Propiedades ópticas de impurezas donadoras en anillos cuánticos

Rev. Acad. Colomb. Cienc. Ex. Fis. Nat. 39(Supl.):67-76, 2015
doi: http://dx.doi.org/ 10.18257/raccefyn.165
Propiedades ópticas de anillos cuánticos
Ciencias físicas
Propiedades ópticas de impurezas donadoras en anillos cuánticos
sometidos a los efectos combinados de campo eléctrico
y radiación láser intensa no resonante
Carlos Alberto Duque1,*, Álvaro Morales1, Miguel Mora-Ramos2
1
Grupo de Materia Condensada-UdeA, Instituto de Física, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales,
Universidad de Antioquia UdeA, Medellín, Colombia
2
Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma del Estado de Morelos, Cuernavaca, Morelos, México
Resumen
Este trabajo corresponde a un estudio teórico de las propiedades ópticas y de impurezas para un electrón confinado
en un anillo cuántico de GaAs-(Ga,Al)As sometido a los efectos combinados de campo eléctrico estacionario y
radiación láser de alta intensidad no resonante. Los cálculos se hacen en la aproximación de masa efectiva con un
proceso de diagonalización para resolver la ecuación de autovalores del Hamiltoniano. Se estudian la absorción
óptica y los cambios en el índice de refracción. Los resultados obtenidos sugieren un corrimiento al rojo de las
propiedades ópticas en función del campo eléctrico mientras que en el láser no resonante puede inducir efectos
combinados de corrimientos al rojo y al azul. El trabajo es útil para entender las propiedades de impurezas en anillos
cuánticos sometidos a perturbaciones que rompen la simetría azimutal del sistema tales como campos eléctricos
estacionarios y radiación láser no resonante de alta intensidad.
Palabras clave: anillos cuánticos, impureza donadora, propiedades ópticas, campo eléctrico.
Optical properties of donor impurities in quantum rings under the combined effects of electric field and
nonresonant intense laser radiation
Abstract
This work corresponds to a theoretical study of the optical properties of impurities for an electron confined in a
GaAs- (Ga, Al) As quantum ring under the combined effects of stationary electric field and high intensity nonresonant laser radiation. Calculations are made on the effective mass approximation with a diagonalization process
to solve the eigenvalues equation of the Hamiltonian. The optical absorption and the changes in refractive index
are studied. The results suggest a redshift of the optical properties as a function of the electric field while the nonresonant laser can induce combined effects of redshifts and blueshifts. The work is useful for understanding the
properties of impurities in quantum rings subjected to perturbations which break the azimuthal symmetry of the
system such as non-stationary resonant electric fields and high-intensity laser radiation.
Key words: Quantum rings, donor impurity, optical properties, electric field.
Introducción
El reciente progreso en la tecnología de nanofabricación
ha hecho posible el diseño y la producción de nuevas
estructuras y nuevos dispositivos sobre la base de materiales
semiconductores y dieléctricos, en los cuales es posible
observar una importante variedad de fenómenos físicos
novedosos. Entre ellos se pueden mencionar, la observación
de estados moleculares en puntos cuánticos espacialmente
acoplados (Bayear, et al., 2001) y la formación de anillos
cuánticos de tamaño nanométrico (García, et al., 1997),
que son análogos nanoscópicos del benceno. En particular,
la fabricación de anillos cuánticos semiconductores ha
despertado gran interés por la realización de los fenómenos
cuánticos topológicos, que se espera se manifiesten en
sistemas de geometría reducida (Aharonov & Bohm,
1959). Por ejemplo, Lorke, et al. observaron por primera
vez la respuesta óptica de infrarrojo lejano en anillos cuánticos autoensamblados; revelando cambios en el estado
fundamental inducidos magnéticamente (Lorke, et al., 2000).
Por otro lado, también se ha estudiado la influencia de campos eléctricos laterales sobre las propiedades electrónicas y
ópticas de anillos cuánticos en el régimen de confinamiento
fuerte (Harutyunyan, 2009; Harutyunyan, 2011). Cabe
mencionar que varios de esos estudios han investigado los
*Correspondencia:
Carlos Alberto Duque, cduque_echeverri@yahoo.es
Recibido: 01 de diciembre de 2014
Aceptado: 14 de mayo de 2015
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Duque CA
estados excitónicos; así como las variaciones que se pueden
inducir en el espectro de electroabsorción excitónica. En
otro orden de cosas, Monozon y Schmelcher reportaron
un conjunto de aproximaciones analíticas al problema de
un electrón sometido al efecto de una impureza en anillos
cuánticos en presencia de campos eléctricos y magnéticos
(Monozon & Schmelcher, 2003) , en tanto Aichinger y
colaboradores consideraron los efectos de impurezas y las
variaciones de la geometría sobre los niveles de muchos
electrones confinados en anillos cuánticos sometidos a
campos magnéticos externos (Aichinger, et al., 2006).
