MEMORIA RAM LA MEMORIA RAM ES UNA COLECCIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS QUE ALMACENAN LA INFORMACIÓN DE MANERA VOLÁTIL Y REPRESENTADA COMO 0´s y 1´s RAM: RANDOM ACCESS MEMORY, MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO, POR CONTRAPOSICIÓN A LAS MEMORIAS MAGNÉTICAS SECUENCIALES, COMO LAS CINTAS UTILIZADAS PARA ALMACENAR INFORMACIÓN DE MANERA PERMANENTE EN LOS AÑOS 50 EN ADELANTE ES VOLÁTIL: CUANDO NO TIENE ALIMENTACIÓN ELÉCTRICA SE BORRA DESDE EL DISEÑO DE VONN NEUMANN, LOS ORDENADORES DEBEN TENER UNA MEMORIA CERCA DE LA CPU, EN LA QUE RESIDE EL O LOS PROGRAMAS EN EJECUCIÓN (AL MENOS EL SISTEMA OPERATIVO) Y LOS DATOS QUE SE ESTÁN PROCESANDO EN CADA PRECISO INSTANTE. EN EL CONJUNTO DEL ORDENADOR, HAY DIFERENTES TIPOS DE MEMORIAS, DESDE LAS EXTERNAS HASTA LOS REGISTROS INTERNOS DEL PROCESADOR. CUANTO MÁS CERCA DEL NÚCLEO DEL PROCESADOR, LAS MEMORIAS TIENEN MENOS CAPACIDAD, PERO SON MÁS RÁPIDAS. INICIALMENTE SÓLO HABÍA REGISTROS INTERNOS Y RAM. POSTERIORMENTE, Y COMO ESTRATEGIA PARA MEJORAR LA VELOCIDAD DE LA MÁQUINA, SE INCLUYERON MEMORIAS CACHÉ DE NIVEL L1, L2 Y L3. ADEMÁS, HAY OTROS COMPONENTES HARDWARE QUE TIENEN MEMORIA, POR EJEMPLO, LA TARJETA GRÁFICA O LAS IMPRESORAS EVOLUCIÓN DE LAS MEMORIAS RAM NÚCLEOS DE FERRITA: ERAN UN ENTRAMADO DE LÍNEAS DISPUESTAS EN FILAS Y COLUMNAS CON UN ANILLO DE FERRITA EN LAS INTERSECCIONES (AÑOS 50) 1 DRAM: DYNAMIC RAM, MEMORIA BASADA EN TRANSISTORES (AÑOS 70). SE CONECTABAN LOS CHIPS DIRECTAMENTE A LA PLACA BASE, OCUPANDO UN ÁREA GRANDE SIPP: SINGLE IN-LINE PIN PACKAGE (PAQUETE DE PINES EN LÍNEA SIMPLE) SE MONTAN VARIOS CHIPS EN UN MÓDULO DE 30 PINES QUE SE ENCAJAN EN UN ZÓCALO. LO USABA EL 80286 2 SIMM: SINGLE INLINE MEMORY MODULES, SON UNA MEJORA DEL SISTEMA ANTERIOR, Y TIENEN CHIPS DE MEMORIA POR UN SOLO LADO (AÑOS 80) DIMM: DUAL INLINE MEMORY MODULES, TIENE CHIPS DE MEMORIA POR AMBOS LADOS. SON UNA MEJORA DEL ANTERIOR. UN CASO PARTICULAR SON LOS SoDIMM PARA PORTÁTILES, DE MENOR TAMAÑO 3 ACTUALMENTE, LOS DIMM SE ENCAPSULAN SEGÚN LA TECNOLOGÍA DDR DOUBLE DATA RATE: CON CAPACIDAD DE TRANSFERIR SIMULTÁNEAMENTE DATOS POR DOS CANALES DISTINTOS EN UN MISMO CICLO DE RELOJ. ADEMÁS SON SÍNCRONAS CON EL BUS DEL SISTEMA (Synchronous DRAM), LO CUAL AUNQUE POSITIVO EN EL RENDIMIENTO FINAL, HACE QUE LA LÓGICA DE INTERCAMBIO DE DATOS DE LA MEMORIA HACIA EL EXTERIOR SEA MÁS COMPLEJA. LOS PARÁMETROS FUNDAMENTALES DE ESTE TIPO DE MEMORIA QUE SE HAN INTENTADO MEJORAR DE UNA VERSIÓN A OTRA SON: • • • TIEMPO DE ACCESO, TAMBIÉN CONOCIDA COMO LATENCIA. CUANTO MENOR SEA, MÁS RÁPIDA SERÁ LA MEMORIA VELOCIDAD DE RELOJ DEL BUS