Ω max. • Insulation resistance: 1,000MΩ min. • Withstanding voltage: 800V AC/minute • Applicable wire: AWG #32 to #22 • Applicable PC board thickness: 0.8 to 1.6mm(.031" to .063") * Contact JST for details. Standards ––––––––––––––––––––– Recognized file No. E60389 Certified file No. LR20812 File No. R75089 (conforms to DIN/VDE 0627) 21 EH CONNECTOR Contact ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– Shape A 5.7(.224) 2.85(.112) 2.05(.081) Applicable wire Q´ty / AWG # Insulation O.D. mm(in.) reel Model No. Shape SEH-001T-P0.6 A 0.05 to 0.3 30 to 22 1.0 to 1.9(.039 to .075) SEH-003T-P0.6L B 0.032 to 0.08 32 to 28 0.5 to 1.1(.020 to .043) 1.0(.039) mm2 9,000 2.0(.079) Material and Finish Phosphor bronze, Tin-plated Note: 1.Contact JST if you require gold-plated contacts.Contact JST for details. 2.SEH-003T-P0.6L is not TÜV approved. 1.6(.063) Shape B 5.7(.224) 2.85(.112) 2.05(.081) 2.0(.079) 1.1(.039) 1.6(.063) Housing –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– Circuits JST 1 2 0.6 (.024) 3 6 3.8(.150) 7 6.5(.256) 2.25 (.089) 2.5(.098) B A 0.7 (.028) Model No. Dimensions mm(in.) A Q´ty / bag 2 EHR- 2 2.5( .098) 7.0( .276) 1,000 3 EHR- 3 5.0( .197) 9.5( .374) 1,000 4 EHR- 4 7.5( .295) 12.0( .472) 1,000 5 EHR- 5 10.0( .394) 14.5( .571) 1,000 6 EHR- 6 12.5( .492) 17.0( .669) 1,000 7 EHR- 7 15.0( .591) 19.5( .768) 1,000 8 EHR- 8 17.5( .689) 22.0( .866) 1,000 9 EHR- 9 20.0( .787) 24.5( .965) 1,000 10 EHR-10 22.5( .866) 27.0(1.063) 1,000 11 EHR-11 25.0( .984) 29.5(1.161) 1,000 12 EHR-12 27.5(1.083) 32.0(1.260) 1,000 13 EHR-13 30.0(1.181) 34.5(1.358) 1,000 14 EHR-14 32.5(1.280) 37.0(1.457) 1,000 15 EHR-15 35.0(1.378) 39.5(1.555) 1,000 Material Nylon 66, UL94V-0, natural (white) 22 B EH CONNECTOR Shrouded header ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– The shrouded headers are interchangeable with those of the HR crimp style and insulation displacement connectors (see page 146). Model No. Top entry type (2 circuits) Circuits 3.2(.126) 0.64 (.025) 2.5(.098) Side entry type A 2 B 2B-EH-A S 2B-EH 2.5( .098) 3 B 3B-EH-A S 3B-EH 5.0( .197) 4 B 4B-EH-A S 4B-EH 7.5( .295) 5 B 5B-EH-A S 5B-EH 6 B 6B-EH-A 7 Top entry type Side entry type 7.5( .295) 1,000 1,000 10.0( .394) 1,000 1,000 12.5( .492) 1,000 1,000 10.0( .394) 15.0( .591) 1,000 1,000 S 6B-EH 12.5( .492) 17.5( .689) 1,000 500 B 7B-EH-A S 7B-EH 15.0( .591) 20.0( .787) 1,000 500 8 B 8B-EH-A S 8B-EH 17.5( .689) 22.5( .886) 500 500 9 B 9B-EH-A S 9B-EH 20.0( .787) 25.0( .984) 500 500 10 B10B-EH-A S10B-EH 22.5( .866) 27.5(1.083) 500 500 11 B11B-EH-A S11B-EH 25.0( .984) 30.0(1.181) 500 250 12 B12B-EH-A S12B-EH 27.5(1.083) 32.5(1.280) 500 250 13 B13B-EH-A S13B-EH 30.0(1.181) 35.0(1.378) 250 250 14 B14B-EH-A S14B-EH 32.5(1.280) 37.5(1.476) 250 250 15 B15B-EH-A S15B-EH 35.0(1.378) 40.0(1.575) 250 250 3.8(.150) 6.0(.236) 3.3(.130) B A 1.6(.063) (3 to 15 circuits) 3.2(.126) 5.1(.201) 6.0(.236) 3.3(.130) 3.8(.150) 2.5 2.5 (.098) (.098) Q´ty / box Dimensions mm.(in) Top entry type B Material and Finish 0.64 (.025) Post: Brass, copper-undercoated, tin/lead plated Wafer: Nylon 66, UL94V-0, natural (white) 1.6(.063) Note: 1. Also available and identified as model BxxB-EH is a top entry type having a post extension length of 4.0mm(.157") 2. Top entry type headers are not TÜV approved. A B Side entry type 2.5 (.098) 2.5 (.098) 0.64 (.025) 6.7(.264) 6.0(.236) 2.2 (.087) 5.2(.205) 4.0(.157) 4.2(.165) 3.2 (.126) A B PC board layout (viewed from soldering side) and Assembly layout ––––––––––––––––––– Side entry type 6.7min. (.264) 2.5±0.05 1.9min. (.098±.002) (.074) 0.9 + 00.1 (.035 +.004 0 )dia. 9.7(.382) 8.2(.323) 4.2 (.165) 0.9 + 0.1 0 (.035 +.004 0 )dia. 3.8 (.150) 7.5(.295) 2.2min. (.087) 2.5±0.05 2.5min. (.098±.002) (.098) 0.6(.024) Top entry type Note: 1. Tolerances are non-cumulative:±0.05mm(±.002" ) for all centers. 2. Hole dimension differ according to the kind of PC board and piercing method. If PC boards made of hard material such as FR-4 are used, the hole dimensions should be larger. The dimensions above should serve as a guideline. Contact JST for details. 23 EH CONNECTOR Shrouded header on radial-tape ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– <Taping specifications conform to EIAJ-RC-1008B and JIS C0805.> •The shrouded headers are interchangeable with those of the HR crimp style and insulation displacement connectors (see page 146). •Shrouded headers on radial-tape are not TÜV approved. TS type (2 circuits) 4.4 (.173) 2.2(.087) 5.4(.213) [1.0(.039)] 6.5 1.5(.059) (.255) 7.5(.295) 2.5(.098) 0.64(.025) dia. Dimensions mm(in.) Circuits Model No. 2 B2B-EH-TS - - 1,400 3 B3B-EH-TS 5.0(.197) 10.0(.394) 1,400 4 B4B-EH-TS 7.5(.295) 12.5(.492) 700 5 B5B-EH-TS 10.0(.394) 15.0(.591) 700 6 B6B-EH-TS 12.5(.492) 17.5(.689) 700 7 B7B-EH-TS 15.0(.591) 20.0(.787) 700 8 B8B-EH-TS 17.5(.689) 22.5(.886) 700 A B Q´ty / box Material and Finish Pin: Brass, copper-undercoated, tin/lead-plated Wafer: Nylon 66, UL94V-0, natural (white) (3 to 8 circuits) B A 0.64(.025) dia. 5.6(.220) 4.4 (.173) 2.2(.087) [1.0(.039)] 1.5(.059) 2.8(.110) 6.5(.256) 2.5(.098) 2.5(.098) 0.64(.025) dia. TV4 type B A 0.64(.025) 24 5.6(.220) 4.4 (.173) 2.2(.087) 2.8(.110) 6.5(.256) 2.5(.098) 2.5(.098) [0.7(.028) dia.] [0.7(.028) dia.] Dimensions mm(in.) Circuits Model No. 3 B3B-EH-TV4 5.0(.197) 10.0(.394) 1,400 4 B4B-EH-TV4 7.5(.295) 12.5(.492) 700 5 B5B-EH-TV4 10.0(.394) 15.0(.591) 700 6 B6B-EH-TV4 12.5(.492) 17.5(.689) 700 7 B7B-EH-TV4 15.0(.591) 20.0(.787) 700 8 B8B-EH-TV4 17.5(.689) 22.5(.886) 700 A B Material and Finish Post: Brass, copper-undercoated, tin/lead-plated Wafer: Nylon 66, UL94V-0, natural (white) Q´ty / box EH CONNECTOR Taping specifications –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– 6.0 (.236) 18.0(.709) 20.0(.787) 9.0(.354) 2 and 3 circuits:12.7(.500) 4 to 8 circuits:25.4(1.000) 2circuits:5.1(.201) 3 to 8 circuits:3.85(.152) 4.0 (.157)dia. 2circuits:2.5(.098) 3 to 8 circuits:5.0(.197) 12.7(.500) Note: Conforms to JIS C0825. Packaging specifications ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– D Distance between the end of the tape and the first connector's center line (either end) TERMIN H ALS & Tail tape Lead tape CONN ECTORS R W Package type Flat pack (zigzag folded) Distance between folds 24 indexing holes per fold (304.8mm/12") Box size (316x45x330mm)12.4"(W)x1.8"(D) x13.0"(H) Distance between the end of the tape and the first connector´s center line (either end) 19.05mm(.750") PC board layout (viewed from soldering side) and Assembly layout ––––––––––––––––––– 0.9 + 00.1 (.035 +0.004 )dia. 4.4 (.173) 6.5(.256) 8.6(.339) 2.2min. (.087) 2.5±0.05 2.5min. (.098±.002) (.098) Note: 1. Tolerances are non-cumulative:±0.05mm(±.002" ) for all centers. 2. Hole dimensions differ depending on the kind of PC board and piercing method. The dimensions above should serve as a guideline. Contact JST for details. 25 convertidor DC-DC Features Regulated Converters ● ● ● ● ● ● ● ● ● 5W DIP Package 1kVDC, 2kVDC & 3kVDC Isolation Options Regulated Output Continuous Short Circuit Protection Auto-Restarting Wide Input 2:1 & 4:1 UL94V-0 Package Material Cost Effective 100% Burned In Efficiency to 86% Selection Guide Part Number DIP24 (SMD) Input Voltage (VDC) Output Voltage (VDC) Max. Cap. Load (µF) Output Current (mA) Efficiency REC5-xx3.3SRW/H* REC5-xx05SRW/H* (See Notes) REC5-xx09SRW/H* (See Notes) REC5-xx12SRW/H* (See Notes) REC5-xx15SRW/H* (See Notes) REC5-xx05DRW/H* (See Notes) REC5-xx12DRW/H* (See Notes) REC5-xx15DRW/H* (See Notes) 9 - 18, 18 - 36, 36 - 72 9 - 18, 18 - 36, 36 - 72 4.5 - 9V 9 - 18, 18 - 36, 36 - 72 4.5 - 9V 9 - 18, 18 - 36, 36 - 72 4.5 - 9V 9 - 18, 18 - 36, 36 - 72 4.5 - 9V 9 - 18, 18 - 36, 36 - 72 4.5 - 9V 9 - 18, 18 - 36, 36 - 72 4.5 - 9V 9 - 18, 18 - 36, 36 - 72 4.5 - 9V 3.3 5 2200 1000 1200 1000 9 470 556 12 220 420 15 120 340 ±5 ±470 ±500 ±12 ±100 ±210 75-77 79-81 72 82-83 73 84-85 74 85-86 75 79-81 72 84-85 74 85-86 75 REC5-xx3.3SRWZ/H* (%) ±15 ±68 ±170 9 - 36**, 18 - 72 3.3 2200 1200 75-76 REC5-xx05SRWZ/H* 9 - 36**, 18 - 72 5 1000 1000 81-82 REC5-xx09SRWZ/H* 9 - 36, 18 - 72 9 470 556 82-83 REC5-xx12SRWZ/H* 9 - 36, 18 - 72 12 220 420 83-84 REC5-xx15SRWZ/H* 9 - 36, 18 - 72 15 120 340 84-85 REC5-xx05DRWZ/H* 9 - 36, 18 - 72 ±5 ±470 ±500 81-82 REC5-xx12DRWZ/H* 9 - 36, 18 - 72 ±12 ±100 ±210 82-83 REC5-xx15DRWZ/H* 9 - 36, 18 - 72 ±15 ±68 ±170 84-85 2:1 Input (REC5-S/DRW/H1) xx = 4.5-9Vin = 05 xx = 9-18Vin = 12 xx = 18-36Vin = 24 xx = 36-72Vin = 48 ECONOLINE DC/DC-Converter REC5S_DRW/H* Series 5 Watt DIP24 & SMD Single & Dual Output EN-60950-1 Certified EN-60601-1 Certified (Suffix H3) UL-60950-1 Pending 4:1 Input (REC5-S/DRWZ/H1) xx = 9-36Vin = 24 xx = 18-72Vin = 48 Notes: For all REC5-05xxS_DRW series, Load = 90% max. when Vin=4.5VDC * add suffix /H1 for 1kVDC Isolation, /H2 for 2kVDC Isolation or /H3 for 3kVDC Isolation. * /H2 and /H3 versions are not available in B Pinning. * /H3 version is not available in /M/SMD combination. * add suffix "/A", "/B" or "/C" for Pinning, see next page * add suffix "/M" for metal case * add suffix "/SMD" for SMD package e.g. REC5-xxxxSRWZH1/AM = 1kVDC isol. / Pinout "A" / metal case ** 24V 4:1 Wide Range Input Types (REC5-24xxS_DRWZ/H1) should be derated Vin= 9 Vin : 3.3Vout / 1100mA max., 5Vout / 900mA max. www.recom-international.com November 2006 1 ECONOLINE REC5-S_DRW/H* Series DC/DC-Converter Specifications (Core Operating Area) Input Voltage Range 2:1 & 4:1 Output Voltage Accuracy ±2% max. Line Regulation (HL-LL) ±0.3% max. Load Regulation (for output load current change from 20% to 100%) ±0.6% max. 50mVp-p max. 120kHz typ. 200kHz typ. Input Filter Pi Network Efficiency at Full Load see above No Load Power Consumption Isolation Voltage H1/SMD Pinout and metal case (tested for 1 second) Isolation Voltage H2/SMD Pinout and metal case (tested for 1 second) Rated Working Voltage (long term isolation) Isolation Voltage H1 types (tested for 1 second) Isolation Voltage H2 types (tested for 1 second) Isolation Voltage H3 types (tested for 1 second) Rated Working Voltage (long term isolation) 300mW max. 1000VDC min. 2000VDC min. see Application Notes 1000VDC min. 2000VDC min. 3000VDC min. see Application Notes Isolation Capacitance 60pF typ. Isolation Resistance 1 GΩ min. Short Circuit Protection Continuous, Auto Restart Operating Temperature (free air convection) -40°C to +75°C (see Graph) Storage Temperature Range -55°C to +125°C Relative Humidity 95% RH Case Material (Ambient Temperature) 100 80 (3W) 60 (2W) 40 Safe Operating Area 20 0 -40 25 0 50 75 100 125 105 95 Operating Temperature °C Non-Conductive Plastic Thermal Impedance Natural convection 20°C/W for metal case Package Weight MTBF (+25°C) (+75°C) Derating-Graph Output Power (%) Output Ripple and Noise (0,1µF capacitor on output, 20MHz