Firmado digitalmente por Universidad Tecnológica Querétaro Universidad Tecnológica deNombre de reconocimiento (DN): cn=Universidad Tecnológica de Querétaro, o=UTEQ, ou=UTEQ, de Querétaro email=admin@uteq.edu.mx, c=MX Fecha: 2014.09.09 17:02:55 -05'00' UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE QUERÉTARO Nombre del proyecto: Síntesis y Caracterización de Cerámicos Ferroeléctricos Libres de plomo (Bi1/2,Na1/2,Ba)TiO3 Empresa: CINVESTAV Memoria que como parte de los requisitos para obtener el título de : TÉCNICO SUPERIOR UNIVERSITARIO EN NANOTECNOLOGÍA ÁREA MATERIALES Presenta: Juana Yareli García Rangel Asesor de la UTEQ DRA. BOCARANDO CHACON JACQUELINE GUADALUPE Asesor de la Organización DR. JUAN MUÑOZ SALDAÑA M.C. ADRIANA DEL CARMEN GALLEGOS MELGAR Santiago de Querétaro, Qro. Septiembre del 2014 Resumen En este trabajo se estudia la síntesis y caracterización de cerámicos ferroeléctricos libres de plomo (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3 (BNT) dopado con MnO2, sintetizado mediante reacción en estado sólido asistido por molienda de alta energía en seco. Se obtuvo una densificación de 96.5% (5.78 g/cm3) en la composición BNTBT0.5%Mn con altos valores de Pr= 28.94 µC/cm2 y Ec=23.82 kV/cm. La difracción de rayos-X revela la estructura tipo perovskita. La microscopía electrónica de barrido (SEM) muestra el crecimiento del tamaño de grano de acuerdo al contenido de MnO2. Palabras clave: (cerámicos ferroeléctricos, difracción de rayos-X, microscopía electrónica de barrido, densificación, reacción en estado sólido) Description The multifunctional ceramic laboratory has the necessary ferroelectric ceramic sintering equipment. The instruments are suitable for the required by this work, the working area is clean and tidy. Juan Muñoz Saldaña is tall, he has dark brown hair, wears glasses, is brown skin and has very good disposition to work. Juan Muñoz Saldaña is a person committed to his work, responsable, humble, sincere, always with enthusiasm and dedication to research. 2 Dedicatoria A mis padres, hermanos y mi sobrino Delfina, José Trinidad, Verenice, Blanca, Ulices Goretti y Emilio A mis padres por haberme apoyado siempre y estar ahí a pesar de las adversidades que se me presentaron durante este tiempo. En especial a mi mamá Delfina, por escucharme siempre que estaba molesta, por la paciencia que tuvo y ha tenido siempre hacia mí, pero sobre todo por su amor y cariño, lo que me hizo continuar siempre con mi objetivo y así poder lograrlo. A mi padre porque me apoyo en todos estos años y por decirme lo orgulloso que estaba de mí, lo cual nunca pude olvidar y me inspiró a ser mejor cada día, para seguir estando orgulloso de mí. A Bere por estar ahí casi siempre, de alguna manera u otra, buena o mala, pero siempre ahí, además de que tú me brindaste mi primer arma para prepararme dentro de un mundo completamente desconocido y con muchos retos por enfrentar, pero sobre todo por tu deseo de superarte lo que me hace recordar el valor de la perseverancia. Blanca tu carisma es lo que te caracteriza y porque siempre estuviste presente aunque yo me encontrará molesta y frustrada por algo, tú me hacías reír y en ese momento me olvidaba de todo. Ulices tus bromas siempre presentes en todo, tu ánimo, tus ganas de seguir adelante, tu espíritu de lograr tus objetivos, me inspiran a tener en mente la meta hasta conseguirlo. Goretti tus aspiraciones, tus inquietudes, tu inocencia me hacen recordar el origen de esta inquietud por seguir conociendo más y más, por querer encontrar un por qué de todo lo que sucede al alrededor. 3 Agradecimientos A la Universidad Tecnológica de Querétaro por el aprendizaje obtenido durante este tiempo. A CINVESTAV unidad Querétaro por abrirnos las puertas a estudiantes y permitirnos ser parte de esta institución y brindarnos la oportunidad del aprendizaje constante. A mi familia por el constante apoyo desde siempre, sus palabras de aliento, por la paciencia y tolerancia, y lo agradezco enormemente, porque gracias a ello logre superar el primer reto de muchos por venir. Al Dr. Juan Muñoz Saldaña por aceptarme dentro del grupo de cerámicos multifuncionales. Por todo el apoyo, ayuda y compañerismo brindado durante este tiempo por cada uno de los integrantes del grupo. En especial a Adriana Del Carmen Gallegos Melgar por su paciencia, tiempo, dedicación y apoyo. También a Marco Antonio Rivera Gil quien con su tiempo y explicaciones, lograron hacer de mi estadía en CINVESTAV una gran experiencia y una oportunidad. A todos les agradezco inmensamente, por su tiempo y dedicación, por mostrarme un amplio panorama de lo grande que es la investigación y querer forma parte de ella. 4 ÍNDICE Resumen ............................................................................................................................... 2 Description ............................................................................................................................ 2 Dedicatoria ............................................................................................................................ 3 Agradecimientos .................................................................................................................. 4 Índice……………………………………………………………………………………………………………………………..…………….5 I.INTRODUCCION……………..…………………………………………………………………………………………..7 II.- ANTECEDENTES .......................................................................................................... 8 III.