En los últimos años se han publicado una gran variedad de
trabajos que tienen como objeto de estudio heteroestructuras
en las cuáles se pueden encontrar ciertas simetrías que
se preservan. Esto ocurre ya sea por la configuración
específica del sistema o por la forma en que se aplican
diversas perturbaciones externas. En los anillos cuánticos,
en particular, se preserva la simetría azimutal (Filikhin,
et al., 2006; Culchac, et al., 2008; Bruno-Alfonso &
Latgé, 2000; Assaid, et al., 2008; Kleemans, et al., 2009).
Muchos de los trabajos teóricos acerca de estos sistemas
se han desarrollado haciendo uso de la aproximación de
masa efectiva, conjuntamente con el empleo de esquemas
de cálculo de distinta naturaleza: variacionales, perturbativos y, más recientemente, mediante el desarrollo de las
funciones de onda en términos de conjuntos completos que
constituyen bases adecuadas del espacio de Hilbert. Todo
esto apuntando al objetivo central que es encontrar las
autofunciones y autoenergías del Hamiltoniano del sistema.
Tales cálculos han sido desarrollados para investigar
distintas clases de problemas, como son: (1) espectros de
electrones y huecos en anillos cuánticos aislados (Filikhin,
et al., 2006) y dobles (Culchac, et al., 2008); (2) estados de
impurezas aceptoras y donadoras poco profundas en anillos
cuánticos con confinamiento rectangular bajo los efectos
cruzados de campos eléctrico y magnético (Bruno-Alfonso
& Latgé, 2000); (3) estados de impurezas poco profundas en puntos cuánticos parabólicos y semiparabólicos
(Assaid, et al., 2008), y (4) complejos excitónicos en
puntos cuánticos verticalmente acoplados bajo los efectos
de campo magnético (Kleemans, et al., 2009). Los
resultados más importantes pueden ser resumidos así:
(1) los niveles excitónicos no aparecen equidistantes y se
desdoblan con el campo magnético, reflejando con ello las
características asociadas a la geometría de los anillos, (2)
las oscilaciones de Aharonov–Bohm de excitones, que son
características de anillos unidimensionales no aparecen en
sistemas de dimensiones finitas, y (3) los campos eléctricos
generan nuevas reglas de selección para las transiciones
inter e intrabanda.
Estudios recientes han reportado el coeficiente de absorción
óptica intrabanda lineal y no lineal en anillos cuánticos
de GaAs aislados bajo los efectos de presión hidrostática
y campo eléctrico (Barseghyan, et al., 2012). Entre los
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resultados arrojados en dicha investigación está que la
variación de los diferentes tamaños característicos de la
geometría de la estructura puede generar corrimientos bien
sea al rojo o al azul de los picos resonantes del espectro
óptico intrabanda. Adicionalmente, se ha demostrado que
la presencia de un campo eléctrico estático conduce a un
desplazamiento hacia el rojo, mientras que la influencia de
la presión hidrostática conduce a un desplazamiento hacia
el azul en los espectros. En la misma línea de la óptica
no lineal, algunos trabajos han reportado los estados de
energía en un complejo D2+ formado por el acoplamiento
de un electrón en la banda de conducción y dos centros
donadores en un anillo cuántico con sección transversal
rectangular, destacando la importante contribución de la
interacción repulsiva entre los dos centros de Coulomb
(Fulla, et al., 2014). En ese reporte se discuten también
las condiciones que conducen a la destrucción de las
oscilaciones Aharonov-Bohm del estado fundamental.
Teniendo en cuenta que las perturbaciones externas aplicadas son herramientas útiles para cambiar las propiedades
electrónicas y ópticas de estructuras semiconductoras, se
han potenciado nuevos estudios que permiten demostrar
teóricamente que las nanoestructuras irradiadas por un
campo de láser intenso (ILF del Inglés) presentan unas
características muy diferentes a las de un semiconductor en
volumen y que los efectos de la radiación se hacen mucho más
pronunciados a medida que se incrementa el confinamiento
de los portadores dada la reducción en la dimensionalidad
de los sistemas (Duque, et al., 2011; Mora-Ramos, et al.,
2013). Así, Peyghambarian et al. reportaron por vez primera
la observación del efecto Stark sobre excitones sometidos a
un ILF no resonante (Peyghambarian, et al., 1989), mientras
Asmar y colaboradores consideraron un gas de electrones
cuasi bidimensional en heteroestructuras de GaAs vestidas
por un campo láser intenso de frecuencias en el rango de los
terahertz (Asmar, et al., 1995). En la actualidad existe gran
desconocimiento sobre la alta capacidad de ajuste de las
transiciones inter-subbanda en sistemas unidimensionales y
bidimensionales bajo los efectos de láser intenso no resonante. También se desconocen los efectos de la aplicación
combinada de radiación de láser intenso y campos eléctricos
estacionarios aplicados en el plano de heteroestructuras
cuasi-bidimensionales. Los efectos de una radiación ILF en
el rango de los terehartz sobre el potencial de confinamiento
de puntos y anillos cuánticos pueden ser importantes para
el diseño de nuevos láseres sintonizables, moduladores
ópticos y detectores de infrarrojos ultra-rápidos.