SOPORTADO VOLTAJE: CUANTO MÁS BAJO SEA, MENOR CONSUMO Y TEMPERATURA. A VECES SE PUEDE CONSEGUIR UN MEJOR RENDIMIENTO CON UN MAYOR VOLTAJE Y LA MEMORIA NECESITARÁ DISIPADOR DDR: DOUBLE DATA RATE: • CAPACIDAD MÁX. DE 1GB. • TRABAJA A 2,5V. • TIENE 184 PINES. DDR2: DDR TIPO 2: • TEÓRICAMENTE DOBLA LA FRECUENCIA DE LA ANTERIOR, PERO TIENE MAYOR LATENCIA. • CAPACIDAD MÁX. DE 2GB. • TRABAJA A 1,8V, CONSUME MENOS. • TIENEN 240 PINES. DDR3: DDR TIPO 3. • TEÓRICAMENTE DUPLICA LA VELOCIDAD, PERO NUEVAMENTE AUMENTA LA LATENCIA. • SE PUEDEN FABRICAR MÓDULOS DE HASTA 16GB. • TRABAJA A 1,5V. • TIENE 240 PINES, PERO LA MUESCA ESTÁ EN SITIO DIFERENTE. • SE CREARON PARA LOS DUAL-CORE, QUAD-CORE Y HEXA-CORE. 4 DDR4: DDR TIPO 4. • EN FASE DE PRODUCCIÓN. • TIENEN 288 PINES. • MENOR VOLTAJE. • UNA CAPACIDAD DE 16 A 32 GB. • VELOCIDAD UN 25% MAYOR, SIN TENER EN CUENTA LA LATENCIA. EL PROBLEMA DE LA LATENCIA SI BIEN LA MAYORÍA DE LOS PARÁMETROS HAN IDO EVOLUCIONANDO DE MANERA MUY POSITIVA, HAY UNO QUE SE RESISTE, LA LATENCIA. LA LATENCIA ES LA SUMA DE LOS RETARDOS PRODUCIDOS EN EL ACCESO A LOS COMPONENTES DE LA MEMORIA, QUE INFLUYEN DE MANERA DETERMINANTE EN EL RENDIMIENTO FINAL. EN LAS CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS DE UNA MEMORIA APARECEN COMO CUATRO CIFRAS SEPARADAS POR GUIONES. P. EJ: 5-5-5-15, QUE REPRESENTAN CICLOS DE RELOJ. LOS NÚMEROS CORRESPONDEN CON: • • • • CAS: TIEMPO QUE TARDA LA MEMORIA EN COLOCARSE EN UNA COLUMNA O CELDA RAS TO CAS: RETRASO ENTRE LAS SEÑALES DE COLUMNA Y FILA RAS: CICLOS TRANSCURRIDOS DESDE QUE UNA FILA SE ACTIVA HASTA QUE SE DESACTIVA. VIENE A SER LA SUMA DE LOS TRES ANTERIORES +/- 1 RP: CICLOS DE ESPERA ENTRE DOS PETICIONES DE CARGA DE DATOS PARA INTENTAR MEJORAR ESTE PARÁMETRO Y EL DE LA VELOCIDAD DE TRANSFERENCIA, SE ESTÁN EMPEZANDO A EXPERIMENTAR LOS LLAMADOS CHIPS TRIDIMENSIONALES O 3D QUE CONSISTEN EN APILAR EN VARIAS CAPAS (O “PISOS”) DE CIRCUITOS INTEGRADOS, TANTO PARA PROCESADORES, COMO MEMORIAS, ASÍ COMO HÍBRIDOS (PROCESADOR + MEMORIA). ESTA NUEVA TECNOLOGÍA PLANTEA AÚN VARIOS PROBLEMAS: • CALOR: EN EL CORAZÓN DEL CHIP 3D ES DIFICIL DISIPAR • COMPLEJIDAD DEL DISEÑO • CAMBIOS RADICALES EN EL PROCESO DE PRODUCCIÓN DE LAS GRANDES MARCAS AQUÍ TENÉIS UNA DIRECCIÓN QUE COMENTA LA TECNOLOGÍA HMC PAR HYBRID MEMORY CUBE FABRICANTES 5 ALGUNO DE LOS FABRICANTES MÁS CONOCIDOS SON KINGSTON, MAXTOR, MICRON TECHNOLOGY , RAMBUS Y CORSAIR MEMORY, ESPECIALISTAS EN MEMORIAS DE ALTA GAMA VIDEOS SE RECOMIENDA EL VISIONADO DE LOS SIGUIENTES VIDEOS: • MEMORIAS RAM: MONTAJE DE UN PC (I) • MEMORIAS RAM: MONTAJE DE UN PC (II) • MEMORIAS RAM: MONTAJE DE UN PC (III) 6