- JUSTIFICACIÓN ........................................................................................................... 9 IV.- OBJETIVOS .................................................................................................................. 9 IV.I- OBJETIVO GENERAL ................................................................................................ 9 IV.II- OBJETIVOS PARTICULARES ................................................................................ 9 V.- ALCANCE ..................................................................................................................... 10 VI. ANÁLISIS DE RIESGOS ............................................................................................ 10 VII.- FUNDAMENTACIÓN TEÓRICA ............................................................................. 11 VII.I ZIRCONATO-TITANATO DE PLOMO: PZT ......................................................... 11 VII.II FERROELÉCTRICOS LIBRES DE PLOMO (LEAD-FREE) ............................. 11 TABLA 1. PROPIEDADES DIELÉCTRICAS Y PIEZOELÉCTRICAS DE PEROVSKITAS LIBRES DE PLOMO . .......................................................................... 12 FIGURA 3. FASES DE TRANSICIÓN EN EL TITANATO DE BARIO . .................... 13 VII.III-MÉTODOS DE ANÁLISIS ..................................................................................... 14 VII.III.I-DILATOMETRÍA.................................................................................................... 14 PRINCIPIOS DE LA TÉCNICA........................................................................................ 14 VII.III.II-DIFRACCIÓN DE RAYOS-X ............................................................................. 14 VII.III.III MEDICIÓN DE LA DENSIDAD (MÉTODO DE ARQUÍMEDES) ................. 18 PRINCIPIO DE DETERMINACIÓN DE DENSIDADES............................................... 18 VII.III.IV HISTÉRESIS FERROELÉCTRICA ................................................................. 19 FIGURA 8. HISTÉRESIS FERROELÉCTRICA ............................................................ 20 VIII.- PLAN DE ACTIVIDADES ........................................................................................ 21 5 IX.- RECURSOS MATERIALES Y HUMANOS ............................................................ 22 IX.I EQUIPO ....................................................................................................................... 22 IX.II MAQUINARIA............................................................................................................. 22 IX.III RECURSO HUMANO .............................................................................................. 22 X.- DESARROLLO DEL PROYECTO ............................................................................ 23 XI.- RESULTADOS OBTENIDOS ................................................................................... 25 XI.I DILATOMETRÍA ......................................................................................................... 25 XI.II SINTERIZACIÓN ....................................................................................................... 26 IMAGEN 1. COMPARCIÓN DE LAS PASTILLAS DE BNT-BT CALCINADAS Y SINTERIZADAS ................................................................................................................. 26 XI.III DENSIDAD ................................................................................................................ 28 GRÁFICA 2. DENSIDAD DE LAS COMPOSICIONES NBT-BT, NBT-BT0.5%MN Y NBT-BT5%MN.................................................................................................................... 28 XI.IV MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE BARRIDO ................................................ 29 XI.V HISTÉRESIS FERROELÉCTRICA ........................................................................ 30 XII. RECOMENDACIONES Y CONCLUSIONE ..................................................................... 32 XIII.ANEXOS………………………………….…………………………………………………………………………………….. XIV. BIBLIOGRAFÍA……………………………………………….................................. 6 I.- Introducción En este trabajo se estudia la síntesis y caracterización de cerámicos ferroeléctricos libres de plomo (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3 (BNT) dopado con MnO2, sintetizado mediante reacción en estado sólido asistido por molienda de alta energía en seco, se investigó el efecto del tiempo y la temperatura de las sinterizaciones en las composiciones BNT-BT, BNT-BT-0.5%MnO2 y BNT-BT- 5%MnO2. El material se obtuvo calcinando en dos rampas de calentamiento (750°C 2h más 900°C 2h) y sinterizado en dos temperaturas con dos tiempos (1060°C 1h, 5h y 1200°C 1 h, 5h). Se obtuvo una densificación de 96.5% (5.78 g/cm 3) con respecto al valor teórico de 5.994 g/cm3. En CINVESTAV Unidad Querétaro, se desarrolla investigación y tecnología multidisciplinaria y de vanguardia en el área de la Ciencia e Ingeniería de Materiales, que garanticen la formación de recursos humanos de alta calidad y que con vocación clara de vinculación con el sector productivo y social, contribuya de manera destacada al desarrollo del país. Dentro del grupo de cerámicos multifuncionales se tiene como objetivo fabricar cerámicos libres de plomo mediante reacción en estado sólido, donde se estudian las características de materiales ferroeléctricos libres de plomo como propiedades mecánicas, ferroeléctricas. 7 II.