El presente estudio está dedicado a la modelación de una
impureza donadora poco profunda confinada en un anillo
cuántico que está sometido a los efectos combinados de
un campo eléctrico estacionario y a una radiación ILF
no resonante polarizada en el plano del anillo. El campo
eléctrico estacionario y la polarización de la radiación son
paralelos. Los cálculos se hacen usando las aproximaciones
de masa efectiva y bandas parabólicas. En el proceso de
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Propiedades ópticas de anillos cuánticos
obtener las funciones de onda y energías se hace uso de un
esquema de desarrollo de la función de onda en una base de
funciones sinusoidales asociadas a un electrón confinado en
una región cuadrada de ancho suficientemente grande y que
está restringida por un potencial de confinamiento infinito.
El artículo está organizado de la siguiente manera. En la
sección 2 se describe el marco teórico. La sección 3 presenta
los resultados y discusión de los mismos. Por último, las
conclusiones se resumen en la Sección 4.
Marco teórico
El sistema bajo estudio consiste de un electrón confinado
en un anillo cuántico de GaAs de radios R1 < R2,
rodeado por una matriz de Ga1-xAlxAs, con el origen de
coordenadas localizado en el centro del anillo. Se implanta
una impureza donadora en las coordenadas (x0, y0) y se
aplica un campo eléctrico en dirección negativa del eje
x. El Hamiltoniano para dicho sistema, en coordenadas
cartesianas, está dado por:
(1)
donde m* y e son la masa efectiva y la carga del electrón,
respectivamente, V(x, y) es el potencial de confinamiento
asociado al anillo cuántico,
es la constante dieléctrica
del GaAs, F es la magnitud del campo eléctrico aplicado
y
es la distancia entre la impureza y
electrón [el cual está localizado en el punto de coordenadas
(x, y)]. En el presente modelo el potencial de confinamiento
es cero en la región del anillo (R1 ≤ r ≤ R2) y V(x, y) = V0 en
las demás regiones.
Para introducir los efectos de láser se sigue el modelo de
un electrón en un campo de radiación intensa [ver detalles
en las Refs. (Duque, et al., 2010; Kasapoglu, et al., 2011)].
Esencialmente, el problema se aproxima a considerar la
ecuación 1 con un potencial de confinamiento “vestido”
por el efecto del láser. En ese caso se hace el cambio
, donde (Radu, et al., 2014)
radiación láser incidente (de frecuencia ωd), c es la velocidad
de la luz y A0 es una constante, la cuál ha sido elegida con
polarización lineal en dirección x.
Para hallar las autofunciones y autoenergías del operador
de Hamilton en la ecuación (1), se puede proceder, por
ejemplo, siguiendo un método de diagonalización donde
se haga uso de un conjunto completo de funciones
ortonormales mediante las cuales se pueda hacer un
desarrollo de la función de onda del electrón confinado en
la región de estudio y que está sometido a las diferentes
perturbaciones que han sido consideradas sobre el sistema.
Tal enfoque conduce a la construcción de una matriz
hamiltoniana, a la cual se le buscan sus autovalores y
autovectores, que no son otra cosa que las energías de los
estados cuánticos posibles y los conjuntos de coeficientes
del desarrollo para cada estado, respectivamente. En
el presente estudio se ha usado como base un conjunto
de funciones sinusoidales que son autofunciones del
Hamiltoniano para un electrón confinado en una caja
cuadrada de lados Lx x Ly con potencial de confinamiento
infinito [ver detalles en Ref. (Xia & Fan, 1989)]. Una
vez obtenidas las funciones de onda y las autoenergías
se puede proceder a calcular por ejemplo las propiedades
ópticas lineales y no lineales tales como absorción óptica
y cambios en el índice de refracción.
