PROCESADORES I PRÁCTICO 1: MEMORIAS OBJETIVO: El

UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN LUIS
Facultad de Ciencias Físico Matemática y Naturales Técnico Universitario en Microprocesadores Ingeniería Electrónica Orientación Sistemas Digitales
2014
PROCESADORES I PRÁCTICO 1: MEMORIAS OBJETIVO: El objetivo de este práctico es que los alumnos refuercen sus conocimientos sobre los distintos tipos de memorias dados en la teoría, sus características y aplicaciones, y ejerciten las distintas secuencias de lectura y escritura típicas de una memoria. ELEMENTOS NECESARIOS: - Conocer los temas dados en la teoría correspondiente. - Hojas de datos de las memorias RAM 7489, 74189, 6116 y de la EPROM 2732 BIBLIOGRAFÍA: - Diseño Digital Principios y Prácticas ‐ John Wakerly (Capítulo 7). - Memory Data Book ‐ National. - Series 8000 Microprocessor Family Handbook ‐ National Semiconductor. - Nonvolatile Memory ‐ Atmel - Hojas de datos de las memorias en http://www.unsl.edu.ar/~pmp CUESTIONARIO 1) Responder las siguientes preguntas: a) ¿Que tipos de memorias hechas con semiconductores conoce? b) ¿Que significa acceso aleatorio? c) ¿Cual es la función del bus de datos y el bus de direcciones de una memoria? d) ¿Que memorias pierden su información cuando se les quita la alimentación? e) ¿Cuál es la cantidad de palabras de una DRAM con 10 líneas de direcciones? f) ¿Cuántos pines como mínimo tendría una memoria ROM de 1K x 4?. Indicar cuales son. g) ¿Cuántos pines como mínimo tendría una memoria RAM de 2K x 8?. Indicar cuales son h) ¿Qué diferencias hay entre las memorias RAM estáticas y las RAM dinámicas? i) ¿Cuando usaría una memoria EEPROM serie? j) Indicar para una RAM de 256 x 8 ‐ La longitud de palabra. ‐ Cuantas palabras contiene. ‐ La capacidad total en bits. 2) ¿Cuál sería el contenido de una memoria ROM de 16x4 para poder implementar las siguientes funciones? F1(d,c,b,a) = (0,2,3,6,8,10) F2(d,c,b,a) = (0,1,2,4,5,8,10,12,15) F3(d,c,b,a) = (,2,,6,9,11) F4(d,c,b,a) = (3,4,5,7,13,14,15) 3) Utilizando la memoria del ejercicio anterior realizar un conversor de BDC natural a exceso 3. UNIVERSIDA
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4) Se tiene u
una memoria RAM 74189 (ver hoja d
de datos) con
n las señales de entradass mostradas en la figura:
Suponiendo
o que originaalmente la m
memoria tenía todos sus vvalores en ce
ero indicar cual es el estaado despuéss de recibir las seeñales indicaadas. Indicar los eestados de laas salidas A B
B C D para caada pulso en el CS. Indicar en q
que pulsos de
e CS se realizza una lecturra y en cuales una escritu
ura. 5) Idem al eejercicio anteerior pero paara la memorria 7489: LABORATORIO o de algunoss de OBJETIVO: La parte de laboratorio tiene como objetivo quee el alumno se familiaricce con el uso
que se mostrraron en la tteoría. En esste práctico sse trabajará con memorrias no volátiles los chips dee memoria q
(EPROM) y memorias vo
olátiles (RAM
M ESTATICAS). OS: ELEMENTOSS NECESARIO
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mas dados en
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nte. - Hojas de datos de las memo
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M 2732 y SRAM 6116. ntos para el cconexionado. - EXLLOG, memorias y elemen
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PARTE 1: MEMORIAS NO VOLÁTILES a) Leer detenidamente las especificaciones de la memoria destinada para esta parte del práctico. b) Identificar cada uno de los pines y montarla sobre el EXLOG. c) Mantener sin energía el EXLOG. d) Hacer el cableado de modo de poder realizar la lectura de una dirección de memoria cualquiera. e) Llamar al encargado de la práctica para verificar las conexiones realizadas y explicarle la secuencia de operaciones que se deben realizar para poder efectuar la lectura de la memoria (conectar los 4 bits menos significativos de los datos a los leds del EXLOG). f) Una vez aprobado por el encargado de la práctica encender el EXLOG y leer el contenido (los 4 bits menos significativos) de 10 direcciones distintas de la memoria. g) Apagar el equipo y encenderlo nuevamente. Leer las mismas direcciones del punto anterior y comparar los resultados. h) Informar de los resultados al encargado de la práctica para verificar los valores obtenidos. PARTE 2: MEMORIAS VOLÁTILES a) Leer detenidamente las especificaciones de la memoria destinada para esta parte del práctico. b) Identificar cada uno de los pines y montarla sobre el EXLOG. c) Mantener sin energía el EXLOG. d) Hacer el cableado de modo de poder realizar la escritura (ver nota al final) de una dirección de memoria cualquiera. e) Llamar al encargado de la práctica para verificar las conexiones realizadas y explicarle la secuencia de operaciones que se deben realizar para poder efectuar la escritura y posterior lectura de un dato en la memoria. f) Una vez aprobado por el encargado de la práctica encender el EXLOG y escribir 5 valores en distintas direcciones de la memoria. g) Leer los valores que se escribieron en el punto anterior en la misma secuencia que fueron escritos y verificar si son iguales. h) Modificar alguno de los valores y leerlo nuevamente. i) Informar de los resultados al encargado de la práctica para verificar los resultados obtenidos. j) Apagar el equipo, encenderlo nuevamente y leer las mismas direcciones del punto anterior. Analizar los resultados. NOTA: para escribir los datos en memoria RAM es muy importante conectar el bus de datos (ya sea a GND ó Vcc) a través de resistencias de 5KΩ para proteger la etapa de salida de chip, como se indica en la siguiente figura: A0
A1
5K
A2
L
A3
A4
5K
L
A6
5K
L
5K
A9
R/W
H
DIO3
A8
CS
H
DIO2
A5
A7
H
DIO1
H
DIO4
L