- Antecedentes En el grupo de cerámicos multifuncionales dentro de CINVESTAV unidad Querétaro, se estudian los fenómenos de ferroelásticidad y ferroelectricidad. Los cerámicos se realizan mediante reacción en estado sólido de óxidos metálicos asistido por molienda de alta energía. Los materiales cerámicos de los sistemas sintetizados cuentan con una estructura tipo perovskita. Los sistemas estudiados son, titanato de bismuto-sodio dopado con titanato de bario (Bi0.5Na0.5)TiO3-BaTiO3 (BNT-BT). También se ha estudiado el ferrato de bismuto (BiFeO3) que es ferroeléctrico y ferromagnético fabricado mediante el método de sinterización rápida de fase en estado líquido RLPS (Rapid Liquid phase sintering). Además se ha trabajado con los sistemas titanato bismuto-potasio (BKT) y titanato sodio-bismutopotasio (BNT-BKT-BT), ya que presentan altas propiedades piezoeléctricas y en donde se pretende encontrar la región morfotrópica. En conjunto se ha buscado en este sistema ternario (BNT-BKT-BT) la región tetragonal ya que primero se deben conocer las características del material en una composición estable que permita el estudio de dominios, al igual que en el sistema binario titanato de bismuto-potasio BKT-BT. Se han procesado esos materiales por diferentes métodos como molienda en medio húmedo usando metanol, etanol y agua además de la molienda en seco utilizando diferentes temperaturas de calcinación y sinterización, con el objetivo de encontrar las condiciones idóneas para el procesamiento a gran escala. Se obtuvieron comportamientos ferroeléctricos en cada uno de los sistemas, sin embargo, para observar si las propiedades ferroeléctricas pueden mejorarse se ha buscado realizar el dopaje con Mn, ya que se ha reportado un incremento del tamaño de grano, lo cual es útil para el estudio de dominios, además de mostrar propiedades de dopaje “blando” y “duro” simultáneamente [11]. Debido a que el BNT puro es difícil de polarizar y presenta un campo coercitivo alto, para mejorar sus propiedades se utilizan dopantes para modificar la composición por la formación de una solución sólida como BaTiO3. Se reporta la formación de una solución sólida del sistema BNT-BKT en el límite de la región morfotrópica (MPB) donde se mejoran las propiedades electromecánicas comparado con BNT y BKT puro. Otro material de relevancia es el niobato de litio LiNbO3 con una estructura tipo perovskita y altos coeficientes piroeléctricos y piezoeléctricos, sintetizado mediante mecanoactivación [9]. 8 III.- Justificación Debido a la nueva normatividad para eliminar o disminuir el uso de materiales no amigables con el medio ambiente se ha llevado a cabo el desarrollo de materiales piezoeléctricos libres de plomo, sin embargo lograr la síntesis de estos con alta calidad ha sido muy difícil, debido a la alta reactividad de algunos de ellos como el bismuto y el potasio, para ello se realiza este estudio con el fin de optimizar las condiciones de síntesis, tratando al mismo tiempo de mejorar las propiedades ferroeléctricas. IV.- Objetivos IV.I- Objetivo general Síntesis y caracterización estructural, microestructural y ferroeléctrica de cerámicos ferroeléctricos libres de plomo base bismuto. IV.II- Objetivos particulares Procesar mediante reacción en estado sólido asistido por molienda de alta energía los cerámicos BNT BNT-BT x%Mn. Obtención de cerámicos densos de los sistemas sintetizados. Caracterización estructural por medio de difracción de rayos-X. Caracterización microestructural por medio de microscopia electrónica de barrido a las pastillas cerámicas. Caracterización ferroeléctrica de los materiales densos mediante curvas de histéresis P-E. 9 V.- Alcance La incorporación a este proyecto se realizó en una etapa avanzada de procesamiento de cerámicos ferroeléctricos, la participación que se realizó incluyó la extensión del estudio en los parámetros de procesamiento como son la temperatura y tiempo de sinterización. El estudio de estos parámetros se realizó por etapas: 1) 2) 3) 4) Preparación estequiometrica de BNT-BT, BNT-BT0.5%Mn y BNT-BT5%Mn Molienda (250 rpm, 2h). Calcinación con dos rampas de calentamiento (750°C 2h más 900°C 2h. Prensado, para cada composición se prensaron 16 pastillas, con un peso de 0.7 gr cada una, una fuerza de 5 toneladas. 5) Sinterización, dos temperaturas con dos tiempos (1060°C 1,5h, 1200°C 1,5h). 6) Caracterización: histéresis ferroeléctrica, difracción de rayos-X, microscopía electrónica de barrido. VI. Análisis de riesgos Debido a la limitante en la disponibilidad de horarios en los equipos de procesamiento de caracterización y a la extensión establecida en el trabajo por realizar, se vieron afectadas las caracterizaciones en el tiempo requerido, ya que estas fueron un factor importante en el desarrollo del proyecto. El tiempo estimado para lograr los objetivos de este proyecto fue limitado, ya que cada etapa requirió más tiempo de lo previsto debido al análisis de los fenómenos observados. Otro contratiempo relevante fue la disponibilidad de los equipos dentro del laboratorio de cerámicos multifuncionales como el molino planetario, el horno tubular, la mufla felissa, la balanza analítica y el baño de ultrasonido, ya que dentro del grupo de trabajo se realizan trabajos paralelos de sistemas de procesamientos similares. Además de considerar la problemática de la posible contaminación, debido a la falta de limpieza en el área de trabajo. 10 VII.