CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLITICOS Evolucion de los Circuitos Electronicos Cableados C O N F I A B I L I D A D Impresos Hibridos P O T E N C I A V O L U M E N Monoliticos 1 El primer Computador The Babbage Difference Engine (1832) 25,000 parts cost: £17,470 Microelectrónica © Prentice Hall 1995 ENIAC – La primera computadora electrónica (1946) Microelectrónica © Prentice Hall 1995 2 Intel 4004 Micro-Processor Microelectrónica © Prentice Hall 1995 Intel Pentium (II) microprocessor Microelectrónica © Prentice Hall 1995 3 Vista de un Chip Intel? Time Magazine, July 1998 EVOLUCION DE LOS CI.PDF 4 5 6 7 Numero de transistores en un CHIP 8 9 VLSI:Very Large Scale Integration • Integración: Circuitos Integrados – multiples dispositivos en un substrato • Cuán grande es Very Large? • SSI (small scale integration) – 7400 series, 10-100 transistores • MSI (medium scale) – 74000 series 100-1000 • LSI 1,000-10,000 transistores • VLSI > 10,000 transistores (definición original) • ULSI/SLSI (algunos desacuerdos, VLSI > 10M) 10 TECNOLOGIA de FABRICACION 11 12 13 14 15 Fabricación de C.I.M.(Monoliticos.pdf pag 5) Procesos para la Fabricacion de C.I.M. • • • • • • • Fabricacion del Sustrato Crecimiento Epitaxial Colocación de impurezas Fotolitografia Metalizacion Pasivación Encapsulado 16 VER Fonstad_MicroelecDevCkt_2006EEd Pagina 637 → Procesos para la Fabricación de C.I.M. Crecimiento Xtalino. Fabricación del Sustrato Crecimiento Epitaxial 17 Crecimiento Xtalino. Fabricación del sustrato 1. 2. 3. 4. Silicio poli cristalino Refinado del silicio poli cristalino (Silicio de grado electrónico) Fabricación de barras de silicio mono cristalino (1 mt. de largo x 30 cm de diámetro) Obtención de las obleas (Corte de discos de silicio) a) Espesor 400 μm a 600 μm b) 10 defectos por cm2 en cualquier sección transversal 18 19 20 Crecimiento Epitaxial Oxidación Aplicación de Fotoresist Fotolitografía Enmascarado Revelado Etching (Remoción del oxido) 21 22 FOTOLITOGRAFIA 23 Difusión Colocación de Impurezas Implante Iónico DIFUSION DE IMPUREZAS 24 DIFUSION DE IMPUREZAS DIFUSION DE IMPUREZAS 25 26 CONEXIONADO 27 28 Corte transversal de un inversor CMOS 29 30 31 VER standards-revolutionary-22nm-transistortechnology-presentation 32 33 34 35 36 37 38 39