Diodos semiconductores para microondas

También es llamado diodo de contacto puntual.
Consiste en una placa de un cuerpo semiconductor de tipo P o tipo N
en contacto con un alambre delgado puntiagudo. La región de contacto
puede considerarse como una unión P-N.
La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo
de unión. Sin embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto
puntual conduce algo mas de corriente.
También diodo de barrera de superficie, de portadores calientes o diodos de
recuperación rápida (Fast recovery)
Dispositivo de 2 terminales que tienen una caída de voltaje directa
(VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos.
Rango de frecuencias muy altas, por su rápido
tiempo de respuesta y figura de ruido bajo.
Fuentes de alimentación de bajo voltaje y
alta corriente
Convertidores de AC a DC y de
analógico a digital
Instrumentación y detectores en equipo de
comunicación
Unión metal-semiconductor.
Semiconductor: Silicio tipo-n, usando
varios metales como molibdeno,
platino, cromo, o tungsteno.
Resultando una región de unión
más uniforme y un nivel de solidez
más alto.
Se forma colocando una película metálica en contacto directo con un
semiconductor el metal se deposita generalmente en un tipo de material
N, debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de
material. La parte metálica será el ánodo y el semiconductor, el cátodo.
Los electrones del semiconductor tipo N
migran hacía el metal, creando una región de
transición en la ensambladura.
Solamente los electrones (portadores mayoritarios de ambos materiales) están en
tránsito. Su conmutación es más rápida que la de los diodos bipolares, una vez
que no existan cargas en la región tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de
potencial (típicamente de 0,3V).
La Región N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida
de conducción, por esto, la tensión máxima soportable para este tipo de
diodo está alrededor de los 100V.
El electrón es el portador mayoritario en ambos materiales. En el metal
el nivel de portadores minoritarios, huecos, es insignificante. Cuando
los materiales se unen, los electrones en el material semiconductor de
silicio tipo-n fluyen inmediatamente hacia el metal adjunto,
estableciendo un flujo intenso de portadores mayoritarios. Los
portadores inyectados son conocidos como portadores calientes, debido
a que tienen un nivel de energía cinética muy alto en comparación con
los electrones del metal. La conducción es realizada por portadores
mayoritarios.
El nivel de VT para el diodo de portadores calientes se controla en gran
medida por el metal empleado. Existe un compromiso requerido entre el
rango de temperatura y el nivel de VT. Un incremento en uno parece
corresponder a un incremento resultante en el otro. Entre menor sea el rango
de niveles de corriente permitidos, menor será el valor de VT .