- Fundamentación teórica Un cristal ferroeléctrico es aquel que muestra polarización espontánea, en ausencia de campo eléctrico externo y además es posible revertir la dirección de su vector de polarización aplicando campo eléctrico. La ferroelectricidad es una propiedad que puede existir en los materiales dieléctricos no centrosimétricos, que poseen por lo menos dos estados orientacionales termodinámicamente estables, que pueden ser intercambiados de uno al otro por influencia de un campo eléctrico externo y cuya única diferencia es la dirección del vector de polarización. VII.I Zirconato-titanato de plomo: pzt El titanato-zirconato de plomo (PZT es un material cerámico piezoeléctrico con estructura perovskita que presentan excelentes propiedades ferroeléctricas cerca del límite de la región morfotrópica donde se da la coexistencia de las dos fases romboédrica y tetragonal, lo que permite que sean ampliamente utilizados en actuadores, sensores y en dispositivos microelectrónicos. Sin embargo, la toxicidad del óxido de plomo (PbO) y su alta presión de vapor durante el procesamiento, ha llevado a la búsqueda de materiales libres de plomo amigables con el medio ambiente. Actualmente, las investigaciones de materiales piezoeléctricos libres de plomo se ha enfocado hacia niobatos alcalinos, titanatos de bismuto (BiT’s) modificados y sistemas libres de plomo. Entre los parámetros más importantes de los materiales piezoeléctricos están el acoplamiento electromecánico (kij), la constante dieléctrica (K), y la permitividad relativa ɛ/ɛ0, y están asociados al coeficiente piezoeléctrico (dij) [1]. VII.II-Ferroeléctricos libres de plomo (lead-free) Recientemente se ha reportado que los materiales piezoeléctricos libres de plomo poseen propiedades comparables con el PZT, siendo candidatos para diversas aplicaciones. Recientes reportes de materiales piezoeléctricos libres de plomo los clasifican en dos principales familias: (1) (K0.5Na0.5)NbO3 (KNN) y (2) (Na0.5Bi0.5)TiO3 (BNT). A temperatura ambiente los valores de las propiedades dieléctrica, piezoeléctrica y electromecánica para diferentes materiales de dichas familias se presentan en la tabla 1. También se incluyen las propiedades de piezoeléctricos base BaTiO3. Para hacer una comparación con los materiales PZT, los valores a temperatura ambiente de K, dij, y el acoplamiento se representan gráficamente como una función de la temperatura de Curie (TC). 11 Tabla 1. Propiedades dieléctricas y piezoeléctricas de perovskitas libres de plomo [1]. Las propiedades dieléctricas y piezoeléctricas mejoran con respecto a una disminución de TC para materiales base PZT. Sin embargo el material se selecciona dependiendo de la temperatura de funcionamiento de los dispositivos para que funcionen en un rango de temperatura donde el material es estable. Figura1. Estructura cristalina de BaTiO3, [3]. 12 Figura 2. Relación de la temperatura con respecto a la polarización espontánea y permitividad en un material ferroeléctrico. En los incisos a) – f) se indica el rango de temperaturas para cada aplicación [3]. Figura 3. Fases de transición en el titanato de bario [3]. 13 VII.III-Métodos de análisis VII.III.I-Dilatometría La dilatometría es una técnica termo-analítica que permite medir los cambios dimensionales (contracción y expansión) de los materiales en función de la temperatura. Por medio de los incrementos controlados de la temperatura se cuantifica si el material manifiesta variaciones en su longitud y a que temperatura se presentan las variaciones dimensionales, según el cambio en las pendientes de la curva. Principios de la técnica Al aumentar la temperatura, los átomos vibran con mayor amplitud alrededor de su posición de equilibrio, provocando un incremento en la distancia interatómica d0 de equilibrio y por lo tanto haciendo aumentar las dimensiones del material en una dilatación térmica lineal. Sin embargo en el caso de algunos materiales existe una temperatura para la cual la expansión térmica cesa y se da pie a la contracción debida a fenómenos fisicoquímicos de densificación, coalescencia, cambios estructurales y cambios de estado. El registro de las anomalías dimensionales que tienen lugar a lo largo de un ciclo térmico (fundamento de la técnica dilatométrica) permite la determinación de las temperaturas críticas asociadas a los diferentes cambios de fase. VII.III.II-Difracción de rayos-x Cuando un haz de rayos-X interactúa con un material, los átomos de este material dispersan los rayos en todas direcciones posibles. Sin embargo, en un sólido cristalino, a temperaturas suficientemente bajas, los átomos están arreglados periódicamente, lo que impone restricciones importantes a la forma en que se dispersan. Estas dispersiones forman lo que se conoce como patrón de difracción. Históricamente existen dos puntos de vista en el estudio de la difracción de radiación electromagnética: el primero se debe a William L. Bragg (principio considerado para este estudio) y el segundo a Max Von Laue. En la descripción de Bragg, la difracción de rayos X es provocada por la interferencia constructiva de ondas dispersadas a partir de planos sucesivos de la red cristalina y se describe de la siguiente manera: sea un rayo incidente con vector de onda k que incide sobre un conjunto de planos paralelos, con un ángulo de incidencia θ. El análisis se restringe al caso de dispersión elástica especular, de tal forma que el haz dispersado, con vector de onda k’, también forma un ángulo θ con estos planos, esto es, k’=k. 14 El ángulo de desviación de este haz dispersado y el haz incidente es Ф= 2θ. Si la separación