Curso 1: Dispositivos micro/nanométricos Profesora: Dra. Gloria

Proyecto FORTIN (Ref. D/024/124/09), PCI 2009
Fortalecimiento institucional de las actividades de
postgrado e investigación en sistemas electrónicos
integrados en el Instituto Superior Politécnico José Antonio
Echeverría para el avance en I+D+i en la sociedad cubana
Curso 1: Dispositivos micro/nanométricos
Profesora: Dra. Gloria Huertas Sánchez
Objetivos:
1. Proporcionar los conocimientos sobre la física y el modelado de los
dispositivos que son necesarios como una buena base para poder diseñar y
construir los circuitos y sistemas electrónicos actuales.
2. Introducir los procesos de fabricación de las tecnologías de circuitos
integrados actuales. Conocer los dispositivos activos y pasivos que están
disponibles en dichas tecnologías y aprender a modelarlos, tanto desde un
punto de vista físico como circuital.
3. Conocer la problemática de los dispositivos en tecnologías CMOS
submicrométricas y describir los nuevos fenómenos que aparecen a dicha
escala.
Contenidos:
Revisión de fundamentos y dispositivos semiconductores. Estructura, análisis y
características del transistor MOSFET. Procesos tecnológicos para CIs: pasos de
fabricación en CIs, proceso de fabricación CMOS básico, procesos CMOS actuales,
secuencia de fabricación, novedades tecnológicas, tendencias en procesos CMOS,
ejemplos
de
tecnologías
reales.
Dispositivos
activos
en
tecnologías
submicrométricas. Efectos de la miniaturización: degradación de la movilidad,
variaciones de la tensión umbral, efectos debidos a campos elevados, ionización de
impacto y ruptura por avalancha, efecto túnel “banda a banda”, efecto túnel en el
óxido, portadores calientes, corriente de fuga inducida por la puerta, ruptura del
óxido, etc. Efectos parásitos (resistencias de drenador y fuente, resistencia de
puerta, capacidades parásitas de unión y de solapamiento). Modelos de simulación.
Características de los modelos básicos de distinto nivel. Modelos avanzados.
Filosofía de los modelos de segunda generación: BSIM, HSPICE Level 28 y BSIM.
Tendencias en el modelado del MOSFET, medida y extracción de parámetros,
modelos estadísticos, “corners” del proceso, parámetros de peor caso, análisis de
MonteCarlo.