Hoja de especificaciones del transistor

2.6 Hoja de especificaciones del
transistor.
Puesto que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicación
entre el fabricante y el usuario, es de particular importancia que la
información proporcionada sea reconocida y correctamente
comprendida. Aunque no se han presentado todos los parámetros, un
amplio número será ahora familiar. Los parámetros restantes se
introducirán en los capítulos siguientes. Se hará referencia a esta hoja
de especificaciones para revisar la manera en la cual se presenta el
parámetro.
La información proporcionada en la figura 3.23 se ha tomado
directamente de la publicación Small-Signal Transistors, FETs, and
Diodes preparada por Motorola Inc. El 2N4123 es un transistor npn de
propósito general con el encapsulado y la identificación de terminales
que aparecen en el extremo superior derecho de la figura 3.23a. La
mayoría de las hojas de especificaciones se dividen en valores
nominales máximos, características térmicas v características
eléctricas. Las características eléctricas se subdividen además en
características en estado "encendido", en estado "apagado" y de
pequeña señal. Las características en estado activo y pasivo se
refieren a los limites de cd, mientras que las características de
pequeña señal incluyen los parámetros de importancia para la
operación de ca.
Nótese en la lista de valores nominales máximos que vcemax = VCEO =
30 V con ICmax = 200 mA. La máxima disipación de colectora . = 625
mW. El factor de degradación bajo los valores nominales máximos
especifica que el valor nominal máximo debe descender 5 mW por
cada grado de incremento en la temperatura sobre los 25°C. En las
características durante el estado "apagado" ICBO se especifica como de
50 nA y durante el estado "encendido" VCEsat = 0.3 V. El nivel de hFE
tiene un intervalo de 50 hasta 150 a una IC = 2 mA y VCE =1 V y un
valor mínimo de 25 a una corriente mayor de 50 mA para el mismo
voltaje.
Los limites de operación se han definido ahora para el dispositivo y se
repiten a continuación en el formato de la ecuación (3.17) empleando
hFE = 150 (el límite superior). En realidad, para muchas aplicaciones,
los 7.5 uA = 0.0075 mA se pueden considerar como 0 mA sobre una
base aproximada.
Límites de Operación
7.5 uA  IC  200 mA
0.3 V  VCE  30 V
VCEIC  650 mW
En las características de pequeña señal el nivel de hfe ( ca) se
proporciona junto con una gráfica de cómo varía con la corriente de
colector en la figura 3.23f. En la figura 3.23j se demuestra el efecto de
la temperatura y la comente de colector sobre el nivel de hFE ( ca). A
temperatura ambiente (25°C), adviértase que hFE ( cd) tiene un valor
máximo de 1 en la vecindad alrededor de los 8 mA. A medida que IC,
se incrementa más allá de este nivel, hFE cae a la mitad de su valor
con IC igual a 50 mA. También decae a este nivel si IC disminuye al
nivel inferior de 0.15 mA. Puesto que esta es una curva normalizada,
si tenemos un transistor con  cd = hFE = 50 a temperatura ambiente, el
valor máximo a 8 mA es de 50. A IC = 50 mA habrá decaído a 50/ 2 =
25. En otras palabras, la normalización revela que el nivel real de hFE a
cualquier nivel de IC se ha dividido por el valor máximo de hFE a esa
temperatura e IC = 8 mA.
Figura 3.23 Hoja de especificaciones del transistor.