Diodos – Características de conmutación i + vi + R D _ 1/RD vo _ vi 1/RI i i P (vo=0; i=V/R) P iD -1/R -1/R 1/RD Q (vo=V; i=0) vo Q iI RD iD 1/RI RI iI vo Diodos – Tiempos de retardo + vi _ + R D vo _ Transistores bipolares - Características de conmutación VCC RC RB IC(sat) VBC=0V P -1/RC RB RC vo + + vo V _ _ iC vo vo vi VCC RC RC + + VCC VCC IB _ IC _ Corte Zona Activa Saturación IB 0 >0 >0 IC ≈0 β IB VCC/RC (<βIB) VO ≈ VCC VCC - RCIC VCE(sat)(≈0) VBE ≤ 0,6V > 0,6V >0,75V VBC ≤0 ≤0 >0 VCC RC C RB + Q IC(corte) VCE(sat) VBE=0,6V VCC v CE vi _ + B vo E _ Transistores bipolares – Tiempos de retardo VCC RC RB + vi _ + vo _ Transistores bipolares – Carga capacitiva en colector VCC RC RB + vi _ + C vo _ Transistores bipolares – Carga capacitiva en emisor VCC RB + + vi RE C vo _ _ τCARGA = (RE Req ) C Req = (RB + hie) / (1+β) τDESCARGA = RE C Carga Descarga vO = VOH + (VOL- VOH) e -t/ τCARGA vO = VOH e -t/ τDESCARGA FETs - Características de funcionamiento D VDS IDS D IDS G VDS D D IDS VDS G G IDS VDS D G G VGS VGS S VGS S VGS S S S iD iD = k VDS 2 VGS3 VGS2 VGS1 VGS=VGST vDS Corte Saturación Zona ohmica VGS < VGST <=(VDS+VGST) >(VDS+VGST) IDS ≈0 = cte. VDS/RON RCH ROFF ≈ ∞ VDS/IDS RON ≈103Ω FETs – Tiempos de retardo VDD RD CGD D + rg + vi _ G CGS S vo CDS _ FET como resistencia de carga VDD D2 G2 VCC R2 S2 D1 + vo RON < R1 < ROFF + vi _ G1 S1 vo _ Bibliografía básica Ginzburg. M. C., Técnicas Digitales con Circuitos Integrados. (B) - Capítulo 9 (Diodos y transistores bipolares) - Capítulo 10 (FETs)