tecnologia de memoria

TECNOLOGIA DE MEMORIA
1.
2.
INTRODUCCION
¿QUÉ ES LA MEMORIA?
2.1
2.2
¿Qué aspecto tiene la memoria?
Bancos y esquemas de memoria
3.
¿CÓMO TRABAJA LA MEMORIA?
4.
LOS DIFERENTES TIPOS DE MODULOS DE MEMORIA
5.
FACTORES CARACTERISTICOS DE LA MEMORIA
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
5.1
5.2
5.3
5.4
SIMM de 30 contactos
SIMM de 72 contactos
Tarjetas PCMCIA de memoria
Módulos DIMM
Small Outline DIMM (SO-DIMM)
Integridad de datos
El controlador de memoria
Control de paridad
ECC
Refresco
Voltaje
Módulos compuestos y no compuestos
6
TIPOS DE MEMORIA
7
8
9
10
LA MEMORIA CACHE
LA MEMORIA DE VIDEO
MEMORIA NO VOLATIL: ROM
EL FUTURO
6.1
6.2
6.3
6.4
FPM (Fast Page Mode)
EDO (Extended Data Out)
BEDO DRAM (Burst Extended Data Out Dynamic RAM)
SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)
INTRODUCCION
Hoy por hoy, independientemente de la memoria RAM de que disponga un ordenador,
nunca parece suficiente. Y es que en la actualidad, la memoria se ha convertido en uno de los
recursos básicos de un ordenador, más aún teniendo en cuenta las necesidades de las actuales
aplicaciones software. Hace unos años, era raro encontrar equipos con más de 1 ó 2 Mb de RAM.
Hoy por hoy, cualquier sistema suele disponer de un mínimo de 8 Mb, aunque muchas aplicaciones
aconsejan un mínimo de 16 Mb y algunas otras (de alto rendimiento) requieren de 32 Mb en
adelante.
Para hacernos una idea de cómo han cambiado las cosas, basta recordar una frase del libro
“Dentro del PC”, publicado por Peter Norton en 1983:
“IBM ha equipado a todos sus ordenadores XT con lo que considera deben ser las
características mínimas para un ordenador personal serio. 10 Mb de disco duro y 128 Kb (un
octavo de Mb) son capacidades comprensibles para una máquina seria”
1.
¿QUÉ ES LA MEMORIA?
En el campo de la informática, se emplea la palabra memoria para referirse comúnmente a la
Memoria RAM (Random Access Memory, memoria de acceso aleatorio). Un ordenador utiliza la
memoria RAM para almacenar temporalmente instrucciones y datos necesarios para la ejecución de
programas. Esto hace posible que la unidad central de proceso (CPU o microprocesador) pueda
acceder muy rápidamente a los datos.
A menudo alguna gente confunde la memoria con los dispositivos de almacenamiento
masivo. El término memoria hace referencia a la cantidad de RAM instalada en el sistema,
mientras que el término almacenamiento hace referencia a la cantidad de espacio disponible en el
disco duro para almacenamiento físico de datos. Otra diferencia muy importante es que los datos
almacenados en RAM desaparecen al desconectar el ordenador de la alimentación eléctrica. Esto no
ocurre con los discos duros. Es muy importante, por ello, salvar nuestro trabajo para que pase de
memoria a disco duro y así evitemos pérdidas de información.
1.1
¿Qué aspecto tiene la memoria?
La memoria RAM suele estar integrada en forma de circuitos integrados, conocidos como
DRAM (Dynamic Random Access Memory, memoria dinámica de acceso aleatorio). El DRAM es
el tipo de chip de memoria más común en el mercado. La calidad de estos chips es un factor
determinante a la hora de determinar su durabilidad y su tolerancia frente a fallos. La denominación
de dinámica indica que para que el chip de memoria mantenga sus datos necesita ser refrescado o
actualizado periódicamente. En cuanto a estos chips se les deja sin alimentación eléctrica, los datos
se pierden. “Acceso aleatorio” significa que cada celda de memoria del chip puede ser leída o
escrita en cualquier orden.
Los bits de la DRAM están dispuestos en celdas, cada una de las cuales contiene un número
determinado de bits. Las celdas de la DRAM están colocadas en forma de matriz y se accede a ellas
mediante una dirección de filas y columnas.