Usando la técnica de matriz densidad y expresando la
polarización eléctrica en una serie de potencias del campo
eléctrico de la radiación incidente, se puede proceder a
calcular la parte lineal y la corrección de tercer orden del
coeficiente de absorción óptica. Respectivamente, ambas
contribuciones están dadas por [ver detalles en la Ref.
(Martínez-Orozco, et al., 2012)]:
(3)
(4)
(2)
,
. Además,
En la ecuación (2),
es la función de paso unitario de Heaviside y Re (Z)
significa la parte real del número complejo Z. Aquí, la
cantidad α0 (=e A0/(c m* ωd) es el parámetro asociado a la
Pueden calcularse también los coeficientes lineal y no lineal
(de tercer orden) del cambio en el índice de refracción, que
resultan estar dados por
;
(5)
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Duque CA
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(a1)
(b1)
(c1)
(a2)
(b2)
(c2)
(a3)
(b3)
(c3)
(a4)
(b4)
(c4)
(6)
es la energía de
donde
transición inter-subbanda y
es la energía del fotón, de
frecuencia , que genera la transición entre niveles. Por
otra parte,
es proporcional al momento de
dipolo eléctrico de la transición entre los estados
y ,
en tanto que
es proporcional a la tasa de relajación
entre los estados final e inicial. Adicionalmente, σ es la
densidad tridimensional de electrones,
es el índice
de refracción del material (GaAs en este estudio), μ0 es la
permeabilidad magnética del vacío, ϵ0 es la susceptibilidad
del vacío, I es la intensidad de la radiación incidente que
se usa para generar la transición intersubbandas, y c es
la velocidad de la luz en el vacío. Una vez obtenidos los
términos de primer y tercer orden la absorción total es el
resultado de hacer la suma de dichas contribuciones. Igual
procedimiento se sigue para calcular los cambios totales al
índice de refracción.
Resultados y discusión
A continuación se procede a presentar los resultados
obtenidos en el presente estudio. Los parámetros usados
en el cálculo son: m* = 0.0665 m0 (donde m0 es la masa
del electrón libre), Lx = Ly = 70 nm, V0 = 228 meV, (que
corresponde a una concentración de aluminio de x = 0.3 en
las regiones de la barrera), ϵr = 12.58, σ = 3.8 ×1022 m-3, Γif
= 5 THz, I = 0.2 ×1010 W/m2.
En la figura 1 se presenta la función de onda para los tres
primeros estados de un electrón confinado en un anillo
cuántico de GaAs/Ga0.7Al0.3As. De izquierda a derecha
las columnas corresponden, respectivamente, al estado
fundamental, primer y segundo estados excitados. En la
primera fila el sistema corresponde a un electrón confinado
en el anillo sin efectos de impureza y con α0 = 0. En las tres
filas restantes la impureza está localizada en el punto de
coordenadas R1 + R2 ,0 y tres valores del parámetro de laser
2
han sido considerados (α0 = 0,5 nm, 10 nm). En los gráficos
de la primera fila se puede observar, por ejemplo, la simetría
azimutal característica de los estados 1s. Adicionalmente,
notamos que para dicho estado la densidad de probabilidad
decrece en la medida que nos aproximamos hacia las
regiones externas del anillo (tanto para ρ < R1 como para ρ
< R2). Esta situación se debe fundamentalmente a que, para
el estado fundamental, la barrera de potencial se comporta
70
Figura 1. Función de onda para los tres primeros estados de un
electrón confinado en un anillo cuántico de GaAs/Ga0.7Al0.3As con R1
= 5 nm, R2 = 25 nm y α0 = 5 nm. De izquierda a derecha las columnas
corresponden, respectivamente, al estado fundamental, primer y
segundo estados excitados. En la primera fila el sistema corresponde
a un electrón confinado en el anillo sin efectos de impureza y con
F = 0. En las tres filas restantes la impureza está localizada en el
R1 + R2 ,0
punto de coordenadas
(ver el círculo violeta en las
2
tres filas inferiores) y tres valores del parámetro de láser han sido
considerados. Así, desde arriba hacia abajo las filas corresponden
a tres valores del parámetro de laser (α0 = 0,5 nm, 10 nm).
esencialmente como una barrera de altura infinita. En el
caso de los primeros dos estados excitados, se observa el
comportamiento característico tipo 2ρx, 2ρy . Es decir, estados
que son idénticamente nulos en el origen y con lóbulos
marcados en direcciones de los ejes de coordenadas x y y.
La suma de las dos densidades de probabilidad asociadas
a estos dos estados excitados corresponde nuevamente a
una situación de simetría azimutal donde la densidad de
probabilidad resultante es idénticamente igual a cero en
el origen. Aquí es importante resaltar que los dos estados
excitados son degenerados para la energía (E1 = E2).