entre planos vecinos se denota como d, la condición de Bragg para obtener interferencia constructiva está dada por: 2d sen θ = nλ = n 2π/k La interferencia constructiva entre diferentes trayectorias sucesivas ocurre cuando la diferencia entre trayectorias es igual a un número entero de la longitud de onda de la radiación incidente. La descripción de Von Laue de la difracción de rayos-X está basada en términos de la dispersión de fotones (las partículas que forman la radiación) provocada por los puntos de la red periódica (átomos), por lo que se fundamenta en las leyes de conservación del momento y la energía. Puesto que el cristal posee simetría translacional directa, existe conservación de la magnitud del vector de onda G. los vectores de onda de los haces de partículas incidente y dispersado tienen la misma magnitud y están relacionados por k’-k=G; de donde se sigue que G2+2G*k=0 Como resultado, solamente direcciones específicas de onda incidente con vector de onda k resultaran en rayos difractados. Dos cosas importantes a considerar en la ley de Bragg: 1. En cuanto la distancia d es más pequeña, mayor será el ángulo de difracción θ. 2. Cuanto más grande sea la longitud de onda λ, mayor es el ángulo de difracción θ. 15 Figura 4. Esquema de las condiciones de Bragg. Los átomos o grupos de átomos en la red cristalina están representados por esferas. Las esferas se sitúan sobre planos imaginarios paralelos, perpendiculares al diagrama, separados por . Los rayos-X inciden sobre los planos a un ángulo . En la imagen de la izquierda, la diferencia en el camino recorrido por las ondas dispersadas por los dos planos es un múltiplo entero de la longitud de onda; por lo tanto, las ondas emergentes están en fase y se observa difracción a un ángulo respecto de los planos de difracción o respecto al haz incidente. A la derecha, con un ángulo de incidencia diferente, la Ley de Bragg no se cumple para esta familia de planos cristalinos; las ondas emergentes están desfasadas y no se observa difracción [12]. VII.III.III Microscopia electrónica de barrido La Microscopía electrónica de barrido o SEM (Scanning Electron Microscopy), utiliza un haz de electrones en lugar de un haz de luz para formar una imagen ampliada de la superficie de un objeto. Es un instrumento que permite la observación y caracterización superficial de sólidos inorgánicos y orgánicos. Tiene una gran profundidad de campo, la cual permite que se enfoque a la vez una gran parte de la muestra. El microscopio electrónico de barrido está equipado con diversos detectores, entre los que se pueden mencionar: el detector de electrones secundarios para obtener imágenes de alta resolución SEI (Secundary Electron Image), un detector de electrones retrodispersados que permite la obtención de imágenes de composición y topografía de la superficie BEI (Backscattered Electron Image), y un detector de energía dispersiva EDS ( Energy Dispersive Spectrometer) que permite colectar los Rayos X generados por la muestra y realizar diversos análisis semicuantitativos y de distribución de elementos en superficies. Las principales utilidades del SEM son la alta resolución (~1 nm), la gran profundidad de campo que le da apariencia tridimensional a las imágenes y la sencilla preparación de las muestras. La preparación de las muestras es relativamente sencilla las principales características son: muestra sólida, conductora. Caso contrario, la muestra es recubierta con una capa de carbón o una capa delgada de un metal como el oro para darle propiedades conductoras a la muestra. De lo contrario, las muestras no conductoras se trabajan en bajo vacío. 16 Figura 5: Microscopio electrónico de barrido (SEM), su funcionamiento se basa en barrer un haz de electrones sobre un área del tamaño que deseemos (aumentos) mientras en un monitor se visualiza la información que hayamos seleccionado en función de los detectores que hayan disponibles. Figura 6: Detector de electrones secundarios (SED). Debido a las bajas energías de electrones secundarios (SE) (~ 2 a 50 eV) que se expulsan sólo a partir de capas cercanas a la superficie. Por lo tanto, de formación de imágenes de electrones secundarios (SEI) es ideal para la grabación de información topográfica. 17 Figura 7: Detector de electrones retrodispersados (BSD) - detector de diodo de estado sólido. El BSD está montado por debajo de la pieza de polo de la lente objetivo y centrado alrededor del eje óptico. Como la superficie de la muestra es escaneada por el haz de electrones incidente, los electrones retrodispersados (BSE) se generan, el rendimiento de los cuales está controlado por las características topográficas, físicas y químicas de la muestra. Imágenes de electrones retrodispersados tanto la composición o topográficas (BEI) se pueden grabar en función de la ventana de energía de electrones seleccionados para la formación de imagen. VII.III.IV Medición de la densidad (método de arquímedes) La densidad ρ de un cuerpo homogéneo es la relación de su masa (m) con su volumen (V) o, lo que es lo mismo, la masa que ocupa un cuerpo en una unidad de volumen. ρ = m/V gr/cm3 donde ρ: densidad m: masa V: volumen Principio de determinación de densidades Según el principio de Arquímedes un cuerpo sumergido en un líquido pierde de su peso propio una cantidad igual al peso del líquido por el desalojado. De esta forma puede determinarse la magnitud buscada. La densidad de un sólido se determina con ayuda de un líquido (liquido auxiliar) cuya densidad sea conocida a