Un acceso típico a DRAM comienza por especificar la fila y después la columna. Después,
una señal dentro del chip se activa para determinar si el acceso que se está haciendo es de lectura o
escritura. Finalmente, el chip DRAM mueve el dato hacia o desde el bus de salida, dependiendo de
que sea una lectura o una escritura.
TSOP.
Los chips de memoria DRAM suelen venir principalmente en tres formas: DIP, SOJ y
Los DIP (Dual Inline Package) fue un tipo de encapsulado muy popular en
los tiempos en que los circuitos de memoria se pinchaban directamente en la
placa. Podían aparecer soldados o incrustados en los zócalos en la placa.
Los SOJ (Small Outlined J-Lead) son otro tipo de encapsulado de memoria
que se montan directamente sobre la superficie del circuito impreso.
Finalmente, los TSOP (Thin, Small Outlined Package) se afianzaron en el
mercado con el nacimiento de los módulos SIMM hasta el punto de convertirse
actualmente en la forma de encapsulado DRAM más extendida.
Uno de las formas más comunes de integración de los chips DRAM es en forma de SIMM
(Single In-Line Memory Module, Módulo de memoria simple en línea) y DIMM (Dual In-Line
Memory Module, Módulo de memoria dual en línea). Un SIMM consiste en un determinado número
de chips DRAM integrados en una placa de circuito impreso que se inserta en un zócalo específico
de la placa base. Un DIMM presenta la misma estructura, aunque con un número diferente de
contactos, además de otras características que se verán más adelante.
Existen dos tipos de SIMM: de 30 y de 72 contactos. Los primeros ya prácticamente están
obsoletos. Los DIMM, por su parte, tienen 168 contactos y es hoy por hoy el tipo de memoria que
más se integra en las actuales placas base.
1.2
Bancos y esquemas de memoria
La memoria se organiza en los ordenadores en lo que se llaman bancos de memoria. El
número de bancos así como su configuración varía de un ordenador a otro ya que esto está
determinado por la forma en que cada microprocesador recibe la información. Las necesidades del
microprocesador son las que determinan el número de zócalos de memoria requeridos en cada
banco.
Un esquema de bancos es un diagrama de filas y columnas que muestra el número de
zócalos de memoria de un sistema. Esta representación visual es una distribución teórica de los
bancos que ayuda al usuario a determinar los requerimientos de configuración cuando se añade
memoria.
2.
¿CÓMO TRABAJA LA MEMORIA?
2.1
Bits y bytes
Nuestro ordenador habla un lenguaje compuesto únicamente por ceros y unos. Esta forma de
comunicación se denomina sistema digital binario, o en el caso de los ordenadores, código máquina.
Este lenguaje máquina utiliza secuencias de ceros y unos para componer las instrucciones que
posteriormente reciben los diferentes dispositivos del ordenador, tales como microprocesador,
periféricos, unidades de disco duro, etc.
Un bit (BInary digiT) es la mínima unidad de información empleada por un ordenador, y
solamente puede tomar valor 0 o 1. Un byte es la agrupación de 8 bits. Los bytes nos sirven para
agrupar los caracteres (letras, números y una serie de signos adicionales) según un código estándar
internacional denominado ASCII (American Standard Code for Information Interchange). Todos
estos símbolos ASCII (hasta un total de 255) son los que se almacenan en memoria y con los que
trabaja internamente el ordenador.
Internamente, el intercambio de datos entre microprocesador y memoria se hace en
agrupaciones de bits denominadas palabra. Por ejemplo, un microprocesador con arquitectura de 32
bits puede leer o escribir en cada momento 32 bits y decimos que tiene una longitud de palabra de
32 bits. A esto se le llama ciclo de bus y es un factor determinante a la hora de medir las
prestaciones de un ordenador.
3.
LOS DIFERENTES TIPOS DE MODULOS DE MEMORIA
3.1
SIMM’s de 30 contactos
Son los SIMM propios de las primeras placas base con micros de 32 bits (386 y 486).
Supongamos una de estas placas con zócalos de 30 contactos, cada uno de los cuales soporta 8 bits
de datos. Necesitaremos 4 SIMM’s de 30 contactos para conseguir los 32 bits. Típicamente, estas
placas tienen 8 zócalos divididos en dos bancos de 4 zócalos cada uno. El microprocesador sólo
puede direccionar uno de los dos bancos en cada momento.
