Subido por Quique Lobo

PUERTA TTL

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EJERCICIO TTL
Teniendo el circuito anterior se pide:
1.- Función Lógica
2.- Potencia media consumida
3.- Factor de mérito
4.- Función de transferencia
5.- Márgenes de ruido
6.- Fan-Out
CÁLCULOS TEÓRICOS
Función Lógica:
A
B
T1_A T1_B
AD
AD
AD
AI
AI
AD
AI
AI
T2
OFF
OFF
OFF
ON
T3
ON
ON
ON
OFF
T4
OFF
OFF
OFF
ON
D1
ON
ON
ON
OFF
V0
Como podemos ver la función lógica que realiza sería NAND.
Potencia media consumida:
Tenemos que la potencia media consumida se calcula de la
siguiente manera:
𝑃𝑀 =
𝑃𝐿 + 𝑃𝐻
+ 𝑃𝑡
2
Donde el primer sumando es la potencia estática (P. consumida
cuando esta a nivel L o H), el segundo sumando es la potencia
dinámica (cuando la puerta cambia de nivel, de L a H, o de H a L).
Este segundo sumando es despreciable en las familias lógicas
bipolares.
Pasamos a realizar el cálculo de las potencias en baja y en alta
(elegimos los casos más desfavorables).
-Potencia consumida con la salida a nivel bajo
𝑃𝐿 = 𝐼𝑅1 + 𝐼𝑅2 + 𝐼𝑅4 𝑉𝐶𝐶
Donde IR1, IR2 e IR4 son las intensidades que pasan por las
resistencias R1, R2 y R4.
𝐼𝑅1𝐿 =
𝐼𝑅2𝐿 =
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐶
𝑇1
− 𝑉𝐵𝐸
𝑅1
= 0,725 (𝑚𝐴)
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝑇2 𝑆𝐴𝑇
𝑇2
− 𝑉𝐵𝐸
𝑅2
= 2,56 (𝑚𝐴)
− 𝑉𝐵𝐸(𝑇4)
𝑇4
=
=
5 − 3 · 0,7 (𝑉)
=
4 (𝐾𝛺)
5 − 0,2 − 0,7 (𝑉)
=
1,6 (𝐾𝛺)
𝐼𝑅4 = 0
La intensidad IR4 en baja es cero ya que el transistor 3 está en
corte.
Por tanto, tenemos que la potencia en baja es:
𝑃𝐿 = 0,725 + 2,56 + 0 (𝑚𝐴) · 5 𝑉 = 16,425 (𝑚𝑊)
-Potencia consumida con la salida a nivel alto
La calculamos de igual manera que en baja:
𝑃𝐻 = 𝐼𝑅1 + 𝐼𝑅2 + 𝐼𝑅4 · 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝑅1𝐻 =
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝑇1 − 𝑉𝐼𝐿 5 − 0,7 − 0 (𝑉)
=
= 1,075 𝑚𝐴
𝑅1
4 (𝐾𝛺)
𝑉𝐼𝐿 = 0, ya que se considera el caso más desfavorable, cuando la
entrada está conectada directamente a tierra.
𝐼𝑅2 = 0
𝐼𝑅4 = 0
Estas dos últimas son cero por que los transistores T2 y T4 están
en corte, y aunque T3 se encuentre en zona activa, como la
potencia se calcula sin carga, ambas intensidades son cero.
𝑃𝐻 = 1,075 𝑚𝐴
· 5 𝑉 = 5,375 (𝑚𝑊)
Ya podemos calcular la potencia media consumida:
𝑃𝑀 =
𝑃𝐿 + 𝑃𝐻 16,425 + 5,375 (𝑚𝑊)
=
= 10,9 (𝑚𝑊)
2
2
Factor mérito:
Para la familia TTL estándar el tiempo de propagación (hoja de
datos) es de 10ns.