la temperatura de la medición. Para ello se pesa el sólido una vez en el aire y a continuación en un estado sumergido. A partir de ambas pesadas (en gramos o en quilates) se calcula la densidad del líquido ρ2 de la forma siguiente: 18 ρ2 = A/A-B (ρ0) ρ2 = densidad del sólido A= peso del sólido en el aire B= peso del solido sumergido en el líquido auxiliar ρ0 = densidad del líquido auxiliar a la temperatura dada T VII.III.V Histéresis ferroeléctrica El fenómeno ferroeléctrico aparece en ciertos materiales dieléctricos y consiste en la retención de la polarización inducida por un campo eléctrico externo, una vez desaparecido éste. En los ferroeléctricos, la polarización no es función lineal del campo, puesto que tampoco lo es la constante dieléctrica. Los parámetros que definen la calidad de un ferroeléctrico son, además de su constante dieléctrica, las polarizaciones de saturación y remanente, el campo eléctrico coercitivo y el área encerrada en el ciclo de histéresis. El área encerrada en el ciclo nos informa de la energía necesaria para la polarización y cambio posterior de la orientación de los dipolos a la contraria. La representación gráfica de la polarización frente al campo aplicado, figura 8, muestra un comportamiento llamado histéresis ferroeléctrica. En dichos materiales, se cumple que la presencia de un dipolo, condiciona en el mismo sentido los dipolos adyacentes. La región en la que los dipolos se alinean en el mismo sentido se denomina dominio ferroeléctrico. La aplicación de un campo eléctrico externo puede variar la extensión del dominio. Siguiendo el proceso de histéresis de la figura 8, en ausencia de campo externo (1), los dominios y los dipolos están distribuidos al azar, direccionados de forma que el momento dipolar total es nulo. Al aparecer un campo externo creciente (2), los dipolos intentan orientarse en la dirección del campo. Los dominios con momento favorable crecen a expensas de los que no lo están. A cierto valor del campo eléctrico (3), por mucho que se eleve, no se incrementa la polarización inducida y no se aprecia dependencia de ɛ con E. La polarización ha alcanzado el valor de saturación. Los dominios adquieren la misma orientación. Si disminuye la intensidad del campo hasta anularlo (4) el material retiene parte de la polarización inducida, recibiendo el nombre de polarización remanente, Pr. El material se comporta como un dipolo permanente, aunque no exista campo polarizante. El valor remanente es menor que el de saturación debido a que algunos dominios se desalinean como 19 consecuencia del desorden térmico, que se opone al efecto de orientación unidireccional. La disminución continuada del campo eléctrico (5), por aumento del valor absoluto pero en sentido opuesto al marcado en las cuatro primeras situaciones, produce en determinado valor la anulación del momento dipolar total. El campo capaz de anular la polarización es llamado de campo coercitivo (Ec). Los dominios tornan su orientación de tal forma que la contribución de cada uno anula el momento dipolar del material en su conjunto. El aumento continuado del campo (6) nos llevaría a una situación análoga a la (3), alcanzando la saturación dipolar. El signo negativo (-) de la polarización indica que los dipolos están orientados opuestamente a como lo estaban por la acción del campo en el primer cuadrante. Volviendo a campos eléctricos crecientes y con la orientación de este último cuadrante positivo (+) se cierra el ciclo de histéresis, previo paso por los puntos de saturación –Pr y coercitivo Ec. Figura 8. Histéresis ferroeléctrica 20 VIII.- Plan de actividades Se muestra la gráfica de Gantt con las etapas y actividades programadas para el desarrollo de este proyecto. Estas actividades se realizaron dentro de los siguientes laboratorios de CINVESTAV, unidad Querétaro: Laboratorio A3 Propiedades estructurales Laboratorio B1 Preparación de muestras metalográficas Laboratorio B3 cerámicos multifuncionales Laboratorio B5 Películas delgadas y recubrimientos Laboratorio de propiedades de transporte térmico Laboratorio de propiedades mecánicas y multifuncionales nanométricas LIDTRA (Laboratorio Nacional de Investigación y Desarrollo Tecnológico en Recubrimientos Avanzados) Actividades Meses Mayo 1 2 3 Junio 4 1 2 Julio Semanas 3 4 1 2 Revisión de bibliografía Peso y molienda de precursores Calcinación de polvos cerámicos Remolido de polvos calcinados Prensado de polvos Sinterización de pastillas Determinación de densidad Preparación para histéresis y d33 Análisis SEM (Micrografía y composición) 21 3 Agosto 4 1 2 3 4 IX.- Recursos materiales y humanos Se presenta la lista de los recursos necesarios para el desarrollo de este proyecto como recursos humanos, maquinaria y equipo requeridos para cumplir los objetivos establecidos IX.I Equipo Balanza Analítica (Mettler Toledo) Prensa hidráulica tipo botella (Truper) Baño ultrasónico (Branson 2510) Etanol (Meyer) Metanol (Meyer) Parrilla (Thermo Scientific Cimarec) Mufla (felissa) Horno tubular (MIT CORPORATION serie SWGL-1600X) IX.II Maquinaria Molino planetario Retchs (PM 400) Difractómetro de Rayos X (RIGAKU, Modelo Dmax2100) Microsonda Electrónica para Microanálisis (EPMA) JXA - 8530F con espectros EDS y WDS de JEOL Radiant LC IX.III Recurso humano Dr.-Ing. Juan Muñoz Saldaña (Investigador Titular, Doctor en Ciencias (2002), Universidad Técnica de Hamburgo, Alemania, Nivel II del SN) M. en C. Adriana Gallegos Melgar (Estudiante de doctorado, Cinvestav-Qro) M. en C. Froylán Martínez Suárez (Estudiante de doctorado, Cinvestav-Qro) I.Q.M. Marco Antonio Rivera Gil (Estudiante de maestría, Cinvestav-Qro) C. Juana Yareli García Rangel (Estudiante de nanotecnología, sexto cuatrimestre UTEQ) 22 X.