BW) Operating Frequency at Full Load 2:1 input (at nominal input voltage) 4:1 input } 13g Detailed Information see Application Notes chapter "MTBF" 3 850 x 10 hours 206 x 103hours using MIL-HDBK 217F using MIL-HDBK 217F Package Style and Pinning (mm) DIP 24 , Wide Input 2:1 & 4:1 Package A 20.30 32.00 10.20 3.81 0.51 4.60 Pin Connections 15.24 Recommended Footprint Details 1.00 ø+0.15/0 2 3 9 16 Dual –Vin –Vin 3 –Vin –Vin 9 NC Com 11 NC –Vout 14 +Vout +Vout 16 –Vout Com 22 +Vin +Vin 23 +Vin +Vin 14 NC = No Connection XX.X ± 0.5 mm XX.XX ± 0.25 mm 2.54 2.54 2 Single 2 11 Bottom View 23 22 Pin # Top View November 2006 www.recom-international.com ECONOLINE REC5-S_DRW/H* Series DC/DC-Converter Package Style and Pinning (mm) DIP 24 , Wide Input 2:1 & 4:1 Package B 32.00 20.30 Pin Connections /H1 Only 10.20 3.81 15.24 0.51 2.06 Recommended Footprint Details 1.00 ø+0.15/0 1 2 3 10 11 12 Bottom View 24 23 22 2.54 15 14 13 Top View 2.54 Package C Pin # Single 1 +Vin Dual +Vin 2 No Pin –Vout Com 3 No Pin 10 –Vout Com 11 +Vout +Vout 12 –Vin –Vin 13 –Vin –Vin 14 +Vout +Vout 15 –Vout Com 22 No Pin Com 23 No Pin –Vout 24 +Vin +Vin NC = No Connection XX.X ± 0.5 mm XX.XX ± 0.25 mm 20.30 32.00 Pin Connections 10.20 3.81 15.24 0.51 2.06 Recommended Footprint Details 1.00 ø+0.15/0 1 2 10 11 12 Bottom View 24 23 15 2.54 Single Dual 1 +Vin +Vin 2 +Vin +Vin 10 NC Com 11 NC Com 12 –Vout NC 13 +Vout –Vout 15 NC +Vout 23 –Vin –Vin 24 –Vin –Vin NC = No Connection XX.X ± 0.5 mm XX.XX ± 0.25 mm 2.54 13 Pin # Top View Mechanical drawings of DIP24 SMD case 32.00 19.90 31.40 11.20 2.54 All unused pins are NC (No Connection). SMD pin connections follow standard package pinning. See Notes for restrictions on /H3 SMD versions. 10.90 3.81 20.30 6.35 25.40 Recommended Footprint Details Pin area 0.1 x 0.50 2.54 0.50 1.54 2.03 9 10 11 12 1 2 3 4 5 23.40 Bottom View Tol.: ± 0.35 mm 26.67 Top View 24.64 24 23 22 21 20 11 x 2.54 16 15 14 13 1 27.94 length of plastic case is 31,8mm, length of metal case 32.0mm www.recom-international.com November 2006 3 Driver MSK 4401 ISO 9001 CERTIFIED BY DSCC M.S.KENNEDY CORP. 29 AMP, 75V, 3 PHASE MOSFET BRIDGE WITH INTELLIGENT INTEGRATED GATE DRIVE 4401 4707 Dey Road Liverpool, N.Y. 13088 (315) 701-6751 FEATURES: 75 Volt Motor Supply Voltage 29 Amp Output Switch Capability, All N-Channel MOSFET Output Bridge 100% Duty Cycle High Side Conduction Capable Suitable for PWM Applications from DC to 100KHz Shoot-Through/Cross Conduction Protection Undervoltage Lockout Protection Programmable Dead-Time Control Low Active Enable for Bridge Shutdown Control Isolated Case for High Voltage Isolation Plus Good Thermal Transfer Available with 4 Lead Bend Options DESCRIPTION: The MSK 4401 is a 3 phase MOSFET bridge plus drivers in a convenient isolated plastic power package. The module is capable of 29 amps of output current and 75 volts of DC bus voltage. It has a full line of protection features, including undervoltage lockout protection of the bias voltage, cross conduction control and a user programmable dead-time control for shoot-through elimination. In addition, the bridge may shut down by using the ENABLE control. The MSK 4401 provides good thermal conductivity for the MOSFETs due to isolated plate design that allows direct heat sinking of the device without insulators. EQUIVALENT SCHEMATIC PIN-OUT INFORMATION TYPICAL APPLICATIONS 3 Phase Brushless DC Servo Control Fin Actuator Control Gimbal Control 3 Phase AC Induction Motor Control HVAC Blower Control 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 BH BL AL AH SWR VBIAS EN CL CH GND 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 AØ AØ V+ V+ BØ BØ CØ CØ RSENSE RSENSE Rev. E 11/04 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS V+ VBIAS VIND IOUT IPK θJC Thermal Resistance TST (Output Switches @125°C) TLD Storage Temperature Range Lead Temperature Range TC (10 Seconds) TJ Case Operating Temperature Junction Temperature High Voltage Supply 75V Bias Supply 16V Logic Input Voltages -0.3V to VBIAS +0.3V Continuous Output Current 29A Peak Output Current 41A ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 3.0°C/W -55°C to +125°C ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ +300°C -40°C to +85°C +150°C ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ELECTRICAL SPECIFICATIONS Tc=+25°C unless otherwise specified MSK 4401 Test Conditions 2 Parameter Units Min. Typ. Max. CONTROL SECTION VBIAS Quiescent Current All Inputs Off - 6 8 mAmp VBIAS Operating Current f=20KHz, 50% Duty Cycle - 12.5 25 mAmp Undervoltage Threshold (Falling) 5.6 6.6 7.6 Volts Undervoltage Threshold (Rising) 6.1 7.1 8.1 Volts - - 0.8 Volts 2.7 - - Volts Low Level Input Voltage 1 High Level Input Voltage 1 Low Level Input Current 1 VIN=0V 55 100 140 µAmp High Level Input Current 1 VIN=5V -10 - +10 µAmp ID=250µA, All Inputs Off 70 - - V VDS=70V - - 250 µAmp ID=29A - - 1.25 V ID=29A - - 0.013 Ω V+=29V, RL=1Ω - 120 - nSec OUTPUT BRIDGE Drain-Source Breakdown Voltage 1 Drain-Source Leakage Current 3 Drain-Source On Voltage 3 Drain-Source On Resistance 4 (Each FET, for thermal calculations only) SWITCHING CHARACTERISTICS Rise Time 1 ID=29A - 81 - nSec Enable Turn-On Prop Delay (Lower) 1 SWR Resistor=∞ - 0.5 2 µSec Enable Turn-Off Prop Delay (Lower) 1 SWR Resistor=∞ - 5 8 µSec Enable Turn-On Prop Delay (Upper) 1 SWR Resistor=∞ - 5 8 µSec Enable Turn-Off Prop Delay (Upper) 1 Fall Time 1 SWR Resistor=∞ - 0.5 2 µSec Dead Time SWR=Open 3.0 5.0 7.0 µSec Dead Time SWR=12K 0.3 0.6 1.2 µSec ISD=29A - 2.5 - Volts ISD=10A, di/dt=100A/µS - 120 - nSec SOURCE-DRAIN DIODE CHARACTERISTICS Forward Voltage 1 Reverse Recovery Time 1 NOTES: 1 2 3 4 Guaranteed by design but not tested. Typical parameters are representative of actual device performance but are for reference only. VBIAS=+12V, V+=28V, RSENSE A,B=Ground, DIS=0V, EN=0V, SWR=open unless otherwise specified. Measured using a 300µSec pulse with a 2% duty cycle. On Resistance is specified for the internal MOSFET for thermal calculations. It does not include the package pin resistance. 2 Rev. E 11/04 APPLICATION NOTES MSK 4401 PIN DESCRIPTIONS AL,BL,CL - Are the lowside logic level digital inputs. These three inputs control the three lowside bridge transistors. If the highside inputs are low, then the lowside inputs will control both the lowside and the highside of the bridge, with deadtime set by the SWR resistor. EN will override these inputs, forcing all outputs low. These inputs can be driven by logic up to 15V (less than VBIAS). An internal pullup to VBIAS will hold each input high if the pins are not driven. AH,BH,CH - Are the highside logic level digital inputs. These three inputs control the three highside bridge transistors. Unless the deadtime is disabled by connecting SWR to ground, the lowside input of each phase will override the corresponding highside input. If SWR is the lowside input of each phase will override the corresponding highside input. In this condition, tied to ground, deadtime is disabled and the outputs follow the inputs. In this condition, shoot-through must be avoided externally. EN will override all inputs, forcing outputs low. BUS VOLTAGE FILTER CAPACITORS The size and placement of the capacitors for the main voltage bus for the motor will have an effect on the noise filtered throughout the rest of the system. Series RLC tuned circuit is being created by the inductance of the wire (about 30nH per inch), the filter capacitance, and all of the resistances (wire resistance and the capacitor ESR) of the overall power circuit. Voltage spikes from the back EMF if the motor ride on top of the bus voltage. All of this must be taken into account when laying out the system. A first capacitor of high quality and low ESR should be placed as close to the hybrid circuit as possible. Along with that, a capacitor of 5x to 10x the first value should be added (and that second capacitor should have some ESR) and/or a resistor should be added to help with the damping of the voltage spikes. Be careful of the ripple current in all the capacitors. Excessive ripple current, beyond what the capacitor is rated for, will destroy the capacitor. VBIAS - Is the positive supply for the gate drive. This pin should be decoupled to ground with at least a 22µF capacitor in parallel with a 0.1µF ceramic capacitor. GROUND - Is the return for the VBIAS supply. This pin should be connected to the return of the lowside MOSFETs or the bottom of the sense resistor at the bottom of the bridge. The gate drive current must return through this pin, so trace lengths should be kept to a minimum. All grounds should be returned to the bottom of the bridge or sense resistor in a star fashion. This will eliminate ground loops. SWR - Is the pin for controlling the deadtime between the top and bottom transistors of the bridge. By connecting a pullup resistor between this pin and VBIAS, various deadtimes can be obtained. There is and internal 100KΩ pullup resistor connected internally. By adding additional resistors in externally, reduced deadtimes can be achieved. By connecting this pin directly to ground, all deadtime is eliminated. However, care must be taken to assure that deadtime is being generated by the logic circuitry driving the inputs. Shoot-through can occur (both the top and bottom transistors on at the same time for a given phase, causing a short on the V+ supply to ground) destroying the bridge. BIAS SUPPLY BYPASS CAPACITORS It is recommended that at least 22µF of capacitance for bypassing the VBIAS voltage that supplies the drive circuitry for the MSK 4401, along with 0.1µF for helping the high frequency current pulses needed by the gate driver. If an extremely long risetime is exhibited by the turn on of the FETs, the extra high frequency capacitance will help. GENERAL LAYOUT Good high frequency PC layout techniques are a must. Traces wide enough for the current delivered, and placement of the big capacitors close to the MSK 4401 are very important. The path for the RSENSE connection through any sense resistor back to the GND pins must be as short as possible. This path is the gate drive current path for all the FETs on the lower half of each phase. A short, low inductance path will aid in the switching time of those FETs. IN V+ - Is the power connection for the top of the output bridge. These pins must be bypassed by a capacitor to ground of a least 10µF per amp preferrably 100µF per amp of output current minimum, high quality high frequency bypass capacitance to help suppress switching noise. Connect both pins for proper current sharing. AØ, BØ, CØ - Are the output pins for the three phases of power bridge. Connect both pins for proper current sharing. EN - Is the enabling input for the bridge. This digital input, when pulled low, will enable the bridge, following the inputs from AL, BL, CL and AH, BH, CH inputs. When pulled high, it will override all other inputs and disable the bridge. It is internally pulled high to VBIAS, and can be driven by logic levels up to VBIAS. RSENSE - Are the connections to the bottom of the bridge. All power flowing through the bridge will flow through this point, and can be sensed by connecting a sense resistor from here to ground. The sense resistor will develop a voltage proportional to the current flowing. Size the value and power rating of the sense resistor according to the voltage necessary. 