En algunos ordenadores, el hecho de mezclar SIMM’s de diferente capacidad en el mismo
banco, puede producir efectos tales como una mala detección de la cantidad de memoria del
sistema, o que el ordenador no arranque.
3.2
SIMM’s de 72 contactos
Los SIMM de 72 contactos se desarrollaron para satisfacer
los requerimientos de expansión de memoria cada vez mayores. Un
SIMM de 72 contactos soporta 32 bits de datos, es decir, cuatro
veces el número de bits de datos soportado por los SIMM de 30
contactos. En placas base con micros de 32 bits (Intel 386 y 486) se
necesita sólo un SIMM de 72 contactos por banco para proporcionar
al microprocesador los 32 bits de datos.
64 bits necesarios.
Con los microprocesadores Pentium, al tener 64 bits para
comunicaciones externas (aunque internamente sean micros de 32
bits), se necesita utilizar grupos de dos SIMM para proporcionar los
3.3
Memoria en tarjetas PCMCIA
Las tarjetas PCMCIA (Personal Computer Memory
Card International Association), del tamaño de una tarjeta de
crédito, aunque más gruesa, están diseñadas para su uso en
ordenadores portátiles, siendo su uso ideal en ordenadores
donde el espacio está limitado. Estas tarjetas PCMCIA, se
utilizan, entre otras cosas para proporcionar expansión de
memoria en este tipo de ordenadores. Existen otros tipos de
tarjetas PCMCIA para portátiles, no necesariamente de
memoria, tales como las tarjetas modem-fax o las tarjetas Ethernet.
3.4
Módulos DIMM
Los módulos DIMM (Dual In-Line Memory Module) son similares a los SIMM, aunque con
notables diferencias. Al igual que los SIMM, los DIMM se instalan verticalmente en los sockets de
memoria de la placa base. Sin embargo, un DIMM dispone de 168 contactos, la mitad por cada
cara, separados entre sí. Los DIMM se instalan en aquellas placas que soportan típicamente un bus
de memoria de 64 bits o más. Típicamente, son los módulos que se montan en todas las placas
Pentium-II con chipset LX, y hoy por hoy se han convertido en el estándar en memoria.
3.5
Small Outline DIMM (SO-DIMM)
Otro tipo de memoria típicamente utilizada en ordenadores portátiles es la llamada SODIMM. Un SO-DIMM es muy parecido a un SIMM de 72 contactos, pero en un tamaño reducido y
con una serie de diferencias técnicas.
4.
FACTORES CARACTERISTICOS DE LA MEMORIA
4.1
Integridad de datos
Uno de los aspectos en el diseño de la memoria implica el asegurar la integridad de los datos
en ella almacenados. Actualmente, existen dos métodos principales para asegurar la integridad de
los datos:
1. Paridad: ha sido el método más común usado hasta la fecha. Este proceso consiste en
añadir un bit adicional por cada 8 bits de datos. Este bit adicional nos indica si el número
de unos es par o impar (igual se puede hacer con los ceros. A esto se denomina criterio
de paridad par o impar).
2. Códigos de Corrección de Errores (ECC): Es un método más avanzado de control de
la integridad de los datos que puede detectar y corregir errores en bits simples.
Debido a la competencia de precios, la norma más habitual es la de no introducir métodos de
control de la integridad de los datos en la memoria, siendo más caros aquellos módulos que sí
incluyen alguno de estos dos métodos de control de errores.
El controlador de memoria
También conocido como MMU (Memory Manager Unit, unidad de manejo de memoria), es
un componente esencial en cualquier ordenador. Simplemente es un chip (actualmente suele venir
integrado como parte de otro chip o del microprocesador) cuya función consiste en controlar el
intercambio de datos entre microprocesador y memoria. El controlador de memoria determina el
funcionamiento del control de errores, si es que existe.
Es muy importante determinar la necesidad de introducir o no un sistema de memoria con
control de integridad. Generalmente esto se implementa en grandes servidores y ordenadores de alto
rendimiento donde la integridad de datos es un factor importante.