- Desarrollo del proyecto Los polvos de la composición 0.94(Na0.5Bi0.5)-0.06BaTiO3-xMnO2 se prepararon siguiendo el método de reacción en estado sólido asistido por molienda de alta energía, con x=0, 0.5 y 5 %mol Mn. Se pesaron con una relación estequiométrica de Bi2O3 (Aldrich 223891), Na2CO3 (Meyer), TiO2 (Aldrich 248576), BaTiO3 (Aldrich 208108) y MnO2 (Aldrich 377201). Se mezclaron en una molienda en seco durante 2h con una velocidad de 250 rpm. Para cada composición la temperatura de sinterización fue estudiada mediante dilatometría, con el fin de mejorar la densidad final del material. Después del tratamiento térmico de calcinación a 750 °C y 900 °C por 2h en cada temperatura, los polvos se prensaron a 66 kgf/cm 2 y se sinterizaron en un horno tubular MIT CORPORATION serie SWGL-1600X a 1060 °C 1h, 5h, 1200 °C 1h, 5h respectivamente. Para las mediciones de las curvas de histéresis ferroeléctrica se prensaron pastillas (0.7gr), las caras se pulieron con suspensión de alúmina de 0.5 µm (diámetro 950 µm, espesor 500 µm), se les colocaron electrodos de plata a cada cara. Las mediciones de histéresis se llevaron a cabo en un rango de frecuencia de 1000 Hz, 200 Hz y 100 Hz con el equipo Radiant LC. 23 Diagrama de flujo. Procesamiento del sistema BNT-BT, BNT-BT0.5%Mn y BNTBT5%Mn. Preparación estequiometrica Molienda (250 rpm, 2h) Calcinación (750°C 2h más 900°C 2h) Remolienda Prensado Sinterizado (1060°C 1h, 5h y 1200°C 1h, 5h) Técnicas de Caracterización (SEM, Histéresis, DRX) 24 XI.- Resultados obtenidos XI.I Dilatometría Gráfica de dilatometría donde se muestra el valor óptimo de temperatura de sinterización para la composición (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3 (BNT). La temperatura de máxima contracción del cerámico se muestra en la curva morada donde el valor es 1056°C. 1 0 0 -200 -1 -2 -400 dL/dL0 -4 -800 -5 -1000 -6 d(dL)/d(dL0) -3 -600 -7 -1200 -8 -1400 -1600 -9 BNT-BT-0.005Mn 900°C 200 400 600 800 1000 -10 1200 Temperatura (°C) Grafica 1. Muestra la temperatura donde se encuentra una máxima densificación, es así como a 1060 °C se sinteriza para obtener los mayores valores de densidad y por tanto mejores valores de polarización. 25 XI.II Sinterización La sinterización de las composiciones mostró un cambio significativo de color inicial en comparación al color mostrado al terminar el tratamiento de sinterización, debido a la difusión de los óxidos en donde al realizar estas rampas de calentamiento en la calcinación terminan de reaccionar. BNT-BT sinterizado 1060°C 5 h BNT-BT Calcinación 700°C 2h y 900°c 2h Imagen 1. Comparción de las pastillas de BNT-BT calcinadas y sinterizadas Pastilla BNT-BT 0.5% Mn Pastilla BNT-BT 5%Mn Imagen 2. Medición del diámetro de las pastillas de las composiciones BNT-BT 0.5% Mn izquierda y BNT-BT 5% Mn derecha antes de ser sinterizadas. Imagen 3. Comparación de las pastillas de las composiciones BNT-BT (izquierda) y BNT-BT5% Mn (centro) y BNT-BT0.5%Mn (derecha) después de ser sometidas a los tratamientos de sinterizacion. 26 Imagen 4. Preparación de las pastillas BNT-BT 5% Mn para histeresis, se les aplica una capa delgada de pintura de plata que sirve como electrodo. 27 XI.III Densidad Se determinó la densidad haciendo uso de la técnica de Arquímedes. En general los valores máximos de densificación se presentaron cuando se adicionó 0.5% de Mn. La composición que mostró una mayor densificación fue BNT-BT0.5%Mn a 1060°C 1h con 96.5% (5.78 g/cm3) con respecto al valor teórico de 5.994 g/cm3, esto se puede observar en la gráfica 2. Se entiende por densidad teórica (ρt) como la porosidad cero pero toma en cuenta la presencia de fases secundarias, soluciones sólidas y estructura de defectos; la densidad relativa (ρr) se define por la relación de la densidad medida respecto a la densidad teórica. Si se sustrae el volumen de poros abiertos del volumen se obtiene el volumen aparente del sólido. 97 1060°C 1h 1200°C 1h 1060°C 5h 1200°C 5h 96 % Densidad 95 94 93 92 91 90 BNT-BT A BNT-BT 0.5% Mn BNT-BT 5% Mn Muestra = 5.994 g/cm3 Gráfica 2. Densidad de las composiciones NBT-BT, NBT-BT0.5%Mn y NBT-BT5%Mn 28 XI.IV Microscopía electrónica de barrido Se muestran las imágenes de microscopia hechas a las composiciones de BNT, BNT-BT, BNT-BT0.5%Mn y BNT-BT5%MN, todas a las mismas condiciones 1060°C 5h respectivamente. BNT BNT-BT BNT-BT0.5Mn BNT-BT5Mn Imagen 5. Imágenes SEM de las pastillas sinterizadas de BNT, BNT-BT, se observa el cambio de tamaño de grano en las composiciones dopadas con Mn, en (a) se puede ver un tamaño de grano indefinido y heterogéneo en algunas zonas con cierta porosidad; en (b) se muestra el tamaño de grano más pequeño y con apariencia uniforme; en la composición (c) presenta una apariencia homogénea y un tamaño de grano grande debido al Mn en el sistema BNT-BT, además de ser la composición más densa; en el inciso (d) se observa un tamaño de grano más pequeño en comparación con BNT-BT y presenta la mayor porosidad. 