3 volts is the maximum voltage between this point and ground, or damage to the hybrid will result. Connect both pins for proper current sharing. 3 LOW POWER STARTUP When starting up the circuit utilizing the MSK 4401 for the first time, it is very important to keep certain things in mind. Because of the small size of the bridge, there is no internal short circuit protection and a short circuit will destroy the bridge. Any required short circuit protection must be built outside the bridge. Current and voltage limit the power supply feeding the V+ pins to the bridge, and monitor the current for any signs of short circuiting, or shoot-through currents. If there are large current spikes at the beginning of each switching cycle, there may be shoot through. Try raising the resistor value of the SWR. This will lengthen the deadtime and stop shoot-through. Rev. E 11/04 TYPICLAL APPLICATION SCHEMATIC TYPICLAL PERFORMANCE CURVES 4 Rev. E 11/04 MECHANICAL SPECIFICATIONS ESD Triangle Indicates Pin 1. NOTE: ALL DIMENSIONS ARE ±0.010 INCHES UNLESS OTHERWISE LABELED. ORDERING INFORMATION Part Number Screening Level Lead Configuration MSK4401S Industrial Straight MSK4401D Industrial Down MSK4401U Industrial Up MSK4401G Industrial Gull Wing M.S. Kennedy Corp. 4707 Dey Road, Liverpool, New York 13088 Phone (315) 701-6751 FAX (315) 701-6752 www.mskennedy.com The information contained herein is believed to be accurate at the time of printing. MSK reserves the right to make changes to its products or specifications without notice, however, and assumes no liability for the use of its products. Please visit our website for the most recent revision of this datasheet. 5 Rev. E 11/04 EEPROM AT28C64-25PC Features • Fast Read Access Time – 120 ns • Fast Byte Write – 200 µs or 1 ms • Self-timed Byte Write Cycle • • • • • • • – Internal Address and Data Latches – Internal Control Timer – Automatic Clear Before Write Direct Microprocessor Control – READY/BUSY Open Drain Output – DATA Polling Low Power – 30 mA Active Current – 100 µA CMOS Standby Current High Reliability – Endurance: 104 or 105 Cycles – Data Retention: 10 Years 5V ± 10% Supply CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs JEDEC Approved Byte-wide Pinout Commercial and Industrial Temperature Ranges 64K (8K x 8) Parallel EEPROMs AT28C64 AT28C64X Description The AT28C64 is a low-power, high-performance 8,192 words by 8-bit nonvolatile electrically erasable and programmable read only memory with popular, easy-to-use features. The device is manufactured with Atmel’s reliable nonvolatile technology. (continued) Pin Configurations A0 - A12 Addresses CE Chip Enable OE Output Enable WE Write Enable I/O0 - I/O7 Data Inputs/Outputs RDY/BUSY Ready/Busy Output NC No Connect DC Don’t Connect VCC WE NC A8 A9 A11 OE A10 CE I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 A10 CE I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 GND I/O2 I/O1 I/O0 A0 A1 A2 A7 A12 RDY/BUSY (or NC) DC VCC WE NC 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 NC I/O0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 29 28 27 26 25 24 23 22 21 A8 A9 A11 NC OE A10 CE I/O7 I/O6 I/O1 I/O2 VSS DC I/O3 I/O4 I/O5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 LCC, PLCC Top View TSOP Top View OE A11 A9 A8 NC WE VCC RDY/BUSY (or NC) A12 A7 A6 A5 A4 A3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 RDY/BUSY (or NC) A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND 4 3 2 1 32 31 30 Function 14 15 16 17 18 19 20 Pin Name PDIP, SOIC Top View Rev. 0001H–12/99 Note: PLCC package pins 1 and 17 are DON’T CONNECT. 1 The AT28C64 is accessed like a Static RAM for the read or write cycles without the need for external components. During a byte write, the address and data are latched internally, freeing the microprocessor address and data bus for other operations. Following the initiation of a write cycle, the device will go to a busy state and automatically clear and write the latched data using an internal control timer. The device includes two methods for detecting the end of a write cycle, level detection of RDY/BUSY (unless pin 1 is N.C.) and DATA Polling of I/O7 . Once the end of a write cycle has been detected, a new access for a read or write can begin. The CMOS technology offers fast access times of 120 ns at low power dissipation. When the chip is deselected the standby current is less than 100 µA. Atmel’s AT28C64 has additional features to ensure high quality and manufacturability. The device utilizes error correction internally for extended endurance and for improved data retention characteristics. An extra 32 bytes of EEPROM are available for device identification or tracking. Block Diagram Absolute Maximum Ratings* Temperature under Bias ................................ -55°C to +125°C Storage Temperature ..................................... -65°C to +150°C All Input Voltages (including NC Pins) with Respect to Ground ...................................-0.6V to +6.25V All Output Voltages with Respect to Ground .............................-0.6V to VCC + 0.6V Voltage on OE and A9 with Respect to Ground ...................................-0.6V to +13.5V 2 AT28C64(X) *NOTICE: Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability AT28C64(X) Device Operation READ: The AT28C64 is accessed like a Static RAM. When CE and OE are low and WE is high, the data stored at the memory location determined by the address pins is asserted on the outputs. The outputs are put in a high impedance state whenever CE or OE is high. This dual line control gives designers increased flexibility in preventing bus contention. BYTE WRITE: Writing data into the AT28C64 is similar to writing into a Static RAM. A low pulse on the WE or CE input with OE high and CE or WE low (respectively) initiates a byte write. The address location is latched on the falling edge of WE (or CE); the new data is latched on the rising edge. Internally, the device performs a self-clear before write. Once a byte write has been started, it will automatically time itself to completion. Once a programming operation has been initiated and for the duration of tWC, a read operation will effectively be a polling operation. FAST BYTE WRITE: The AT28C64E offers a byte write time of 200 µs maximum. This feature allows the entire device to be rewritten in 1.6 seconds. READY/BUSY: Pin 1 is an open drain RDY/BUSY output that can be used to detect the end of a write cycle. RDY/BUSY is actively pulled low during the write cycle and is released at the completion of the write. The open drain connection allows for OR-tying of several devices to the same RDY/BUSY line. The RDY/BUSY pin is not connected for the AT28C64X. DATA POLLING: The AT28C64 provides DATA Polling to signal the completion of a write cycle. During a write cycle, an attempted read of the data being written results in the complement of that data for I/O 7 (the other outputs are indeterminate). When the write cycle is finished, true data appears on all outputs. WRITE PROTECTION: Inadvertent writes to the device are protected against in the following ways: (a) VCC sense – if VCC is below 3.8V (typical) the write function is inhibited; (b) VCC power on delay – once VCC has reached 3.8V the device will automatically time out 5 ms (typical) before allowing a byte write; and (c) write inhibit – holding any one of OE low, CE high or WE high inhibits byte write cycles. CHIP CLEAR: The contents of the entire memory of the AT28C64 may be set to the high state by the CHIP CLEAR operation. By setting CE low and OE to 12 volts, the chip is cleared when a 10 msec low pulse is applied to WE. D E V I C E I DE NT I FI C A TI O N : A n e x t r a 3 2 b y t e s o f EEPROM memory are available to the user for device identification. By raising A9 to 12 ± 0.5V and using address locations 1FE0H to 1FFFH the additional bytes may be written to or read from in the same manner as the regular memory array. 3 DC and AC Operating Range AT28C64-12 AT28C64-15 AT28C64-20 AT28C64-25 0°C - 70°C 0°C - 70°C 0°C - 70°C 0°C - 70°C -40°C - 85°C -40°C - 85°C -40°C - 85°C -40°C - 85°C 5V ± 10% 5V ± 10% 5V ± 10% 5V ± 10% Mode CE OE WE I/O Read VIL VIL VIH DOUT VIL VIH VIL DIN VIH (1) X High Z Com. Operating Temperature (Case) Ind. VCC Power Supply Operating Modes Write (2) Standby/Write Inhibit X Write Inhibit X X VIH Write Inhibit X VIL X Output Disable X VIH X High Z VIL High Z Chip Erase Notes: VIL VH (3) 1. X can be VIL or VIH. 2. Refer to AC programming waveforms. 3. VH = 12.0V ± 0.5V. DC Characteristics Symbol Parameter Condition ILI Input Load Current ILO Max Units VIN = 0V to VCC + 1V 10 µA Output Leakage Current VI/O = 0V to VCC 10 µA ISB1 VCC Standby Current CMOS CE = VCC - 0.3V to VCC + 1.0V 100 µA Com. 2 mA ISB2 VCC Standby Current TTL CE = 2.0V to VCC + 1.0V Ind. 3 mA 30 mA VCC Active Current AC f = 5 MHz; IOUT = 0 mA CE = VIL Com. ICC Ind. 45 mA VIL Input Low Voltage 0.8 V VIH Input High Voltage VOL Output Low Voltage IOL = 2.1 mA = 4.0 mA for RDY/BUSY VOH Output High Voltage IOH = -400 µA 4 Min 2.0 AT28C64(X) V 0.45 2.4 V V AT28C64(X) AC Read Characteristics Symbol Parameter tACC AT28C64-12 AT28C64-15 AT28C64-20 AT28C64-25 Min Min Min Min Max Max Max Max Units Address to Output Delay 120 150 200 250 ns (1) CE to Output Delay 120 150 200 250 ns (2) OE to Output Delay 10 60 10 70 10 80 10 100 ns tDF(3)(4) CE or OE High to Output Float 0 45 0 50 0 55 0 60 ns tOH Output Hold from OE, CE or Address, whichever occurred first 0 tCE tOE 0 0 0 ns AC Read Waveforms(1)(2)(3)(4) Notes: 1. CE may be delayed up to tACC - tCE after the address transition without impact on tACC. 2. OE may be delayed up to tCE - tOE after the falling edge of CE without impact on tCE or by tACC - tOE after an address change without impact on tACC. 3. tDF is specified from OE or CE whichever occurs first (CL = 5 pF). 4. This parameter is characterized and is not 100% tested. Input Test Waveforms and Measurement Level Output Test Load tR, tF < 20 ns Pin Capacitance f = 1 MHz, T = 25°C(1) Symbol Typ Max Units Conditions CIN 4 6 pF VIN = 0V COUT 8 12 pF VOUT = 0V Note: 1. This parameter is characterized and is not 100% tested. 