Al considerar los efectos de una impureza (filas 2, 3 y
4), claramente se observa un rompimiento de la simetría
azimutal. En el caso donde α0 = 0, el estado fundamental
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Propiedades ópticas de anillos cuánticos
Hay dos razones que explican tal clase de comportamiento:
1) para valores pequeños de α0 se produce una reducción a
lo largo de la dirección x del diámetro de los círculos que
forman el anillo, generando con ello un mayor confinamiento
de los portadores y por tanto un incremento de la energía; y
2) para valores altos de α0 aparece un desplazamiento hacia
el azul del nivel de referencia de la energía (el fondo del
pozo de potencial), lo que a su vez implica un crecimiento en
la energía de los portadores. En aquellas situaciones donde
hay impureza y debido a que esta se encuentra ubicada en
puntos de no simetría, se observa que en ausencia de efectos
de láser incluso se pierde la degeneración de los estados. En
presencia de impureza se observa un corrimiento al rojo de
todos los estados, siendo el efecto más pronunciado sobre
el estado fundamental, lo cual se asocia al carácter atractivo
de la impureza que, dependiendo de las dimensiones
de la estructura, puede tender a solapar los efectos del
confinamiento geométrico.
es esencialmente de simetría esférica alrededor de la impureza con pequeñas deformaciones debida a las barreras
de potencial en el anillo. Asimismo, los estados excitados
conservan la forma característica de estados 2p con
rompimientos de simetría debido a la presencia no simétrica
de la impureza. Al incluir los efectos del campo de láser
intenso, α0 = 5 nm, aparece una deslocalización del estado
fundamental, con la función de onda extendida sobre el eje y,
llegando a presentar dos antinodos bien definidos. De igual
manera, se manifiesta un estado 2py muy bien definido dada
la presencia de una barrera central que se induce por efectos
de láser. En cambio, en el caso del estado 2px se observa una
deslocalización de la función de onda debido a los dos pozos
de potencial que se inducen a lo largo de la dirección x.
Claramente, la degeneración de la energía de los dos primeros estados excitados se rompe producto del cambio en la
simetría inducido tanto por la presencia de la impureza como
por el efecto del campo de láser, como puede apreciarse en
las filas 3 y 4 de la Fig. 1.
El efecto de la aplicación de un campo eléctrico estacionario
sobre las funciones de onda de los tres primeros estados
de un electrón confinado en un anillo cuántico de GaAs/
Ga0.7Al0.3As con R1 = 5 nm, R2 = 25 nm y α0 = 5 nm,
aparece representado en la figura 3. En este caso, las filas
corresponden a diferentes configuraciones del campo
eléctrico aplicado; sin la inclusión de átomo de impureza
(primera fila), y con los efectos de una impureza localizada
a lo largo del eje x. Dado que en este caso desde el principio
se está considerando un campo de láser diferente de cero,
está claro que el sistema de entrada no preserva la simetría
Por otra parte, en la figura 2 se presentan los resultados para
la energía de los primeros estados de un electrón en un anillo
cuántico de GaAs/Ga0.7Al0.3As en función de α0 con y sin
efectos de impureza y considerando dos posiciones diferentes
de la misma. En general se observa que en ausencia de
impureza y sin efectos de láser aparecen las degeneraciones
propias de sistemas que tienen simetría azimutal [Fig. 2(a)]
y que todos los estados aquí reportados tienen una energía
creciente en función de α0.
Energía (meV)
140
100
(a)
100
(b)
120
80
80
100
60
60
80
40
40
60
20
20
40
0
0
20
-20
-20
0
2
4
6
8 10
(c)
0
2
4
6
8 10
0
2
4
6
8 10
Parámetro-ILF (nm)
Figura 2. Energía de los primeros estados de un electrón en un anillo cuántico de GaAs/Ga0.7Al0.3As en función de α0. Los resultados son
para R1 = 5 nm, R2 = 15 nm y F = 0. En (a) no se consideran efectos de impureza mientras que en (b) y (c) la impureza está localizada,
respectivamente, en las coordenadas R1 + R2 ,0 y 0, R1 + R2 .
2
2
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(a1)
(b1)
(c1)
(a2)
(b2)
(c2)
(a3)
(b3)
(c3)
(a4)
(b4)
(c4)
Figura 3. Función de onda para los tres primeros estados de un
electrón confinado en un anillo cuántico de GaAs/Ga0.7Al0.3As con
R1 = 5 nm, R2 = 25 nm y α0 = 5 nm. De izquierda a derecha las
columnas corresponden, respectivamente, al estado fundamental,
primer y segundo estados excitados. En la primera fila el sistema
corresponde a un electrón confinado en el anillo sin efectos de
impureza y con F = 0. En las tres filas restantes la impureza está
localizada en el punto de coordenadas R1 +2 R2 ,0 (ver el punto
violeta en las tres filas inferiores) y tres valores del campo eléctrico
han sido considerados De arriba hacia abajo ellos son: (F = 0,20
kV/cm,40 kV/cm).
azimutal, tal como puede apreciarse en las funciones de onda
del problema sin impureza (ver primera fila de la figura 3).