29 XI.V Histéresis ferroeléctrica Se puede observar en la gráfica de histéresis, las curvas más representativas de cada composición. Todas las curvas son características de materiales ferroeléctricos. La composición con los mejores valores de polarización remanente y campo coercitivo es para la composición del binario con 0.5%Mn. 30 20 BNT BT 0.5Mn BNT BT 5Mn BNT BT BNT 2 P (C/cm ) 10 0 -10 -20 -30 -60 -40 -20 0 20 40 60 E (kV/cm) Grafica 3. Se muestra la comparación de las curvas de histéresis de acuerdo a cada composición, donde se observa que el resultado más óptimo se encontró en la composición BNTBT0.5%Mn con una Pr= 28.94 µC/cm2 y un Ec=23.82 kV/cm, la composición BNT-BT presenta valores relativamente altos con una Pr=21.65 µC/cm2 y un Ec=16.81 kV/cm en comparación con BNT puro con Pr=1.52 µC/cm2 y Ec=0.74 kV/cm. 30 XI.VI Difracción de rayos-x Se muestra el difractograma de las composiciones BNT, BNT-BT, BNT-BT0.5%Mn y BNT-BT5%Mn respectivamente en donde se puede observar el parámetro de red. BNT BNT-Mn BNT-BT BNT-BT-Mn BNT I (a.u.) I (a.u.) BNT BNT-Mn BNT-BT BNT-BT-Mn BNT 20 30 40 50 60 70 80 31 32 33 2(°) 2(°) Grafica 4. Se observa una solución sólida homogénea sustitucional con estructura rombohedral, donde al agregar Mn el parámetro de red se reduce con respecto a BNT y al BNT-BT ya que se observa un aumento respecto al ángulo 2 theta de los materiales que contienen Mn. 31 34 XII. Recomendaciones y conclusiones De acuerdo a lo observado en las curvas de dilatometria se determinó que la temperatura óptima para el procesamiento del sistema BNT-BT la cual es 1060°C. A partir de esta temperatura se varió el tiempo de procesamiento 1h y 5h. De dichas muestras un análisis visual permite ver cambios físicos evidentes como cambios de coloración que pueden atribuirse a cambios químicos en las muestras. Por otro lado al evaluar las densidades medidas para la diferente serie de muestras se determina que la densidad relativa más alta se obtuvo en la composición BNT-BT0.5%Mn con un 96.5% a una temperatura de 1060°C 1h. A partir de estas condiciones se obtiene la fase tipo perovskita del BNT de acuerdo a los patrones de rayos-x obtenidos de las muestras. La morfología de las imágenes de SEM se confirma la densificación obtenida en la composición BNT-BT0.5%Mn. Además muestra que al adicionar Mn el tamaño de grano es más grande y uniforme Finalmente, las curvas de histéresis muestran que la composición con mejor respuesta en polarización remanente y campo coercitivo es BNT-BT0.5%Mn a 1060°C 1h lo cual es congruente con los resultados de densidad y rayos-X. Conclusiones Se obtuvieron cerámicos densos del sistema BNT, BNT-BT, BNT-BT0.5%Mn y BNT-BT5%Mn. El Mn modifica la estructura cristalina disminuyendo el parámetro de red. Los cerámicos presentan carácter ferroeléctrico. Se realizó el estudio de BNT-BT variando la temperatura y tiempo de sinterización. La ruta de procesamiento fue molienda en seco en el molino planetario, la calcinación del polvo en dos rampas de calentamiento (750°C 2h más 900°C 2h), seguido de la remolienda para prensar, obtener las pastillas y someterlas a tratamiento de sinterizado (1060°C 1h y 5h; 1200°C 1h y 5h). 32 XIII. ANEXO Tabla 1. Propiedades dieléctricas y eléctricas de perovskitas libres de plomo Figura 1. Estructura cristalina de BaTiO3 Figura 2. Relación de la temperatura con respecto a la polarización espontánea y permitividad en un material ferroeléctrico Figura 3. Fases de transición en el titanato de bario Figura 4. Esquema de las condiciones de Bragg Figura 5. Microscopio electrónico de barrido Figura 6. Detector de electrones secundarios Figura 7. Detector de electrones retrodispersados Figura 8. Histéresis ferroeléctrica Imagen 1. Comparción de pastillas de BNT-BT Imagen 2. Medición del diámetro de las pastillas de las composiciones BNT-BT 0.5% y BNT-BT5%Mn Imagen 3. Comparación de las pastillas de las composiciones BNT-BT 5%Mn, BNT-BT 0.5 y BNT-BT Imagen 4. Preparación de las pastillas BNT-BT 5% Mn para histeresis Imagen 5. Imágenes de microscopía de las composiciones BNT, BNT-BT, BNTBT0.5%Mn y BNT-BT5%Mn Grafica 1. Dilatometria Grafica 2. Densidad de las composiciones NBT-BT, NBT-BT0.5%Mn y NBTBT5%Mn Grafica 3. Comparación de las curvas de histéresis 33 XIV. BIBLIOGRAFÍA [1] Shujun Zhang, Ru Xia, Thomas R. Shrout, Lead-free piezoelectric ceramics vs. PZT? (2007) [2] Y. P. Wang, L. Zhou, M. F. Zhang, X. Y. Chen, J.-M. Liu and Z. G. Liu, Room-temperature saturated ferroelectric polarization in BiFeO3 ceramics synthesized by rapid liquid phase sintering, [3] Kenji Uchino, Ferroelectric devices, (2000), (ed.) Marcel Dekker, Inc. [4]Tadashi Takenaka, Kei-ichi Maruyama and Koichiro Sakata (Bi1/2,Na1/2,Ba)TiO3-BaTiO3 System for Lead-Free Piezoelectric Ceramics, (1991 Jpn). J. Appl. 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[10] Claudia Milena Bedoya Hincapié,( 2013) Crecimiento y Caracterización Eléctrica y Estructural de Películas delgadas de Bi4T i3O12 Producidas Mediante Magnetrón Sputtering, Universidad Nacional de Colombia, Facultad de Ingeniería, Departamento de Mecánica y Mecatrónica Bogota, Colombia. [11] Xiao-Juan Li, Qiang Wang, Quan-Lu Li, (2007),Effects of MnO2 addition on microstructure and electrical properties (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3 ceramics. 34 [12] Difracción de Rayos X y el metodo Rielvedt, teoría y sofware de refinamiento (2011), Pérez Alcázar Germán Antonio, Colorado Restrepo Hernan Dario, Universidad del Valle, Colombia. [13] Renau-Piqueras Jaime, Faura Magdalena, Principios básicos del Microscopio Electrónico de Barrido, Valencia, España. [14] Morán López José Luis, Rodríguez López José Luis (2012), Los materiales nanoestructurados, sus propiedadesy aplicaciones en la revolucion cientifica y tecnologica del siglo XXI. México: FCE, Sociedad Mexicana de Física, pág:75 35