Título: Caracterización opto-electrónica de silicio sobresaturado con impurezas profundas Alumno: Oferta Abierta Director: David Pastor Pastor Sinopsis El silicio sobresaturado es un material que está generando gran interés debido a su potencial para incrementar drásticamente la eficiencia en las células solares fotovoltaicas, recolectando los fotones de la región infrarroja del espectro solar que tradicionalmente están desaprovechados con este semiconductor. En este trabajo se plantea la caracterización opto-electrónica de capas de silicio sobresaturado con impurezas que crean centros profundos. Para ello el alumno se integrará en una línea de investigación dentro del Grupo de Láminas Delgadas y Microelectrónica que busca incrementar la eficiencia en células solares fotovoltaicas. Objetivo general Caracterización óptica y eléctrica de silicio sobresaturado con impurezas profundas con diferentes parámetros para determinar las condiciones óptimas de absorción y fotogeneración del material en la región infrarroja del espectro. Objetivos específicos: Determinación de los parámetros de concentración de impurezas y espesor de capa óptimos que se pueden fabricar con una excelente recuperación de la estructura cristalina para optimizar la fotogeneración de portadores en la región del infrarrojo. Metodología • • • Simulación de los principales parámetros de implantación iónica para obtener la distribución de la concentración de impurezas con la profundidad. Las tecnologías que se utilizarán para la fabricación del silicio sobresaturado son la implantación iónica y el recocido con láser pulsado Caracterización de sus propiedades estructurales (microscopía electrónica), ópticas (espectroscopia infrarroja), eléctricas (medidas de corriente en función de la tensión y/o la temperatura) y optoelectrónicas (medida fotoconductivad) Este trabajo combina la simulación con la fabricación y la caracterización experimental, lo que proporciona una visión global de la investigación en un laboratorio. Resultados esperados En este trabajo se esperan obtener los parámetros óptimos de absorción y fotogeneración en capas de silicio sobresaturado. En función de los resultados obtenidos se espera que el trabajo de lugar a una publicación científica.