Control de Paridad
Cuando se implementa un sistema de paridad en un sistema informático, se almacena un bit
de paridad por cada 8 bits de datos. Existen dos métodos de control de paridad: paridad par y
paridad impar, dependiendo de que aquello que se controle sea el número de ceros o de unos en
cada grupo de ocho bits en memoria. El método de control de paridad tiene sus limitaciones. Por
ejemplo, un sistema de control de paridad, puede detectar errores, pero no corregirlos. Incluso
puede darse el caso de que varios bits sean erróneos y el sistema no detecte error alguno.
ECC
Este es un método que se implementa en grandes servidores y equipos de altas prestaciones.
La importancia de este método es que es capaz de detectar y corregir errores de 1 bit. Todo esto
ocurre sin que el usuario tenga constancia de ello. Cuando se detectan múltiples errores en varios
bits, el sistema acaba por devolver un error de paridad en memoria.
4.2
Refresco
Un módulo de memoria está fabricado a base de celdas eléctricas. El proceso de refresco
recarga esas celdas, que se distribuyen en el chip en forma de filas. La tasa de refresco hace
referencia al número de filas que se deben refrescar. Dos tasas de refresco típicas son las de 2 y 4
Kb.
Unos componentes DRAM especialmente diseñados son aquellos que emplean tecnología de
autorefresco, que hace posible que los componentes se refresquen a sí mismos. Esta tecnología de
autorefresco, que se integra dentro del propio chip, reduce dramáticamente el consumo de energía y
se emplea frecuentemente en ordenadores portátiles.
4.3
Voltaje
Las memorias de ordenador operan típicamente a 5 o a 3,3 voltios. Hasta hace poco, el
estándar eran los 5 voltios. Actualmente, los chips operan a 3,3 voltios, trabajan más rápido y
consumen menos energía.
4.4
Módulos compuestos y no compuestos
El termino compuesto y no compuesto hace referencia al número de chips usados en un
módulo de memoria determinado. Un módulo no compuesto es aquel que emplea pocos chips. Estos
chips deben tener una muy alta densidad de integración. Esto hace posible integrar mayor cantidad
de memoria en el mismo módulo, cuando antes, con los módulos compuestos se necesitaba un
mayor número de chips para conseguir la misma cantidad de memoria.
5.
TIPOS DE MEMORIA
5.1
FPM (Fast Page Mode)
El Fast Page Mode DRAM es un tipo de memoria más rápida que la DRAM estándar gracias
a su habilidad para trabajar con páginas. Una página se puede describir como la sección de memoria
disponible dentro de la misma fila. En cada fila de memoria nos encontramos con bastantes
columnas de bits. Con la memoria FPM sólo se necesita saber la dirección de la fila que indica la
dirección de página. De esta forma, en accesos sucesivos a la misma página sólo tendremos que
seleccionar la dirección de la columna, lo que ahorra tiempo en el acceso a memoria.
5.2 EDO (Extended Data Out)
Es una de las innovaciones que surgieron en la tecnología de memoria. En una placa base
diseñada para soportar memoria EDO, esta memoria permite al microprocesador acceder a ella de
un 10 a un 15 % más rápidamente en comparación con la antigua tecnología FPM.
La memoria EDO trabaja de forma parecida a la FPM, es decir, mediante páginas, pero la
EDO mejora considerablemente los ciclos de tiempos, ya que permite al controlador de memoria
acceder a una nueva columna mientras se lee el dato de la dirección actual.
Pero la EDO tiene dos características más que la hacen especial: Su diseño de memoria
ofrece un ancho de banda mayor y una frecuencia de acceso simplificada. Por ejemplo, mientras
que una memoria FPM estándar de 60 ns. presenta un ciclo de tiempo de 40 ns, una EDO de 60 ns.
presenta un ciclo de tan sólo 25 ns.