El potencial de confinamiento corresponde a un disco que
se desplaza a lo largo del eje x, teniendo una barrera central
que disminuye de ancho a medida que el potencial aumenta.
Este tipo de potencial, que no es abrupto, genera un mayor
confinamiento sobre los estados de más baja energía y
permite una mayor deslocalización de los estados de más alta
energía. Al considerar los efectos de impureza -segunda fila
de la figura 3-, se observa que el estado fundamental aparece
fuertemente localizado alrededor de la impureza, con un
carácter bastante simétrico dadas las grandes dimensiones
de la sección transversal del anillo. En los paneles b2 y c2
se puede notar que la impureza desplaza hacia ella la nube
electrónica, pero mostrando aún las funciones de onda
72
el carácter 2p de las mismas. Dado que en este caso el
campo eléctrico se aplica en dirección negativa del eje
x, se entiende claramente por qué en las filas 3 y 4 las
funciones de onda se desplazan hacia la posición de la
impureza. Esto, más adelante, explicará la forma creciente
que muestra la energía de enlace a medida que crece el
campo eléctrico, particularmente en el caso de la impureza
a lo largo del eje x.
La dependencia de la energía de los primeros estados
electrónicos en un anillo cuántico de GaAs/Ga0.7Al0.3As, en
función del campo eléctrico aplicado con y sin los efectos de
potencial de impureza se representa en la figura 4. Debido a
que el origen de coordenadas se toma en el centro del anillo,
y dado que el potencial de confinamiento es simétrico con
respecto al mismo puede entenderse por qué, a medida que se
aplique el campo eléctrico se presente un corrimiento al rojo
del mínimo de las energías en el problema. Teniendo esto
en mente, se encuentra la razón por la cual como regla casi
general la energía de todos los estados disminuye a medida
que crece el campo eléctrico, tal como se muestra en todos
los paneles de la figura 4. Nuevamente, como en el caso ya
discutido de la figura 2, el potencial de la impureza aumenta
el confinamiento de los portadores dando como resultado
un corrimiento hacia el rojo de las curvas de energía. Este
fenómeno puede ser apreciado al comparar las figuras 4(b)
y 4(c) con la figura 4(a). En la figura 4 se aprecian algunos
anti-cruces; bien conocidos en la literatura en problemas
de campo eléctrico. Tales anti-cruces se entienden como
intercambios en la simetría de las funciones de onda de los
estados involucrados.
Por otra parte, en la figura 5, se reportan los resultados para los
valores esperados de x (debe recordarse que la polarización
de la radiación que excita el sistema se ha elegido de forma
tal que está escogida en esa dirección) entre diferentes
estados inicial y final [Mfi = Ψf |x|Ψi ] en función del campo
eléctrico aplicado (a) y de α0 (b) para un electrón en un anillo
cuántico de GaAs/Ga0.7Al0.3As con una impureza donadora
localizada en R1 +2 R2 ,0 . Además, en las gráficas 5(c) y 5(d)
se presentan, como funciones del campo eléctrico y de α0,
respectivamente, las energías del estado fundamental, de
los dos primeros estados excitados, así como la energía de
transición entre el estado fundamental y cada uno de los dos
primeros estados excitados. En 5(a), como comportamiento
general, se observa que los diferentes elementos de matriz
son funciones crecientes del campo eléctrico (excepto M02
cuya magnitud es una función decreciente, solo para valores
pequeños del campo eléctrico). Esto está en perfecto acuerdo
con el incremento del solapamiento de funciones de onda y
la fuerte localización de los estados electrónicos alrededor
de la posición de la impureza. Otro aspecto a destacar es
que, para todo el rango de campo eléctrico considerado, el
elemento de matriz M01 es idénticamente nulo. Esto se debe
a la simetría impar que tiene el primer estado excitado con
respecto a la reflexión sobre el eje x.
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50
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50
(a)
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0
-10
-10
-20
-20
-30
-30
-40
-40
-50
-50
40
Energía (meV)
30
20
10
0
-10
-20
50
(b)
0 10 20 30 40 50
0 10 20 30 40 50
Campo eléctrico (kV/cm)
(c)
0 10 20 30 40 50
Figura 4. Energía de los primeros estados de un electrón en un anillo cuántico de GaAs/Ga0.7Al0.3As en función del campo eléctrico
aplicado. Los resultados son para R1 = 5 nm, R2 = 25 nm y α0 = 5 nm. En (a) no se consideran efectos de impureza mientras que en (b) y (c)
la impureza está localizada, respectivamente, en las coordenadas R1 + R2 ,0 y 0, R1 + R2 .