5 AC Write Characteristics Symbol Parameter Min tAS, tOES Address, OE Setup Time 10 ns tAH Address Hold Time 50 ns tWP Write Pulse Width (WE or CE) 100 tDS Data Setup Time 50 ns tDH, tOEH Data, OE Hold Time 10 ns tCS, tCH CE to WE and WE to CE Setup and Hold Time 0 ns tDB Time to Device Busy tWC Write Cycle Time (option available) AT28C64 AT28C64E AC Write Waveforms WE Controlled CE Controlled 6 AT28C64(X) Max 1000 Units ns 50 ns 1 ms 200 µs AT28C64(X) Data Polling Characteristics(1) Symbol Parameter tDH Data Hold Time tOEH OE Hold Time Min OE to Output Delay tWR Write Recovery Time Notes: Max Units 10 ns 10 ns (2) tOE Typ ns 0 ns 1. These parameters are characterized and not 100% tested. 2. See “AC Read Characteristics”. Data Polling Waveforms Chip Erase Waveforms tS = tH = 1 µsec (min.) tW = 10 msec (min.) VH = 12.0 ± 0.5V 7 8 AT28C64(X) AT28C64(X) AT28C64 Ordering Information ICC (mA) tACC (ns) Active Standby Ordering Code Package 120 30 0.1 AT28C64(E)-12JC AT28C64(E)-12PC AT28C64(E)-12SC AT28C64(E)-12TC 32J 28P6 28S 28T Commercial (0°C to 70°C) 45 0.1 AT28C64(E)-12JI AT28C64(E)-12PI AT28C64(E)-12SI AT28C64(E)-12TI 32J 28P6 28S 28T Industrial (-40°C to 85°C) 30 0.1 AT28C64(E)-15JC AT28C64(E)-15PC AT28C64(E)-15SC AT28C64(E)-15TC 32J 28P6 28S 28T Commercial (0°C to 70°C) 45 0.1 AT28C64(E)-15JI AT28C64(E)-15PI AT28C64(E)-15SI AT28C64(E)-15TI 32J 28P6 28S 28T Industrial (-40°C to 85°C) 30 0.1 AT28C64(E)-20JC AT28C64(E)-20PC AT28C64(E)-20SC AT28C64(E)-20TC 32J 28P6 28S 28T Commercial (0°C to 70°C) 45 0.1 AT28C64(E)-20JI AT28C64(E)-20PI AT28C64(E)-20SI AT28C64(E)-20TI 32J 28P6 28S 28T Industrial (-40°C to 85°C) 30 0.1 AT28C64(E)-25JC AT28C64(E)-25PC AT28C64(E)-25SC AT28C64(E)-25TC 32J 28P6 28S 28T Commercial (0°C to 70°C) 45 0.1 AT28C64(E)-25JI AT28C64(E)-25PI AT28C64(E)-25SI AT28C64(E)-25TI 32J 28P6 28S 28T Industrial (-40°C to 85°C) 150 200 250 Operation Range Package Type 32J 32-lead, Plastic J-leaded Chip Carrier (PLCC) 28P6 28-lead, 0.600" Wide, Plastic Dull Inline Package (PDIP) 28S 28-lead, 0.300" Wide, Plastic Gull Wing, Small Outline (SOIC) 28T 28-lead, Plastic Thin Small Outline Package (TSOP) Options Blank Standard Device: Endurance = 10K Write Cycles; Write Time = 1 ms E High Endurance Option: Endurance = 100K Write Cycles; Write Time = 200 µs 9 AT28C64X Ordering Information ICC (mA) tACC (ns) Active Standby Ordering Code Package 150 30 0.1 AT28C64X-15JC AT28C64X-15PC AT28C64X-15SC AT28C64X-15TC 32J 28P6 28S 28T Commercial (0°C to 70°C) 45 0.1 AT28C64X-15JI AT28C64X-15PI AT28C64X-15SI AT28C64X-15TI 32J 28P6 28S 28T Industrial (-40°C to 85°C) 30 0.1 AT28C64X-20JC AT28C64X-20PC AT28C64X-20SC AT28C64X-20TC 32J 28P6 28S 28T Commercial (0°C to 70°C) 45 0.1 AT28C64X-20JI AT28C64X-20PI AT28C64X-20SI AT28C64X-20TI 32J 28P6 28S 28T Industrial (-40°C to 85°C) 30 0.1 AT28C64X-25JC AT28C64X-25PC AT28C64X-25SC AT28C64X-25TC 32J 28P6 28S 28T Commercial (0°C to 70°C) 45 0.1 AT28C64X-25JI AT28C64X-25PI AT28C64X-25SI AT28C64X-25TI 32J 28P6 28S 28T Industrial (-40°C to 85°C) 200 250 Valid Part Numbers The following table lists standard Atmel products that can be ordered. Device Numbers Speed Package and Temperature Combinations AT28C64 X 12 JC, JI, PC, PI, SC, SI, TC, TI AT28C64 X 15 JC, JI, PC, PI, SC, SI, TC, TI AT28C64 X 20 JC, JI, PC, PI, SC, SI, TC, TI AT28C64 X 25 JC, JI, PC, PI, SC, SI, TC, TI Die Products Reference Section: Parallel EEPROM Die Products Package Type 32J 32-lead, Plastic J-leaded Chip Carrier (PLCC) 28P6 28-lead, 0.600" Wide, Plastic Dull Inline Package (PDIP) 28S 28-lead, 0.300" Wide, Plastic Gull Wing, Small Outline (SOIC) 28T 28-lead, Plastic Thin Small Outline Package (TSOP) 10 AT28C64(X) Operation Range AT28C64(X) Packaging Information 32J, 32-lead, Plastic J-leaded Chip Carrier (PLCC) Dimensions in Inches and (Millimeters) JEDEC STANDARD MS-016 AE 28P6, 28-lead, 0.600" Wide, Plastic Dual Inline Package (PDIP) Dimensions in Inches and (Millimeters) JEDEC STANDARD MS-011 AB .045(1.14) X 45˚ PIN NO. 1 IDENTIFY .553(14.0) .547(13.9) .595(15.1) .585(14.9) .032(.813) .026(.660) 1.47(37.3) 1.44(36.6) .025(.635) X 30˚ - 45˚ .012(.305) .008(.203) PIN 1 .530(13.5) .490(12.4) .566(14.4) .530(13.5) .021(.533) .013(.330) .090(2.29) MAX 1.300(33.02) REF .050(1.27) TYP .300(7.62) REF .430(10.9) .390(9.90) AT CONTACT POINTS .030(.762) .015(.381) .095(2.41) .060(1.52) .140(3.56) .120(3.05) .022(.559) X 45˚ MAX (3X) .453(11.5) .447(11.4) .495(12.6) .485(12.3) 28S, 28-lead, 0.300" Wide, Plastic Gull Wing Small Outline (SOIC) Dimensions in Inches and (Millimeters) .220(5.59) MAX .005(.127) MIN SEATING PLANE .065(1.65) .015(.381) .022(.559) .014(.356) .161(4.09) .125(3.18) .110(2.79) .090(2.29) .012(.305) .008(.203) .065(1.65) .041(1.04) .630(16.0) .590(15.0) 0 REF 15 .690(17.5) .610(15.5) 28T, 28-lead, Plastic Thin Small Outline Package (TSOP) Dimensions in Millimeters and (Inches)* INDEX MARK AREA 11.9 (0.469) 11.7 (0.461) 13.7 (0.539) 13.1 (0.516) 0.27 (0.011) 0.18 (0.007) 0.55 (0.022) BSC 7.15 (0.281) REF 8.10 (0.319) 7.90 (0.311) 1.25 (0.049) 1.05 (0.041) 0.20 (0.008) 0.10 (0.004) 0 5 REF 0.20 (0.008) 0.15 (0.006) 0.70 (0.028) 0.30 (0.012) *Controlling dimension: millimeters 11 Atmel Headquarters Atmel Operations Corporate Headquarters Atmel Colorado Springs 2325 Orchard Parkway San Jose, CA 95131 TEL (408) 441-0311 FAX (408) 487-2600 Europe 1150 E. Cheyenne Mtn. Blvd. Colorado Springs, CO 80906 TEL (719) 576-3300 FAX (719) 540-1759 Atmel Rousset Atmel U.K., Ltd. Coliseum Business Centre Riverside Way Camberley, Surrey GU15 3YL England TEL (44) 1276-686-677 FAX (44) 1276-686-697 Zone Industrielle 13106 Rousset Cedex France TEL (33) 4-4253-6000 FAX (33) 4-4253-6001 Asia Atmel Asia, Ltd. Room 1219 Chinachem Golden Plaza 77 Mody Road Tsimhatsui East Kowloon Hong Kong TEL (852) 2721-9778 FAX (852) 2722-1369 Japan Atmel Japan K.K. 9F, Tonetsu Shinkawa Bldg. 1-24-8 Shinkawa Chuo-ku, Tokyo 104-0033 Japan TEL (81) 3-3523-3551 FAX (81) 3-3523-7581 Fax-on-Demand North America: 1-(800) 292-8635 International: 1-(408) 441-0732 e-mail literature@atmel.com Web Site http://www.atmel.com BBS 1-(408) 436-4309 © Atmel Corporation 1999. Atmel Corporation makes no warranty for the use of its products, other than those expressly contained in the Company’s standard warranty which is detailed in Atmel’s Terms and Conditions located on the Company’s web site. The Company assumes no responsibility for any errors which may appear in this document, reserves the right to change devices or specifications detailed herein at any time without notice, and does not make any commitment to update the information contained herein. No licenses to patents or other intellectual property of Atmel are granted by the Company in connection with the sale of Atmel products, expressly or by implication. Atmel’s products are not authorized for use as critical components in life suppor t devices or systems. Marks bearing ® and/or ™ are registered trademarks and trademarks of Atmel Corporation. Terms and product names in this document may be trademarks of others. Printed on recycled paper. 0001H–12/99/xM IR2121 Data Sheet No. PD60018-M IR2121 & (PbF) CURRENT LIMITING LOW SIDE DRIVER Features • Gate drive supply range from 12 to 18V • Undervoltage lockout • Current detection and limiting loop to limit driven Product Summary VOFFSET 5V max. power transistor current IO+/- 1A / 2A shutdown time VOUT 12 - 18V VCSth 230 mV ton/off (typ.) 150 & 150 ns • Error lead indicates fault conditions and programs • Output in phase with input • 2.5V, 5V and 15V input logic compatible • Also available LEAD-FREE Description The IR2121 is a high speed power MOSFET and Package IGBT driver with over-current limiting protection circuitry. Latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 2.5V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The protection circuitry detects over-current in the driven power transistor and limits the gate drive voltage. Cycle-by-cycle shut8-Lead PDIP down is programmed by an external capacitor which directly controls the time interval between detection of the over-current limiting condition and latched shutdown. The output can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the low side configuration. Typical Connection (Refer to Lead Assignments for correct pin configuration). This/ These diagram(s) show electrical connections only. Please refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout. www.irf.com 1 IR2121 & (PbF) Absolute Maximum Ratings Absolute Maximum Ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage parameters are absolute voltages referenced to COM. The Thermal Resistance and Power Dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions. Parameter Definition Symbol VCC Fixed Supply Voltage Value Min. Max. Units -0.3 25 VS Gate Drive Return Voltage VCC - 25 VCC + 0.3 VO Output Voltage VS - 0.3 VCC + 0.3 VIN Logic Input Voltage -0.3 VCC + 0.3 VERR Error Signal Voltage -0.3 VCC + 0.3 V VCS Current Sense Voltage VS - 0.3 VCC + 0.3 PD Package Power Dissipation @ TA ≤ +25°C — 1.0 W RthJA °C/W Thermal Resistance, Junction to Ambient — 125 TJ Junction Temperature — 150 TS Storage Temperature -55 150 TL Lead Temperature (Soldering, 10 seconds) — 300 °C Recommended Operating Conditions The Input/Output logic timing diagram is shown in Figure 1. For proper operation the device should be used within the recommended conditions. The VS offset rating is tested with all supplies biased at 15V differential. Parameter Definition Symbol VCC Fixed Supply Voltage Value Min. Max. VS + 12 VS + 18 VS Gate Drive Return Voltage -5 5 VO Output Voltage VS VCC VIN Logic Input Voltage 0 VCC VERR Error Signal Voltage VCS TA 2 0 VCC Current Sense Signal Voltage VS VCC Ambient Temperature -40 125 Units V °C www.irf.com IR2121 & (PbF) Dynamic Electrical Characteristics VBIAS (VCC) = 15V, CL = 3300 pF and TA = 25°C unless otherwise specified. The dynamic electrical characteristics are defined in Figures 2 through 5. Symbol Parameter Definition Value Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions ton toff tsd tr tf Turn-On Propagation Delay Turn-Off Propagation Delay ERR Shutdown Propagation Delay Turn-On Rise Time Turn-Off Fall Time 7 8 9 10 11 — — — — — 150 200 1.7 43 26 200 250 2.2 60 35 tcs terr CS Shutdown Propagation Delay CS to ERR Pull-Up Propagation Delay 12 13 — — 0.7 9.0 1.2 12 ns VIN = 0 & 5V µs ns µs CERR = 270 pF Static Electrical Characteristics VBIAS (VCC) = 15V and TA = 25°C unless otherwise specified. The VIN, VTH and IIN parameters are referenced to COM. The VO and IO parameters are referenced to VS . Symbol VIH VIL VCSTH+ VCSTHVOH VOL IQCC IIN+ IINICS+ ICSVCCUV+ Parameter Definition Logic “1” Input Voltage Logic “0” Input Voltage CS Input Positive Going Threshold CS Input Negative Going Threshold High Level Output Voltage, VBIAS - VO Low Level Output Voltage, VO Quiescent VCC Supply Current Logic “1” Input Bias Current Logic “0” Input Bias Current “High” CS Bias Current “Low” CS Bias Current VCC Supply Undervoltage Positive Going Value Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 2.2 — 150 130 — — — — — — — 8.3 — — 230 210 — — 1.1 4.5 — 4.5 — 8.9 — 0.8 320 300 100 100 2.2 10 1.0 10 1.0 9.6 26 7.3 8.0 8.7 IERR Threshold VCC Supply Undervoltage Negative Going Threshold ERR Timing Charge Current 27 65 100 130 IERR+ ERR Pull-Up Current 28 8.0 15 — IERRIO+ ERR Pull-Down Current Output High Short Circuit Pulsed Current 29 30 16 1.0 30 1.6 — — IO- Output Low Short Circuit Pulsed Current 31 2.0 3.3 — VCCUV- V mV mA µA V µA mA www.irf.com IO = 0A IO = 0A VIN = VCS = 0V or 5V VIN = 5V VIN = 0V VCS = 3V or 5V VCS = 0V A VIN = 5V, VCS = 3V ERR < VERR+ VIN = 5V, VCS = 3V ERR > VERR+ VIN = 0V VO = 0V, VIN = 5V PW ≤ 10 µs VO = 15V, VIN = 0V PW ≤ 10 µs 3 IR2121 & (PbF) Functional Block Diagram *!! $%' " # ! Lead Definitions Lead Symbol Description VCC IN ERR COM OUT VS CS Logic and gate drive supply Logic input for gate driver output (OUT), in phase with OUT Serves multiple functions; status reporting, linear mode timing and cycle by cycle logic shutdown Logic ground Gate drive output Gate drive supply return Current sense input to current sense comparator Lead Assignments 8 Lead PDIP 4 www.irf.com IR2121 & (PbF) Figure 1. Input/Output Timing Diagram Figure 2. Switching Time Test Circuit ?