Análisis térmico en Electrónica de Potencia Los dispositivos electrónicos poseen 3 limitaciones básicas: • Tensiones máximas. • Corrientes máximas. • Temperaturas máximas. PD vs IFAV Análisis térmico en Electrónica de Potencia No superar un valor máximo de Tj, ya que: •Empeoran las características del dispositivo •Disminuye la vida media Para lograr esto, se debe: • Limitar la potencia disipada (tensión y corriente en directa) • Evacuar el calor generado Transmisión de calor ΔT T2 T1 P A P = Potencia o velocidad de transferencia del calor P ΔT = = PR . th hA h = coeficiente de transferencia de calor. A = área a través de la cual se establece el flujo. Analogía térmico-eléctrica Rth = R ΔT = ΔV P=I ΔT 1 ∴ Rth = = P hA La Rth es menor si aumenta A o h. h depende del método de transferencia de calor. Métodos de transferencia de calor Conducción Métodos de transferencia de calor Transferencia de calor a través de un material sin movimiento de masa. Convección Transferencia de calor por movimiento de masa. Radiación Transferencia de calor por ondas electromagnéticas. Conducción Transferencia de calor a través de un material sin movimiento de masa. conductividad térmica del material h= longitud del material h = σθ /L Rth =L / σθ A Convección Transferencia de calor por movimiento de masa. • Convección natural: el movimiento se produce debido a la existencia de un gradiente no nulo de la densidad del fluido. El gradiente no nulo puede producirse por la diferencia de temperaturas. h = k (Tsup −Tamb ) 1 4 Ejemplo: placa vertical de longitud L, en aire, al nivel del mar. h= −3 2,21.10 1 4 L (T sup −Tamb ) 1 4 Convección • Convección forzada: el movimiento del fluido es forzado mecánicamente. Ejemplo: flujo paralelo a una placa de longitud L. 1 3 4 ⎛ vel ⎞ h = 6,63.10 ⎜ ⎟ ⎝ L ⎠ −3 Radiación Transferencia de calor mediante ondas electromagnéticas. 4 4 ⎛ ⎞ − T T amb sup −12 h = 36,8.10 ε ⎜ ⎟ ⎜ T −T ⎟ ⎝ sup amb ⎠ ε=emisividad Conclusión Para aumentar el h y por lo tanto la disipación conviene: • Conducción: material de buena conductividad térmica, baja longitud y gran área. • Convección natural: L lo menor posible, por lo tanto orientar adecuadamente el material. • Convección forzada: Aumentar la velocidad. • Radiación: aumentar la emisividad: color negro. Para el caso de convección natural, se puede mejorar la disipación en un 25% usando radiación. Dispositivo semiconductor •juntura juntura pegamento P cápsula ambiente El calor se origina en el lugar donde se disipa la potencia (juntura). Rthjp: resistencia térmica juntura-pegamento. Rthpc: resistencia térmica pegamento-cápsula. Rthca: resistencia térmica cápsula-ambiente. Resulta el siguiente modelo eléctrico: Rthjc’ Rthjp juntura P Rthpc pegamento Rthca cápsula ambiente Tamb. La Rthjc’ es mucho mayor que (Rthjp + Rthpc), con lo cual se obtiene el siguiente circuito: Rthjp juntura P Rthpc pegamento Rthca cápsula ambiente Tamb. Los fabricantes proveen directamente la Rthja y la Rthjc. Ejemplo: Averiguar si un Rectificador cuyos datos térmicos son: Rthjc = 2 ºC/W , Rthca = 14 ºC/W Tjmax = 125 ºC resiste las siguientes condiciones: IF = 5 A, VF = 1 V , Tamb = 30 ºC Rthjc Rthca juntura P ambiente cápsula Tamb. Análisis de los transitorios de temperatura P T(t1) t1 t Este tipo de problemas no se puede resolver con el circuito visto. Falta incorporar el concepto de capacidad térmica. Capacidad térmica Introduce el concepto de que la temperatura no puede poseer discontinuidades, es decir, la temperatura no puede aumentar o disminuir abruptamente. Rthjc J P Cthja C Rthca A Cthca Tamb. Transitorios de temperatura • En general los valores de las capacidades térmicas no están disponibles. Además, el cálculo de la temperatura a partir del circuito anterior no es inmediato. • Por esta razón los fabricantes introducen el concepto de resistencia térmica transitoria. Esto permite utilizar un circuito térmico donde sólo existan resistencias y no aparezcan las capacidades. • En este caso las resistencias son “transitorias”, R(t), y dependen del tiempo ya que encierran el concepto de capacidad térmica. P T(t1) t1 t T(t) = P. Rth(t) Rth(t) = Rth.r(t) T(t1) = P. Rth(t1) Ejemplo Verificar si un Tristor con Rthjc=3ºC/W y Tjmax=150ºC, P resiste las siguientes condiciones: 500 W 9ms 14ms Tc = 70 ºC t Tren de pulsos P2 P1 P t t0 t1 t2 t3 ΔT (t1) = P1.Rth(t1-t0) ΔT (t2) = P1.Rth(t2-t0)- P1.Rth(t2-t1) ΔT (t3) = P1.Rth(t3-t0)- P1.Rth(t3-t1)+ P2.Rth(t3-t2) Tren de pulsos iguales P P1 ton Pfin t toff P Pfin Pmedia ton t Pulsos no rectangulares Pulsos no rectangulares Pulsos no rectangulares A = P1 (t1-t0) + P2 (t2-t1) Disipadores cápsula Conductor térmico disipador ambiente Rthcd Rthda juntura Rthjc Rthca amb. cápsula P Tamb. Dado que Rthcd + Rthda es mucho menor que Rthca, el circuito equivalente queda: juntura P Rthjc Rthcd cápsula Rthda amb. Tamb. Interfases térmicas (carcaza disipador) Rthcd Debido a las irregularidades de las superficies, el contacto carcaza-disipador no es bueno. Para mejorarlo se usan interfases térmicas. Las interfases más comunes son la grasa siliconada y los pads. Grasa siliconada: Rthcd = 2ºC/W/mm Aire: Rthcd=40ºC/W/mm Aluminio: Rthcd=0.01ºC/W/mm