5.3 BEDO DRAM (Burst Extended Data Out Dynamic RAM)
Representa un paso más en la evolución de la memoria EDO, al incluir una etapa pipeline de
segmentación encauzada y un contador burst de 2 bits. En términos de porcentaje, la memoria
BEDO es el doble de rápida que la FPM, y del orden de un 30.35 % más rápida que la EDO. En la
siguiente tabla se resumen las frecuencias para los distintos tipos de memoria DRAM con diferentes
tiempos de acceso:
Tiempo de acceso
70 ns
60 ns
50 ns
FPM
25 Mhz
28 Mhz
33 Mhz
EDO
33 Mhz
40 Mhz
50 Mhz
BEDO
50 Mhz
60 Mhz
66 Mhz
5.4 SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)
Representa la última innovación tecnológica en memoria. La memoria SDRAM se
implementa en los módulos DIMM y utiliza un reloj para sincronizar la lectura y la escritura en un
chip de memoria. Este reloj está sincronizado con el reloj interno del microprocesador, lo que hace
que el rendimiento en lectura/escritura entre microprocesador y memoria se dispare
considerablemente. El interés principal por la SDRAM estriba en el hecho de que son capaces de
alcanzar frecuencias de accesos superiores a los 100 Mhz.
6 LA MEMORIA CACHE
La caché es una memoria especial de alta velocidad, diseñada para acelerar el procesamiento
de instrucciones del microprocesador, el cual, puede acceder a los datos almacenados en caché
mucho más rápidamente que a aquellos datos almacenados en la memoria RAM. A modo de
ejemplo, un Pentium a 100 Mhz, tarda 180 nanosegundos en leer un dato de la RAM, mientras que
tan sólo tarda 45 nanosegundos en leerlo de la caché.
Los tipos de memoria caché incluyen la caché de nivel 1 (L1, la que está incluida en el
microprocesador) y la caché de nivel 2 (L2, la que se incluye generalmente en la placa base). A esto
también se le conoce como caché interna y externa.
En cuanto a la caché de nivel 2 (L2), existen dos formas de organización típicas: writeback y
writetrough. Estas dos formas se pueden elegir en BIOS, siendo la más aconsejable la writeback.
La memoria caché puede funcionar de forma síncrona o asíncrona, según el tipo, pero los
chips síncronos son más caros. Como alternativa intermedia, la caché que se suele implantar en
todas las placas base es la denominada burst pipelined, que ofrece unas características similares a la
caché síncrona, pero es más barata.
7 LA MEMORIA DE VIDEO
La RAM de vídeo de las diferentes tarjetas gráficas varía en calidad y cantidad. La cantidad
no tiene mucho que explicar: a mayor cantidad de RAM de vídeo, mayor número de colores
simultáneos en pantalla y mayores resoluciones, así como mayores capacidades gráficas en
aplicaciones 3D.
En cuanto a los diferentes tipos de RAM de vídeo analizaremos cada una de las existentes.
•
DRAM (Dynamic RAM): También denominada Fast Page o FPM es la misma que
empleaban los ordenadores 486 y la primera que comenzó a usarse en gráficos. Cada
celdilla de memoria se carga o no eléctricamente. La carga significa 1 y la descarga un 0.
Lo de dinámica significa que la memoria necesita ser refrescada varias veces por
segundo para conservar su contenido, y durante este refresco no puede ser accedida. Esta
memoria sólo puede hacer una cosa cada vez (leerse o escribirse, pero no ambas cosas
simultáneamente). Es la más barata pero la que menos prestaciones ofrece.
•
VRAM: Es el tipo más común de memoria presente en la mayoría de tarjetas gráficas
actuales. Esta es una memoria de doble puerta que permite escribir y leer
simultáneamente, lo que puede hacer doblar el ancho de banda. Para ello, esta memoria
necesita un controlador especializado. Por otra parte, no es un tipo de memoria que
difiera mucho de la DRAM.
•
EDO RAM (Extended Data Out RAM): Es algo más cara que la DRAM pero tiene una
frecuencia de reloj de 40-50 Mhz y permite un menor tiempo de acceso, lo que
incrementa su ancho de banda (105 Mb/s, frente a los 80 Mb/s de la DRAM). Por otra
parte no hay más diferencia. Se puede considerar una mejora de la DRAM.
•
CDRAM y 3D RAM: Mitsubishi diseñó inicialmente la CDRAM (Cached DRAM) y a
partir de ahí se creó un tipo de memoria optimizada para renderización de gráficos 3D
con la incorporación de una ALU (Unidad Aritmético Lógica) dentro del chip, una
unidad de comparación y acceso serie, buffers de vídeo y otras funciones: la 3D RAM.
Esta también es una memoria de doble puerta. Actualmente, la memoria CDRAM se
utiliza para el almacenamiento de texturas, y la 3DRAM para operaciones como Zbuffering.