$K ?$K ?$K : : X$K X$K $K YZ X$K $K Figure 3. Switching Time Waveform Definitions Figure 4. ERR Shutdown Waveform Definitions ?$K ?$K YZ [ ?$K X$K \ \ = × Figure 5. CS Shutdown Waveform Definitions www.irf.com \ = × $$] Figure 6. CS to ERR Waveform Definitions 5 500 500 400 400 Turn-On Time (ns) Turn-On Delay Time (ns) IR2121 & (PbF) 300 200 Max. 300 Max. 200 Typ. Typ. 100 100 0 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 Figure 7A. Turn-On Time vs. Temperature 16 18 20 Figure 7B. Turn-On Time vs. Voltage 500 500 400 400 Turn-Off Time (ns) Turn-Off Delay Time (ns) 14 VBIAS Supply Voltage (V) Temperature (°C) 300 200 300 Max. 200 Typ. Max. Typ. 100 100 0 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 Temperature (°C) Figure 8A. Turn-Off Time vs. Temperature ERR to Output Shutdown Delay Time (µs) ERR to Output Shutdown Delay Time (µs) 18 20 5.00 4.00 3.00 Max. Typ. 1.00 0.00 4.00 3.00 2.00 1.00 Max. Typ. 0.00 -50 -25 0 25 50 75 100 125 Temperature (°C) Figure 9A. ERR to Output Shutdown vs. Temperature 6 16 Figure 8B. Turn-Off Time vs. Voltage 5.00 2.00 14 VBIAS Supply Voltage (V) 10 12 14 16 18 20 VBIAS Supply Voltage (V) Figure 9B. ERR to Output Shutdown vs. Voltage www.irf.com IR2121 & (PbF) 100 100 80 80 60 Turn-On Rise Time (ns) Turn-On Rise Time (ns) Max. Max. Typ. 40 20 60 Typ. 40 20 0 0 -50 -25 0 25 50 75 100 10 125 12 Figure 10A. Turn-On Rise Time vs. Temperature 16 18 20 Figure 10B. Turn-On Rise Time vs. Voltage 100 100 80 80 Turn-Off Fall Time (ns) Turn-Off Fall Time (ns) 14 VBIAS Supply Voltage (V) Temperature (°C) 60 40 Max. 60 Max. 40 Typ. Typ. 20 20 0 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 Figure 11A. Turn-Off Fall Time vs. Temperature 18 20 2.00 CS to Output Shutdown Delay Time (µs) CS to Output Shutdown Delay Time (µs) 16 Figure 11B. Turn-Off Fall Time vs. Voltage 2.00 1.60 1.20 14 VBIAS Supply Voltage (V) Temperature (°C) Max. 0.80 Typ. 0.40 1.60 Max. 1.20 Typ. 0.80 0.40 0.00 0.00 -50 -25 0 25 50 75 100 125 Temperature (°C) Figure 12A. CS to Output Shutdown vs. Temperature www.irf.com 10 12 14 16 18 20 VBIAS Supply Voltage (V) Figure 12B. CS to Output Shutdown vs. Voltage 7 IR2121 & (PbF) 20.0 CS to ERR Pull-Up Delay Time (µs) CS to ERR Pull-Up Delay Time (µs) 20.0 16.0 Max. 12.0 Typ. 8.0 4.0 0.0 16.0 12.0 M ax. Typ. 8.0 4.0 0.0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 5.00 5.00 4.00 4.00 3.00 Min. 2.00 1.00 20 3.00 Min. 2.00 0.00 -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20 VCC Logic Supply Voltage (V) Temperature (°C) Figure 14A. Logic “1” Input Threshold vs. Temperature Figure 14B. Logic “1” Input Threshold vs. Voltage 5.00 5.00 4.00 4.00 Logic "0" Input Threshold (V) Logic "0" Input Threshold (V) 18 1.00 0.00 3.00 2.00 3.00 2.00 1.00 Max. 0.00 Max. 0.00 -50 -25 0 25 50 75 100 125 Temperature (°C) Figure 15A. Logic “0” Input Threshold vs. Temperature 8 16 Figure 13B. CS to ERR Pull-Up vs. Voltage Logic "1" Input Threshold (V) Logic "1" Input Threshold (V) Figure 13A. CS to ERR Pull-Up vs. Temperature 1.00 14 VBIAS Supply Voltage (V) Temperature (°C) 10 12 14 16 18 20 VCC Logic Supply Voltage (V) Figure 15B. Logic “0” Input Threshold vs. Voltage www.irf.com IR2121 & (PbF) 500 CS Input Positive Going Threshold (mV) CS Input Positive Going Threshold (mV) 500 400 Max. 300 Typ. 200 Min. 100 0 400 Max. 300 Typ. 200 Min. 100 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 Figure 16A. CS Input Threshold (+) vs. Temperature 18 20 500 CS Input Negative Going Threshold (mV) CS Input Negative Going Threshold (mV) 16 Figure 16B. CS Input Threshold (+) vs. Voltage 500 400 300 Max. Typ. 200 Min. 100 0 400 300 Max. Typ. 200 Min. 100 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20 VBS Floating Supply Voltage (V) Temperature (°C) Figure 17A. CS Input Threshold (-) vs. Temperature Figure 17B. CS Input Threshold (-) vs. Voltage 1.00 1.00 0.80 0.80 High Level Output Voltage (V) High Level Output Voltage (V) 14 VBS Floating Supply Voltage (V) Temperature (°C) 0.60 0.40 0.20 0.60 0.40 0.20 Max. Max. 0.00 0.00 -50 -25 0 25 50 75 100 Temperature (°C) Figure 18A. High Level Output vs. Temperature www.irf.com 125 10 12 14 16 18 20 VBS Floating Supply Voltage (V) Figure 18B. High Level Output vs. Voltage 9 1.00 1.00 0.80 0.80 Low Level Output Voltage (V) Low Level Output Voltage (V) IR2121 & (PbF) 0.60 0.40 0.20 0.60 0.40 0.20 Max. Max. 0.00 0.00 -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 5.00 5.00 4.00 4.00 3.00 Max. 1.00 Typ. 18 20 3.00 2.00 Max. Typ. 1.00 0.00 0.00 -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20 VCC Supply Voltage (V) Temperature (°C) Figure 20A. VCC Supply Current vs. Temperature Figure 20B. VCC Supply Current vs. Voltage 25 25 20 20 Logic "1" Input Bias Current (µA) Logic "1" Input Bias Current (µA) 16 Figure 19B. Low Level Output vs. Voltage VCC Supply Current (mA) VCC Supply Current (mA) Figure 19A. Low Level Output vs. Temperature 2.00 14 VBS Floating Supply Voltage (V) Temperature (°C) 15 10 Max. 5 15 10 5 Max. Typ. Typ. 0 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 Temperature (°C) Figure 21A. Logic “1” Input Current vs. Temperature 10 10 12 14 16 18 20 VCC Logic Supply Voltage (V) Figure 21B. Logic “1” Input Current vs. Voltage www.irf.com 5.00 5.00 4.00 4.00 Logic "0" Input Bias Current (µA) Logic "0" Input Bias Current (µA) IR2121 & (PbF) 3.00 2.00 1.00 Max. 0.00 3.00 2.00 Max. 1.00 0.00 -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 25.0 25.0 20.0 20.0 15.0 10.0 Max. Typ. 20 15.0 10.0 Max. Typ. 0.0 -50 -25 0 25 50 75 100 10 125 12 14 16 18 20 VBS Floating Supply Voltage (V) Temperature (°C) Figure 23A. “High” CS Bias Current vs. Temperature Figure 23B. “High” CS Bias Current vs. Voltage 5.00 5.00 4.00 4.00 "Low" CS Bias Current (µA) "Low" CS Bias Current (µA) 18 5.0 0.0 3.00 2.00 1.00 16 Figure 22B. Logic “0” Input Current vs. Voltage "High" CS Bias Current (µA) "High" CS Bias Current (µA) Figure 22A. Logic “0” Input Current vs. Temperature 5.0 14 VCC Logic Supply Voltage (V) Temperature (°C) Max. 3.00 2.00 1.00 Max. 0.00 0.00 -50 -25 0 25 50 75 100 125 Temperature (°C) Figure 24A. “Low” CS Bias Current vs. Temperature www.irf.com 10 12 14 16 18 20 VBS Floating Supply Voltage (V) Figure 24B. “Low” CS Bias Current vs. Voltage 11 IR2121 & (PbF) 11.0 11.0 10.0 VCC Undervoltage Lockout - (V) VCC Undervoltage Lockout + (V) 10.0 Max. Typ. 9.0 Min. 8.0 9.0 Max. Typ. 8.0 Min. 7.0 7.0 6.0 6.0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 -50 -25 0 Temperature (°C) 250 250 200 200 150 Max. Typ. Min. 50 150 100 125 Max. Typ. Min. 50 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 Figure 27A. ERR Timing Charge Current vs. Temperature 16 18 20 Figure 27B. ERR Timing Charge Current vs. Voltage 25.0 25.0 20.0 ERR Pull-Up Current (mA) 20.0 Typ. 15.0 10.0 14 VCC Logic Supply Voltage (V) Temperature (°C) ERR Pull-Up Current (mA) 75 100 0 Min. 15.0 Typ. 10.0 Min. 5.0 5.0 0.0 0.0 -50 -25 0 25 50 75 100 Temperature (°C) Figure 28A. ERR Pull-Up Current vs. Temperature 12 50 Figure 26. VCC Undervoltage (-) vs. Temperature ERR Timing Charge Current (µA) ERR Timing Charge Current (µA) Figure 25. VCC Undervoltage (+) vs. Temperature 100 25 Temperature (°C) 125 10 12 14 16 18 20 VCC Logic Supply Voltage (V) Figure 28B. ERR Pull-Up Current vs. Voltage www.irf.com IR2121 & (PbF) 50 50 40 ERR Pull-Down Current (mA) ERR Pull-Down Current (mA) 40 Typ. 30 Min. 20 30 Typ. 20 Max. 10 10 0 0 -50 -25 0 25 50 75 100 10 125 12 Temperature (°C) 16 18 20 Figure 29B. ERR Pull-Down Current vs. Voltage Figure 29A. ERR Pull-Down Current vs.Temperature 2.50 2.50 2.00 2.00 Typ. Output Source Current (A) Output Source Current (A) 14 VCC Logic Supply Voltage (V) 1.50 Min. 1.00 1.50 1.00 Typ. Min. 0.50 0.50 0.00 0.00 -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 Figure 30A. Output Source Current vs.Temperature 18 20 5.00 4.00 Typ. Output Sink Current (A) Output Sink Current (A) 16 Figure 30B. Output Source Current vs. Voltage 5.00 4.00 14 VBS Floating Supply Voltage (V) Temperature (°C) 3.00 Min. 2.00 3.00 Typ. 2.00 Min. 1.00 1.00 0.00 0.00 -50 -25 0 25 50 75 100 125 Temperature (°C) Figure 31A. Output Sink Current vs.Temperature www.irf.com 10 12 14 16 18 20 VBS Floating Supply Voltage (V) Figure 31B. Output Sink Current vs. Voltage 13 300 300 250 250 Max . 200 Turn-Off Delay Time (ns) Turn-On Delay Time (ns) IR2121 & (PbF) 150 100 50 200 150 100 Typ. 50 0 0 0 2 4 6 8 0 10 12 14 16 18 20 2 4 6 Input Voltage (V) 8 10 12 14 16 18 20 Input Voltage (V) Figure 32A. Turn-On Time vs. Input Voltage Figure 32B. Turn-Off Time vs. Input Voltage 0.00 VS Offset Supply Voltage (V) -3.00 Typ. -6.00 -9.00 -12.00 -15.00 10 12 14 16 18 20 VBS Floating Supply Voltage (V) Figure 33. Maximum VS Negative Offset vs. Supply Voltage 14 www.irf.com IR2121 & (PbF) Case outline 8-Lead PDIP www.irf.com 01-6014 01-3003 01 (MS-001AB) 15 IR2121 & (PbF) LEADFREE PART MARKING INFORMATION Part number IRxxxxxx Date code YWW? Pin 1 Identifier ? P MARKING CODE Lead Free Released Non-Lead Free Released IR logo ?XXXX Lot Code (Prod mode - 4 digit SPN code) Assembly site code Per SCOP 200-002 ORDER INFORMATION Basic Part (Non-Lead Free) 8-Lead PDIP IR2121 order IR2121 Leadfree Part 8-Lead PDIP IR2121 order IR2121PbF IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245 Tel: (310) 252-7105 This product has been qualified per industrial level Data and specifications subject to change without notice. 