𝐹𝑀 = 𝑃𝑚 · 𝑇𝑃 = 10,9 𝑚𝑊 · 10 𝑛𝑠 = 0,109 (𝑝𝐽)
Función de transferencia:
𝑉𝑂𝐻 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷 − 𝑉𝐵𝐸
= 3,6 (𝑉)
𝑇3
− 𝐼2 · 𝑅2 = 5 − 0,7 − 0,7 − 0
Por los motivos antes indicados:
𝐼𝑅2 = 0
𝑉𝑂𝐿 = 𝑉𝐶𝐸
𝑇4 𝑆𝐴𝑇
= 0,2 𝑉
𝑉𝐼𝐻 = 𝑉𝐵𝐸
+ 𝑉𝐵𝐸 𝑇2 + 𝑉𝐵𝐶 𝑇1 − 𝑉𝐵𝐸 𝑇1
= 0,7 + 0,7 + 0,7 − 0,7 = 1,4 𝑉
𝑇4
𝑉𝐼𝐿 = 0,7 𝑉
Función de transferencia obtenida en multisim:
Con ambas entradas a nivel H, vemos que el programa toma para
𝑉𝐶𝐸 𝑇4 𝑆𝐴𝑇 = 200mV, un valor de 𝑉𝐼𝐻 = 1,3838𝑉 muy próximo
a los 1,4V obtenidos.
Cuando ambas entradas, o alguna de ellas están a nivel L,
observamos que la salida en el simulador es 4,5856V. Difiere de
los 3,6V calculados debido a que el programa considera valores
de conducción de los semiconductores más bajo que los 0,7V
teóricos que hemos considerado.
Márgenes de ruido:
𝑁𝑀𝐻 = 𝑉𝑂𝐻 − 𝑉𝐼𝐻 = 3,6 − 1,4 (𝑉) = 2,2 𝑉
𝑁𝑀𝐿 = 𝑉𝐼𝐿 − 𝑉𝑂𝐿 = 0,7 − 0,2 (𝑉) = 0,5 𝑉
FAN - OUT:
𝐹𝑂𝐻 =
𝐼𝑂𝐻
𝐼𝐼𝐻
Dado que 𝐼𝐼𝐻 , es la corriente que entra en la puerta a través de
los diodos y dados que en este caso los diodos están polarizados
inversamente, ésta es muy pequeña, por lo tanto 𝐹𝑂𝐻 , es grande.
Pasamos a calcular el 𝐹𝑂𝐿 .
𝐹𝑂𝐿 =
𝐼𝐼𝐿 =
𝐼𝑂𝐿
𝐼𝐼𝐿
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐼𝐿 − 𝑉𝐵𝐸(𝑇1) 5 − 0,2 − 0,7
=
= 1,025 (𝑚𝐴)
𝑅1
4
Ahora si tomamos 𝑉𝐼𝐿 = 0,2𝑉, ya que la entrada se encuentra
conectada a la salida de otra puerta.
𝐼𝑂𝐿 = 𝐼𝐶(𝑇4) = 𝐼𝐵(𝑇4) · 𝛽𝐹4
Para este cálculo tomamos la 𝛽𝐹4 = 50 (dato del problema, u
obtenido de la hoja de datos), y pasamos a calcular 𝐼𝐵(𝑇4) :
𝐼𝐵(𝑇4)
𝑉𝐵𝐸 𝑇4
= 𝐼𝑅1𝐿 + 𝐼𝑅2𝐿 − 𝐼𝑅3 = 𝐼𝑅1𝐿 + 𝐼𝑅2𝐿 −
𝑅3
= 0,725 + 2,56 − 0,7 = 2,585 (𝑚𝐴)
𝐼𝑂𝐿 = 𝐼𝐶(𝑇4) = 𝐼𝐵(𝑇4) · 𝛽𝐹4 = 2,585 𝑚𝐴 · 50 = 129,25 (𝑚𝐴)
𝐹𝑂𝐿 =
𝐼𝑂𝐿 /𝐾 129,25/10
=
= 12 𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑎𝑠
𝐼𝐼𝐿
1,025
Donde K es un factor de sobresaturación, para garantizar que T4
no salga de la saturación y se cumpla la condición: 𝐼𝐵 ≫
𝐼𝐶
𝛽𝐹
, este
factor se encuentra comprendido entre 5 y 10, hemos tomado
éste último valor.
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