•
MDRAM (Multibank Dynamic Random Access Memory): Emplea la misma tecnología
que la DRAM estándar, pero está configurada en un máximo de 32 bancos, cada uno de
ellos con su propia estructura de filas y columnas. Esto significa que varios procesos
simultáneos pueden acceder de una forma más rápida a la memoria, acelerando el
refresco de la pantalla. Esta memoria se organiza alrededor de un bus común de alta
velocidad por el que puede fluir una gran cantidad de datos.
•
SGRAM (Sinchronous Graphic RAM) / SDRAM (Sinchronous DRAM): Son
memorias de altas prestaciones de reciente aparición en el mercado. Ambas son tipos de
memoria síncronas, lo que hacen que se minimicen los retardos de acceso.
•
WRAM (Windows RAM): Es un tipo de memoria especialmente diseñada para
aplicaciones gráficas. Se puede describir como una VGA de doble puerta y
direccionamiento por bloques. Parte de la ventaja de que los sistemas operativos con
interfaz gráfica tienden a trabajar con numerosas áreas rectangulares del mismo color.
En lugar de tener que direccionar estos rectángulos pixel a pixel, puesto que son
homogéneos, esta memoria permite asignar un mismo valor de color a un bloque
completo de pixels. Esto hace que además emplee menos componentes de silicio, con el
abaratamiento de su coste.
8 MEMORIA NO VOLATIL: ROM
Hasta ahora hemos hablado de memorias volátiles, que pierden la información cuando se les
interrumpe el suministro eléctrico. Hay otro tipo de memorias que no pierden la información: son
las denominadas ROM (Read Only Memory, o memorias de solo lectura).
Este tipo de memoria es la que suele albergar la BIOS (sistema básico de entrada/salida) de
cualquier placa base. En cuanto se enciende el ordenador, el microprocesador busca en la ROM
BIOS y ejecuta el programa en ella almacenado, que lo obliga a realizar una serie de operaciones
iniciales de comprobación. Después le indica que busque en el primer sector (sector 0) del disco
duro o cualquier otro dispositivo de almacenamiento, el arranque del sistema operativo. Debido a
que los tiempos de acceso a una memoria ROM suelen ser bastante altos, generalmente se utiliza
una técnica consistente en pasar estos contenidos a la RAM, mucho más rápida, y ejecutarlo desde
allí. A esta técnica se la denomina shadowing.
Las actuales ROM en realidad no son memorias de sólo lectura, sino que son de tipo FLASH
EPROM, es decir, que se les puede reprogramar el contenido, y pueden ser actualizadas.
9 EL FUTURO
En los próximos años veremos aparecer toda una serie de nuevas tecnologías de memoria,
acorde con la aparición de nuevos microprocesadores más rápidos y aplicaciones que necesiten de
una ejecución ágil.
Entre otros diseños, pronto verán la luz la SDRAM II, también denominada SDRAM DDR
(Double Data Rate, doble tasa de datos), que no será sino una evolución de la actual memoria
SDRAM. También veremos el Direct RAMBUS o RDRAM, un diseño exclusivo desarrollado por
la compañía RAMBUS y que resulta extremadamente rápido y utiliza un canal de banda ancha
reducido para transmitir datos a una velocidad diez veces más rápida que las memorias DRAM
estándar, con frecuencias cercanas a los 500 Mhz.
En la misma línea de investigación, encontramos otras dos variantes, la Concurrent RDRAM
y la Direct RDRAM. La primera está basada en el diseño estándar de la RDRAM, el cual ha sido
mejorado para aumentar su velocidad y rendimiento. El segundo tipo es parecido, pero incorpora
aún más novedades tecnológicas que lo hacen más rápido que la memoria RDRAM concurrente.
Estos tipos de memoria todavía no se utilizan de forma estándar en placas base, aunque ya se
utilizan en consolas de videojuegos (Nintendo 64) y en algunas tarjetas de Creative Labs.
Finalmente, la memoria SLDRAM será el competidor más directo de la RDRAM el próximo
año 1999 cuando se lancen al mercado. La SLDRAM es el resultado de un consorcio de 12
empresas fabricantes de chips DRAM y compañías de hardware. Básicamente es una ampliación en
el diseño de la actual arquitectura SDRAM, que permite extender el actual diseño de 4 bancos a un
total de 16 bancos.