9/13/2004 16 www.irf.com LM324 Philips Philips Semiconductors Product data LM124/224/324/324A/ SA534/LM2902 Low power quad op amps DESCRIPTION PIN CONFIGURATION The LM124/SA534/LM2902 series consists of four independent, high-gain, internally frequency-compensated operational amplifiers designed specifically to operate from a single power supply over a wide range of voltages. D, DH, and N Packages OUTPUT 1 1 UNIQUE FEATURES –INPUT 1 2 In the linear mode, the input common-mode voltage range includes ground and the output voltage can also swing to ground, even though operated from only a single power supply voltage. +INPUT 1 The unity gain crossover frequency and the input bias current are temperature-compensated. FEATURES • Internally frequency-compensated for unity gain • Large DC voltage gain: 100 dB • Wide bandwidth (unity gain): 1 MHz (temperature-compensated) • Wide power supply range Single supply: 3 VDC to 30 VDC or dual 14 OUTPUT 4 13 –INPUT 4 3 12 +INPUT 4 V+ 4 11 GND +INPUT 2 5 10 +INPUT 3 9 –INPUT 3 8 OUTPUT 3 –INPUT 2 6 OUTPUT 2 7 1 –+ –+ 2 4 +– +– 3 TOP VIEW SL00065 Figure 1. Pin configuration. supplies: ±1.5 VDC to ±15 VDC • Very low supply current drain: essentially independent of supply voltage (1 mW/op amp at +5 VDC) • Low input biasing current: 45 nADC (temperature-compensated) • Low input offset voltage: 2 mVDC and offset current: 5 nADC • Differential input voltage range equal to the power supply voltage • Large output voltage: 0VDC to VCC–1.5 VDC swing ORDERING INFORMATION TEMPERATURE RANGE ORDER CODE DWG # 14-Pin Plastic Dual In-Line Package (DIP) DESCRIPTION –55° C to +125 °C LM124N SOT27-1 14-Pin Plastic Small Outline (SO) Package –25 °C to +85 °C LM224D SOT108-1 14-Pin Plastic Dual In-Line Package (DIP) –25 °C to +85 °C LM224N SOT27-1 14-Pin Plastic Small Outline (SO) Package 0 °C to +70 °C LM324D SOT108-1 14-Pin Plastic Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP) 0 °C to +70 °C LM324DH SOT402-1 14-Pin Plastic Dual In-Line Package (DIP) 0 °C to +70 °C LM324N SOT27-1 14-Pin Plastic Small Outline (SO) Package 0 °C to +70 °C LM324AD SOT108-1 14-Pin Plastic Dual In-Line Package (DIP) 0 °C to +70 °C LM324AN SOT27-1 14-Pin Plastic Small Outline (SO) Package –40 °C to +85 °C SA534D SOT108-1 14-Pin Plastic Dual In-Line Package (DIP) –40 °C to +85 °C SA534N SOT27-1 14-Pin Plastic Small Outline (SO) Package –40 °C to +125 °C LM2902D SOT108-1 14-Pin Plastic Dual In-Line Package (DIP) –40 °C to +125 °C LM2902N SOT27-1 14-Pin Plastic Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP) –40 °C to +125 °C LM2902DH SOT402-1 2002 Jul 12 2 853-0929 28616 Philips Semiconductors Product data LM124/224/324/324A/ SA534/LM2902 Low power quad op amps ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS SYMBOL PARAMETER VCC Supply voltage VIN Differential input voltage VIN Input voltage PD Maximum power dissipation, Tamb = 25 °C (still-air) 1 N package D package DH package Output short-circuit to GND one amplifier2 RATING UNIT 32 or ±16 VDC 32 VDC –0.3 to +32 VDC 1420 1040 762 mW mW mW Continuous VCC < 15 VDC and Tamb = 25 °C IIN Input current (VIN < –0.3 V) 3 50 mA Tamb Operating ambient temperature range LM324/324A LM224 SA534 LM2902 LM124 0 to +70 –25 to +85 –40 to +85 –40 to +125 –55 to +125 °C °C °C °C °C Tstg Storage temperature range –65 to +150 °C Tsld Lead soldering temperature (10 sec max) 230 °C NOTES: 1. Derate above 25 °C at the following rates: N package at 11.4 mW/°C D package at 8.3 mW/°C DH package at 6.1mW/°C 2. Short-circuits from the output to VCC+ can cause excessive heating and eventual destruction. The maximum output current is approximately 40 mA, independent of the magnitude of VCC. At values of supply voltage in excess of +15 VDC continuous short-circuits can exceed the power dissipation ratings and cause eventual destruction. 3. This input current will only exist when the voltage at any of the input leads is driven negative. It is due to the collector-base junction of the input PNP transistors becoming forward biased and thereby acting as input bias clamps. In addition, there is also lateral NPN parasitic transistor action on the IC chip. This action can cause the output voltages of the op amps to go to the V+ rail (or to ground for a large overdrive) during the time that the input is driven negative. 2002 Jul 12 3 Rfrenado (ARCOL HS100) D A TA S H E E T 0 0 7 / 9 ALUMINIUM HOUSED POWER WIREWOUND RESISTORS HS S E R I E S FEATURES ■ ■ ■ ■ ■ ■ DESIGNED FOR HEAT SINK MOUNTING LOW OHMIC VALUES DOWN TO R005 SOLDER, CABLE, THREADED OR FAST-ON TERMINATIONS INDUCTIVE OR LOW INDUCTANCE MANUFACTURING APPROVED TO ISO 9001 The ARCOL HS style is a range of high quality, high stability aluminium housed power wirewound resistors designed for direct heat sink attachment. The resistive element is wound onto high thermal conductivity ceramic formers ground to a close tolerance finish ensuring maximum contact for rapid heat transfer. This element is encapsulated in the aluminium housing by a transfer moulding process which ensures a good humidity seal and a permanent compression fit. The encapsulant is a high temperature moulding compound and the special ARCOL mould tool design ensures accurate concentricity of the resistive element inside the housing giving a high level of voltage protection. Our engineers have 30 years experience in the design and manufacture of this style of resistor and during this period we have produced many different HS types to meet customers special requirements. If you need a special design for your application, be it high voltage, short term overload, special mounting or terminations then please contact us for advice. Tolerance Tolerance for low ½ values Temperature Coefficients typical values Insulation resistance (Dry) Power dissipation @ high ambient temperatures Ohmic values Low inductive (NHS) NHS ohmic range NHS working volts Internal resistance Core Element End caps Encapsulant Housing Terminals CHARACTERISTICS Standard J (± 5%) and K (± 10%). Also available F (± 1%), G (± 2%) and H (± 3%). Typically ³ R05 ±5% ² R047 ±10%. < 1K 100ppm Std. > 1K 25ppm Std. For lower TCR’s please contact Arcol. 10,000 M½ minimum. Dissipation derates linearly to zero at 200 °C. From R005 to 100K depending on wattage style. Specify by adding N before HS code e.g. NHS50. Divide standard HS maximum value by 4. Divide standard HS maximum working volts by 1.414. Available on request. Ceramic-steatite or alumina depending on size. Copper nickel alloy or nickel chrome alloy. Nickel iron or stainless steel. High temperature moulding compound. Anodised aluminium. HS10 to HS150: silver plated steel cored copper HS200 to HS300: Brass, stainless steel or copper clad steel. ORDERING SYSTEM LOW INDUCTION WINDING H S 2 SERIES 5 WATTS (MAX) HEAT SINK MOUNTED TOLERANCE CODE F = ± 1% 2 R NOMIMNAL VALUE (½) 2 J TOLERANCE Surface Temperature of resistor related to power dissipation. The resistor is standard heat sink mounted using a proprietary heat sink compound. 200 HS300 J = ± 5% K = ± 10% ARCOL will be pleased to advise and to provide further information on the following subjects: ■ HS resistors for pulse applications ■ Maximum overload ■ Inductance values ■ Low ohmic values ■ Special terminations ■ Alternative aluminium housing designs and mountings ■ Voltage applications S U R FAC E T E M P E R AT U R E R I S E ( °C ) N T E M P E R AT U R E R I S E & P O W E R D I S S I PAT I O N HS150 HS50 HS250 HS200 HS25 100 HS75 HS15 HS100 HS10 5 0 20 50 75 100 150 200 250 300 P O W E R D I S S I PAT I O N ( WAT T S ) THREEMILESTONE INDUSTRIAL ESTATE, TRURO, CORNWALL, TR4 9LG, ENGLAND. Tel +44 (0)1872 277431, Fax +44 (0)1872 222002 http://www.arcol.co.uk E-mail sales@arcol.co.uk Page 1 of 2 ALUMINIUM HOUSED POWER WIREWOUND RESISTORS HS S E R I E S H E AT D I S S I PAT I O N A N D M A X I M U M O V E R L OA D HEAT DISSIPATION Whilst the use of proprietary heat sinks with lower thermal resistance is acceptable, uprating is not recommended. For maximum heat transfer it is recommended that a heat sink compound be applied between the resistor base and heat sink/chassis mounting surface. It is essential that the maximum hot spot temperature of 200°C is not exceeded and therefore the resistor must be mounted on a heat sink of correct thermal resistance for the power being dissipated. MAXIMUM OVERLOAD Please consult the factory for assistance concerning your particular overload application. ELECTRICAL SPECIFICATIONS ARCOL TYPE STYLE MIL-R 18546 POWER RATING ON STANDARD HEAT SINK @ 25˚C WATTS @ 25˚C WITHOUT HEAT SINK RESISTANCE RANGE OHMS LIMITING ELEMENT VOLTAGE DC/AC RMS VOLTAGE PROOF AC PEAK VOLTAGE PROOF AC RMS APPROX WEIGHT GMS HS10 RE60 10 5.5 R005-10K 160 1400 1000 4 5.8 415 1 HS15 RE65 15 8 R005-10K 265 1400 1000 7 5.1 415 1 HS25 RE70 25 12.5 R005-36K 550 3500 2500 14 4.2 535 1 HS50 RE75 50 20 R01-86K 1250 3500 2500 32 3.0 535 1 HS75 75 45 R01-50K 1400 6363 4500 85 1.1 995 3 HS100 100 50 R01-70K 1900 6363 4500 115 1.0 995 3 HS150 150 55 R01-100K 2500 6363 4500 175 1.0 995 3 HS200 200 50 R01-50K 1900 7070 5000 475 0.7 3750 3 HS250 250 60 R01-50K 2200 7070 5000 600 0.6 4765 3 HS300 300 75 R01-68K 2500 7070 5000 700 0.6 5780 3 TYPICAL SURFACE STANDARD HEAT SINK TEMPERATURE RISE (ALUMINIUM) ˚C/W STANDARD HEAT SINK MOUNTED AREA CM2 THICKNESS (MM) DIMENSIONS Centre hole in each flange is in 150 Watts only J L J L J L 6mm 3.0 ± 0.1 2.1 ± 0.1 G A HS 10, 15,25, 50 G A HS 75, 100, 150 G A HS 200, 250, 300 Ø 3.2 max. Ø 2.0 ± 0.25 * = = = = F E F E B B F E M B D D D C C H C H H K K DIMENSIONS (MM) G ± 0.3 K ARCOL TYPE A MAX B MAX C MAX D MAX E MAX F ± 0.3 K MAX L ± 0.25* M MAX HS10 16.5 30.0 8.8 8.5 15.9 11.3 12.4 4.5 2.4 1.8 2.4 --- HS15 21.0 36.5 11.0 11.2 19.9 14.3 15.9 5.5 2.8 1.8 2.4 --- HS25 28.0 51.0 14.6 14.0 27.3 18.3 19.8 7.3 4.7 2.6 3.2 --- HS50 29.7 72.5 14.8 14.2 49.1 39.7 21.4 8.5 5.2 2.6 3.2 --- HS75 47.5 72.0 24.1 27.3 48.7 29.0 37.0 11.8 10.4 3.7 4.4 --- HS100 47.5 88.0 24.1 27.3 65.2 35.0 37.0 11.8 15.4 3.7 4.4 --- HS150 47.5 121.0 24.1 27.3 97.7 58.0 37.0 11.8 20.4 3.7 4.4 --- HS200 72.5 145.7 41.8 45.5 89.7 70.0 57.2 20.5 10.4 5.5 5.1 103.4 HS250 72.5 167.0 41.8 45.5 108.7 89.0 57.2 20.5 10.4 5.5 5.1 122.4 HS300 72.5 184.4 41.8 45.5 127.7 104.0 59.0 20.5 12.4 5.5 6.6 141.4 H MAX J MAX *200 - 300 Watts is ± 0.45 THREEMILESTONE INDUSTRIAL ESTATE, TRURO, CORNWALL, TR4 9LG, ENGLAND. Tel +44 (0)1872 277431 Fax +44 (0)1872 222002 http://www.arcol.co.uk E-mail sales@arcol.co.uk CERTIFICATE NUMBER FM31218 The information contained herein does not form part of a contract and is subject to change without notice. It is the responsibility of the customer to ensure that the component