2
(a)
18
2
(b)
10
(c)
60
00
M
11
12
9
40
M
8
00
E
M
4
M
22
22
6
M
2
3
11
-0
01
0
M
-3
02
01
-2
E
-20
2
-40
E
1
40
E
20
02
1
0
02
-80
-4
2
E
-60
M
E
60
0
M
M
80
01
20
6
Energía (meV)
Valores esperados (nm)
15
(d)
100
E
02
M
0
10 20 30 40 50
Campo eléctrico (kV/cm)
0
-100
-6
0
2
4
6
8
10
Parámetro-ILF (nm)
0
10 20 30 40 50
Campo eléctrico (kV/cm)
01
0
E
-6
E
E
-20
0
2
4
6
8
10
Parámetro-ILF (nm)
Figura 5. Valores esperados de x entre diferentes estados inicial y final [Mfi = Ψf |x|Ψi ] en función del campo eléctrico aplicado (a) y de
α0 (b) para un electrón en un anillo cuántico de GaAs/Ga0.7Al0.3As con una impureza donadora localizada en R1 + R2 ,0 . En (c) y (d) se
2
presentan en función del campo eléctrico y de α0, respectivamente, las energías del estado fundamental, de los dos primeros excitados y la
energía de transición entre el fundamental y cada uno de los dos primeros excitados. En (a) y (c) los resultados son para R1 = 5 nm, R2 =
25 nm y α0 = 5 nm, y , mientras que en (b) y (d) los resultados son para R1 = 5 nm, R2 = 15 nm y F = 0. Las flechas verticales en (c) y (d)
corresponden a valores escogidos para el cálculo de propiedades ópticas que son reportadas posteriormente.
Si pasamos a analizar los elementos de matriz en función
de α0, se observan comportamientos mucho más complejos
dado los cambios de simetría que sufren las funciones
de onda en aquellos puntos donde hay anti-cruces (ver
columnas 2 y 3 en la figura 1). Para valores de α0 menores que
1.6 nm, es claro que las transiciones se dan desde el estado
73
Duque CA
Rev. Acad. Colomb. Cienc. Ex. Fis. Nat. 39(Supl.):67-76, 2015
fundamental hacia el primer estado excitado, mientras que
para valores mayores, las transiciones son hacia el segundo
estado excitado. De los resultados mostrados en las figuras
5(c) y 5(d), se concluye que los picos resonantes o ceros en
las estructuras ópticas mostrarán siempre un corrimiento al
azul para valores crecientes del campo eléctrico (ver en la
figura 5(c) la forma en que crecen las flechas que indican las
transiciones para diferentes valores del campo eléctrico).
En el caso de la variación asociada al incremento de α0, se
observa que para valores bajos de dicho parámetro la energía
de transición inter-subbanda es decreciente, indicando un
corrimiento al rojo en las estructuras de las propiedades
ópticas, mientras que para α0 mayor que 4 nm, aparece
un corrimiento al azul. La combinación de los resultados
en las figuras 5(a) y 5(c) o entre 5(b) y 5(d), explicará la
∆n/nr (10-2)
0.8
En la figura 6 hemos representado los resultados del
cálculo de los coeficientes de cambio relativo del índice
de refracción y de absorción óptica en un anillo cuántico
de GaAs/Ga0.7Al0.3As en función de la energía del fotón
incidente; considerando diferentes valores del campo
eléctrico 6(a,c) y de α0 6(b,d). Los datos de entrada y
las dimensiones de las estructuras son los mismos que
se emplearon para obtener la figura 5. Como ya se había
predicho en el análisis de dicha figura, aquí se observa un
corrimiento constante hacia el azul en ambas propiedades
ópticas cuando se incorporan valores crecientes de la
intensidad del campo eléctrico estacionario.
8
(a)
0.4
4
0.0
0
-0.4
-4
-0.8
20
10
20
30
(c)
40
2
3
15
α (103 m-1)
magnitud de los picos resonantes en la absorción óptica y
de los máximos y mínimos en el índice de refracción, como
se verá a continuación.