selected from our range is suitable for the intended application. If in doubt please ask us. Page 2 of 2 Motor Brushless DC BN34-25AF Silencer Series ™ Brushless DC Motors TYPICAL APPLICATIONS • Medical equipment - pumps, blowers and electric scooters and wheelchairs • Automatic door and window openers • Computer-controlled embroidery machines • Scanners • Packaging equipment and printing products • HVAC equipment (air handling) • Robotic tape storage and retrieval • Semiconductor handling and insertion machines • Actuators Commercial and Industrial BN12, 17, 23, 28, 34 and 42 FEATURES • Inside rotor construction for quick acceleration • 8 pole motor standard, 4 pole motors optional for high speed applications • Compact size – lengths from 1.3 to 5.5 inches • Diameter – 1.2 to 4.15 inches • Continuous torques from 2.4 to 519 oz-in • High energy neodymium magnets • Safe, arcless operation • High speed capability – up to 20,000 rpm • High torque per dollar ratio BENEFITS • Operation at any single speed - not limited to AC frequency • Motor life is not limited to brush or commutator life • An essentially linear speed/torque curve • Efficient operation without losses associated with brushes and commutation or armature induction • Precise, variable speed control • Extremely quiet operation • Long-life operation ENCODERS High resolution, high reliability, and state-of-the-art technology in a small package: • Bidirectional incremental code • Up to 1024 cycles standard • Up to 3 channels: A, B, and index • TTL / CMOS compatible • Hewlett Packard HEDS-5500 encoder standard, other configurations and resolutions available SILENCER BRUSHLESS MOTOR DRIVES Optimized for use with Silencer Brushless DC motors, these drives provide: • Multiple operating modes - commutation, velocity, torque, 2 and 4 quadrant • Feedback using Hall effect sensor or encoder • Efficient PWM speed control • CE approved for European applications • Low cost Moog Components Group • www.moog.com/components Quiet, Brushless Motors Silencer Brushless motors provide smooth, efficient operation and increased speed ranges. Utilizing bonded neo magnets, our BN series motors provide excellent value with their low cost and high torque. Each frame of the BN motors is available in four different lengths with a variety of electrical options to meet a wide range of commercial and industrial operating specifications. Reliable, Low-cost Operation Th e c o m p a c t B N m o to r s a r e w e l l - s u i te d fo r applications demanding low audible noise and long life. An aluminum housing protects the unit in rugged applications and environments. Typical options include electronic drives, encoders and gearheads, as well as Hall effect, resolver and sensorless feedback. Our engineering department is available for consultation to help you tailor a brushless motor for your specific application. 5 5 Brushless Motors NOTES AND TERMS ON BRUSHLESS DC MOTORS Application Assistance There are a few typical questions our engineers will ask when discussing your specific application: q q q q q q What torque range is required? What speed range is required? What space is available? What voltage is available? What current is available? Are there any special shaft and / or mounting requirements? Terms Back EMF Constant: (Ke) (V / Krpm) Also referred to as Voltage Constant. This is the voltage generated while the motor is operating which is proportional to speed, but opposing to the applied voltage. signal. The resolution of the encoder is defined in counts per revolutions as the number of electrical pulses provided in one mechanical revolution. The number of pulses is determined by a metal or glass code wheel and optical sensors. Hall Effect Sensors: Hall devices are magnetic sensing devices which produce an electronic signal. This signal provides information to the amplifier to electronically commutate the brushless motor. Inside Rotor Motor: This is the most common motor construction. The permanent magnet rotor is on the inside and is surrounded by the wound stator assembly. This is the typical construction of our BN motors. Bearing Life: The bearing life of an individual ball bearing is the number of revolutions (or hours at a given speed) which the bearing runs before the first evidence of fatigue develops in the material of either ring or of any of the rolling elements. Bearing Rating Life: The rating life, L10, of a group of apparently identical ball bearings is the life in millions of revolutions that 90% of the group will complete or exceed. For a single bearing, L10 also refers to the life associated with 90% reliability, L5 refers to 95% reliability and L1 refers to 99% reliability. Brushless DC Motor: A brushless DC motor is a motor which is electronically commutated and exhibits the linear speed-torque characteristics of the conventional DC motor. The motors typically use a permanent magnet to produce the rotor field. Motor Constant: (Km) (oz-in / sq rt watts) The motor constant is the ratio of motor torque to motor input power. It is a figure of merit typically used to compare motor capability. Outside Rotor Motor: The outside rotor motor is a special design used in applications where higher rotor inertia is desired. The wound stator field is stationary and located on the inside of the rotating magnetic field. The rotor is typically a magnet inside of a housing. These motors are our BOF and BON series. Peak Torque: The peak torque of a motor is the maximum amount of torque the motor can produce for short periods of time. In a brushless PMDC motor, the current (and therefore the peak torque) is usually limited by the control electronics. Permanent Magnet DC Motor: A permanent magnet DC motor is a motor with a wound armature and a permanent magnetic field. Power is supplied to the armature through brushes and a commutator. This type of motor provides a linear speed / torque performance characteristic. The C-series is our line of PMDC motors. Resolver: The resolver is an electromechanical device which converts shaft position into analog signals. The resolver output is a sine and a cosine signal. There are several types of resolvers. The brushless motor typically uses the single speed transmitter type resolver. Position is determined by the ratio of the sine output amplitude to the cosine output amplitude. A single speed resolver produces one sine and cosine wave at the output for each mechanical revolution. We manufacture both single speed and multispeed resolvers. Torque Sensitivity: (Kt) (oz-in / Amp) The relationship of the output torque to the input current of the motor. Terminal Resistance: (Rt) (ohms) This is the line to line resistance at 25°C. The value of resistance in the motor is determined by the temperature of the windings in a particular application. Continuous Stall Torque: (Tcs) (oz-in) The maximum torque at zero speed which a motor can continuously deliver without exceeding its thermal rating. Encoder: The encoder is a feedback device which converts mechanical motion into a digital 6 Moog Components Group • www.moog.com/components Brushless Motors SPECIFICATION AND NUMBERING SYSTEM Part Numbering System Guide BN – FRAME COMMERCIAL DC MOTOR 12 – Size 12 17 – Size 17 23 – Size 23 28 – Size 28 34 – Size 34 42 – Size 42 BRUSHLESS MOTOR MAGNET TYPE N - Bonded Neo – WINDING CODE Corresponds to terminal voltage, refer to specifications tables throughout this brochure for standard offerings. Many other winding options are available. MECHANICAL OPTIONS Refer to motor data table for standard offerings. Many other custom mechanical options are available. MOTOR LENGTH Refer to motor data table for standard offerings. T F O OTHER OPTIONS FEEDBACK OPTIONS TERMINATION OPTIONS Rotation rpm rad/sec degrees/sec rad/sec degrees/sec rpm degrees/sec degrees/sec rpm rpm rad/sec rad/sec Moment Of Inertia oz-in2 g-cm2 lb-ft2 g-cm2 g-cm2 oz-in2 lb-ft2 oz-in2 g-cm2 lb-ft2 oz-in2 lb-ft2 oz-in-sec2 g-cm2 Moog Components Group 6.0 57.30 .1667 9.549 1.745 x 10-2 .1047 360 240 180 120 60 360 300 240 180 300 180 0 S1 OUT S2 OUT S3 OUT A COIL – 0 + + 0 – – 0 + + 0 B COIL + + 0 – – 0 + + 0 – – – 0 C COIL 0 – – 0 + + 0 – – 0 + + Hall Effect Switches Open collector outputs. Use pull-up resistors between Vcc and outputs to achieve 25 mA maximum of current. 182.9 4.214 x 105 5.467 x 10-3 2.304 x 103 2.373 x 10-6 4.340 x 10-4 7.062 x 104 • 165 141.61-1 72.01 1.383 x 104 1.389 x 10-2 192.0 7.233 x 10-5 5.208 x 10-3 150 Nm g-cm g-cm oz-in oz-in lb-ft lb-ft 135 Torque oz-in oz-in lb-ft g-cm lb-ft g-cm oz-in 120 28.35 453.6 3.527 x 10-2 16.0 2.205 x 10-3 6.250 x 10-2 105 g g oz oz lb lb 90 Mass oz lb g lb g oz MECH 75 2.540 30.48 .3937 3.281 x 10-2 60 cm cm inches feet 45 Length inches feet cm cm 60 ELEC DEGREES 30 MULTIPLY BY 0 TO 15 FROM 120 Timing Diagram for Hall Switches Conversion Table www.moog.com/components IMPORTANT The operational life and performance of any motor is dependent upon individual operating parameters, environment, temperature and other factors. Your specific application results may vary. Please consult the factory to discuss your requirements. Bearing Load Rating (lbs) Motor Size BN-12 BN-17 BN-23 BN-28 BN-34 BN-42 Dynamic 295 331 743 1022 1532 1340 Static 110 134 304 422 683 725 7 7 Brushless Motors Continuous Stall Torque 83 - 309 oz-in (0.587 - 2.19 Nm) Peak Torque 326 - 1445 oz-in (2.31 - 10.21 Nm) BN34 SPECIFICATIONS Part Number* Winding Code** L = Length Terminal Voltage Peak Torque Continuous Stall Torque Rated Speed Rated Torque Rated Current Rated Power Torque Sensitivity Back EMF Terminal Resistance Terminal Inductance Motor Constant Rotor Inertia Weight # of Poles Timing Mech. Time Constant Electrical Time Constant Thermal Resistivity Speed/Torque Gradient BN34-25AF01 inches millimeters volts DC oz-in Nm oz-in Nm RPM rad/sec oz-in Nm Amps watts oz-in/amp Nm/amp volts/KRPM volts/rad/sec ohms mH T F O 02 03 BN34-35AF01 2.50 24.0 326.0 2.3020 83.0 0.5861 7400.0 775 60.0 0.4237 16.40 328.0 4.19 0.0296 3.10 0.0296 0.069 0.129 63.5 50.0 326.0 2.3020 93.0 0.6567 7330.0 768 67.0 0.4731 8.70 363.0 8.90 0.0628 6.50 0.0628 0.251 0.575 02 BN34-45AF- 03 01 3.50 100.0 326.0 2.3020 93.0 0.6567 7550.0 791 66.0 0.4661 4.40 368.0 17.20 0.1215 12.80 0.1215 0.941 2.180 02 T F O BN34-55AF- 03 01 4.50 24.0 566.0 3.9968 133.0 0.9392 5916.0 620 93.0 0.6567 18.74 407.0 5.24 0.0370 3.88 0.0370 0.057 0.143 88.9 50.0 643.0 4.5405 162.0 1.144 6400.0 670 106.0 0.749 11.0 502.0 9.92 0.0701 7.34 0.070 0.147 0.430 100.0 697.0 4.9219 159.0 1.1228 6240.0 653 106.0 0.7485 5.80 489.0 21.0 0.1483 15.50 0.1483 0.575 1.570 24.0 1070.0 7.5558 220.0 1.5535 3300.0 346 188.0 1.3276 23.0 459.0 9.20 0.0650 6.83 0.0650 0.069 0.200 114.3 50.0 1070.0 7.5558 224.0 1.5818 4710.0 493 165.0 1.1651 13.70 575.0 13.80 0.0974 10.20 0.0974 0.147 0.450 T F O 02 03 5.50 100.0 1070.0 7.5558 231.0 1.6312 4710.0 493 170.0 1.2005 7.00 592.0 27.70 0.1956 20.50 0.1956 0.552 1.800 24.0 1445.0 10.2039 287.0 2.0267 2410.0 252 258.0 1.8219 23.30 460.0 12.40 0.0876 9.20 0.0876 0.086 0.271 139.7 50.0 1445.0 10.2039 306.0 2.1608 3910.0 409 240.0 1.6948 16.50 694.0 16.60 0.1172 12.30 0.1172 0.135 0.482 100.0 1445.0 10.2039 309.0 2.1820 3920.0 411 240.0 1.6948 8.20 696.0 33.20 0.2344 24.50 0.2344 0.504 1.930 oz-in/sq.rt.watt 15.95 17.76 17.73 21.95 25.87 27.69 35.02 35.99 37.28 42.28 45.18 46.77 Nm/sq.rt.watt oz-in-sec2x10-3 g-cm2 oz g 0.11264 6.00 423.4 37.0 1050.8 0.12544 6.00 423.4 37.0 1050.8 0.12521 6.00 423.4 37.0 1050.8 0.15499 12.00 846.8 62.0 1760.8 0.183 12.00 846.8 62.0 1760.8 0.19556 12.00 846.8 62.0 1760.8 0.24732 18.00 1270.3 88.0 2499.2 0.25417 18.00 1270.3 88.0 2499.2 0.26328 18.00 1270.3 88.0 2499.2 0.29859 24.00 1693.7 115.0 3266.0 0.31904 24.00 1693.7 115.0 3266.0 0.33023 24.00 1693.7 115.0 3266.0 ms ms deg. C/watt rpm/oz-in 8.0 120° 3.3 1.87 1.6 5.3 8.0 120° 2.7 2.29 1.5 4.3 8.0 120° 2.7 2.32 1.5 4.3 8.0 120° 3.5 2.51 2.5 2.8 8.0 120° 2.5 2.90 1.84 2.8 8.0 120° 2.2 2.73 1.2 1.8 8.0 120° 2.1 2.90 1.1 1.1 8.0 120° 2.0 3.06 1.0 1.0 8.0 120° 1.8 3.26 1.0 1.0 8.0 120° 1.9 3.15 1.1 0.8 8.0 120° 1.7 3.57 0.8 0.7 8.0 120° 1.6 3.83 0.8 0.6 Notes: 1. Motor mounted to a 10” x 10” x 1/4” aluminum plate, still air. 2. Maximum winding temperature of 155°C. 3. Typical electrical specifications at 25°C. 4. Motor Terminal Voltages are representative only; motors may be operated at voltages other than those listed in the table. For assistance please contact our applications engineer. 5. For MS (military style) connector, please specify connector housing and terminal. 6. Data for informational purposes only. Should not be considered a binding performance agreement. For specific applications, please contact the factory. Moog Components Group T F O • www.moog.com/components *Many other custom mechanical options are available – consult factory. **Many other winding options are available – consult factory. Select your options below and place their code in its corresponding block as shown on page 7. T TERMINATION L – Leads (std) C – Connector M – MS connector F FEEDBACK OPTIONS H – Hall Effect (std) R – Resolver S – Sensorless O OTHER OPTIONS D – Drive E – Encoder G – Gearhead 29 29 Brushless Motors BN34 Typical Outline - Housed Termination Table Dimensions are in inches (millimeters) PIN COLOR YELLOW GRAY RED BLACK GREEN BLUE BROWN ORANGE CONNECTION VCC GROUND A COIL B COIL C COIL S2 OUT S1 OUT S3 OUT BN34 Typical Outline - Frameless Part Number “L” BN34-25ZP-[ ][ ]-LH 1.337 BN34-35ZP-[ ][ ]-LH 2.337 BN34-45ZP-[ ][ ]-LH 3.337 BN34-55ZP-[ ][ ]-LH 4.337 Dimensions are in inches Note: See page 29 for performance data. 30 Moog Components Group • www.moog.com/components Brushless Motors BN34 Performance Curves Note: Intermittent operation is based on a 20% duty cycle of one minute on, four minutes off. Please contact the factory regarding the duty cycle of your application. Moog Components Group • www.moog.com/components 31 31 Transductor de corriente efecto Hall IPN = 8 - 12 - 25 A Current Transducer LTS 25-NP For the electronic measurement of currents : DC, AC, pulsed, mixed, with a galvanic isolation between the primary circuit (high power) and the secondary circuit (electronic circuit). Preliminary Electrical data IPN IP VOUT NS RL R IM TCR IM VC IC Vd Vb Primary nominal r.m.s. current Primary current, measuring range Analog output voltage @ IP IP = 0 Number of secondary turns (± 0.1 %) Load resistance Internal measuring resistance (± 0.5 %) Thermal drift of R IM Supply voltage (± 5 %) Current consumption @ VC = 5 V Typ R.m.s. voltage for AC isolation test, 50/60 Hz, 1 mn R.m.s. rated voltage 25 At 0 .. ± 80 At 2.5 ± (0.625·IP/IPN) V 2.5 1) V 2000 ≥2 kΩ 50 Ω < 50 ppm/K 5 V 20 + IS2) +(VOUT /RL)mA 3 kV 525 3) V Accuracy - Dynamic performance data X ε Accuracy @ IPN , TA = 25°C Accuracy with R IM @ IPN , TA = 25°C Linearity L TCVOUT Thermal drift of VOUT @ IP = 0 - 10°C .. + 85°C TCε G Thermal drift of the gain - 10°C .. + 85°C VOM Residual voltage @ IP = 0,after an overload of 3 x IPN 5 x IPN 10 x IPN tra tr di/dt f Reaction time @ 10 % of IPN Response time @ 90 % of IPN di/dt accurately followed Frequency bandwidth (0 .. - 0.5 dB) (- 0.5 .. 1 dB) ± 0.2 ± 0.7 < 0.1 Typ 50 % % % Max 100 ppm/K 50 4) ppm/K ± 0.5 mV ± 2.0 mV ± 2.0 mV < 50 < 200 > 100 DC .. 100 DC .. 200 ns ns A/µs kHz kHz General data TA TS m Notes : Ambient operating temperature Ambient storage temperature Mass Standards 1) 2) 3) 4) - 10 .. + 85 - 25 .. + 100 10 EN 50178 Absolute value @ TA = 25°C, 2.475 < VOUT < 2.525 Please see the operation principle on the other side Pollution class 2, Overvoltage category III Only due to TCR IM LEM Components °C °C g Features • Closed loop (compensated) multi• • • • • range current transducer using the Hall effect Unipolar voltage supply Insulated plastic case recognized according to UL 94-V0 Compact design for PCB mounting Incorporated measuring resistance Extended measuring range. Advantages • • • • • • • Excellent accuracy Very good linearity Very low temperature drift Optimized response time Wide frequency bandwidth No insertion losses High immunity to external interference • Current overload capability. Applications • AC variable speed drives and servo • • • • • motor drives Static converters for DC motor drives Battery supplied applications Uninterruptible Power Supplies (UPS) Switched Mode Power Supplies (SMPS) Power supplies for welding applications. Copyright protected. 990610/5 w w w .lem.com Dimensions LTS 25-NP (in mm. 1 mm = 0.0394 inch) Bottom view Operation principle Standard 00 or N° SP.. Year Week Closed loop Output amplifier transducer I S = I P / NS = ± 12.5 mA @ I P = ± 25 At Back view Right view Front view Number of primary turns Primary nominal r.m.s. current IPN [ A ] Nominal output voltage VOUT [ V ] Primary resistance R P [ mΩ ] Primary insertion inductance L P [ µH ] 1 ± 25 2.5 ± 0.625 0.18 0.013 2 3 ± 12 ±8 2.5 ± 0.600 2.5 ± 0.600 0.81 1.62 Recommended connections 6 5 4 OUT IN 1 6 2 5 3 4 OUT IN 1 6 2 5 3 4 OUT 1 2 3 0.05 0.12 IN Mechanical characteristics • General tolerance • Fastening & connection of primary Recommended PCB hole • Fastening & connection of secondary Recommended PCB hole • Additional primary through-hole Output Voltage - Primary Current VOUT [ V ] ± 0.2 mm 6 pins 0.7 x 0.8 mm 1.3 mm 3 pins 0.5 x 0.35 mm 0.8 mm ∅ 3.2 mm 5 4.5 3.125 2.5 1.875 Remark • VOUT is positive when IP flows from terminals 1, 2, 3 to terminals 6, 5, 4 0.5 - IPmax - IPN 0 IPN IPmax IP [ At ] LEM reserves the right to carry out modifications on its transducers, in order to improve them, without previous notice. Mosfet STW20NB50 STW20NB50 ® N - CHANNEL 500V - 0.22Ω - 20A - TO-247 PowerMESH MOSFET TYPE STW20NB50 ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ V DSS R DS(on) ID 500 V < 0.25 Ω 20 A TYPICAL RDS(on) = 0.22 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED 3 2 1 DESCRIPTION Using the latest high voltage technology, STMicroelectronics has designed an advanced family of power Mosfets with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics. TO-247 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM APPLICATIONS HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING ■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS) ■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE ■ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol VDS V DGR V GS Parameter Value Unit Drain-source Voltage (V GS = 0) 500 V Drain- gate Voltage (R GS = 20 kΩ) 500 V Gate-source Voltage ± 30 V 20 A 12.7 A ID Drain Current (continuous) at T c = 25 o C ID o IDM (•) P tot dv/dt( 1 ) T stg Tj Drain Current (continuous) at T c = 100 C Drain Current (pulsed) 80 A 250 W Derating Factor 2 W/o C Peak Diode Recovery voltage slope 4 V/ns Total Dissipation at T c = 25 o C Storage Temperature Max. Operating Junction Temperature (•) Pulse width limited by safe operating area October 1999 -65 to 150 o C 150 o C (1) ISD ≤ 20A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX 1/8 STW20NB50 THERMAL DATA R thj-case R thj-amb R thc-sink Tl o 0.5 30 0.1 300 Thermal Resistance Junction-case Max Thermal Resistance Junction-ambient Max Thermal Resistance Case-sink Typ Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose C/W oC/W o C/W o C AVALANCHE CHARACTERISTICS Symbol Parameter IAR Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive (pulse width limited by T j max, δ < 1%) E AS Single Pulse Avalanche Energy (starting T j = 25 o C, I D = I AR , V DD = 50 V) Max Value Unit 20 A 1000 mJ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified) OFF Symbol V (BR)DSS Parameter Drain-source Breakdown Voltage Test Conditions I D = 250 µA Zero Gate Voltage V DS = Max Rating Drain Current (V GS = 0) V DS = Max Rating IGSS Gate-body Leakage Current (V DS = 0) Typ. Max. 500 V GS = 0 I DSS Min. Unit V T c = 125 o C V GS = ± 30 V 10 100 µA µA ± 100 nA ON (∗) Symbol Parameter Test Conditions V GS(th) Gate Threshold Voltage V DS = V GS I D = 250 µA R DS(on) Static Drain-source On Resistance V GS = 10 V I D = 10 A I D(on) On State Drain Current V DS > I D(on) x R DS(on)max V GS = 10 V Min. Typ. Max. Unit 3 4 5 V 0.22 0.25 Ω 20 A DYNAMIC Symbol g fs (∗) C iss C oss C rss 2/8 Parameter Test Conditions Forward Transconductance V DS > I D(on) x R DS(on)max Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance V DS = 25 V f = 1 MHz I D = 10 A V GS = 0 Min. Typ. 9 13.5 3600 460 55 Max. Unit S 4700 600 75 pF pF pF STW20NB50 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) SWITCHING ON Symbol Typ. Max. Unit t d(on) tr Turn-on Time Rise Time Parameter V DD = 250 V ID = 10 A VGS = 10 V R G = 4.7 Ω (see test circuit, figure 3) Test Conditions 32 15 43 21 ns ns Qg Q gs Q gd Total Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain Charge V DD = 400 V 85 21 37 110 nC nC nC Typ. Max. Unit 20 25 47 27 33 62 ns ns ns Typ. Max. Unit 20 80 A A 1.6 V I D = 20 A Min. V GS = 10 V SWITCHING OFF Symbol tr(Voff) tf tc Parameter Off-voltage Rise Time Fall Time Cross-over Time Test Conditions Min. V DD = 400 V ID = 20 A R G = 4.7 Ω V GS = 10 V (see test circuit, figure 5) SOURCE DRAIN DIODE Symbol Parameter Test Conditions ISD I SDM (•) Source-drain Current Source-drain Current (pulsed) V SD (∗) Forward On Voltage I SD = 20 A Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current I SD = 20 A di/dt = 100 A/µs V DD = 100 V T j = 150 o C (see test circuit, figure 5) t rr Q rr I RRM Min. V GS = 0 700 ns 9 µC 25 A (∗) Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % (•) Pulse width limited by safe operating area Safe Operating Area Thermal Impedance 3/8