50
60
0
-50
20
30
40
50
20
60
-100
40
60
18
(d)
4
5
80
100
2
12
1
6
-0
50
0
10
0
100
1
5
4
150
5
-5
3
4
5
10
-8
(b)
3
0
-6
20
40
0
60
20
40
80
60
100
Photon energy (meV)
Figura 6. Cambios en el índice de refracción (a,b) y absorción óptica (c,d) en función de la energía de fotón incidente para transiciones
intersubbandas para un electrón confinado en un anillo cuántico de GaAs/Ga0.7Al0.3As con una impureza donadora localizada en
R1 + R2 ,0 . En (a,c) se presentan resultados para cinco valores del campo eléctrico aplicado (F = 0,10,20,30,40 kV/cm) con R = 5 nm, R
1
2
2
= 25 nm y α0 = 5 nm. En (b,d) se presentan resultados para cinco valores del parámetro de laser (α0 = 0,2,4,6,8 nm) con R1 = 5 nm, R2 = 15
nm y F = 0. Las líneas negras, rojas y verdes corresponden, respectivamente, al término de primer orden, el de tercer orden y el valor total
bien sea para cambios en índice de refracción como absorción óptica.
74
Rev. Acad. Colomb. Cienc. Ex. Fis. Nat. 39(Supl.):67-76, 2015
En otro orden de cosas, al observar las líneas 1, 2 y 3
en 6(b) y 6(d) se detecta un corrimiento al rojo en los
espectros mientras que de la comparación de las líneas 3,
4 y 5 se concluye la existencia de un corrimiento hacia
el azul; tal como se había predicho de la figura 5(d). En
cuanto a las figuras 6(a,c) se observa que la magnitud
del pico resonante en la absorción y de los máximos y
mínimos en los cambios de índice de refracción está
gobernada fundamentalmente por el comportamiento de la
magnitud del elemento M02. Éste, a campos bajos es una
función creciente de la intensidad, y luego se convierte en
una función decreciente de F.
En la figura 6(d) se observa que para valores altos de α0, el
factor dominante en la amplitud de la respuesta óptica de
absorción es la magnitud de la energía de transición intersubbanda mientras que a valores bajos de α0 es dominante el
factor M01. En el caso de cambios en el índice de refracción,
figura la 6(b), en el régimen de valores bajos de α0 la
magnitud de los máximos y mínimos está gobernada por el
factor M01 mientras que en el caso de valores altos de esta
cantidad, tal amplitud está gobernada por M02.
Conclusiones
En este trabajo se ha hecho un estudio teórico de las
propiedades ópticas y de impurezas para un electrón
confinado en un anillo cuántico de GaAs-(Ga,Al)As
sometido a los efectos combinados de campo eléctrico
estacionario y radiación de alta intensidad no resonante.
Los cálculos se han hecho en la aproximación de masa
efectiva haciendo uso de una diagonalización en la cual
se ha considerado un conjunto completo de funciones
sinusoidales para obtener las auto-funciones y autoenergías del problema. Con las auto-funciones y autoenergías se ha procedido a estudiar la absorción óptica
lineal y no lineal y los cambios en el índice de refracción.
Los resultados obtenidos sugieren un corrimiento al rojo
de las propiedades ópticas en función del campo eléctrico
mientras que en el láser no resonante puede inducir
efectos combinados de corrimientos al rojo y al azul.
De los resultados aquí discutidos se concluye que no es
posible hacer predicciones acerca del comportamiento de
las propiedades ópticas lineales y no lineales en anillos
cuánticos que están sometidos a efectos simultáneos
de radiación láser intensa y no resonante, campos
eléctricos estacionarios y centros de impurezas. Siempre
será necesario recurrir a los cálculos numéricos de las
heteroestructuras para así entrar a conocer las diferentes
dependencias de la óptica de éstos sistemas, que pueden, en
general, resumirse en la ocurrencia de corrimientos hacia
más bajas o más altas energías de los picos resonantes –o
de los máximos y mínimos- de los coeficientes ópticos
estudiados, así como en la variación de las amplitudes de
tales respuestas ópticas ante la influencia de los factores
externos considerados.
Propiedades ópticas de anillos cuánticos
Agradecimientos
Los autores agradecen a las agencias colombianas: CODIUniversidad de Antioquia (Estrategia de Sostenibilidad
2014-2015 de la Universidad de Antioquia; proyecto “On the
way to development of new concept of nanostructure-based
THz laser”; proyecto “Propiedades ópticas de impurezas,
excitones y moléculas en puntos cuánticos autoensamblados”),
Facultad de Ciencias Exactas y Naturales-Universidad de
Antioquia (CAD y ALM-proyecto de dedicación exclusiva
2014-2015), El Patrimonio Autónomo Fondo Nacional
de Financiamiento para la Ciencia, la Tecnología y la
Innovación, Francisco José de Caldas.
Conflicto de intereses
Los autores declaran que no tienen conflicto de intereses.
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